JP5704840B2 - 集積回路チップ・パッケージ、構造 - Google Patents

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Description

本開示は、一般に、集積回路（ＩＣ）パッケージングに関し、より詳細には、ＩＣチップ・パッケージの半田要素を伴う電気特性変更用平面部材を含む構造に関する。
集積回路（ＩＣ）パッケージングで、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）接続は、積層基板上のランディング・パッドに半田ペーストを付着し、このペースト上に半田ボールを配置し、その結果生じた構造をリフローさせることによって形成される。代替として、半田フラックスがコーティングされたランディング・パッド上に半田要素を置くことができ、半田ボールをランディング・パッド上でリフローさせる。これらのＩＣパッケージでは、システムから、または異なる電位で動作する他のモジュールとの連絡から直流（ＤＣ）雑音のような悪影響を受けることなしに、高速交流（ＡＣ）信号が通過することができるようにするために、高速差動対信号（例えば、１０Ｇｂ／ｓで動作するＨＳＳ）は、しばしばＤＣフィルタを必要とする。ＤＣフィルタ処理は、一般に、信号線と直列に配置された個別表面実装技術コンデンサ（ｄ−ｃａｐｓ）によって行われる。しかし、この型のフィルタ処理は、空いていないこともある特定の空間量を必要とし、差動結合の中断を引き起こし、さらに結合雑音の問題を増すＺ方向の追加の配線を必要とすることがあるので、この型のフィルタ処理は常に可能なわけではない。
本発明は、ＩＣチップ・パッケージの半田要素を伴う電気特性変更用平面部材を含む構造、そのパッケージ、および方法を提供する。
本開示の第１の態様は、集積回路（ＩＣ）チップ・パッケージの基板とプリント回路基板（ＰＣＢ）を電気的に結合するための半田要素と、基板のランディング・パッドおよびＰＣＢのランディング・パッドのうちの１つと半田要素の間に位置決めされた第１の電気特性変更用実質平面部材とを備える構造を提供する。
本開示の第２の態様は、基板上に位置決めされたＩＣチップと、ＩＣチップから延びるリード線と、プリント回路基板（ＰＣＢ）と、リード線をＰＣＢに電気的に結合する電気特性変更用実質平面部材とを備える集積回路（ＩＣ）チップ・パッケージを提供する。
本開示の第３の態様は、ＩＣチップを取り付けるために、第１のアレイのコネクタをその表面上に含む基板を用意するステップと、第２のアレイのコネクタをその表面上に含むプリント回路基板（ＰＣＢ）を用意するステップと、第１および第２のアレイの各コネクタ上にランディング・パッドを作成するステップと、各開口がランディング・パッドを見えるようにする選択された数の開口を含むマスクを、第１および第２のアレイのうちの選択された１つの上に作成するステップと、各開口中のそれぞれのランディング・パッド上に電気特性変更用実質平面部材を形成するステップと、マスクを除去するステップと、第１および第２のアレイのうちの前記選択された１つの上にボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）を作成するステップと、そのボール・グリッド・アレイを使用して基板とＰＣＢを電気的に結合するステップと、を含む方法を提供する。
本発明の第４の態様は、集積回路（ＩＣ）チップとＩＣチップ用のパッケージ基板を電気的に結合するための半田要素と、ＩＣチップのランディング・パッドおよびパッケージ基板のランディング・パッドの少なくとも１つと半田要素の間に位置決めされた第１の電気特性変更用実質平面部材とを備える構造を含む。
本開示の例示の態様は、本明細書で説明された問題または述べられなかった他の問題あるいはその両方を解決するように設計される。
