JP5702147B2 - 電気活性材料 - Google Patents

Description

関連出願データ
本出願は、米国特許法第１１９（ｅ）条に基づき２００７年１１月１９日に出願された米国仮特許出願第６０／９８８，９５１号明細書の優先権を主張し、この文献全体が参照として本明細書に援用される。

本開示は、新規な電気活性化合物に関する。本開示はさらに、このような電気活性化合物を含む少なくとも１つの活性層を有する電子デバイスに関する。

ＯＬＥＤディスプレイを構成する有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）などの有機光活性電子デバイスにおいて、ＯＬＥＤディスプレイ中では２つの電気接触層の間に有機活性層が挟まれている。ＯＬＥＤにおいて、これらの電気接触層にわたって電圧を印加すると、有機光活性層は、光透過性電気接触層を透過する光を発する。

発光ダイオード中の活性成分として有機エレクトロルミネッセンス化合物が使用されることが知られている。単純な有機分子、共役ポリマー、および有機金属錯体が使用されている。

光活性材料を使用するデバイスは、多くの場合、光活性（たとえば、発光）層と接触層（正孔注入接触層）との間に配置される１つ以上の電荷輸送層を含む。１つのデバイスは２つ以上の接触層を含むことができる。光活性層と正孔注入接触層との間には正孔輸送層を配置することができる。正孔注入接触層はアノードと呼ばれる場合もある。光活性層と電子注入接触層との間には電子輸送層を配置することができる。電子注入接触層はカソードと呼ばれる場合もある。

電子デバイス中に使用される電荷輸送材料が引き続き必要とされている。

式Ｉ、式ＩＩ、または式ＩＩＩ：

（式中：
Ａｒ¹は、出現するごとに同種または異種であり、フェニレン、置換フェニレン、ナフチレン、および置換ナフチレンからなる群から選択され；
Ａｒ²は、出現するごとに同種または異種であり、アリール基であり；
Ｍは、出現するごとに同種または異種であり、共役部分であり；
Ｔ¹およびＴ²は、出現するごとに独立して同種または異種であり、非平面配置で結合されている共役部分であり；
ａは、出現するごとに同種または異種であり、１〜６の整数であり；
ｂ、ｃ、およびｄは、モル分率であってｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０であり、但し、ｃは０ではなく、ｂおよびｄの少なくとも１つは０ではなく、ｂが０の場合には、Ｍは、少なくとも２つのトリアリールアミン単位を含み；
ｅは、出現するごとに同種または異種であり、１〜６の整数であり；
ｎは、１を超える整数である）
で表される化合物を提供する。

上記化合物を含む少なくとも１つの層を有する電子デバイスも提供される。

以上の概要および以下の詳細な説明は、単に例示的および説明的なものであり、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明を限定するものではない。

本明細書において提示される概念の理解をすすめるために、添付の図面において実施形態を説明する。

有機電子デバイスの一例の図である。

当業者であれば理解しているように、図面中の物体は、平易かつ明快にするために示されており、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではない。たとえば、実施形態を理解しやすいようにするために、図面中の一部の物体の寸法が他の物体よりも誇張されている場合がある。

式Ｉ、式ＩＩ、または式ＩＩＩ：

（式中：
Ａｒ¹は、出現するごとに同種または異種であり、フェニレン、置換フェニレン、ナフチレン、および置換ナフチレンからなる群から選択され；
Ａｒ²は、出現するごとに同種または異種であり、アリール基であり；
Ｍは、出現するごとに同種または異種であり、共役部分であり；
Ｔ¹およびＴ²は、出現するごとに独立して同種または異種であり、非平面配置で結合されている共役部分であり；
ａは、出現するごとに同種または異種であり、１〜６の整数であり；
ｂ、ｃ、およびｄは、モル分率であってｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０であり、但し、ｃは０ではなく、ｂおよびｄの少なくとも１つは０ではなく、ｂが０の場合には、Ｍは、少なくとも２つのトリアリールアミン単位を含み；
ｅは、出現するごとに同種または異種であり、１〜６の整数であり；
ｎは、１を超える整数である）
で表される化合物を提供する。

上記化合物を含む少なくとも１つの層を有する電子デバイスも提供される。

多数の態様および実施形態を以上に説明してきたが、これらは単に例示的で非限定的なものである。本明細書を読めば、本発明の範囲から逸脱しない他の態様および実施形態が実現可能であることが、当業者には分かるであろう。

いずれか１つ以上の本発明の実施形態のその他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および特許請求の範囲から明らかとなるであろう。この詳細な説明では、最初に、用語の定義および説明を扱い、続いて、電気活性化合物、電子デバイス、ならびに最後に実施例を扱う。

１．用語の定義および説明
以下に説明する実施形態の詳細を扱う前に、一部の用語について定義または説明を行う。

本発明において使用される場合、用語「アルキル」は、分岐鎖および直鎖の飽和脂肪族炭化水素を含む。特に明記しない限り、この用語は、環状基を含むことも意図している。アルキル基の例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、イソヘキシルなどが挙げられる。用語「アルキル」は、置換および非置換の炭化水素基の両方をさらに含んでいる。ある実施形態においては、アルキル基は一置換、二置換、および三置換であってよい。置換アルキル基の一例はトリフルオロメチルである。他の置換アルキル基は、本明細書に記載の１つ以上の置換基から形成される。ある実施形態においては、アルキル基は１〜２０個の炭素原子を有する。別の実施形態においては、この基は１〜６個の炭素原子を有する。この用語は、ヘテロアルキル基を含むことを意図している。ヘテロアルキル基は１〜２０個の炭素原子を有することができる。

用語「アリール」は、芳香族炭素環部分を意味し、これらは１つの環（単環式）であってもよいし、互いに縮合または共有結合した複数の環（二環またはそれ以上の環）であってもよい。アリール部分のあらゆる好適な環位置は、画定された化学構造に共有結合することができる。アリール部分の例としては、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ジヒドロナフチル、テトラヒドロナフチル、ビフェニル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、インダニル、ビフェニレニル、アセナフテニル、アセナフチレニルなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ある実施形態では、アリール基は６〜６０個の炭素原子を有し；ある実施形態では、６〜３０個の炭素原子を有する。この用語は、ヘテロアリール基を含むことを意図している。ヘテロアリール基は、４〜５０個の炭素原子を有することができ；ある実施形態では、４〜３０個の炭素原子を有することができる。

用語「アルコキシ」は、基−ＯＲ（式中、Ｒはアルキルである）を意味することを意図している。

用語「アリールオキシ」は、基−ＯＲ（式中、Ｒはアリールである）を意味することを意図している。

特に明記しない限り、すべての基は、置換されていてもよいし、非置換であってもよい。限定するものではないがアルキルまたはアリールなどの場合により置換された基は、同種の場合も異種の場合もある１つ以上の置換基で置換されていてよい。好適な置換基としては、Ｄ、アルキル、アリール、ニトロ、シアノ、−Ｎ（Ｒ⁷）（Ｒ⁸）、ハロ、ヒドロキシ、カルボキシ、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、アルコキシカルボニル、パーフルオロアルキル、パーフルオロアルコキシ、アリールアルキル、シリル、シロキサン、チオアルコキシ、−Ｓ（Ｏ）₂−Ｎ（Ｒ’）（Ｒ”）、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ’）（Ｒ”）、（Ｒ’）（Ｒ”）Ｎ−アルキル、（Ｒ’）（Ｒ”）Ｎ−アルコキシアルキル、（Ｒ’）（Ｒ”）Ｎ−アルキルアリールオキシアルキル、−Ｓ（Ｏ）_s−アリール（式中、ｓ＝０〜２）、または−Ｓ（Ｏ）_s−ヘテロアリール（式中、ｓ＝０〜２）が挙げられる。それぞれのＲ’およびＲ”は独立して、場合により置換されたアルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基である。特定の実施形態においては、Ｒ’およびＲ”は、それらの結合する窒素原子と一緒になって環系を形成することができる。また、置換基は、架橋基であってもよい。

層、材料、部材、または構造に関して言及される場合、用語「電荷輸送」は、そのような層、材料、部材、または構造が、比較的効率的かつ少ない電荷損失で、そのような層、材料、部材、または構造の厚さを通過するそのような電荷の移動を促進することを意味することを意図している。正孔輸送材料はで正電荷を促進し；電子輸送材料は負電荷を促進する。発光材料も、ある程度の電荷輸送特性を有する場合があるが、用語「電荷輸送層、材料、部材、または構造」は、主要な機能が発光である層、材料、部材、または構造を含むことを意図していない。

用語「化合物」は、分子から構成される非帯電物質であって、これらの分子は原子をさらに含み、これらの原子は、化学結合を破壊することなしには物理的手段によって、それらの対応する分子から分離することができない物質を意味することを意図している。この用語は、オリゴマーおよびポリマーを含むことを意図している。

用語「架橋性基」または「架橋基」は、熱処理または放射線への曝露によって架橋を引き起こすことが可能な基を意味することを意図している。ある実施形態では、放射線はＵＶまたは可視光である。

層または材料に関して言及される場合の用語「電気活性」は、デバイスの動作を電子的に促進する層または材料を示すことを意図している。活性材料の例としては、電荷を伝導、注入、輸送、または遮断する材料であって、電荷が電子または正孔のいずれであってもよい材料、あるいは放射線を受けたときに放射線を放出する、または電子−正孔対の濃度変化を示す材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。不活性材料の例としては、平坦化材料、絶縁材料、および環境障壁材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

接頭語「フルオロ」は、基の中の１つ以上の水素がフッ素で置換されていることを示すことを意図している。

接頭語「ヘテロ」は、１つ以上の炭素原子が異なる原子で置換されていることを示している。ある実施形態においては、ヘテロ原子はＯ、Ｎ、Ｓ、またはそれらの組み合わせである。

本明細書の式Ｉ〜ＩＩＩ中の［Ｔ¹−Ｔ²］に言及する場合の用語「非平面配置」は、Ｔ¹およびＴ²中の直接隣接する基が同一平面内で配向していないことを意味することを意図している。

用語「オキシアルキル」は、酸素で置換された１つ以上の炭素を有するヘテロアルキル基を意味することを意図している。この用語は、酸素を介して結合している基を含んでいる。

用語「光活性」は、エレクトロルミネッセンスまたは感光性を示すあらゆる材料を意味することを意図している。

用語「シリル」は、基Ｒ₃Ｓｉ−（式中、Ｒは、Ｈ、Ｄ、Ｃ１〜２０アルキル、フルオロアルキル、またはアリールである）を意味する。ある実施形態では、Ｒアルキル基中の１つ以上の炭素がＳｉで置換されている。ある実施形態では、シリル基は、（ヘキシル）₂Ｓｉ（Ｍｅ）ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（Ｍｅ）₂−、および［ＣＦ₃（ＣＦ₂）₆ＣＨ₂ＣＨ₂］₂ＳｉＭｅ−である。

用語「シロキサン」は、基（ＲＯ）₃Ｓｉ−（式中、Ｒは、Ｈ、Ｄ、Ｃ１〜２０アルキル、またはフルオロアルキルである）を意味する。

デバイス中の層に言及するために使用される場合、語句「隣接する」は、ある層が別の層のすぐ隣にあることを必ずしも意味するものではない。他方で、語句「隣接するＲ基」は、化学式中で互いに隣同士であるＲ基（すなわち、１つの結合によって連結した複数の原子上に存在する複数のＲ基）を意味するために使用される。

本明細書において使用される場合、用語「含んでなる」、「含んでなること」、「含む」、「含むこと」、「有する」、「有すること」、またはそれらの他のあらゆる変形は、非排他的な包含を扱うことを意図している。たとえば、ある一連の要素を含むプロセス、方法、物品、または装置は、それらの要素にのみに必ずしも限定されるわけではなく、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に関して明示されず固有のものでもない他の要素を含むことができる。さらに、反対の意味で明記されない限り、「または」は、包含的な「または」を意味するのであって、排他的な「または」を意味するのではない。たとえば、条件ＡまたはＢが満たされるのは、Ａが真であり（または存在し）Ｂが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在せず）Ｂが真である（または存在する）、ならびにＡおよびＢの両方が真である（または存在する）のいずれか１つによってである。

また、本発明の要素および成分を説明するために「ａ」または「ａｎ」も使用されている。これは単に便宜的なものであり、本発明の一般的な意味を提供するために行われている。この記述は、１つまたは少なくとも１つを含むものと読むべきであり、明らかに他の意味となる場合を除けば、単数形は複数形も含んでいる。

元素周期表中の縦列に対応する族の番号は、（非特許文献２）に見ることができる「新表記法」（Ｎｅｗ Ｎｏｔａｔｉｏｎ）の規則を使用している。

特に定義しない限り、本明細書において使用されるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されている意味と同じ意味を有する。本明細書に記載されているものと類似または同等の方法および材料を使用して、本発明の実施形態の実施または試験を行うことができるが、好適な方法および材料については以下に説明する。本明細書において言及されるあらゆる刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、特に明記しない限り、それらの記載内容全体が援用される。矛盾が生じる場合には、定義を含めて本明細書に従うものとする。さらに、材料、方法、および実施例は、単に説明的なものであって、限定を意図したものではない。

本明細書に記載されていない程度の、具体的な材料、処理行為、および回路に関する多くの詳細は従来通りであり、それらについては、有機発光ダイオードディスプレイ、光源、光検出器、光電池、および半導体要素の技術分野の教科書およびその他の情報源中に見ることができる。

２．電気活性化合物
本明細書に記載の化合物は、式Ｉ、式ＩＩ、または式ＩＩＩ：

（式中：
Ａｒ¹は、出現するごとに同種または異種であり、フェニレン、置換フェニレン、ナフチレン、および置換ナフチレンからなる群から選択され；
Ａｒ²は、出現するごとに同種または異種であり、アリール基であり；
Ｍは、出現するごとに同種または異種であり、共役部分であり；
Ｔ¹およびＴ²は、出現するごとに独立して同種または異種であり、非平面配置で結合されている共役部分であり；
ａは、出現するごとに同種または異種であり、１〜６の整数であり；
ｂ、ｃ、およびｄは、モル分率であってｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０であり、但し、ｃは０ではなく、ｂおよびｄの少なくとも１つは０ではなく、ｂが０の場合には、Ｍは、少なくとも２つのトリアリールアミン単位を含み；
ｅは、出現するごとに同種または異種であり、１〜６の整数であり；
ｎは、１を超える整数である）
で表される。

ある実施形態では、少なくとも１つのＡｒ¹は、アルキル、アルコキシ、シリル、および架橋基を有する置換基からなる群から選択される置換基を有する置換フェニルである。ある実施形態では、ａは１〜３である。ある実施形態ではａは１〜２である。ある実施形態では、ａは１である。ある実施形態では、ｅは１〜４である。ある実施形態では、ｅは１〜３である。ある実施形態では、ｅ＝１である。ある実施形態では、少なくとも１つのＡｒ¹が、架橋基を有する置換基を有する。

