JP2018104593A - 高分子化合物、ならびにこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

【課題】高い三重項エネルギー準位を有し、高電流効率を達成できる高分子化合物。【解決手段】式（１）ならびに式（３）および／または（４）の構成単位を含む高分子化合物。【選択図】なし

Description

本発明は、アリールアミンがオルト位で連結してなる高分子化合物、ならびにこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

近年、自発光型の発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（Organic ElectroLuminescence Diode：有機電界発光素子または有機ＥＬ素子）を用いた表示装置および照明機器の開発が活発に行われている。

有機ＥＬ素子の材料としては、発光層やキャリア輸送層に種々の低分子材料や高分子材料が用いられており、特に低分子材料においては素子の効率・寿命の面で優れていることから、数多くの材料が提案され、実用化がモバイル用途で始まっている。しかし、低分子材料からなる有機ＥＬ素子の最大の課題は、その製造コストであり、その解決策として、高分子材料のような塗布系材料の開発が望まれている。塗布により成膜可能な高分子材料としては、正孔輸送材料用アリールアミンポリマーが提案されている。

また、近年、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］のような高い発光効率を示す燐光発光材料を用いた有機電界発光素子の開発が盛んになされている。このような発光材料と組み合わせるキャリア輸送材としては、高い三重項エネルギー準位（例えば、２．５ｅＶ以上）を有するものが望まれている。しかし、アリールアミンポリマーでは、繰り返し単位自体は十分に高い三重項エネルギー準位を有していても、繰り返し単位の増加により三重項エネルギー準位は低下する。このため、高分子材料を用いて有機ＥＬ素子を作製した場合、発光効率が低い課題があった。

高分子量化による三重項エネルギー準位の低下を抑制するために、アリール基への置換基導入による主鎖構造の共役を抑制する構造が開示されている（特許文献１〜２）。

特開２０１３−１７０２２８号公報 特開２００２−３０８８３７号公報

しかしながら、特許文献１や２に記載のアリールアミンポリマーは三重項エネルギー準位が十分高くないという課題があった。このため、高い三重項エネルギー準位を有するアリールアミンポリマーの開発が望まれている。

したがって、本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、高い三重項エネルギー準位を有し、高電流効率を達成できる高分子化合物を提供することを課題とする。

本発明の他の目的は、湿式製膜法（塗布法）での成膜に適した高電流効率を達成できる高分子化合物を提供することである。

本発明の別の目的は、このような高分子化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料（特に正孔輸送材料）、および当該材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。

本発明者らは、上記の問題を解決すべく、鋭意研究を行った結果、特定の構成単位を有する２元または３元共重合体が上記課題を解決できることを見出した。

すなわち、上記諸目的は、下記式（１）：

式（１）中、Ｘ_１およびＸ_２は、それぞれ独立して、下記式（２）：

式（２）中、Ａｒ_１およびＡｒ_２は、それぞれ独立して、単結合または置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を表し、この際、Ａｒ_１およびＡｒ_２の少なくとも一方は、置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ａｒ_３は、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す、
で示される２価の基であり；
Ｒ_１およびＲ_２は、それぞれ独立して、炭素数１以上１８以下のアルキル基もしくはアルコキシ基、または炭素数６以上１８以下のアリール基であり、Ｒ_１およびＲ_２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく；
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数である、
で表わされる構成単位（１）、ならびに
下記式（３）：

式（３）中、Ａｒ_４は、置換基を有してもよい（２＋ｐ）価の芳香族炭化水素基または置換基を有してもよい（２＋ｐ）価の芳香族複素環基を表し；
Ｌ_２は、単結合または置換基を有してもよいアルキレン基もしくはフェニレン基を表し、Ｌ_２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく；
Ｑ_１は、１価の架橋性基を表し、Ｑ_１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく；ならびに
ｐは、１以上の整数である、
で表わされる構成単位（２）、および
下記式（４）：

式（４）中、Ａｒ_５は、置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である、
で表わされる構成単位（３）の少なくとも一方
を含む高分子化合物によって達成できる。

また、上記諸目的は、一対の電極と、前記電極間に配置され、上記高分子化合物を含む少なくとも１層の有機層と、を備える、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記有機層のうち少なくとも１層を塗布法により形成する、方法によっても達成できる。

また、上記諸目的は、上記高分子化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料によっても達成できる。

また、上記諸目的は、一対の電極と、前記電極間に配置され、上記高分子化合物を含む少なくとも１層の有機層と、を備える、有機エレクトロルミネッセンス素子によっても達成できる。

本発明の高分子化合物は、三重項エネルギー準位が高く、加熱により容易に膜を形成できる。このため、本発明は、エレクトロルミネッセンス素子などに（特に正孔輸送材料として）好適に用いることができる。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例を示す模式図である。

本発明の一態様によると、下記式（１）：

式（１）中、Ｘ_１およびＸ_２は、それぞれ独立して、下記式（２）：

式（２）中、Ａｒ_１およびＡｒ_２は、それぞれ独立して、単結合または置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を表し、この際、Ａｒ_１およびＡｒ_２の少なくとも一方は、置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ａｒ_３は、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す、
で示される２価の基であり；
Ｒ_１およびＲ_２は、それぞれ独立して、炭素数１以上１８以下のアルキル基もしくはアルコキシ基、または炭素数６以上１８以下のアリール基であり、Ｒ_１およびＲ_２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく；
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数である、
で表わされる構成単位（１）、ならびに
下記式（３）：