この開示のこれらおよび他の特徴は、本開示の様々な実施形態を図示する添付の図面に関連して解釈される、本開示の様々な態様についての以下の詳細な説明からいっそう容易に理解されるだろう。
本発明の実施形態に従った構造を含む、ＰＣＢに結合されたＩＣチップ・パッケージを示す部分断面図である。 代替実施形態に従った構造を含む、ＰＣＢに結合されたＩＣチップ・パッケージを示す部分断面図である。 本発明の実施形態に従った電気特性変更用平面部材を示す断面図である。 代替実施形態に従った電気特性変更用平面部材を示す断面図である。 代替実施形態に従った構造を含む、ＰＣＢに結合されたＩＣチップ・パッケージを示す部分断面図である。 本部材形成用の開口を選択的に作成するための、ＩＣチップ・パッケージ基板またはＰＣＢの上のマスクを示す図である。 本部材形成用の開口を選択的に作成するための、ＩＣチップ・パッケージ基板またはＰＣＢの上の一組のマスクを示す図である。 代替実施形態に従った構造を含む、ＰＣＢに結合されたＩＣチップ・パッケージを示す部分断面図である。 代替実施形態に従った構造を含む基板パッケージに結合されたＩＣチップを示す部分断面図である。
本開示の図面は原寸に比例して示されていないことに留意されたい。図面は、本開示の一般的な態様を単に図示する意図であり、したがって、本開示の範囲を限定するものと考えるべきでない。図面では、図面間において、同様な番号付けは同様な要素を表している。
上で示されたように、本開示は、集積回路（ＩＣ）チップ・パッケージまたはプリント回路基板（ＰＣＢ）あるいはその両方のランディング・パッドと半田要素の間に、電気特性変更用平面部材を含む構造を提供する。図１は、ＩＣチップ・パッケージ１０６の基板１０４とＰＣＢ１０８を電気的に結合するための半田要素１０２を含む構造１００の実施形態を示す。当業者は理解するように、図面は、見やすくするために簡略化され、アンダーフィル熱界面材料、チップの蓋、接着剤、表面実装デバイス、ビルドアップ層、半田マスクなどのようなものを含んでいない。さらに、見やすくするためにただ１つの半田要素１０２だけが示されているが、半田要素のアレイが一般に形成される（図６〜７を参照されたい）。半田要素１０２は、半田ボール（図示のような）、半田の柱、棒、ガルウィング型、リード線などのような任意の半田接続を含むことができる。基板１０４は、ＩＣチップ１１０を取り付けかつスケール・アップするために一般に使用される現在知られているまたはこれから開発されるどんな積層材料、セラミックまたは他の材料でも含むことができる。例示された基板１０４のいくつかの細部には、コア１１２、いくつかのメッキされたスルー・ホール（ＰＴＨ）１１４、および配線１１６がある。ＰＣＢ１０８は、導電性経路（トレース、図示されない）を介して相互に接続された複数層の電子部品を保持する任意の平らな基板を含むことがある。
電気接続がそこから出ることが望ましい基板１０４またはＰＣＢ１０８の各部分に、それぞれのランディング・パッド１２０Ｃ、１２０Ｐを介して半田要素１０２が結合されている。ランディング・パッド１２０Ｃは、ＩＣチップ・パッケージ１０６との相互接続を示し、ランディング・パッド１２０ＰはＰＣＢ１０８との相互接続を示す。各ランディング・パッド１２０Ｃ、１２０Ｐは、半田要素１０２と基板１０４またはＰＣＢ１０８の電気経路との間の電気接続として作用する半田ぬれ性パッドをそれぞれ含むことがある。ランディング・パッド１２０Ｃ、１２０Ｐは、また、ボール制限金属（ＢＬＭ）と呼ばれることがあり、例えば、クロム（Ｃｒ）またはチタン・タングステン（ＴｉＷ）のような接着剤層、および銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ）のような半田リフロー可能層を含むことがある。半田要素１０２は、錫（Ｓｎ）とランディング・パッド１２０中の銅の間の反応を減少させるのを助ける鉛／錫（Ｐｂ／Ｓｎ）合金（またはＳｎＣｕ、ＳｎＡｇＣｕのようなＰｂのない合金）を含むことがある。ランディング・パッド１２０のサイズは、高信頼性の機械的、電気的および熱的安定性を実現するように構成される。