ある実施形態では、Ａｒ²は式ａ

（式中：
Ｒ¹は、出現するごとに同種または異種であり、アルキル、アルコキシ、シロキサン、およびシリルからなる群から選択され；
ｆは、出現するごとに同種または異種であり、０〜４の整数であり；
ｇは０〜５の整数であり；
ｍは１〜５の整数である）
で表される。

ある実施形態では、ｆおよびｇの少なくとも１つが０ではない。ある実施形態では、ｍ＝１〜３である。

ある実施形態では、Ａｒ²は、式ａで表される基、ナフチル、フェニルナフチル、およびナフチルフェニルからなる群から選択される。ある実施形態では、Ａｒ²は、フェニル、ｐ−ビフェニル、ｐ−ターフェニル、ナフチル、フェニルナフチル、およびナフチルフェニルからなる群から選択される。ある実施形態では、Ａｒ²は、フェニル、ビフェニル、およびターフェニルからなる群から選択される。

式Ｉ〜ＩＩＩ中のいずれの芳香環も、あらゆる位置で置換されていてもよい。置換基は、溶解性などの化合物の１つ以上の物理的性質を改善するために存在することができる。ある実施形態では、置換基は、Ｃ_1-12アルキル基、Ｃ_1-12アルコキシ基、およびシリル基からなる群から選択される。ある実施形態では、上記アルキル基はヘテロアルキル基である。ある実施形態では、上記アルキル基はフルオロアルキル基である。ある実施形態では、少なくとも１つのＡｒ²が、アルキル、アルコキシ、またはシリルの置換基を有する。置換基は、架橋性を付与するために存在することができる。ある実施形態では、架橋置換基が少なくとも１つのＡｒ²の上に存在する。ある実施形態では、架橋置換基が、少なくとも１つのＭ部分の上に存在する。ある実施形態では、架橋性基を含む少なくとも１つの置換基が存在する。架橋性基の例としては、ビニル、アクリレート、パーフルオロビニルエーテル、１−ベンゾ−３，４−シクロブタン、シロキサン、シアネート基、環状エーテル類（エポキシド類）、シクロアルケン類、およびアセチレン系基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

一実施形態では、架橋性基はビニルである。

Ｔ¹−Ｔ²基によって、化合物の主鎖中に非平面性が導入される。Ｔ²中の部分に直接結合しているＴ¹中の部分は、Ｔ¹部分が、それが結合しているＴ²中の部分とは異なる面内に配向するように結合している。Ｔ¹単位の別の部分、たとえば置換基は、１つ以上の異なる面内にあってもよいが、非平面性が得られるのは、化合物主鎖中のＴ¹中の結合部分とＴ²中の結合部分との面である。非平面Ｔ¹−Ｔ²結合のために、本発明の化合物はキラルとなる。一般に、本発明の化合物はラセミ混合物として形成される。本発明の化合物は鏡像異性的に純粋な形態であってもよい。非平面性は、Ｔ¹−Ｔ²結合のまわりの自由回転を制限するものとしてみることができる。この結合のまわりの回転によって、ラセミ化が起こる。Ｔ¹−Ｔ²のラセミ化の半減期は、非置換ビフェニルの半減期よりも大きい。ある実施形態では、ラセミ化の半減期は、２０℃において１２時間以上である。

Ｔ¹およびＴ²は、共役部分である。ある実施形態では、Ｔ¹およびＴ²は、芳香族部分である。ある実施形態では、Ｔ¹およびＴ²は、フェニレン基、ナフチレン基、およびアントラセニル基からなる群から選択される。

ある実施形態では、［Ｔ¹−Ｔ²］は置換ビフェニレン基である。用語「ビフェニレン」は、化合物の主鎖に結合する点を２つ有するビフェニル基を意味することを意図している。用語「ビフェニル」は、単結合によって連結した２つのフェニル単位を有する基を意味することを意図している。ビフェニレン基は、２位、３位、４位、または５位の中の１つと、２’位、３’位、４’位、または５’位の中の１つとにおいて結合することができる。置換ビフェニレン基は、２位において少なくとも１つの置換基を有する。ある実施形態では、ビフェニレン基は、少なくとも２位および２’位において置換基を有する。

ある実施形態では、［Ｔ¹−Ｔ²］はビナフチレン基である。用語「ビナフチレン」は、化合物の主鎖に結合する点を２つ有するビナフチル基を意味することを意図している。用語「ビナフチル」は、単結合によって連結した２つのナフタレン単位を有する基を意味することを意図している。ある実施形態では、ビナフチレン基は１，１’−ビナフチレンであり、これは、３位、４位、５位、６位、または７位の中の１つと、３’位、４’位、５’位、６’位、または７’位の中の１つとにおいて化合物の主鎖に結合する。これは以下に示されており、破線は、可能性のある結合点を表している。

ある実施形態では、ビナフチレン基は、８位または９’位において少なくとも１つの置換基を有し、３位、４位、５位、６位、または７位の中の１つと、４’位、５’位、６’位、７’位、または８’位の中の１つにおいて化合物の主鎖に結合している１，２’−ビナフチレンである。これは以下に示されており、破線は、可能性のある結合点を表しており、少なくとも１つのＲは置換基を表している。

ある実施形態では、ビナフチレン基は、８位または９’位において少なくとも１つの置換基を有し、４位、５位、６位、７位、または８位の中の１つと、４’位、５’位、６’位、７’位、または８’位の中の１つにおいて化合物の主鎖に結合している２，２’−ビナフチレンである。これは以下に示されており、破線は、可能性のある結合点を表しており、少なくとも１つのＲは置換基を表している。

ある実施形態では、［Ｔ¹−Ｔ²］は、フェニレン−ナフチレン基である。ある実施形態では、［Ｔ¹−Ｔ²］は、フェニレン中の３位、４位、または５位の中の１つと、ナフチレンの３位、４位、または５位の中の１つとにおいて化合物の主鎖に結合しているフェニレン−１−ナフチレン基である。ある実施形態では、［Ｔ¹−Ｔ²］は、フェニレン中の３位、４位、または５位の中の１つと、ナフチレンの４位、５位、６位、７位、または８位の中の１つとにおいて化合物の主鎖に結合しているフェニレン−２−ナフチレン基である。

ある実施形態では、ビフェニレン基、ビナフチレン基、およびフェニレン−ナフチレン基は、１つ以上の位置で置換されている。

ある実施形態では、［Ｔ¹−Ｔ²］は、以下の：

（式中、Ｒは、同種または異種であり、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルキル、フルオロアリール、フルオロアリールオキシ、フルオロアルキルオキシ、オキシアルキル、アルケニル基、シリル、シロキサン、および架橋基からなる群から選択される）
の中の１つから選択される。破線は、化合物の主鎖への可能性のある結合点を表している。ある実施形態では、Ｒは、Ｃ_1-10アルキルまたはアルコキシであり；ある実施形態では、Ｃ_3-8分岐アルキルまたはアルコキシである。ある実施形態では、２つのＲ基が互いに連結して、非芳香環を形成している。

ある実施形態では、［Ｔ¹−Ｔ²］は、４位および４’位において化合物の主鎖に結合している１，１−ビナフチレン基であり、４，４’−（１，１−ビナフチレン）と呼ばれる。ある実施形態では、４，４’−（１，１−ビナフチレン）が、存在する唯一の異性体となる。ある実施形態では、２つ以上の異性体が存在する。ある実施形態では、４，４’−（１，１−ビナフチレン）は、最大５０重量％の第２の異性体とともに存在する。ある実施形態では、第２の異性体は、４，５’−（１，１−ビナフチレン）、４，６’−（１，１−ビナフチレン）、および４，７’−（１，１−ビナフチレン）からなる群から選択される。

式ＩＩＩは、少なくとも１つのＴ部分と、少なくとも１つの別の共役部分とが存在するコポリマーを表している。ある実施形態では、ｃは少なくとも０．４である。ある実施形態では、ｃは０．４〜０．６の範囲内である。このコポリマーは、ランダムコポリマー、交互コポリマー、またはブロックコポリマーであってよい。ある実施形態では、Ｍは、トリアリールアミン単位を含む。ある実施形態では、Ｍは、芳香族基である。ある実施形態では、Ｍは、架橋性置換基を有する芳香族単位である。架橋性置換基を有するＭの量は、一般に４〜２０モルパーセントの間である。

式Ｉで表される化合物の非限定的な一部の例としては、以下の化合物ＡおよびＢが挙げられる。

化合物Ａ：

化合物Ｂ：

式ＩＩで表される化合物の非限定的な一部の例としては以下の化合物ＣからＭおよびＭ１が挙げられる。
化合物Ｃ

化合物Ｄ：

化合物Ｅ：

Ａｒ＝フェニル、ビフェニル
化合物Ｆ：

化合物Ｇ：

化合物Ｈ：

化合物Ｉ：

化合物Ｊ：

化合物Ｋ：

化合物Ｌ：

化合物Ｍ：
化合物Ｍ１：

式ＩＩＩで表される化合物の非限定的な一部の例としては以下の化合物ＮからＹ４が挙げられる。
化合物Ｎ：

ａ＝０．４〜０．８
ｂ＝０．２〜０．６

化合物Ｏ：

ａ＝０．３〜０．７
ｂ＝０．３〜０．７

化合物Ｐ：

ａ＝０．８〜０．９５
ｂ＝０．０５〜０．２

化合物Ｑ：

化合物Ｒ：

化合物Ｓ：

化合物Ｔ：

化合物Ｕ：

化合物Ｖ：

化合物Ｗ：

化合物Ｘ：

化合物Ｙ
化合物Ｙ１〜Ｙ４

本発明の新規化合物は、Ｃ−Ｃ結合またはＣ−Ｎ結合が形成されるあらゆる技術を使用して製造することができる。Ｓｕｚｕｋｉ、Ｙａｍａｍｏｔｏ、Ｓｔｉｌｌｅ、ならびにＰｄまたはＮｉ触媒によるＣ−Ｎカップリングなどの多種多様なこのような技術が周知である。溶液処理技術を使用して本発明の化合物から層を形成することができる。用語「層」は、用語「膜」と同義的に使用され、所望の領域を覆うコーティングを意味する。この用語は大きさによって限定されることはない。この領域は、デバイス全体の大きさであってもよいし、実際の視覚的表示などの特殊機能領域の小ささ、または１つのサブピクセルの小ささであってもよい。層および膜は、気相堆積、液相堆積（連続的技術および不連続な技術）、および熱転写などの従来のあらゆる堆積技術によって形成することができる。連続堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングが挙げられるが、これらに限定されるものではない。不連続堆積技術としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明に記載の新規化合物は、正孔輸送材料として、光活性材料として、および光活性材料のホストとして使用することができる。新規化合物は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、およびＮ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）などの有効な小分子正孔輸送化合物と同様の正孔移動性およびＨＯＭＯ／ＬＵＭＯエネルギーを有する。ＴＰＤおよびＮＰＤなどの化合物は一般に、気相堆積技術を使用して塗布する必要がある。

３．電子デバイス
本明細書に記載の少なくとも１種類の化合物を含む１つ以上の層を有することが有益となりうる有機電子デバイスとしては、（１）電気エネルギーを放射線に変換するデバイス（たとえば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、またはダイオードレーザー）、（２）電子的過程を介して信号を検出するデバイス（たとえば、光検出器、光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、光電管、ＩＲ検出器）、（３）放射線を電気エネルギーに変換するデバイス（たとえば、光起電力デバイスまたは太陽電池）、ならびに（４）１つ以上の有機半導体層を含む１つ以上の電子部品（たとえば、トランジスタまたはダイオード）を含むデバイスが挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明による組成物の他の使用としては、コーティング材料が挙げられ、このコーティング材料は、記憶デバイス、帯電防止フィルム、バイオセンサー、エレクトロクロミックデバイス、固体電解コンデンサ、充電式電池などのエネルギー蓄積デバイス、および電磁遮蔽用途に使用される。

有機電子デバイス構造の一例を図１に示す。デバイス１００は、アノード層１１０およびカソード層１５０、ならびにそれらの間の光活性層１３０を含む。アノードに隣接して、電荷輸送材料、たとえば正孔輸送材料を含む層１２０が存在する。カソードに隣接して、電子輸送材料を含む電荷輸送層１４０が存在することができる。選択肢の１つとして、デバイスは、アノード１１０の隣に１つ以上の追加の正孔注入層または正孔輸送層（図示せず）、および／またはカソード１５０の隣に１つ以上の追加の電子注入層または電子輸送層（図示せず）を使用することができる。

本発明において使用される場合、用語「光活性」は、印加された電圧によって活性化されると発光する材料（発光ダイオード中または発光電気化学セル中など）、あるいは、放射エネルギーに応答し、バイアス電圧の印加を使用して、または使用せずに信号を発生する材料（光検出器中など）を意味する。一実施形態においては、光活性層は発光体層である。

デバイス１００の用途に依存するが、光活性層１３０は、印加電圧によって励起する発光層（発光ダイオード中または発光電気化学セル中など）、放射エネルギーに応答し、バイアス電圧の印加を使用してまたは使用せずに信号を発生する材料層（光検出器中など）であってよい。光検出器の例としては、光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、および光起電力セルが挙げられ、これらの用語は、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ Ｃｏｎｃｉｓｅ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，４ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ，ｐ．１５３７，（１９９９）に記載されている。

ある実施形態においては、正孔輸送層１２０は、本明細書に記載される少なくとも１種類の新規電気活性化合物を含む。

ある実施形態では、光活性層１３０は、本明細書に記載の少なくとも１つの新規電気活性化合物を含み、この電気活性化合物は光活性である。

ある実施形態では、光活性層１３０は、本明細書に記載の少なくとも１つの新規電気活性化合物を含み、この電気活性化合物は、光活性材料が分散されたホストとして役割を果たす。

デバイス中の他の層は、そのような層に有用であることが知られているあらゆる材料でできていてよい。アノード１１０は、正電荷キャリアの注入に特に有効な電極である。アノードは、たとえば金属、混合金属、合金、金属酸化物、または混合金属酸化物を含有する材料でできていてもよいし、伝導性ポリマー、およびそれらの混合物であってもよい。好適な金属としては、１１族金属、４族、５族、および６族の金属、ならびに８〜１０族の遷移金属が挙げられる。アノードが光透過性となるべき場合には、インジウムスズ酸化物などの１２族、１３族、および１４族の金属の混合金属酸化物が一般に使用される。アノード１１０は、「Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｍａｄｅ ｆｒｏｍ ｓｏｌｕｂｌｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ」，Ｎａｔｕｒｅ ｖｏｌ．３５７，ｐｐ ４７７ ４７９（１１ Ｊｕｎｅ １９９２）に記載されるようなポリアニリンなどの有機材料を含むこともできる。アノードおよびカソードの少なくとも１つは、発生した光を観察できるように、少なくとも部分的に透明となるべきである。