上述の従来の特徴のほかに、構造１００は、また、基板１０４のランディング・パッド１２０ＣおよびＰＣＢ１０８のランディング・パッド１２０Ｐの少なくとも１つと半田要素１０２の間に位置決めされた電気特性変更用実質平面部材１３０Ｃ、１３０Ｐをそれぞれ含む。図１は、電気特性変更用実質平面部材１３０Ｐ、１３０Ｃ（以後、単に「部材」）が、半田要素１０２と基板１０４およびＰＣＢ１０８の両方の間に使用される実施形態を示す。すなわち、第１の部材１３０Ｃは、半田要素１０２と基板１０４のランディング・パッド１２０Ｃの間に位置決めされ、第２の部材１３０Ｐは、半田要素１０２とＰＣＢ１０８のランディング・パッド１２０Ｐの間に位置決めされている。図２は、部材１３０Ｐだけが半田要素１０２とＰＣＢ１０８の間に使用される実施形態を示す。同様に、部材１３０Ｐ無しで部材１３０Ｃ（図１）を使用することができることは理解される。いずれにしても、部材１３０Ｃ、１３０Ｐは、基板１０４またはＰＣＢ１０８の外面１３２の外にある。
部材１３０Ｐ、１３０Ｃは、垂直方向の空間の必要を最小限にするために、実質的に平面である。部材１３０Ｐ、１３０Ｃが変える電気特性は、部材の構造に依存して変化する。部材１３０Ｃまたは１３０Ｐあるいはその両方は、所望の電気的効果を達成することができるどんな形の材料でも含むことができ、例えば、単一の材料または一連の層の材料を含むことができる。一実施形態では、電気特性変更用平面部材１３０Ｃまたは１３０Ｐあるいはその両方は、コンデンサを含むことがある。この場合には、図３に示されるように、部材１３０Ｐまたは１３０Ｃあるいはその両方は、誘電体１４２によって第２の金属層１４４から隔てられた第１の金属層１４０を含むことがある。金属層１４０、１４４は、銅、ニッケル、アルミニウム（ただし、これらに限定されない）などのような導体を含むことがあり、誘電体１４２は、窒化珪素、二酸化珪素、ポリイミド（ただし、これらに限定されない）などのような絶縁体を含むことがある。一実施形態では、誘電体１４２は、層間の短絡を防ぐために、第１の金属層１４０および第２の金属層１４４の端１４６を越えて延びることがある。しかし、このことは、全ての場合に必要であるとは限らない。コンデンサとして、部材１３０Ｃ、１３０ＰはＤＣフィルタとして作用して、より低周波（ＤＣ）の変動をフィルタ除去しながらＡＣ信号を通過させる。他の実施形態では、平面部材１３０Ｃまたは１３０Ｐあるいはその両方は、抵抗器またはインダクタを含むことがある。この場合、図４に示されるように、部材１３０Ｃ、１３０Ｐは、窒化珪素、二酸化珪素、ポリイミドなどを含むことがあるがこれらに限定されない絶縁体のような、所望の誘電体効果を引き起こすことができる材料の１つまたは複数の層１５０を含むことがある。さらに、図４だけに示されるように、各部材１３０Ｃ、１３０Ｐは、ランディング・パッド１２０と接続する表面および半田要素１０２と接続する表面に半田ぬれ性層１５２を含むことがある。各半田ぬれ性表面は、部材の端まで延びないように配置される。
図５は、複数の半田要素のうちの少なくとも１つの半田要素１０２が部材１３０Ｃまたは１３０Ｐあるいはその両方を含む代替実施形態を示す（全て、両方を含んで示されている）。しかし、この場合、基板１０４およびＰＣＢ１０８の少なくとも１つの中で半田要素１０２間に電気接続１６０を作って、２以上の半田要素１０２および部材１３０Ｐ、１３０Ｃを並列接続する。このやり方で、部材１３０Ｐ、１３０Ｃを並列に結合して、電気特性の所望の変更を得ることができる。このやり方で、どんな数の半田要素１０２でも結合することができることを理解されたい。