ある実施形態においては、本発明のデバイスは、アノードと本発明の新規ポリマーを含む層との間に緩衝層をさらに含む。用語「緩衝層」は、導電性材料または半導体材料を含む層を意味することを意図しており、この層は、限定するものではないが、下にある層の平坦化、電荷輸送および／または電荷注入特性、酸素または金属イオンなどの不純物の捕捉、ならびに有機電子デバイスの性能を促進または改善する他の特徴などの、１つ以上の機能を有機電子デバイス中で有することができる。緩衝材料は、ポリマー、オリゴマー、または小分子であってよく、溶液、分散体、懸濁液、エマルジョン、コロイド混合物、またはその他の組成物の形態であってよい。緩衝層は、プロトン酸がドープされることが多いポリアニリン（ＰＡＮＩ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などのポリマー材料で形成され得る。プロトン酸は、たとえば、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）などであってよい。緩衝層は、銅フタロシアニンやテトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン系（ＴＴＦ−ＴＣＮＱ）などの電荷輸送化合物などを含むことができる。一実施形態においては、緩衝層は、導電性ポリマーとコロイド形成性ポリマー酸との分散体から作製される。このような材料は、たとえば、米国特許出願公開第２００４−０１０２５７７号明細書、米国特許出願公開第２００４−０１２７６３７号明細書、および米国特許出願公開第２００５／２０５８６０号明細書に記載されている。

ある実施形態では、正孔輸送層１２０は、本明細書に記載の新規電気活性化合物を含む。ある実施形態では、正孔輸送層１２０は、本明細書に記載の新規電気活性化合物から実質的になる。ある実施形態では、層１２０は、他の正孔輸送材料を含む。層１２０の別の正孔輸送材料の例は、たとえば、Ｙ．ＷａｎｇによってＫｉｒｋ Ｏｔｈｍｅｒ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、第４版、第１８巻、ｐ．８３７ ８６０、１９９６にまとめられている。正孔輸送分子および正孔輸送ポリマーの両方を使用することができる。一般に使用される正孔輸送分子としては：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、ａ−フェニル４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−ｔｒａｎｓ−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）、および銅フタロシアニンなどのポルフィリン系化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。一般に使用される正孔輸送ポリマーとしては、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、およびポリアニリンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマー中に、上述のものなどの正孔輸送分子をドープすることによって、正孔輸送ポリマーを得ることもできる。緩衝層および／または正孔輸送層は、米国特許出願公開第２００４／１０２５７７号明細書、米国特許出願公開第２００４／１２７６３７号明細書、および米国特許出願公開第２００５／２０５８６０号明細書に記載されるようなチオフェン、アニリン、またはピロールとポリマーフッ素化スルホン酸とのポリマーを含むこともできる。

あらゆる有機エレクトロルミネッセンス（「ＥＬ」）材料を層１３０中の光活性材料として使用することができる。このような材料としては、本発明の化合物の１つ以上、小有機蛍光性化合物、蛍光性およびリン光性の金属錯体、共役ポリマー、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。蛍光化合物の例としては、ピレン、ペリレン、ルブレン、クマリン、それらの誘導体、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。金属錯体の例としては、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などの金属キレート化オキシノイド化合物；シクロメタレート化イリジウムおよび白金エレクトロルミネッセンス化合物、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。共役ポリマーとしては、ポリ（フェニレンビニレン）類、ポリフルオレン類、ポリ（スピロビフルオレン）類、ポリチオフェン類、ポリ（ｐ−フェニレン）類、それらのコポリマー、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの材料は、ホスト材料と混合されて存在することもできる。ある実施形態においては、ホスト材料は、正孔輸送材料または電子輸送材料である。ある実施形態においては、ホストは、本明細書に記載の新規電気活性化合物である。ある実施形態では、ホスト材料対光活性材料の比は５：１〜２０：１の範囲内であり；ある実施形態では、１０：１〜１５：１の範囲内である。ある実施形態では、光活性層は、光活性材料と本明細書に記載の新規電気活性化合物とから実質的になる。

電子輸送層１４０中、および／または層１４０とカソードとの間の任意選択の層中に使用可能な電子輸送材料の例としては、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（ＡｌＱ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、テトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ハフニウム（ＨｆＱ）、およびテトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ジルコニウム（ＺｒＱ）などの金属キレート化オキシノイド化合物；ならびに２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、および１，３，５−トリ（フェニル−２−ベンズイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物；２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）および２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ）などのフェナントロリン類；ならびにそれらの混合物が挙げられる。

カソード１５０は、電子または負電荷キャリアの注入に特に有効な電極である。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有するあらゆる金属または非金属であってよい。カソードの材料は、１族のアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｃｓ）、２族（アルカリ土類）金属、１２族金属、たとえば希土類元素およびランタニド、ならびにアクチニドから選択することができる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウム、およびマグネシウム、ならびに組み合わせた材料を使用することができる。動作電圧を低下させるために、Ｌｉ含有有機金属化合物、ＬｉＦ、およびＬｉ₂Ｏを有機層とカソード層との間に堆積することもできる。

各構成層の材料の選択は、好ましくは、デバイスの可動寿命で高いデバイス効率を有するデバイスを得ることの目標の釣り合いを取ることによって決定される。デバイス中に他の層が存在することもできる。緩衝層と有機活性層との間に１つ以上の正孔注入層および／または正孔輸送層が存在することができる。有機活性層とカソードとの間に１つ以上の電子輸送層および／または電子注入層が存在することができる。

本発明のデバイスは、好適な基体上に個別の層を順次堆積するなどの種々の技術によって作製することができる。ガラスおよびポリマーフィルムなどの気体を使用することができる。熱蒸着、化学蒸着などの従来の気相堆積技術を使用することができる。あるいは、有機層は、好適な溶媒を使用した液相堆積によって堆積することができる。この液相は、溶液、分散液、またはエマルジョンの形態であってよい。典型的な液相堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングなどの連続堆積技術；ならびにインクジェット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、およびスクリーン印刷、限定するものではないがスピンコーティング、浸漬コーティング、ロール・トゥ・ロール技術、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷などのあらゆる従来のコーティング技術または印刷技術が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本明細書に記載される新規電気活性化合物は、液体組成物からの液相堆積によって適用することができる。用語「液体組成物」は、材料が溶解して溶液を形成する液体媒体、材料が分散して分散液を形成する液体媒体、あるいは材料が懸濁して懸濁液またはエマルジョンを形成する液体媒体を意味することを意図している。

一実施形態においては、種々の層は以下の範囲の厚さを有する：アノード１１０、５００〜５０００Å、一実施形態においては１０００〜２０００Å；正孔輸送層１２０、５０〜２０００Å、一実施形態においては２００〜１０００Å；光活性層１３０、１０〜２０００Å、一実施形態においては１００〜１０００Å；層１４０、５０〜２０００Å、一実施形態においては１００〜１０００Å；カソード１５０、２００〜１００００Å、一実施形態においては３００〜５０００Å。デバイス中の電子−正孔再結合領域の位置、したがってデバイスの発光スペクトルは、各層の相対厚さによって影響されうる。たとえば、電子−正孔再結合領域が発光層中に存在するように、電子輸送層の厚さを選択すべきである。層の厚さの望ましい比は、使用される材料の厳密な性質に依存する。

一実施形態においては、本発明のデバイスは：アノード、緩衝層、正孔輸送層、光活性層、電子輸送層、電子注入層、カソードの構造をこの順序で有する。一実施形態においては、アノードは、インジウムスズ酸化物またはインジウム亜鉛酸化物でできている。一実施形態においては、緩衝層は、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリピロール類、それらのコポリマー、およびそれらの混合物からなる群から選択される伝導性ポリマーを含む。一実施形態においては、緩衝層は、伝導性ポリマーとコロイド形成性ポリマー酸との複合体を含む。

一実施形態においては、正孔輸送層は、本発明に記載の新規化合物を含む。一実施形態においては、正孔輸送層は、トリアリールアミン基またはトリアリールメタン基を有する化合物を含む。一実施形態においては、正孔輸送層は、前述の定義のＴＰＤ、ＭＰＭＰ、ＮＰＢ、ＣＢＰ、およびそれらの混合物からなる群から選択される材料を含む。

一実施形態においては、光活性層は、エレクトロルミネッセンス金属錯体とホスト材料とを含む。このホストは電荷輸送材料であってよい。一実施形態においては、ホストは本発明に記載の新規電気活性化合物である。一実施形態においては、エレクトロルミネッセンス錯体少なくとも１重量％の量で存在する。一実施形態においては、エレクトロルミネッセンス錯体は２〜２０重量％である。一実施形態においては、エレクトロルミネッセンス錯体は２０〜５０重量％である。一実施形態においては、エレクトロルミネッセンス錯体は５０〜８０重量％である。一実施形態においては、エレクトロルミネッセンス錯体は８０〜９９重量％である。一実施形態においては、金属錯体は、イリジウム、白金、レニウム、またはオスミウムのシクロメタレート化錯体である。一実施形態においては、光活性層は第２のホスト材料をさらに含むことができる。

一実施形態においては、電子輸送層は、ヒドロキシアリール−Ｎ−複素環の金属錯体を含む。一実施形態においては、このヒドロキシアリール−Ｎ−複素環は、非置換または置換８−ヒドロキシキノリンである。一実施形態においては、金属はアルミニウムである。一実施形態においては、電子輸送層は、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム、テトラキス（８−ヒドロキシキノリナト）ジルコニウム、テトラキス（８−ヒドロキシキノリナト）ハフニウム、およびそれらの混合物からなる群から選択される材料を含む。一実施形態においては、電子注入層はＬｉＦまたはＬｉ₂Ｏである。一実施形態においては、カソードはＡｌまたはＢａ／Ａｌである。一実施形態においては、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム、テトラキス（８−ヒドロキシキノリナト）ジルコニウム、テトラキス（８−ヒドロキシキノリナト）ハフニウム、およびそれらの混合物からなる群から選択される材料を含む電子輸送層と、ＬｉＦまたはＬｉ₂Ｏを含む電子注入層とが存在する。

一実施形態においては、本発明のデバイスは、緩衝層、正孔輸送層、および光活性層の液相堆積と、電子輸送層、電子注入層、およびカソードの気相堆積とによって製造される。

緩衝層は、それを溶解または分散してそれから膜を形成するあらゆる液体媒体から堆積することができる。一実施形態においては、液体媒体は、１種類以上の有機溶媒から実質的になる。一実施形態においては、液体媒体は、水、あるいは水および有機溶媒から実質的になる。一実施形態においては、有機溶媒は、アルコール類、ケトン類、環状エーテル類、およびポリオール類からなる群から選択される。一実施形態においては、有機液体は、ジメチルアセトアミド（「ＤＭＡｃ」）、Ｎ−メチルピロリドン（「ＮＭＰ」）、ジメチルホルムアミド（「ＤＭＦ」）、エチレングリコール（「ＥＧ」）、脂肪族アルコール、およびそれらの混合物から選択される。緩衝材料は、０．５〜１０重量パーセントの量で液体媒体中に存在することができる。液体媒体に依存して、他の重量パーセント値の緩衝材料を使用することもできる。緩衝層は、あらゆる連続または不連続な液相堆積技術によって適用することができる。一実施形態においては、緩衝層はスピンコーティングによって適用される。一実施形態においては、緩衝層はインクジェット印刷によって適用される。液相堆積後、液体媒体は、空気中、不活性雰囲気中、または減圧によって、室温において、または加熱することで除去することができる。一実施形態においては、この層は２７５℃未満の温度に加熱される。一実施形態においては、加熱温度は１００℃〜２７５℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１００℃〜１２０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１２０℃〜１４０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１４０℃〜１６０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１６０℃〜１８０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１８０℃〜２００℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２００℃〜２２０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１９０℃〜２２０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２２０℃〜２４０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２４０℃〜２６０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２６０℃〜２７５℃の間である。加熱時間は温度に依存し、一般に５〜６０分の間である。一実施形態においては、最終層厚さは５〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５〜４０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは４０〜８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは８０〜１２０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１２０〜１６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１６０〜２００ｎｍの間である。

正孔輸送層は、それを溶解または分散してそれから膜を形成するあらゆる液体媒体から堆積することができる。一実施形態においては、液体媒体は、１種類以上の有機溶媒から実質的になる。一実施形態においては、液体媒体は、水、あるいは水および有機溶媒から実質的になる。一実施形態においては、有機溶媒は芳香族溶媒である。一実施形態においては、有機液体は、クロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、アニソール、およびそれらの混合物から選択される。正孔輸送材料は、０．２〜２重量パーセントの濃度で液体媒体中に存在することができる。液体媒体に依存して、他の重量パーセント値の正孔輸送材料を使用することもできる。正孔輸送層は、あらゆる連続または不連続な液相堆積技術によって適用することができる。一実施形態においては、正孔輸送層はスピンコーティングによって適用される。一実施形態においては、正孔輸送層はインクジェット印刷によって適用される。液相堆積後、液体媒体は、空気中、不活性雰囲気中、または減圧によって、室温において、または加熱することで除去することができる。一実施形態においては、この層は３００℃以下の温度に加熱される。一実施形態においては、加熱温度は１７０℃〜２７５℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１７０℃〜２００℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１９０℃〜２２０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２１０℃〜２４０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２３０℃〜２７０℃の間である。加熱時間は温度に依存し、一般に５〜６０分の間である。一実施形態においては、最終層厚さは５〜５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５〜１５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５〜２５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは２５〜３５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３５〜５０ｎｍの間である。

光活性層は、それを溶解または分散してそれから膜を形成するあらゆる液体媒体から堆積することができる。一実施形態においては、液体媒体は、１種類以上の有機溶媒から実質的になる。一実施形態においては、液体媒体は、水、あるいは水および有機溶媒から実質的になる。一実施形態においては、有機溶媒は芳香族溶媒である。一実施形態においては、有機液体は、クロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、アニソール、およびそれらの混合物から選択される。光活性材料は、０．２〜２重量パーセントの濃度で液体媒体中に存在することができる。液体媒体に依存して、他の重量パーセント値の光活性材料を使用することもできる。光活性層は、あらゆる連続または不連続な液相堆積技術によって適用することができる。一実施形態においては、光活性層はスピンコーティングによって適用される。一実施形態においては、光活性層はインクジェット印刷によって適用される。液相堆積後、液体媒体は、空気中、不活性雰囲気中、または減圧によって、室温において、または加熱することで除去することができる。一実施形態においては、堆積された層は、最低Ｔｇを有する材料のＴｇ未満の温度に加熱される。一実施形態においては、加熱温度は最低Ｔｇよりも少なくとも１０℃低い。一実施形態においては、加熱温度は最低Ｔｇよりも少なくとも２０℃低い。一実施形態においては、加熱温度は最低Ｔｇよりも少なくとも３０℃低い。一実施形態においては、加熱温度は５０℃〜１５０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は５０℃〜７５℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は７５℃〜１００℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１００℃〜１２５℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１２５℃〜１５０℃の間である。加熱時間は温度に依存し、一般に５〜６０分の間である。一実施形態においては、最終層厚さは２５〜１００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは２５〜４０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは４０〜６５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６５〜８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは８０〜１００ｎｍの間である。

電子輸送層は、あらゆる気相堆積方法によって堆積することができる。一実施形態においては、これは減圧下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは１〜１００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１〜１５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５〜３０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０〜４５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは４５〜６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０〜７５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは７５〜９０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０〜１００ｎｍの間である。

電子注入層は、あらゆる気相堆積方法によって堆積することができる。一実施形態においては、これは減圧下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、減圧は１０^-6ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-7ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-8ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は１００℃〜４００℃の範囲内；好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。本明細書では、すべての気相堆積速度はオングストローム／秒の単位で示される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは０．１〜３ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは０．１〜１ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１〜２ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは２〜３ｎｍの間である。

カソードは、あらゆる気相堆積方法によって堆積することができる。一実施形態においては、これは減圧下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、減圧は１０^-6ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-7ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-8ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は１００℃〜４００℃の範囲内；好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは１０〜１００００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１０〜１０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１０〜５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５０〜１００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１００〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは２００〜３００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３００〜４００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは４００〜５００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５００〜６００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６００〜７００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは７００〜８００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは８００〜９００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９００〜１０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１０００〜２０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは２０００〜３０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０００〜４０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは４０００〜５０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５０００〜６０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０００〜７０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは７０００〜８０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは８０００〜９０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０００〜１００００ｎｍの間である。

一実施形態においては、本発明のデバイスは、緩衝層、正孔輸送層、および光活性層、電子輸送層、電子注入層、およびカソードの気相堆積によって製造される。

一実施形態においては、緩衝層は気相堆積によって適用される。一実施形態においては、これは減圧下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、減圧は１０^-6ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-7ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-8ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は１００℃〜４００℃の範囲内；好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは５〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５〜３０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０〜６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０〜９０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０〜１２０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１２０〜１５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５０〜２８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１８０〜２００ｎｍの間である。

一実施形態においては、正孔輸送層は気相堆積によって適用される。一実施形態においては、これは減圧下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、減圧は１０^-6ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-7ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-8ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は１００℃〜４００℃の範囲内；好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは５〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５〜３０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０〜６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０〜９０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０〜１２０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１２０〜１５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５０〜２８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１８０〜２００ｎｍの間である。

一実施形態においては、光活性層は気相堆積によって適用される。一実施形態においては、これは減圧下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、光活性層は１種類のエレクトロルミネッセンス化合物から実質的になり、この化合物が減圧下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、減圧は１０^-6ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-7ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-8ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は１００℃〜４００℃の範囲内；好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは５〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５〜３０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０〜６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０〜９０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０〜１２０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１２０〜１５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５０〜２８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１８０〜２００ｎｍの間である。

一実施形態においては、光活性層は２種類のエレクトロルミネッセンス材料を含み、そのそれぞれが減圧下での熱蒸着によって適用される。上述のいずれかの減圧条件および温度を使用することができる。上述のいずれかの堆積速度を使用することができる。相対堆積速度は５０：１〜１：５０とすることができる。一実施形態においては、相対堆積速度は１：１〜１：３である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：３〜１：５である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：５〜１：８である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：８〜１：１０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：１０〜１：２０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：２０〜１：３０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：３０〜１：５０である。層全体の厚さは、１成分の光活性層に関して前述したものと同じであってよい。

一実施形態においては、光活性層は、１種類のエレクトロルミネッセンス材料と少なくとも１種類のホスト材料とを含み、そのそれぞれが減圧下での熱蒸着によって適用される。上述のいずれかの減圧条件および温度を使用することができる。上述のいずれかの堆積速度を使用することができる。エレクトロルミネッセンス材料対ホストの相対堆積速度は１：１〜１：９９とすることができる。一実施形態においては、相対堆積速度は１：１〜１：３である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：３〜１：５である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：５〜１：８である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：８〜１：１０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：１０〜１：２０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：２０〜１：３０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：３０〜１：４０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：４０〜１：５０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：５０〜１：６０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：６０〜１：７０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：７０〜１：８０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：８０〜１：９０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：９０〜１：９９である。層全体の厚さは、１成分の光活性層に関して前述したものと同じであってよい。

一実施形態においては、電子輸送層は気相堆積によって適用される。一実施形態においては、これは減圧下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、減圧は１０^-6ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-7ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、減圧は１０^-8ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は１００℃〜４００℃の範囲内；好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは５〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５〜３０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０〜６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０〜９０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０〜１２０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１２０〜１５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５０〜２８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１８０〜２００ｎｍの間である。

一実施形態においては、電子注入層は、前述のように気相堆積によって適用される。

一実施形態においては、カソードは、前述のように気相堆積によって適用される。

一実施形態においては、本発明のデバイスは、一部の有機層の気相堆積と、一部の有機層の液相堆積とによって製造される。一実施形態においては、本発明のデバイスは、緩衝層の液相堆積と、他のすべての層の気相堆積とによって製造される。

本明細書に記載されているものと類似または同等の方法および材料を使用して、本発明の実施または試験を行うことができるが、好適な方法および材料について以下に説明する。さらに、材料、方法、および実施例は、単に説明的なものであって、限定を意図したものではない。本明細書において言及されるあらゆる刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、それらの記載内容全体が援用される。

本明細書に記載される概念を以下の実施例でさらに説明するが、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲がこれらの実施例によって限定されるものではない。

実施例１
この実施例では、電気活性化合物である化合物Ｃの調製を示す。

パート１−中間化合物２：

化合物１（４．０ｇ、６．３ｍｍｏｌ）を６０ｍＬのトルエン中に、隔壁で封止した２００ｍＬの２口丸底中で溶解させた。４−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］ベンゼンボロン酸（３．７２ｇ、１５．７ｍｍｏｌ）、Ａｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６（０．５ｇ）、および炭酸ナトリウム（３．３３ｇ、３１．４ｍｍｏｌ）を加えた。混合物に窒素をスパージし、反応フラスコに、還流冷却器および窒素入口−出口を取り付けた。窒素パージしたグローブボックス中で、テトラキストリフェニルホスフィン（３６３ｍｇ、５．００ｍｏｌ％）および無水トルエン（１０ｍＬ）を丸底フラスコ中で混合した。このフラスコを隔壁で封止し、グローブボックスから取り出した。カニューレによってこの触媒懸濁液を反応混合物に加えた。シリンジによって水（３０ｍＬ）を反応容器に加えた。窒素スパージを取り外し、窒素ブランケットと交換した。反応混合物を９０℃で３時間加熱した。反応物を室温まで冷却し、分液漏斗に移し、酢酸エチルで希釈した。水層を除去し、有機層を水で洗浄し、次にブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ₄上で乾燥させた。得られた粗生成物をシリカゲルパッドで濾過し、酢酸エチルで洗浄した。溶媒を除去し、生成物を高真空下で乾燥させた。フラッシュカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：塩化メチレンが３：２）で精製した後、２．２ｇの薄オレンジ色泡状固体が得られた。純度（ＨＰＬＣ）：９８．５％、純粋な４，４’異性体。ＮＭＲ分析により、中間化合物２の構造を確認した。

パート２−中間化合物３：

中間化合物２（２．２ｇ、２．５ｍｍｏｌ）を４０ｍＬの塩化メチレン中に、マグネチックスターラーおよび窒素入口−出口を取り付けた２５０ｍＬ丸底フラスコ中で溶解させた。トリフルオロ酢酸（２．９ｇ、２５ｍｍｏｌ）を加え、反応物を１６時間撹拌した。溶媒およびトリフルオロ酢酸を回転蒸発によって除去し、生成物をジエチルエーテル中に溶解させた。このジエチルエーテル溶液を飽和重炭酸ナトリウム（２回）、水、およびブラインで洗浄した。そのエーテル層をＭｇＳＯ４上で乾燥させ、濾過し、ロータリーエバポレーター上で濃縮した。生成物を高真空下で乾燥させて、１．７ｇ（１００％）の薄オレンジ色泡状固体を得た。純度（ＨＰＬＣ）：９４．７％。ＮＭＲ分析により、中間化合物３の構造を確認した。

パート３−中間化合物４：

窒素パージしたグローブボックス中で、３（１．６０ｇ、２．４２ｍｍｏｌ）、４−ブロモビフェニル（１．１３ｇ、４．８４ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（５５ｍｇ、２．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（２５ｍｇ、５ｍｏｌ％）、およびトルエン（３０ｍＬ）を、マグネチックスターラーを取り付けた５００ｍＬの丸底フラスコ中で混合した。ナトリウムｔ−ブトキシド（０．５８ｇ、６．０５ｍｍｏｌ）を加え、反応フラスコに蓋をした。７２時間後、反応混合物をグローブボックスから取りだし、シリカゲルのパッドで濾過し、トルエンで洗浄した。その溶液をロータリーエバポレーター上で濃縮し、高真空下で乾燥させた。生成物を、シリカゲル上のフラッシュクロマトグラフィー（７：３から３：２のヘキサン：塩化メチレングラジエント）で精製して、１．５６ｇの白色固体を得た。ＮＭＲ分析により、中間化合物４の構造を確認した。

パート５−中間化合物５。

窒素パージしたグローブボックス中で、４（１．５０ｇ、１．５５ｍｍｏｌ）、ｐ−ブロモヨードベンゼン（１．３２ｇ、４．６６ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（３６ｍｇ、２．５ｍｏｌ％）、ビス（ジフェニルホスフィノフェロセン）（４３ｍｇ、５ｍｏｌ％）、およびトルエン（６０ｍＬ）を、マグネチックスターラーを取り付けた３００ｍＬの丸底フラスコ中で混合した。ナトリウムｔ−ブトキシド（０．３７３ｇ、３．８８ｍｍｏｌ）を加え、反応容器に蓋をして、グローブボックスから取り出した。冷却器および窒素入口−出口を上記丸底フラスコに取り付け、油浴を使用して反応物を８５℃に加熱した。２０時間後、ｐ−ブロモヨードベンゼン（０．６６ｇ、２．３ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１８ｍｇ、１．２５ｍｏｌ％）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（２１ｍｇ、２．５ｍｏｌ％）、およびナトリウムｔ−ブトキシド（１８６ｍｇ、１．２５ｍｏｌ％）のトルエン（１０ｍＬ）中の懸濁液をグローブボックス中で調製し、カニューレによって反応混合物に移した。さらに９０℃で２０時間後、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をシリカゲルパッドで濾過し、トルエンで洗浄し、続いてロータリーエバポレーター上で濃縮した。得られた粗生成物を高真空下で乾燥させた。生成物を、シリカゲル上のフラッシュクロマトグラフィー（６：１〜５：１のヘキサン：塩化メチレングラジエント）によって精製して、１．４ｇの白色固体を得た。純度（ＵＰＬＣ）：＞９９．９％。ＮＭＲ分析により、中間化合物５の構造を確認した。

パート６−化合物Ｃ：

特に明記しない限り、すべての作業は窒素パージしたグローブボックス中で行った。モノマー５（１．３５ｇ、１．０６ｍｍｏｌ）をシンチレーションバイアルに加え、１３ｍＬのトルエン中に溶解させた。乾燥させた清浄な５０ｍＬのＳｃｈｌｅｎｋ管に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）（０．５９７ｇ、２．１７ｍｍｏｌ）を投入した。２，２’−ジピリジル（０．３３９ｇ、２．１７ｍｍｏｌ）および１，５−シクロオクタジエン（０．２３５ｇ、２．０２ｍｍｏｌ）を秤量してシンチレーションバイアル中に入れ、２ｍＬのＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド中に溶解させた。この溶液をＳｃｈｌｅｎｋ管に加えた。このＳｃｈｌｅｎｋ管をアルミニウムブロック中に挿入し、そのブロックをホットプレート／スターラー上で６０℃の内部温度が得られる設定点で加熱撹拌した。この触媒系を６０℃で３０分間維持し、次に７０℃まで上昇させた。トルエン中のモノマー溶液をＳｃｈｌｅｎｋ管に加え、管を封止した。この重合混合物を７０℃で１８時間撹拌した。１８時間後、Ｓｃｈｌｅｎｋ管をブロックから取り出し、室温まで冷却した。この管をグローブボックスから取り出し、内容物を濃ＨＣｌ／ＭｅＯＨ溶液（１．５％ｖ／ｖ濃ＨＣｌ）中に注いだ。２時間撹拌した後、得られたポリマーを減圧濾過によって回収し、高真空下で乾燥させた。このポリマーを、トルエンからＨＣｌ／ＭｅＯＨ（１％ｖ／ｖ濃ＨＣｌ）中、ＭｅＯＨ中、トルエン（ＣＭＯＳグレード）中、および３−ペンタノン中で連続して沈殿させることによって精製した。白色繊維状ポリマー（１．１ｇ）が得られた。このポリマーの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ移動相、ポリスチレン標準物質）によって求めた：Ｍ_w＝４２７，８６６；Ｍ_n＝１０３，５７７；Ｍ_w／Ｍ_n＝４．１３。ＮＭＲ分析により、化合物Ｃの構造を確認した。

実施例２：化合物Ｓの合成
パート１−中間化合物７の合成：

パート２：中間化合物８の合成

１，４−ジブロモ−２，５−ジヘキシルベンゼン（８．０５ｍｍｏｌ、３．２５５ｇ）、ボロン酸エステル７（１７．７ｍｍｏｌ、７．５４５ｇ）、Ｎａ₂ＣＯ₃（４０．３ｍｍｏｌ、４．２６８ｇ）、およびＡｌｉｑｕａｔ ３３６（０．５００ｇ）を、トルエン（１００ｍＬ）中に、撹拌棒および冷却器を取り付けた２５０ｍＬの２口丸底フラスコ中で懸濁させた。反応混合物を３０分間脱気した。Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄（０．４０３ｍｍｏｌ、０．４６５ｇ）を粉末として反応混合物に加えた。反応混合物をさらに１５分間脱気しながら、同時に水（５０ｍＬ）を脱気した。シリンジで水を反応容器に加えた。反応物を９０℃まで２日間加熱した。得られた反応混合物を酢酸エチル（１５０ｍＬ）で希釈し、酢酸エチル（３×１００ｍＬ）で洗浄した。有機層をブライン（２×１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、濃縮した。１：３のジクロロメタン：ヘキサンを使用したシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーによって精製して、白色粉末（５６％、３．８ｇ）を得た。¹Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ＝７．４５（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ）、７．３３〜７．３１（ｍ，５Ｈ）、７．２６〜７．１９（ｍ，５Ｈ）、６．６５（ｓ，２Ｈ）、２．７１〜２．６３（ｍ，９Ｈ）、１．５４（ｓ，１８Ｈ）、１．３１〜１．２０（ｍ，１４Ｈ）、１．１５（ｔ，Ｊ＝７．４９、７Ｈ）、０．８３（ｔ，Ｊ＝６．８５Ｈｚ，６Ｈ）。