一実施形態では、ボール・グリッド・アレイの各半田要素１０２が、１つまたは複数の部材１３０Ｃ、１３０Ｐを含むことがある。（ボール・グリッド・アレイが使用される場合、ボール・グリッド・アレイは、フリップ・チップ・プラスチック・ボール・グリッド・アレイ（ＦＣ−ＰＢＧＡ）、高度プラスチック・ボール・グリッド・アレイ（ＥＰＢＧＡ）、セラミック・ボール・グリッド・アレイ（ＣＢＧＡ）、セラミック柱グリッド・アレイ（ＣＣＧＡ）、またはガルウィング型のようなワイヤ・ボンディング・パッケージを含む他のもの、ファイン・ピッチ・ボール・グリッド・アレイ（ＦＢＧＡ）、Ｔｅｓｓｅｒａ「（Ｒ）」のような製品を含むチップ・スケール・パッケージ、その他のような、現在知られているまたはこれから開発されるどんな形でも取ることができる。）代替として、他の実施形態では、複数の半田要素１０２が利用されることがあるが、半田要素１０２のうちの選択されたものだけが部材１３０Ｃ、１３０Ｐを含むことがある。この場合、図６および７に示されるように、ＩＣチップ１１０を保持するための基板１０４（この段階で、ＩＣチップ１１０が結合されていることがあり、または、結合されていないことがある）が形成されることがあり、ここで、基板１０４は、その表面１６２に第１のアレイのコネクタを含む（ランディング・パッド１２０の下に）。同様に、ＰＣＢ１０８は、その表面１６４に第２のアレイのコネクタを含むことがある（ランディング・パッド１２０の下に）。現在知られているまたはこれから開発されるどんな方法でも、ランディング・パッド１２０を第１および第２のアレイの各コネクタ上に形成することができる。それから、図６に示されるように、第１および第２のアレイの選択された１つ（図示の基板１０４）の上にマスク１７０を形成することができ、このマスクは、選択された数の開口１７２（マスクと違った陰影付け、全てが表示されているわけでない）を含み、各開口１７２がランディング・パッド１２０を見えるようにしている。マスク１７０は、現在知られているまたはこれから開発されるどんなマスク材料でも含むことができる。それから、現在知られているまたはこれから開発されるどんな処理でも使用して、各開口１７２中のそれぞれのランディング・パッド１２０上に部材１３０Ｐ、１３０Ｃ（図１〜２）を形成することができる。部材１３０Ｐ、１３０Ｃは、材料の堆積、材料の接着、半田付け、エッチング除去、その他のような現在知られているまたはこれから開発されるどんな技術でも使用して、形成することができる。それから、現在知られているまたはこれから開発されるどんなエッチング・プロセスでも使用して、例えば反応性イオン・エッチングを使用して、マスク１７０を除去することができる。それから、知られたやり方で、第１および第２のアレイの選択された１つの上にＢＧＡ（半田要素１０２）を形成することができ、ボール・グリッド・アレイを使用して基板１０４とＰＣＢ１０８を電気的に結合することができる。このように、設計者は、チップ・パッケージ１０６とＰＣＢ１０８の間の所望の電気経路に選択的に任意の電気特性変更を利用することができる。
図７に示された代替実施形態では、第１と第２のアレイの両方（すなわち、基板１０４とＰＣＢ１０８）の上にマスク１７０が作成されることがあり、各マスクは選択された数の開口１７２を含み、各開口がランディング・パッド１２０を見えるようにしている。それから、各開口１７２中に部材１３０Ｃ、１３０Ｐ（図１〜２）を形成し、両方のマスクを除去することができる。どちらの実施形態でも、部材１３０Ｃ、１３０Ｐは、基板１０４とＰＣＢ１０８を結合する前に試験することができる。