パート３：中間化合物９の合成

化合物８（４．５４ｍｍｏｌ、３．８００ｇ）を２００ｍＬの丸底フラスコに加え、ジクロロメタン（９０ｍＬ）中に溶解させた。この溶液にトリフルオロ酢酸（４５．４ｍｍｏｌ、５．１７５ｇ）を滴下した。１日後、ジクロロメタンを回転蒸発によって除去し、得られた灰色粉末をエチルエーテル（１００ｍＬ）中に溶解させ、これに重炭酸ナトリウムを加えた（１００ｍＬ）。得られた有機層を水（２×１００ｍＬ）で洗浄し、次にブライン（２×１００ｍＬ）で洗浄した。その後、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濃縮して、オフホワイト粉末（１００％、２．８９１ｇ）を得た。¹Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ＝７．２８（ｍ，２Ｈ）、７．２３〜７．１８（ｍ，６Ｈ）、７．１６（ｄ，Ｊ＝８．４７Ｈｚ，４Ｈ）、６．７６（ｄ，Ｊ＝８．３７Ｈｚ，４Ｈ）、３．７７（ｓ，４Ｈ）、２．７１〜２．６３（ｍ，６Ｈ）、１．３〜１．１９（ｍ，１６Ｈ）、１．１５（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，８Ｈ）、０．８３（ｔ，Ｊ＝６．８６Ｈｚ，６Ｈ）。

パート４：中間化合物１０の合成

撹拌棒を取り付けた２５０ｍＬのフラスコ中で、化合物９（４．５３９ｍｍｏｌ、２．８９１ｇ）、ブロモビフェニル（９．１２３ｍｍｏｌ、２．１２７ｇ）、およびトルエン（６５ｍＬ）を加え、続いてＰｄ₂（ｄｂａ）₃（０．２２７ｍｍｏｌ、０．２０８ｇ）、Ｐ^tＢｕ３（０．４５４ｍｍｏｌ、０．０９２ｇ）、およびＮａＯ^tＢｕ（９．０７８ｍｍｏｌ、０．８４５ｇ）を加えた。３日後、得られた反応混合物をトルエン（１００ｍＬ）で希釈し、シリカおよびセライトのパッドで濾過し、トルエン（３×１００ｍＬ）で洗浄し、続いて酢酸エチル（２×１００ｍＬ）で洗浄し、濃縮して、褐色固体を得た。１：６の酢酸エチル：ヘキサンを溶離液として使用するシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーによって精製して、白色粉末（５５％、２．３６７ｇ）を得た。¹Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ＝７．６１（ｄ，Ｊ＝７．２４Ｈｚ，４Ｈ）、７．５７（ｄ，Ｊ＝８．５１Ｈｚ，４Ｈ）、７．４３（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ）、７．３４〜７．２８（ｍ，１２Ｈ）、５．９９（ｓ，２Ｈ）、２．７３（ｑ，Ｊ＝Ｈｚ，４Ｈ）、２．６６（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，６Ｈ）、１．３３〜１．１７（ｍ，２０Ｈ）、０．８４（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，６Ｈ）。

パート５：中間化合物１１の合成

化合物１０（２．５１５ｍｍｏｌ、２．３６７ｇ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン（３．７７２ｍｍｏｌ、１．０６７ｇ）、Ｐｄ₂（ｄｂａ）₃（０．１２６ｍｍｏｌ、０．１１５ｇ）、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．２５１ｍｍｏｌ、０．１３９ｇ）、およびナトリウムｔ−ブトキシド（２．７６６ｍｍｏｌ、０．２６６ｇ）を、トルエン（１００ｍＬ）中に、冷却器および撹拌棒を取り付けた２００ｍＬの２口丸底フラスコ中で懸濁させた。反応混合物を２日間９０℃に加熱した。得られた反応混合物をシリカおよびセライトのパッドで濾過し、トルエン（２×２００ｍＬ）で洗浄し、濃縮して、褐色固体を得た。１：２のジクロロメタン：ヘキサンを使用するシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーによって精製した。生成物をＭｅＯＨで洗浄して、白色粉末（２３％、０．７１５ｇ）を得た。¹Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ＝７．６１（ｄ，Ｊ＝６．９５Ｈｚ，４Ｈ）、７．５６（ｄ，Ｊ＝８．７３Ｈｚ，４Ｈ）、７．４６〜７．４（ｍ，８Ｈ）、７．３４〜７．２９（ｍ，１０Ｈ）、７．２４〜７．１８（ｍ，１２Ｈ）、７．０８（ｄ，Ｊ＝８．８９Ｈｚ，４Ｈ）、２．７４（ｑ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，４Ｈ）、２．６５（ｔＪ＝８．１２Ｈｚ，６Ｈ）、１．３２〜１．１８（ｍ，２２Ｈ）、０．８３（ｔ，Ｊ＝６．８８Ｈｚ，６Ｈ）。

パート６−化合物１１の重合。

化合物Ｃに関して記載されるようにして、化合物１１の重合を行った。ポリマーは白色固体として得られた。ポリマーの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦが移動相、ポリスチレン標準物質）によって測定した：Ｍ_w＝１４０，３９９；Ｍ_n＝４７，６９２；Ｍ_w／Ｍ_n＝２．０４。ＮＭＲ分析により、化合物Ｓの構造を確認した。

実施例３：化合物Ｔの合成
パート１．中間体１−ブロモ−４’−（ニトロフェニル）ナフタレン（１２）の合成

還流冷却器および窒素バブラーを取り付けた３００ｍｌの２口丸底フラスコに、１，４−ジブロモナフタレン（１５．５ｇ、５４．２ｍｍｏｌ）および４−ニトロフェニルボロン酸（９．０５ｇ、５４．２ｍｍｏｌ）を加えた。トルエン（１７５ｍｌ）を加え、次に２．０ＭのＮａ₂ＣＯ₃水溶液（５６．９ｍｌ、１１３．８ｍｍｏｌ）を加え、次にＡｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）（２．１９ｇ、５．４２ｍｍｏｌ）を加えた。得られた混合物に窒素を１時間スパージした。反応物を窒素下で２０時間加熱し、次に室温まで冷却した。混合物をトルエンで希釈し、水で３回、およびブラインで１回洗浄した。その有機層をＭｇＳＯ₄上で乾燥させ、濾過し、ロータリーエバポレーター上で濃縮し、高真空下で乾燥させて、２２ｇの褐色固体を得た。この粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、４：１のＨｅｘ：ＣＨ₂Ｃｌ₂）で精製して、７．９ｇの白色固体を単離した。収率：４０％。¹Ｈ ＮＭＲ分析（５００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）は構造１２と一致した。

パート２．中間体１−（アミノフェニル）−４’−ブロモナフタレン（１３）の合成

撹拌棒、還流冷却器、および窒素バブラーを取り付けた５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物１（７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（１７０ｍｌ）、塩化スズ二水和物（１９．２５ｇ、８５．３２ｍｍｏｌ）、および１ＭのＨＣｌ水溶液（６４ｍｌ、６４ｍｍｏｌ）を加えた。反応物を窒素下で１時間加熱還流し、次に室温まで冷却した。得られた混合物をロータリーエバポレーター上で濃縮してＴＨＦを除去し、ＮａＨＣＯ₃の飽和水溶液で中和した。その水層をジエチルエーテル（３回）で抽出した。その有機層をブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ₄上で乾燥させ、濾過し、ロータリーエバポレーター上で濃縮し、高真空下で乾燥させて、４．５ｇの粗生成物を得た。この粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ＣＨ₂Ｃｌ₂）によって精製して、４．３６ｇの薄オレンジ色固体を得た。収率：６９％。純度（ＧＣ−ＭＳ）：９９＋％。¹Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）は、生成物の構造と一致している。

パート３．中間体１−ブロモ−４’−（ヨードフェニル）ナフタレン（１４）の合成

撹拌棒および窒素バブラーを取り付けた２００ｍｌの丸底フラスコに、化合物２（３．８５ｇ、１２．９ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（６５ｍｌ）、および濃ＨＣｌ水溶液（１３ｍｌ）を加えた。この反応混合物を氷／水浴で０℃まで冷却した。１３ｍｌのＨ₂Ｏ中のＮａＮＯ₂（１．０７ｇ、１５．５ｍｍｏｌ）を滴下し、その混合物を２５分間冷却しながら撹拌した。１３ｍｌのＨ₂Ｏ中のＫＩ（４．２９ｇ、２５．８ｍｍｏｌ）を滴下した。この反応混合物を室温までゆっくりと温め、１６時間撹拌した。反応物を水で希釈し、ジエチルエーテルで抽出した。その有機層を水、飽和ＮａＨＣＯ₃水溶液、飽和ＮａＨＳＯ₃水溶液、およびブラインで洗浄した。その有機層をＭｇＳＯ₄上で乾燥させ、濾過し、ロータリーエバポレーター上で濃縮し、高真空下で乾燥させて、４．６８ｇの粗生成物を得た。この粗生成物を１：１ＭｅＯＨ：酢酸エチルから再結晶させて、２．５３ｇの薄オレンジ色固体を得た。収率：４８％。純度（ＧＣ−ＭＳ）：９９＋％。¹Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）は生成物の構造と一致している。

パート４．中間化合物１５の合成

窒素パージしたグローブボックス中で、ジアミン４（４，４’−および４，５’−異性体の混合物）（１．７５ｇ、１．８１ｍｍｏｌ）、１４（１．８５ｇ、４．５２ｍｍｏｌ）、ビス（ジフェニルホスフィノフェロセン）（５０ｍｇ、０．９１ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（４０ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）、トルエン（５０ｍｌ）、および次にナトリウムｔ−ブトキシド（０．４４ｇ、４．５ｍｍｏｌ）を２５０ｍＬの丸底フラスコ中に計り取った。反応容器に蓋をして、グローブボックスから取り出し、還流冷却器および窒素バブラーを取り付けた。反応物を９０℃で１８時間加熱した。反応混合物をシリカゲルプラグで濾過し、ジクロロメタンで洗浄した。その濾液をロータリーエバポレーター上で濃縮し、高真空下で乾燥させて、３．５ｇの褐色がかったオレンジ色の油を得た。この粗生成物をカラムクロマトグラフィー（３：１のヘキサン：ＣＨ₂Ｃｌ₂から３：２のヘキサン：ＣＨ₂Ｃｌ₂へのグラジエント）によって精製して、２．１５ｇの生成物を単離し、これは４，４’−および４，５’−異性体の混合物であった。収率：７８．２％。¹Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）は１５の構造と一致している。

パート５．化合物Ｔの合成

５の重合を窒素パージしたグローブボックス中で行った。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）（０．２７７ｇ、１．０１ｍｍｏｌ）を２５ｍｌのＳｃｈｌｅｎｋ管に加えた。２，２’−ジピリジル（０．１５７ｇ、１．０１ｍｍｏｌ）および１，５−シクロオクタジエン（０．１０９ｇ、１．０１ｍｍｏｌ）を２ｍＬのＤＭＦ中に溶解させた。この溶液を上記ニッケル触媒に加えた。この触媒溶液を６０℃のアルミニウムブロック中で３０分間加熱撹拌した。加熱ブロックの温度を７０℃まで上昇させた。化合物１５（０．７５０ｇ、０．４９１ｍｍｏｌ）をトルエン（１３ｍＬ）中に溶解させ、次に上記触媒溶液に加えた。Ｓｃｈｌｅｎｋ管を封止し、２２時間加熱した後、室温まで冷却した。この反応管をドライボックスから取り出し、内容物を１．５ｖ／ｖ％ＨＣｌ／ＭｅＯＨ中に注いだ。得られたポリマーを、１．５ｖ／ｖ％ＨＣｌ／ＭｅＯＨ中に２回沈殿させ、トルエンからＭｅＯＨ中に１回沈殿させることによって精製した。得られたポリマーを濾過によって単離した後、トルエン中に溶解させた。このトルエン溶液をシリカゲルプラグに通した。その濾液を濃縮し、３−ペンタノン中に注いだ。得られたポリマーを減圧濾過によって回収し、トルエン中に再溶解させ、Ｆｌｏｒｉｓｉｌ（登録商標）のプラグに通した。その濾液を濃縮し、３−ペンタノンから沈殿させた。得られたポリマーを濾過によって単離し、高真空下で乾燥させて、０．５２ｇの白色繊維状ポリマーを得た。収率：７７％。分子量測定（ＧＰＣ、ＴＨＦ、ポリスチレン標準物質）：Ｍ_w＝２９６，０００；Ｍ_n＝１０３，０００；ＰＤＩ＝２．８８。

実施例４：化合物Ｕの合成

ブロモビフェニルの代わりに４−ビニル−４’−ブロモビフェニルを使用したことを除けば、化合物５に関して概説した手順に従ってモノマー１６を合成した。

化合物Ｃの合成手順に従って、化合物５（０．９５ｍｍｏｌ）および１６（０．０５ｍｍｏｌ）を共重合させて、白色繊維状ポリマーを８６％の収率（０．９６ｇ）で得た。分子量測定（ＧＰＣ、ＴＨＦ、ポリスチレン標準物質）：Ｍ_w＝６５８，１０９；Ｍ_n＝１０５，８２２；ＰＤＩ＝６．２２。

実施例５：化合物Ｖの合成
以下に示す経路を使用して化合物Ｖを合成した：

パート１．中間体１８の合成：
窒素パージしたグローブボックス中で、ジトリフレート１７（３．２ｇ、４．３８ｍｍｏｌ）および２−エチル−４’−オクチル−ビフェン−４−イル−アミン（２．８４ｇ、９．１９ｍｍｏｌ）をトルエン（６０ｍＬ）中に、２００ｍＬの丸底フラスコ中で溶解させた後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１０８ｍｇ、０．０２７当量）と１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（１２８ｍｇ、０．０５３当量）とのトルエン（１０ｍＬ）溶液を混合物に加えた。混合物を５分間撹拌した後、得られた溶液にナトリウムｔ−ブトキシド（１．０５ｇ、１０．９４ｍｍｏｌ、２．５当量）を加えた。この反応混合物を、グローブボックス外部の窒素下で８５℃において２２時間撹拌した。混合物をシリカゲルパッドに通し、トルエンで洗浄した。１つにまとめた溶液をロータリーエバポレーター上で濃縮した後、フラッシュカラムクロマトグラフィー（ヘキサン中５％から１０％のエチルアセテートのグラジエント）を行って、２．８ｇの白色固体を得た。ＮＭＲ分析により、中間化合物１８の構造を確認した。