図８に示される他の代替実施形態では、アレイ内の半田要素１０２の全てに部材１３０Ｃまたは部材１３０Ｐあるいはその両方が形成されることがある。この場合、選択された半田要素は、その部材１３０Ｃ、１３０Ｐのまわりを短絡１８０することがあり、または、図示のように両方が形成されている場合には、部材１３０Ｃ、１３０Ｐの組のまわりを短絡１８０することがある。このようにして、部材１３０Ｃ、１３０Ｐは電気的に透過性になる。部材１３０Ｃ、１３０Ｐは、現在知られているまたはこれから開発されるどんなやり方でも短絡させることができ、例えば、一方または両方の部材のまわりに延びるように十分な量の半田要素１０２を使用することによって、または部材を通して短絡を引き起こすように熱処理することよって、その他で短絡させることができる。このプロセスは、製造の複雑さを軽減し、コストの有利点をもたらすことができる。
本明細書で説明されるように、使用されようとされまいと、部材１３０Ｐ、１３０Ｃによって、チップ・パッケージ１１０の物理的な設計に違いが生じない。さらに、基板１０４をＩＣチップ１１０の接合に振り向ける前でかつＰＣＢ１０８に接合する前に、部材１３０Ｃが所定の位置にある状態で基板１０４を試験することができる。物理的構造の追加厚さは極めて小さいので、ランディング・パッドに部材１３０Ｃまたは１３０Ｐあるいはその両方が取り付けられているか省かれているかによらず、既存の半田要素および半田体積を使用することは、影響を受けない。
図９を参照して、上の実施形態と別個にまたは組み合わせて使用することができる他の実施形態が例示される。この実施形態では、上の教示は、ＩＣチップ１１０とパッケージ基板１０４の間の半田要素２０２に応用される。すなわち、ＩＣチップ１１０のシリコンとパッケージ基板１０４の間で、半田要素２０２は、例えば、複数の半田要素を含んだＣ４（controlled collapse chip connector）アレイの形を取る。この場合、構造２００は、ＩＣチップ１１０とそれのパッケージ基板１０４を電気的に結合するための半田要素２０２と、ＩＣチップ１１０のランディング・パッド２２０Ｕおよびパッケージ基板１０４のランディング・パッド２２０Ｌのうちの少なくとも１つと半田要素２０２の間に位置決めされた第１の電気特性変更用実質平面部材２３０Ｕ、２３０Ｌと、を含む。図９は、２つの部材２３０Ｕ、２３０Ｌを示すが、一方だけが使用されることがある。上のように、部材２３０Ｕ、２３０Ｌは、コンデンサ、抵抗器またはインダクタの形を取ることがある。部材２３０Ｕ、２３０Ｌがコンデンサを含む場合、その部材は、図３〜４に関して説明されたように、誘電体によって第２の金属層から隔てられた第１の金属層を含むことがある。
上で説明されたような構造および方法は、集積回路チップ・パッケージの製作で使用される。上述の教示は、単一チップ・パッケージ（マザーボードまたは他のより高いレベルのキャリアに取り付けられるリード線の付いたプラスチック・キャリアのような）または多チップ・パッケージ（片面または両面相互接続または埋込み相互接続を持つセラミック・キャリアのような）に応用することができる。いずれにせよ、次に、チップは、（ａ）マザーボードなどの中間製品か（ｂ）最終製品かのどちらかの一部として、他のチップ、個別回路要素、または他の信号処理デバイスあるいはこれらの複数と一緒に一体化することができる。最終製品は、集積回路チップを含むどんな製品であってもよく、オモチャおよび他の低価格用途からディスプレイ、キーボードまたは他の入力デバイス、および中央処理装置を含む高度コンピュータ製品までさまざまである。
前述の図面は、この開示のいくつかの実施形態に従った関連した処理のいくつかを示す。この点に関して、図面の流れ図またはシーケンス内の各図面またはブロックは、説明された方法の実施形態に関連したプロセスを表す。また、いくつかの代替実施物では、図面またはブロックで示された作業は、図に示された順序から外れて行われることがあり、または、例えば、実際には、関係した作業に依存して実質的に同時にまたは逆の順序で実行されることがあることに留意されたい。また、処理を説明する追加のブロックが追加されることがあることを当業者は理解するであろう。