パート２．中間体１９の合成
窒素パージしたグローブボックス中で、ジアミン１８（１ｇ、０．９３５ｍｍｏｌ）および４−ブロモ−４’−ヨードビフェニル（１．０２６ｇ、２．８６ｍｍｏｌ）をトルエン（３０ｍＬ）中に、１００ｍＬの丸底フラスコ中で溶解させた後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（２４ｍｇ、０．０２７当量）と１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（２８ｍｇ、０．０５３当量）とのトルエン（７ｍＬ）溶液を混合物に加えた。混合物を５分間撹拌した後、得られた溶液にナトリウムｔ−ブトキシド（２２９ｍｇ、２．３８ｍｍｏｌ、２．５当量）を加えた。この反応混合物を、グローブボックス外部の窒素下で９５℃において２２時間撹拌した。混合物をシリカゲルパッドに通し、トルエンで洗浄した。１つにまとめた溶液をロータリーエバポレーター上で濃縮した後、フラッシュカラムクロマトグラフィー（ヘキサン中５％から２０％のエチルアセテートのグラジエント）を行って、１．３ｇの白色固体を得た。ＮＭＲ分析により、化合物１９の構造を確認した。

パート３．化合物Ｖの合成
実施例１中の化合物Ｃの合成の概略の通りに化合物１９の合成を行って白色ポリマーを得た。分子量測定（ＧＰＣ、ＴＨＦ、ポリスチレン標準物質）：Ｍ_w＝２１２，５０６；Ｍ_n＝７３，０５６；ＰＤＩ＝２．９１。

実施例６：化合物Ｗの合成
以下に示す経路を使用して化合物Ｗを合成した：

パート１：中間体２１の合成：
窒素パージしたグローブボックス中で、ジトリフレート２０（１．７ｇ、２．３３ｍｍｏｌ）および３−オクチルアニリン（１ｇ、４．８９ｍｍｏｌ）をトルエン（２０ｍＬ）中に、１００ｍＬの丸底フラスコ中で溶解させた後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（５８ｍｇ、０．０２７当量）と１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（６８ｍｇ、０．０５３当量）とのトルエン（１０ｍＬ）溶液を混合物に加えた。混合物を５分間撹拌した後、得られた溶液にナトリウムｔ−ブトキシド（０．５６ｇ、５．８２ｍｍｏｌ、２．５当量）を加えた。この反応混合物を、グローブボックス外部の窒素下で８５℃において１６時間撹拌した。混合物をシリカゲルパッドに通し、トルエンで洗浄した。１つにまとめた溶液を、ロータリーエバポレーター上で濃縮した後、フラッシュカラムクロマトグラフィー（ヘキサン中１０％から４０％の塩化メチレンのグラジエント）を行って、１．６ｇの生成物を得た。ＮＭＲ分析により、中間化合物２１の構造を確認した。

パート２：中間体２２の合成：窒素パージしたグローブボックス中で、ジアミン２１（１．５ｇ、１．７８ｍｍｏｌ）および４−ブロモ−３−ヨードベンゼン（１．５１ｇ、５．３５ｍｍｏｌ）をトルエン（４０ｍＬ）中に、１００ｍＬの丸底フラスコ中で溶解させた後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（４７ｍｇ、０．０２７当量）と１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（５３ｍｇ、０．０５３当量）とのトルエン（７ｍＬ）溶液を混合物に加えた。混合物を５分間撹拌した後、得られた溶液にナトリウムｔ−ブトキシド（０．４２８ｇ、４．４５ｍｍｏｌ、２．５当量）を加えた。この反応混合物を、グローブボックス外部の窒素下で９０℃において４日間撹拌した。混合物をシリカゲルパッドに通し、トルエンで洗浄した。１つにまとめた溶液をロータリーエバポレーター上で濃縮した後、フラッシュカラムクロマトグラフィー（ヘキサン中５％トルエン）を行って、１．６ｇの白色固体を得た。ＮＭＲ分析により、化合物２２の構造を確認した。

パート３．化合物Ｗの合成
実施例１中の化合物Ｃの合成の概略の通りに化合物２２の重合を行って、白色ポリマーを３３％の収率で得た。分子量測定（ＧＰＣ、ＴＨＦ、ポリスチレン標準物質）：Ｍ_w＝２１０，６３８；Ｍ_n＝３３，１９４；ＰＤＩ＝６．３４。

実施例７：化合物Ｍの合成。

以下に示す経路を使用して化合物Ｍを合成した：

パート１：中間体２４の合成：
窒素パージしたグローブボックス中で、ジトリフレート２３（３ｇ、４．１１ｍｍｏｌ）および３−オクチルアニリン（１．７７ｇ、８．６２ｍｍｏｌ）をトルエン（４０ｍＬ）中に、１００ｍＬの丸底フラスコ中で溶解させた後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１０２ｍｇ、０．０２７当量）と１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（１２１ｍｇ、０．０５３当量）とのトルエン（１０ｍＬ）溶液を混合物に加えた。混合物を５分間撹拌した後、得られた溶液にナトリウムｔ−ブトキシド（０．９８６ｇ、１０．２６ｍｍｏｌ、２．５当量）を加えた。この反応混合物をグローブボックス外部の窒素下８５℃において３日間撹拌した。混合物をシリカゲルパッドに通し、トルエンで洗浄した。１つにまとめた溶液をロータリーエバポレーター上で濃縮した後、フラッシュカラムクロマトグラフィー（ヘキサン中５％から１０％のエチルアセテートのグラジエント）を行って、３ｇの白色固体を生成物として得た。ＮＭＲ分析により、中間化合物２４の構造を確認した。

パート２：中間体２５の合成：
窒素パージしたグローブボックス中で、ジアミン２４（１．２ｇ、１．４２ｍｍｏｌ）および４−ブロモ−４’−ヨードビフェニル（２．３ｇ、６．４２ｍｍｏｌ）をトルエン（３０ｍＬ）中に、１００ｍＬの丸底フラスコ中で溶解させた後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（３５ｍｇ、０．０２７当量）と１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（４２ｍｇ、０．０５３当量）とのトルエン（８ｍＬ）溶液を混合物に加えた。混合物を５分間撹拌した後、得られた溶液にナトリウムｔ−ブトキシド（３４１ｍｇ、３．５５ｍｍｏｌ、２．５当量）を加えた。この反応混合物をグローブボックス外部の窒素下で９５℃において２０時間撹拌した。混合物をシリカゲルパッドに通し、トルエンで洗浄した。１つにまとめた溶液をロータリーエバポレーター上で濃縮した後、フラッシュカラムクロマトグラフィー（ヘキサン中７％トルエン）を行って、１．２ｇの白色固体を得た。ＮＭＲ分析により、化合物２５の構造を確認した。

パート３．化合物Ｍの合成
実施例１中の化合物Ｃの合成の概略の通りに化合物２５の重合を行って、白色ポリマーを得た。分子量測定（ＧＰＣ、ＴＨＦ、ポリスチレン標準物質）：Ｍ_w＝８２，０２３；Ｍ_n＝２７，１７７；ＰＤＩ＝３．０２。

実施例８：化合物Ｐの合成
窒素雰囲気下で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）（０．５６４ｇ、２．０５ｍｍｏｌ）、２，２’−ジピリジル（０．３２ｇ、２．０５ｍｍｏｌ）、および１，５−シクロオクタジエン（０．２２２ｇ、２．０５ｍｍｏｌ）を２ｍＬのＤＭＦ中に溶解させた。この触媒溶液をアルミニウムブロック中６０℃において３０分間加熱撹拌した。加熱ブロックの温度を６０℃まで上昇させた。化合物５（１．０８ｇ、０．８５ｍｍｏｌ）および３，５−ジブロモスチレン（０．０３９５ｇ、０．１５ｍｍｏｌ）をトルエン（１３ｍＬ）中に溶解させた後、上記触媒溶液に加えた。得られた溶液を６時間後に室温まで冷却した。化合物ＣおよびＴに関して前述したようにして、ポリマーを単離して、化合物Ｐを白色ポリマーとして８５％の収率（０．８２５ｇ）で得た。分子量測定（ＧＰＣ、ＴＨＦ、ポリスチレン標準物質）：Ｍ_w＝９１３，６３１；Ｍ_n＝５０，８７１；ＰＤＩ＝１７．９６。

実施例９：化合物Ｎの合成

窒素雰囲気下で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）（１．１３ｇ、４．１ｍｍｏｌ）、２，２’−ジピリジル（０．６４ｇ、４．１ｍｍｏｌ）および１，５−シクロオクタジエン（０．４４４ｇ、４．１ｍｍｏｌ）を３ｍＬのＤＭＦ中に溶解させた。この触媒溶液をアルミニウムブロック中６０℃において３０分間加熱撹拌した。加熱ブロックの温度を７０℃まで上昇させた。化合物１（０．６３７ｇ、１ｍｍｏｌ）およびジアミン２６（０．６４６ｇ、１ｍｍｏｌ）をトルエン（１７ｍＬ）中に溶解させた後、上記触媒溶液に加えた。得られた溶液を６時間後、室温まで冷却した。化合物ＣおよびＴに関して前述したようにして、ポリマーを単離して、化合物Ｎを白色ポリマーとして７９％の収率（０．７６０ｇ）で得た。分子量測定（ＧＰＣ、ＴＨＦ、ポリスチレン標準物質）：Ｍ_w＝２８４，０１９；Ｍ_n＝４５，６１１；ＰＤＩ＝６．２３。

実施例１０：化合物Ｘの合成

パート１．化合物２８の合成。
窒素パージしたグローブボックス中で、撹拌棒を取り付けた３００ｍｌの丸底フラスコに、化合物２７（１．６１ｇ、１．８９ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−３−ヨードベンゼン（１．６ｇ、５．６６ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（４３ｍｇ、４７μｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニル−ホスフィノ）フェロセン（５２ｍｇ、９４μｍｏｌ）、トルエン（５０ｍｌ）、およびナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（０．４５ｇ、４．７ｍｍｏｌ）を加えた。反応容器に蓋をして、グローブボックスから取りだし、還流冷却器およびＮ₂バブラーを取り付け、８５℃において３日間加熱した。その反応混合物を室温まで冷却し、ジクロロメタンで希釈し、シリカゲルおよび珪藻土のプラグで濾過した。その濾液をロータリーエバポレーター上で濃縮して粗生成物を得た。粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン：ＣＨ₂Ｃｌ₂のグラジエント）によって精製した後、沸騰ＭｅＯＨで洗浄して、化合物２８を白色粉末（１．４２ｇ、６５％）として得た。¹Ｈ ＮＭＲ分析（５００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）は構造２８と一致している。

パート２．化合物Ｘの合成。
化合物Ｃに関して前述したようにして化合物Ｘを合成して、白色ビーズを６５％で得た。分子量測定（ＧＰＣ、ＴＨＦ、ポリスチレン標準物質）：Ｍ_w＝３２０，０００；Ｍ_n＝９７，０００；ＰＤＩ＝３．２９。

実施例１１：化合物Ｙ１の合成
パート１．中間体２９の合成：

窒素パージしたグローブボックス中で、４−ブロモ−１−ヨードベンゼン（３．５４ｇ、１２．５３ｍｍｏｌ）および４−（ｐ−ペンチルフェニル）−アニリン（３ｇ、１２．５３ｍｍｏｌ）をトルエン（５０ｍＬ）中に、１００ｍＬの丸底フラスコ中で溶解させた後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（２８６ｍｇ、０．０２５当量）と１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（３４７ｍｇ、０．０５当量）とのトルエン（１０ｍＬ）溶液を混合物に加えた。混合物を５分間撹拌した後、得られた溶液にナトリウムｔ−ブトキシド（１．４４ｇ、１５．０３ｍｍｏｌ、１．２当量）を加えた。反応混合物を、グローブボックス外部の窒素下で８０℃において６時間撹拌した。混合物をシリカゲルパッドに通し、トルエンで洗浄した。１つにまとめた溶液をロータリーエバポレーター上で濃縮した後、再結晶（ヘキサンおよびエチルアセテートの溶媒中）およびフラッシュカラムクロマトグラフィー（ヘキサン中５％酢酸エチルのグラジエント）を行って、２．３ｇの白色固体を得た。ＮＭＲ分析により、中間化合物２９の構造を確認した。

パート２．中間体３１の合成：

撹拌棒、還流冷却器、およびＮ₂バブラーを取り付けた１００ｍｌの２口丸底フラスコに、Ｎａ₂ＣＯ₃（１．４ｇ、１３．３ｍｍｏｌ）および水（８ｍＬ）を加えた。得られたＮａ₂ＣＯ₃溶液に、化合物３０（１．６５ｇ、２．６６ｍｍｏｌ）、化合物２９（２．１ｇ、５．３ｍｍｏｌ）、Ａｌｉｑｕａｔ ３３６（登録商標）（０．１１ｇ、０．２７ｍｍｏｌ）、トルエン（１２ｍｌ）、および１，４−ジオキサン（１２ｍｌ）を加えた。この混合物にＮ₂を１時間スパージした後、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）−ホスフィンジクロロパラジウム（ＩＩ）（４．１ｍｇ、５．３μｍｏｌ）を加えた。この混合物にＮ₂を１０分間スパージした後、９０℃において１．５時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、トルエンで希釈した。有機層を分離し、水（３回）およびブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ₄上で乾燥させ、濾過し、ロータリーエバポレーター上で濃縮し、高真空下で乾燥させて、淡褐色泡状固体を単離した。この粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、２：１のＨｅｘ：ＣＨ₂Ｃｌ₂）によって精製して、２．４ｇの白色泡状固体を９１％で単離した。¹Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）は構造３１と一致している。

パート３．中間体３２の合成：

窒素パージしたグローブボックス中で、撹拌棒を取り付けた３００ｍＬの丸底フラスコに、化合物３１（２．３ｇ、２．３２ｍｍｏｌ）、ヨード−ブロモビフェニル（２．５ｇ、６．９ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（５３ｍｇ、５０μｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニル−ホスフィノ）フェロセン（６４ｍｇ、１２０μｍｏｌ）、トルエン（１００ｍｌ）、およびナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（０．５６ｇ、５．８ｍｍｏｌ）を加えた。反応容器に蓋をして、グローブボックスから取りだし、還流冷却器およびＮ₂バブラーを取り付け、９５℃において１８時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、ジクロロメタンで希釈し、シリカゲルおよび珪藻土のプラグで濾過した。その濾液をロータリーエバポレーター上で濃縮して、粗生成物を得た。この粗生成物を、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン：ＣＨ₂Ｃｌ₂のグラジエント）によって精製した後、沸騰ＭｅＯＨで洗浄して、２．８ｇの白色粉末（収率８３％）を得た。¹Ｈ ＮＭＲ分析（５００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）は構造３２と一致している。

パート３．化合物Ｙ１の合成：

実施例１中の化合物Ｃの合成の概略の通りに化合物３２の重合を行って、白色ポリマーを９５％の収率で得た。分子量測定（ＧＰＣ、ＴＨＦ、ポリスチレン標準物質）：Ｍ_w＝１６９，０００；Ｍ_n＝９１，７００；ＰＤＩ＝１．８４。