本明細書で使用された用語は、特定の実施形態だけを説明するためのものであり、開示を限定する意図でない。本明細書で使用されるときに、単数形「ひとつの」および「その」は、状況がはっきりとそうではないと示さない限り、複数形も含む意図である。用語「備える」または「備えている」あるいはその両方は、この明細書で使用されるとき、陳述された特徴、完全体、ステップ、動作、要素、または構成部品あるいはこれらの複数の存在を明示するが、１つまたは複数の他の特徴、完全体、ステップ、動作、要素、構成部品、またはそれらのグループあるいはこれらの複数の存在または追加を排除しないことをさらに理解されたい。
下の特許請求の範囲の機能要素に加えて全ての手段またはステップの対応する構造、材料、作業、および同等物は、明示的に特許請求されるような他の特許請求要素との組合せで機能を果たす任意の構造、材料、または作業を含む意図である。本開示の説明は、例示と説明の目的のために示したが、網羅的である意図でなく、または開示された形態の開示に限定される意図でない。本開示の範囲および精神から逸脱することなしに多くの修正物および変形物が当業者には明らかであろう。実施形態は、本開示の原理および実際の応用を最良に説明し、さらに、当業者が、意図した特定の使用に適しているような様々な修正のある様々な実施形態のために本開示を理解できるようにするために、選択され説明された。
１００ 構造
１０２ 半田要素
１０４ 基板
１０６ ＩＣチップ・パッケージ
１０８ ＰＣＢ
１１０ ＩＣチップ
１１２ コア
１１４ スルー・ホール（ＰＴＨ）
１１６ 配線
１２０Ｃ ランディング・パッド
１２０Ｐ ランディング・パッド
１３０Ｃ 電気特性変更用実質平面部材
１３０Ｐ 電気特性変更用実質平面部材
１３２ ＰＣＢ１０８の外面
１４０ 第１の金属層
１４２ 誘電体
１４４ 第２の金属層
１４６ 金属層の端
１５２ 半田ぬれ性層
１６０ 電気接続
１６２ 基板１０４の表面
１６４ ＰＣＢ１０８の表面
１７０ マスク
１７２ 開口
１８０ 短絡
２００ 構造
２０２ 半田要素
２２０Ｕ ランディング・パッド
２２０Ｌ ランディング・パッド
２３０Ｕ 電気特性変更用実質平面部材
２３０Ｌ 電気特性変更用実質平面部材

Claims (16)

  1. 集積回路（ＩＣ）チップ・パッケージの基板とプリント回路基板（ＰＣＢ）とを電気的に結合するための半田要素であって、前記半田要素がボール・グリッド・アレイの一部分である、前記半田要素と、
    前記半田要素と前記基板のランディング・パッドとの間に位置決めされた第１の電気特性変更用実質平面部材と、
    前記半田要素と前記ＰＣＢのランディング・パッドとの間に位置決めされた第２の電気特性変更用実質平面部材と
    を備えている構造。
  2. 前記第１の電気特性変更用実質平面部材が、コンデンサ、抵抗器およびインダクタのうちの１つを含む、請求項１に記載の構造。
  3. 前記コンデンサが、誘電体によって第２の金属層から隔てられた第１の金属層を含む、請求項２に記載の構造。
  4. 前記誘電体が、前記第１の金属層および前記第２の金属層の端を越えて延びている、請求項３に記載の構造。
  5. 前記半田要素が、複数の半田要素を含むボール・グリッド・アレイの一部分である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の構造。
  6. 前記半田要素が複数の半田要素を含み、前記半田要素の少なくとも１つが、前記半田要素それぞれと前記ＰＣＢの前記ランディング・パッドとの間に位置決めされた前記第１の電気特性変更用実質平面部材を含む、
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の構造。