実施例１２：化合物Ｙ３の合成
パート１−中間化合物３３の合成：

窒素雰囲気下で、化合物３（２．０ｇ、３．０３ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−４’−プロピルビフェニル（１．６７ｇ、６．０５ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１３９ｍｇ、５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（６１ｍｇ、１０ｍｏｌ％）、およびトルエン（２７ｍＬ）を混合した。ナトリウムｔ−ブトキシド（０．８７２ｇ、９．０８ｍｍｏｌ）を加え、反応物を室温において４０時間撹拌した。次に、４−ブロモ−４’−プロピルビフェニル（２５０ｍｇ、０．０９１ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（５５ｍｇ、２ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（２５ｍｇ、４ｍｏｌ％）、およびナトリウムｔ−ブトキシド（２９１ｍｇ、３．０３ｍｍｏｌ）を加えた。さらに２３時間後、反応混合物をＣｅｌｉｔｅのパッドで濾過し、トルエンで洗浄した。得られた溶液をロータリーエバポレーター上で濃縮し、減圧乾燥した。生成物を、シリカゲル上の中圧液体クロマトグラフィー（ヘキサン中０〜４０％の塩化メチレンのグラジエント）によって精製して、１．７０ｇ（収率５３％）の白色固体を得た。ＮＭＲ分析により、４，４’および４，５’の位置異性体の混合物として中間化合物３３の構造を確認した。純度（ＵＰＬＣ）：９７．８％。

パート２−中間体４−ブロモ−４’−ヨードビフェニルの合成：

機械的撹拌装置、温度計、および上部に窒素バブラー入口を有する還流冷却器を取り付けた１リットルの４口丸底フラスコに、酢酸（４００ｍＬ）中の４−ブロモビフェニル（２３．３１ｇ、１００ｍｍｏｌ）、硫酸（１０ｍＬ）、および水（２０ｍＬ）を投入した。撹拌しながらこの混合物にヨウ素酸（４．８４ｇ、２７．５ｍｍｏｌ）を加え、その直後にヨウ素片（１１．１７ｇ、４４．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応フラスコを、あらかじめ加熱したトリ（エチレングリコール）加熱浴中に浸漬し、６５℃の内部温度に加熱した。３０分後、内部温度が２０分後に８５℃まで上昇するように浴の温度を上昇させた。この温度における加熱を４．５時間続け、その時点でＵＰＬＣ分析を行うと反応の終了が示された。室温において終夜撹拌した後、反応混合物を粗いフリット漏斗で減圧濾過し、得られた固形分を水で洗浄した。得られた白色固体（３２．１ｇ、収率８９％）は、ｍｐが１７７〜１７９℃であり、さらに精製することなく次のステップで使用した。ＮＭＲ分析により、中間化合物３の４−ブロモ−４’−ヨードビフェニルの構造を確認した。純度（ＵＰＬＣ）：＞９９％。

パート３−中間化合物３４の合成：

窒素パージしたグローブボックス中で、マグネチックスターラー、温度計、および上部に閉鎖位置のガス入口アダプターを有する還流冷却器を取り付けた３口丸底フラスコの開いている口から、３３（１．７０ｇ、１．６２ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−４’−ヨードビフェニル（２．６２ｇ、７．２９ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１７８ｍｇ、１２ｍｏｌ％）、ビス（ジフェニルホスフィノフェロセン）（２１５ｍｇ、２４ｍｏｌ％）、およびトルエン（３０ｍＬ）を投入した。ナトリウムｔ−ブトキシド（０．３４２ｇ、３．５６ｍｍｏｌ）を加え、開いている口に蓋をして、反応容器をグローブボックスから取り出した。窒素バブラーのホースをガス入口アダプターに取り付け、窒素のわずかな陽圧下でコックを開放位置に動かした。トリ（エチレングリコール）浴を使用して反応物を加熱還流した。１６時間後、反応物を室温まで冷却し、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１７８ｍｇ、１２ｍｏｌ％）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（２１５ｍｇ、２４ｍｏｌ％）、およびナトリウムｔ−ブトキシド（３４２ｍｇ、３．５６ｍｍｏｌ）を反応混合物に加えた。さらに２時間還流した後、反応混合物を室温まで冷却した。室温で７２時間後、反応混合物をＣｅｌｉｔｅのパッドで濾過し、トルエンで洗浄した。その濾液を回転蒸発によって濃縮した。得られた粗生成物を高真空下で乾燥させ、シリカゲル上の（ヘキサン０〜３５％塩化メチレンのグラジエント）によって中圧液体クロマトグラフィーによって精製して、１．４２ｇ（収率５８％）の白色固体を得た。ＮＭＲ分析によって、４，４’−および４，５’位置異性体の混合物として中間化合物３４の構造を確認した。純度（ＵＰＬＣ）：９８．７％。

パート４−化合物Ｙ３の合成。
実施例１中の化合物Ｃの合成の概略の通りに化合物３４の重合を行って、白色ポリマーを得た。分子量測定（ＧＰＣ、ＴＨＦ、ポリスチレン標準物質）：Ｍ_w＝５１２，９８３；Ｍ_n＝１３６，９３６；ＰＤＩ＝３．７５。

デバイス例
以下の材料を使用した：
緩衝液１は、ポリピロールおよびポリマーフッ素化スルホン酸の水性分散体である。この材料は、米国特許出願公開第２００５／０２０５８６０号明細書の実施例１に記載の手順と類似の手順を使用して調製した。

Ｈ１：

Ｅ１：

Ａｌｑ３＝トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム
ＺｒＱ＝テトラキス−（８−ヒドロキシキノリン）ジルコニウム

デバイス例１
この例では、深青色発光を示すデバイスの製造および性能を示す。

このデバイスは以下の層を有した：
アノード＝インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）：５０ｎｍ
緩衝層＝緩衝液１（２５ｎｍ）
正孔輸送層＝実施例１の化合物Ｃ（２０ｎｍ）
光活性層＝１３：１のホストＨ１：ドーパントＥ１（４７ｎｍ）
電子輸送層＝ＺｒＱ（２０ｎｍ）
カソード＝ＣｓＦ／Ａｌ（０．７／１００ｎｍ）

ＯＬＥＤデバイスは、溶液処理と熱蒸着技術との組み合わせによって製造した。Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃのパターン化されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）がコーティングされたガラス基体を使用した。これらのＩＴＯ基体は、５０Ω／□のシート抵抗および８０％の光透過率を有するＩＴＯがコーティングされたＣｏｒｎｉｎｇ １７３７ガラスを主とするものである。これらのパターン化されたＩＴＯ基体を、水性洗剤溶液中で超音波洗浄し、蒸留水ですすいだ。次に、このパターン化されたＩＴＯを、アセトン中で超音波洗浄し、イソプロパノールですすぎ、窒素気流中で乾燥させた。

デバイス製造の直前に、このパターン化されたＩＴＯ基体を洗浄したものをＵＶオゾンで１０分間処理した。冷却した直後に、緩衝液１の水性分散体をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次に基体に正孔輸送材料の溶液をスピンコーティングし、次に加熱して溶媒を除去した。冷却後、基体に発光層溶液をスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。基体をマスクし、真空チャンバーに入れた。熱蒸着によってＺｒＱ層を堆積し、続いてＣｓＦ層を堆積した。次に減圧下でマスクを交換し、熱蒸着によってＡｌ層を堆積した。チャンバーに通気し、ガラス蓋、乾燥剤、およびＵＶ硬化性エポキシを使用してデバイスを封入した。

ＯＬＥＤ試料の特性決定は、（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）エレクトロルミネッセンス放射輝度対電圧、および（３）エレクトロルミネッセンススペクトル対電圧を測定することによって行った。３つすべての測定を同時に行い、コンピュータで制御を行った。ＬＥＤのエレクトロルミネッセンス放射輝度を、デバイスを動作させるために必要な電流密度で割ることによって、ある電圧におけるデバイスの電流効率が求められる。この単位はｃｄ／Ａである。出力効率は、電流効率を動作電圧で割った値である。この単位はｌｍ／Ｗである。結果を以下の表１に示す。

デバイス例２
この例では、深青色発光を示すデバイスの製造および性能を示す。以下の材料を使用した：
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）：５０ｎｍ
緩衝層＝緩衝液１（２５ｎｍ）
正孔輸送層＝化合物Ｃ（２０ｎｍ）
光活性層＝４：１のホストＨ１：ドーパントＥ１（３９ｎｍ）
電子輸送層＝ＺｒＱ（２０ｎｍ）
カソード＝ＣｓＦ／Ａｌ（０．８／１００ｎｍ）

ＯＬＥＤデバイスは、溶液処理と熱蒸着技術との組み合わせによって製造した。Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃのパターン化されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）がコーティングされたガラス基体を使用した。これらのＩＴＯ基体は、５０Ω／□のシート抵抗および８０％の光透過率を有するＩＴＯがコーティングされたＣｏｒｎｉｎｇ １７３７ガラスを主とするものである。これらのパターン化されたＩＴＯ基体を、水性洗剤溶液中で超音波洗浄し、蒸留水ですすいだ。次に、このパターン化されたＩＴＯを、アセトン中で超音波洗浄し、イソプロパノールですすぎ、窒素気流中で乾燥させた。

デバイス製造の直前に、このパターン化されたＩＴＯ基体を洗浄したものをＵＶオゾンで１０分間処理した。冷却した直後に、緩衝液１の水性分散体をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次に基体に正孔輸送材料の溶液をスピンコーティングし、次に加熱して溶媒を除去した。冷却後、基体をマスクし、真空チャンバーに入れた。４：１の比率の蛍光性ホスト：ドーパントを３９ｎｍの厚さまで同時蒸着した。基体をマスクし、真空チャンバーに入れた。熱蒸着によってＺｒＱ層を堆積し、続いてＣｓＦ層を堆積した。次に減圧下でマスクを交換し、熱蒸着によってＡｌ層を堆積した。チャンバーに通気し、ガラス蓋、乾燥剤、およびＵＶ硬化性エポキシを使用してデバイスを封入した。

前述のようにしてＯＬＥＤ試料の特性決定を行った。結果を以下の表１に示す。

デバイス例３
この例では、深青色発光を示すデバイスの製造および性能を示す。以下の材料を使用した：
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）：５０ｎｍ
緩衝層＝緩衝液１（５０ｎｍ）
正孔輸送層＝化合物Ｔ（２０ｎｍ）
光活性層＝６：１のホストＨ１：ドーパントＥ１（３２ｎｍ）
電子輸送層＝ＺｒＱ（１０ｎｍ）
カソード＝ＣｓＦ／Ａｌ（０．７／１００ｎｍ）

ＯＬＥＤデバイスは、溶液処理と熱蒸着技術との組み合わせによって製造した。Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃのパターン化されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）がコーティングされたガラス基体を使用した。これらのＩＴＯ基体は、５０Ω／□のシート抵抗および８０％の光透過率を有するＩＴＯがコーティングされたＣｏｒｎｉｎｇ １７３７ガラスを主とするものである。これらのパターン化されたＩＴＯ基体を、水性洗剤溶液中で超音波洗浄し、蒸留水ですすいだ。次に、このパターン化されたＩＴＯを、アセトン中で超音波洗浄し、イソプロパノールですすぎ、窒素気流中で乾燥させた。

デバイス製造の直前に、このパターン化されたＩＴＯ基体を洗浄したものをＵＶオゾンで１０分間処理した。冷却した直後に、緩衝液１の水性分散体をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次に基体に正孔輸送材料の溶液をスピンコーティングし、次に加熱して溶媒を除去した。冷却後、基体をマスクし、真空チャンバーに入れた。６：１の比率の蛍光性ホスト：ドーパントを３２ｎｍの厚さまで同時蒸着した。基体をマスクし、真空チャンバーに入れた。熱蒸着によってＺｒＱ層を堆積し、続いてＣｓＦ層を堆積した。次に減圧下でマスクを交換し、熱蒸着によってＡｌ層を堆積した。チャンバーに通気し、ガラス蓋、乾燥剤、およびＵＶ硬化性エポキシを使用してデバイスを封入した。

前述のようにしてＯＬＥＤ試料の特性決定を行った。結果を以下の表１に示す。

デバイス例４
この例では、深青色発光を示すデバイスの製造および性能を示す。

デバイスは以下の層を有した：
アノード＝インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）：５０ｎｍ
緩衝層＝緩衝液１（２５ｎｍ）
正孔輸送層＝化合物Ｖ
光活性層＝１３：１のホストＨ１：ドーパントＥ１（４７ｎｍ）
電子輸送層＝ＺｒＱ（２０ｎｍ）
カソード＝ＣｓＦ／Ａｌ（０．７／１００ｎｍ）

ＯＬＥＤデバイスは、溶液処理と熱蒸着技術との組み合わせによって製造した。Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃのパターン化されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）がコーティングされたガラス基体を使用した。これらのＩＴＯ基体は、５０Ω／□のシート抵抗および８０％の光透過率を有するＩＴＯがコーティングされたＣｏｒｎｉｎｇ １７３７ガラスを主とするものである。これらのパターン化されたＩＴＯ基体を、水性洗剤溶液中で超音波洗浄し、蒸留水ですすいだ。次に、このパターン化されたＩＴＯを、アセトン中で超音波洗浄し、イソプロパノールですすぎ、窒素気流中で乾燥させた。

デバイス製造の直前に、このパターン化されたＩＴＯ基体を洗浄したものをＵＶオゾンで１０分間処理した。冷却した直後に、緩衝液１の水性分散体をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次に基体に正孔輸送材料の溶液をスピンコーティングし、次に加熱して溶媒を除去した。冷却後、基体に発光層溶液をスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。基体をマスクし、真空チャンバーに入れた。熱蒸着によってＺｒＱ層を堆積し、続いてＣｓＦ層を堆積した。次に減圧下でマスクを交換し、熱蒸着によってＡｌ層を堆積した。チャンバーに通気し、ガラス蓋、乾燥剤、およびＵＶ硬化性エポキシを使用してデバイスを封入した。

ＯＬＥＤ試料の特性決定は、（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）エレクトロルミネッセンス放射輝度対電圧、および（３）エレクトロルミネッセンススペクトル対電圧を測定することによって行った。３つすべての測定を同時に行い、コンピュータで制御を行った。ＬＥＤのエレクトロルミネッセンス放射輝度を、デバイスを動作させるために必要な電流密度で割ることによって、ある電圧におけるデバイスの電流効率が求められる。この単位はｃｄ／Ａである。出力効率は、電流効率を動作電圧で割った値である。この単位はｌｍ／Ｗである。結果を以下の表１に示す。