  7. 前記複数の半田要素の各々が、前記半田要素と前記基板の前記ランディング・パッドの間に位置決めされた前記第１の電気特性変更用実質平面部材と、
    前記半田要素と前記ＰＣＢの前記ランディング・パッドの間に位置決めされた第２の電気特性変更用実質平面部材とを含んでおり、
    前記第１および第２の電気特性変更用実質平面部材を電気的に透過性にするように、少なくとも１つの選択された半田要素の前記第１および第２の電気特性変更用実質平面部材同士が電気的に接続されている、
    請求項６に記載の構造。
  8. 前記第１の電気特性変更用実質平面部材を含む前記少なくとも１つの前記半田要素が、電気特性変更用実質平面部材を含む複数の半田要素を含んでおり、１つまたは複数の前記半田要素と前記複数の電気特性変更用実質平面部材を並列接続するように前記基板および前記ＰＣＢの少なくとも１つに電気接続をさらに備えている、
    請求項６に記載の構造。
  9. 前記第１の電気特性変更用実質平面部材が、前記基板または前記ＰＣＢの外面の外にある、請求項１〜８のいずれか一項に記載の構造。
  10. 前記第１の電気特性変更用実質平面部材が、前記ランディング・パッドと接続する表面および前記半田要素と接続する表面に半田ぬれ性層を含み、各前記半田ぬれ性層が前記第１の電気特性変更用実質平面部材の端まで延びないように配置されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載の構造。
  11. 前記ボール・グリッド・アレイが、フリップ・チップ・プラスチック・ボール・グリッド・アレイ（ＦＣ−ＰＢＧＡ）、高度プラスチック・ボール・グリッド・アレイ（ＥＰＢＧＡ）、セラミック・ボール・グリッド・アレイ（ＣＢＧＡ）、セラミック柱グリッド・アレイ（ＣＣＧＡ）、またはファイン・ピッチ・ボール・グリッド・アレイ（ＦＢＧＡ）である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の構造。
  12. 集積回路（ＩＣ）チップと前記ＩＣチップとプリント回路基板（ＰＣＢ）とを電気的に結合するための半田要素であって、前記半田要素がボール・グリッド・アレイの一部分である、前記半田要素と、
    前記半田要素と前記ＩＣチップのランディング・パッドとの間に位置決めされた第１の電気特性変更用実質平面部材と、
    前記半田要素と前記ＰＣＢのランディング・パッドとの間に位置決めされた第２の電気特性変更用実質平面部材と
    を備えている構造。
  13. 前記第１の電気特性変更用実質平面部材が、コンデンサ、抵抗器およびインダクタのうちの１つを含む、請求項１２に記載の構造。
  14. 前記第１の電気特性変更用実質平面部材が、誘電体によって第２の金属層から隔てられた第１の金属層を有するコンデンサを含む、請求項１２に記載の構造。
  15. 前記半田要素が、複数の半田要素を含むＣ４（controlled collapse chip connector）アレイの一部分である、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の構造。
  16. 前記ボール・グリッド・アレイが、フリップ・チップ・プラスチック・ボール・グリッド・アレイ（ＦＣ−ＰＢＧＡ）、高度プラスチック・ボール・グリッド・アレイ（ＥＰＢＧＡ）、セラミック・ボール・グリッド・アレイ（ＣＢＧＡ）、セラミック柱グリッド・アレイ（ＣＣＧＡ）、またはファイン・ピッチ・ボール・グリッド・アレイ（ＦＢＧＡ）である、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の構造。
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