デバイス例５
この例では、深青色発光を示すデバイスの製造および性能を示す。以下の材料を使用した：
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）：５０ｎｍ
緩衝層＝緩衝液１（２５ｎｍ）
正孔輸送層＝化合物Ｖ（２０ｎｍ）
光活性層＝４：１のホストＨ１：ドーパントＥ１（３９ｎｍ）
電子輸送層＝ＺｒＱ（２０ｎｍ）
カソード＝ＣｓＦ／Ａｌ（０．８／１００ｎｍ）

ＯＬＥＤデバイスは、溶液処理と熱蒸着技術との組み合わせによって製造した。Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃのパターン化されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）がコーティングされたガラス基体を使用した。これらのＩＴＯ基体は、５０Ω／□のシート抵抗および８０％の光透過率を有するＩＴＯがコーティングされたＣｏｒｎｉｎｇ １７３７ガラスを主とするものである。これらのパターン化されたＩＴＯ基体を、水性洗剤溶液中で超音波洗浄し、蒸留水ですすいだ。次に、このパターン化されたＩＴＯを、アセトン中で超音波洗浄し、イソプロパノールですすぎ、窒素気流中で乾燥させた。

デバイス製造の直前に、このパターン化されたＩＴＯ基体を洗浄したものをＵＶオゾンで１０分間処理した。冷却した直後に、緩衝液１の水性分散体をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次に基体に正孔輸送材料の溶液をスピンコーティングし、次に加熱して溶媒を除去した。冷却後、基体をマスクし、真空チャンバーに入れた。４：１の比率の蛍光性ホスト：ドーパントを３９ｎｍの厚さまで同時蒸着した。基体をマスクし、真空チャンバーに入れた。熱蒸着によってＺｒＱ層を堆積し、続いてＣｓＦ層を堆積した。次に減圧下でマスクを交換し、熱蒸着によってＡｌ層を堆積した。チャンバーに通気し、ガラス蓋、乾燥剤、およびＵＶ硬化性エポキシを使用してデバイスを封入した。

前述のようにしてＯＬＥＤ試料の特性決定を行った。結果を以下の表１に示す。

デバイス例７
この例では、深青色発光を示すデバイスの製造および性能を示す。

デバイスは以下の層を有した：
アノード＝インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）：５０ｎｍ
緩衝層＝緩衝液１（２５ｎｍ）
正孔輸送層＝化合物Ｙ３
光活性層＝１３：１のホストＨ１：ドーパントＥ１（４７ｎｍ）
電子輸送層＝ＺｒＱ（２０ｎｍ）
カソード＝ＣｓＦ／Ａｌ（０．７／１００ｎｍ）

ＯＬＥＤデバイスは、溶液処理と熱蒸着技術との組み合わせによって製造した。Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃのパターン化されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）がコーティングされたガラス基体を使用した。これらのＩＴＯ基体は、５０Ω／□のシート抵抗および８０％の光透過率を有するＩＴＯがコーティングされたＣｏｒｎｉｎｇ １７３７ガラスを主とするものである。これらのパターン化されたＩＴＯ基体を、水性洗剤溶液中で超音波洗浄し、蒸留水ですすいだ。次に、このパターン化されたＩＴＯを、アセトン中で超音波洗浄し、イソプロパノールですすぎ、窒素気流中で乾燥させた。

デバイス製造の直前に、このパターン化されたＩＴＯ基体を洗浄したものをＵＶオゾンで１０分間処理した。冷却した直後に、緩衝液１の水性分散体をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次に基体に正孔輸送材料の溶液をスピンコーティングし、次に加熱して溶媒を除去した。冷却後、基体に発光層溶液をスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。基体をマスクし、真空チャンバーに入れた。熱蒸着によってＺｒＱ層を堆積し、続いてＣｓＦ層を堆積した。次に減圧下でマスクを交換し、熱蒸着によってＡｌ層を堆積した。チャンバーに通気し、ガラス蓋、乾燥剤、およびＵＶ硬化性エポキシを使用してデバイスを封入した。

ＯＬＥＤ試料の特性決定は、（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）エレクトロルミネッセンス放射輝度対電圧、および（３）エレクトロルミネッセンススペクトル対電圧を測定することによって行った。３つすべての測定を同時に行い、コンピュータで制御を行った。ＬＥＤのエレクトロルミネッセンス放射輝度を、デバイスを動作させるために必要な電流密度で割ることによって、ある電圧におけるデバイスの電流効率が求められる。この単位はｃｄ／Ａである。出力効率は、電流効率を動作電圧で割った値である。この単位はｌｍ／Ｗである。結果を以下の表１に示す。

デバイス例８
この例では、深青色発光を示すデバイスの製造および性能を示す。以下の材料を使用した：
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）：５０ｎｍ
緩衝層＝緩衝液１（２５ｎｍ）
正孔輸送層＝化合物Ｙ３（２０ｎｍ）
光活性層＝４：１のホストＨ１：ドーパントＥ１（３９ｎｍ）
電子輸送層＝ＺｒＱ（２０ｎｍ）
カソード＝ＣｓＦ／Ａｌ（０．８／１００ｎｍ）

ＯＬＥＤデバイスは、溶液処理と熱蒸着技術との組み合わせによって製造した。Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃのパターン化されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）がコーティングされたガラス基体を使用した。これらのＩＴＯ基体は、５０Ω／□のシート抵抗および８０％の光透過率を有するＩＴＯがコーティングされたＣｏｒｎｉｎｇ １７３７ガラスを主とするものである。これらのパターン化されたＩＴＯ基体を、水性洗剤溶液中で超音波洗浄し、蒸留水ですすいだ。次に、このパターン化されたＩＴＯを、アセトン中で超音波洗浄し、イソプロパノールですすぎ、窒素気流中で乾燥させた。

デバイス製造の直前に、このパターン化されたＩＴＯ基体を洗浄したものをＵＶオゾンで１０分間処理した。冷却した直後に、緩衝液１の水性分散体をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次に基体に正孔輸送材料の溶液をスピンコーティングし、次に加熱して溶媒を除去した。冷却後、基体をマスクし、真空チャンバーに入れた。４：１の比率の蛍光性ホスト：ドーパントを３９ｎｍの厚さまで同時蒸着した。基体をマスクし、真空チャンバーに入れた。熱蒸着によってＺｒＱ層を堆積し、続いてＣｓＦ層を堆積した。次に減圧下でマスクを交換し、熱蒸着によってＡｌ層を堆積した。チャンバーに通気し、ガラス蓋、乾燥剤、およびＵＶ硬化性エポキシを使用してデバイスを封入した。

前述のようにしてＯＬＥＤ試料の特性決定を行った。結果を以下の表１に示す。

すべてのデータは1000ニトにおける値であり、CE=電流効率であり、CIE[x]
およびCIE[y]は、C.I.E.色度図（Commission International de L’Eclairage,1931）に準拠したxおよびyの色座標を意味する。

概要または実施例において前述したすべての行為が必要なわけではなく、特定の行為の一部は不要である場合があり、１つ以上のさらに別の行為が、前述の行為に加えて実施される場合があることに留意されたい。さらに、行為が列挙されている順序は、必ずしもそれらが実施される順序ではない。

以上の明細書において、具体的な実施形態を参照しながら本発明の概念を説明してきた。しかし、当業者であれば、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱せずに種々の修正および変更を行えることが理解できよう。したがって、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく説明的なものであると見なすべきであり、すべてのこのような修正は本発明の範囲内に含まれることを意図している。

特定の実施形態に関して、利益、その他の利点、および問題に対する解決法を以上に記載してきた。しかし、これらの利益、利点、問題の解決法、ならびに、なんらかの利益、利点、または解決法を発生させたり、より顕著にしたりすることがある、あらゆる特徴が、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての重要、必要、または本質的な特徴であるとして解釈すべきではない。

別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。本明細書において明記される種々の範囲内の数値が使用される場合、記載の範囲内の最小値および最大値の両方の前に単語「約」が付けられているかのように近似値として記載されている。この方法では、記載の範囲よりもわずかに上およびわずかに下のばらつきを使用して、その範囲内の値の場合と実質的に同じ結果を得ることができる。また、これらの範囲の開示は、ある値の一部の成分を異なる値の一部の成分と混合した場合に生じうる分数値を含めて、最小平均値と最大平均値との間のすべての値を含む連続した範囲であることを意図している。さらに、より広い範囲およびより狭い範囲が開示される場合、ある範囲の最小値を別の範囲の最大値と一致させること、およびその逆のことが本発明の意図の範囲内となる。
以下、本明細書に記載の発明につき列記する。
１．
式Ｉ、式ＩＩ、または式ＩＩＩ：

（式中：Ａｒ ¹ は、出現するごとに同種または異種であり、フェニレン、置換フェニレン、ナフチレン、および置換ナフチレンからなる群から選択され；
Ａｒ ² は、出現するごとに同種または異種であり、アリール基であり；
Ｍは、出現するごとに同種または異種であり、共役部分であり；
Ｔ ¹ およびＴ ² は、出現するごとに独立して同種または異種であり、非平面配置で結合されている共役部分であり；
ａは、出現するごとに同種または異種であり、１〜６の整数であり；
ｂ、ｃ、およびｄは、モル分率であってｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０であり、但し、ｃは０ではなく、ｂおよびｄの少なくとも１つは０ではなく、ｂが０の場合には、Ｍは、少なくとも２つのトリアリールアミン単位を含み；
ｅは、出現するごとに同種または異種であり、１〜６の整数であり；
ｎは、１を超える整数である）
で表される化合物。
２．
［Ｔ ¹ −Ｔ ² ］の構成要素が独立して：

（式中：Ｒは、同種または異種であり、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルキル、フルオロアリール、フルオロアリールオキシ、フルオロアルキルオキシ、オキシアルキル、およびアルケニル基からなる群から選択される）
からなる群から選択される、前記１．に記載の化合物。
３．
Ｒが、Ｃ１〜１０アルキルおよびＣ１〜１０アルコキシからなる群から選択される、前記２．に記載の化合物。
４．
両方のＲ基が互いに連結して非芳香環を形成している、前記２．に記載の化合物。
５．
Ａｒ ² が式ａ

（式中：Ｒ ¹ は、出現するごとに同種または異種であり、アルキル、アルコキシ、およびシリルからなる群から選択され；
ｆは、出現するごとに同種または異種であり、０〜４の整数であり；
ｇは０〜５の整数であり；
ｍは１〜５の整数である）
で表される、前記１．に記載の化合物。
６．
Ａｒ ² が、フェニル、ｐ−ビフェニル、ｐ−ターフェニル、ナフチル、フェニルナフチル、およびナフチルフェニルからなる群から選択される、前記１．に記載の化合物。
７．
Ａｒ ² が、架橋基を含む置換基を有する、前記１．に記載の化合物。
８．
少なくとも１つのＡｒ ² が、アルキル、アルコキシ、およびシリルからなる群から選択される少なくとも１つの置換基を有する、前記１．に記載の化合物。
９．
式ＩＩＩで表され、ｃが少なくとも０．４である、前記１．に記載の化合物。
１０．
Ｍが、架橋性置換基を有する、トリアリールアミン単位および芳香族単位からなる群から選択される、前記９．に記載の化合物。
１１．
化合物Ａ：

化合物Ｂ：

化合物Ｃ

化合物Ｄ：

化合物Ｅ：

化合物Ｆ：

化合物Ｇ：

化合物Ｈ：

化合物Ｉ：

化合物Ｊ：

化合物Ｋ：

化合物Ｌ：

化合物Ｍ：

化合物Ｍ１：

化合物Ｎ：

ａ＝０．４〜０．８
ｂ＝０．２〜０．６

化合物Ｏ：

ａ＝０．３〜０．７
ｂ＝０．３〜０．７

化合物Ｐ：

ａ＝０．８〜０．９５
ｂ＝０．０５〜０．２

化合物Ｑ：

化合物Ｒ：

化合物Ｓ：

化合物Ｔ：

化合物Ｕ：

化合物Ｖ：

化合物Ｗ：

化合物Ｘ：

および化合物Ｙ１〜Ｙ４

からなる群から選択される、化合物。
１２．
第１の電気接触層、第２の電気接触層、およびそれらの間の活性層を含み、前記活性層が、前記１．〜１１．のいずれか一項に記載の化合物を含む、有機電子デバイス。
１３．
前記活性層が、正孔輸送層、および光活性層からなる群から選択される層である、前記１２．に記載のデバイス。
１４．
前記活性層が、光活性材料と、式Ｉ、式ＩＩ、または式ＩＩＩで表される化合物とから実質的になる、前記１２．または１３．に記載のデバイス。
１５．
少なくとも１つのＡｒ ¹ が、アルキル、アルコキシ、シリル、および架橋基を有する置換基からなる群から選択される置換基を有する置換フェニルである、前記１．、１２．、１３．、および１４．のいずれか一項に記載の化合物。

Claims (3)

1. 式ＩＩ又は式ＩＩＩ：
   

   

   

   
   （式中：Ａｒ¹は、出現するごとに同種または異種であり、フェニレン、置換フェニレン、ナフチレン、および置換ナフチレンからなる群から選択され；
   Ａｒ²は、出現するごとに同種または異種であり、アリール基であり；
   Ｍは、出現するごとに同種または異種であり、共役部分であり；
   Ｔ¹およびＴ²は、出現するごとに独立して同種または異種であり、非平面配置で結合されている共役部分であり；
   ａは、出現するごとに同種または異種であり、１〜６の整数であり；
   ｂ、ｃ、およびｄは、モル分率であってｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０であり、但し、ｃは０ではなく、ｂは０ではなく；
   ｅは、出現するごとに同種または異種であり、１〜６の整数であり；
   ｎは、１を超える整数である）
   で表される化合物。
2. 化合物Ｃ
   

   

   化合物Ｄ：
   

   

   化合物Ｅ：
   

   

   化合物Ｆ：
   

   

   化合物Ｇ：
   

   

   化合物Ｈ：
   

   

   化合物Ｉ：
   

   

   化合物Ｊ：
   

   

   化合物Ｌ：
   

   

   化合物Ｍ：
   

   

   化合物Ｍ１：
   

   

   化合物Ｎ：
   

   

   ａ＝０．４〜０．８
   ｂ＝０．２〜０．６
   
   化合物Ｏ：
   

   

   ａ＝０．３〜０．７
   ｂ＝０．３〜０．７
   
   化合物Ｐ：
   

   

   ａ＝０．８〜０．９５
   ｂ＝０．０５〜０．２
   
   化合物Ｑ：
   

   

   化合物Ｒ：
   

   

   化合物Ｓ：
   

   

   化合物Ｔ：
   

   

   化合物Ｕ：
   

   

   化合物Ｖ：
   

   

   化合物Ｗ：
   

   

   化合物Ｘ：
   

   

   および化合物Ｙ１〜Ｙ４
   

   

   からなる群から選択される、化合物。
3. 第１の電気接触層、第２の電気接触層、およびそれらの間の活性層を含み、前記活性層が、請求項１または２に記載の化合物を含む、有機電子デバイス。

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