式（３）中、Ａｒ_４は、置換基を有してもよい（２＋ｐ）価の芳香族炭化水素基または置換基を有してもよい（２＋ｐ）価の芳香族複素環基を表し；
Ｌ_２は、単結合または置換基を有してもよいアルキレン基もしくはフェニレン基を表し、Ｌ_２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく；
Ｑ_１は、１価の架橋性基を表し、Ｑ_１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく；ならびに
ｐは、１以上の整数である、
で表わされる構成単位（２）、および
下記式（４）：

式（４）中、Ａｒ_５は、置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である、
で表わされる構成単位（３）の少なくとも一方
を含む高分子化合物を提供する。

本明細書において、上記式（１）で表わされる構成単位（１）、上記式（３）で表わされる構成単位（２）および上記式（４）で表わされる構成単位（３）を、それぞれ、単に「構成単位（１）」または「本発明に係る構成単位（１）」、「構成単位（２）」または「本発明に係る構成単位（２）」、および「構成単位（３）」または「本発明に係る構成単位（３）」と、称する。

本発明の高分子化合物は、構成単位（１）ならびに構成単位（２）および／または構成単位（３）を有する２元または３元共重合体であることを特徴とする。

有機電界発光素子の製造は、現在、蒸着法や湿式法により行われている。このうち、蒸着法は蒸着により多層に積層でき、積層によるエネルギーダイアグラムの最適化が容易である。このため、発光効率や寿命の向上、ならびに低駆動電圧化が可能である。しかしその一方で、低い生産性と低い歩留まりが大きな課題となっている。これに対して、湿式法による電界素子の製造では、印刷プロセスが可能であるので、大面積化、高生産性が期待できる。しかしその一方で、積層可能な材料の設計が大きな課題となっている。従来、積層可能な塗布型の正孔輸送材料は、可溶−不溶化制御技術に基づき開発され、大別して、親・疎水性制御型材料、高分子架橋型材料および低分子架橋型材料の３種がある。現在、積層の総数、材料の純度などの観点から、高分子架橋型材料の開発が主流である。しかし、高分子架橋型材料を正孔輸送材料として用いた場合の電気的特性は、構成単位の光学物性への依存性が高く、重要な特性である正孔移動度および三重項エネルギー準位は分子量依存性が特に大きい。材料の分子量を増加すると正孔移動度は増加する一方で、三重項エネルギー準位は低下する。また、有機溶媒への溶解性も構成ユニットおよび分子量に大きく依存している。このため、本発明者らは、既存技術の課題である高分子架橋型材料の分子量の増加による三重項エネルギー準位の低下を抑える（ゆえに電流効率を向上する）手段について鋭意検討を行った。その結果、アリールアミンを連結する共役の形式が三重項エネルギー準位と相関があることを見出した。このため、アリールアミンを連結する共役の形式と三重項エネルギー準位との相関性についてさらに検討を行った。その結果、上記式（１）の構成単位に示されるように、アリールアミン（上記式（１）中の「Ｘ_１」および「Ｘ_２」）をオルト位（ｏ−位）でフェニル基が２個連結した構造（上記式（１）中の「Ｘ_１」および「Ｘ_２」を除いた部分；「リンカー」とも称する）を介して連結することによって、三重項エネルギー準位が大きくなり、電流効率を増加できる。また、アリールアミンユニット間にｏ−位でフェニル基が２個連結したリンカーを導入することによって、高分子化合物の高分子主鎖（式（１）の構成単位）のフレキシビリティーを適切に制御することができる。このため、高分子化合物は、溶媒への高い溶解性および高い耐熱性を示すことができる。また、上記式（３）の構成単位（２）は、架橋性基（上記式（３）中の「Ｑ_１」）を有する。ゆえに、構成単位（２）を導入することによって、湿式（塗布）法による成膜性を向上できる。また、上記式（４）の構成単位（３）は、溶媒（特に有機溶媒）への溶解性を向上できる。ゆえに、構成単位（３）を導入することによって、湿式（塗布）法による成膜化をより容易にできる。

したがって、本発明の高分子化合物は高い三重項エネルギー準位を有し、高電流効率を達成できる。ゆえに、本発明の高分子化合物を（特に正孔輸送材料として）用いて作製される有機エレクトロルミネッセンス素子は、高い発光効率を発揮できる。また、本発明の高分子化合物は、成膜性および溶媒溶解性に優れるため、湿式（塗布）法での成膜が可能である。ゆえに、本発明の高分子化合物を用いることによって、有機エレクトロルミネッセンス素子の大面積化、高生産性が可能となる。

なお、上記メカニズムは推測によるものであり、本発明は上記メカニズムに何ら拘泥されるものではない。

以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０℃以上２５℃以下）／相対湿度４０％ＲＨ以上５０％ＲＨ以下の条件で行う。

［高分子化合物］
本発明の高分子化合物は、構成単位（１）ならびに構成単位（２）および／または（３）を有する。

ここで、構成単位（１）は、下記式（１）で示される。本発明の高分子化合物は、構成単位（１）１種を含むものであっても、または２種以上の構成単位（１）を含むものであってもよい。

上記構成単位（１）は、２個のアリールアミン（上記式（１）中の「Ｘ_１」および「Ｘ_２」）が、下記構造で示されるようなｏ−位でフェニル基が２個連結したリンカー（即ち、上記式（１）中の「Ｘ_１」および「Ｘ_２」を除いた部分）を介して連結してなる。

このような構成単位（１）を導入することによって、高分子化合物は、高い三重項エネルギー準位を示し、電流効率を向上できる。また、このような構造の構成単位（１）は、適切なフレキシビリティーを有するため、溶媒への溶解性および耐熱性に優れる。

上記式（１）中、Ｘ_１およびＸ_２は、下記式（２）で示される２価の基（アリールアミン由来の基）である。なお、下記式（２）の２価の基は、下記式（１’）の構造に示されるように、Ａｒ_１が式（１）中のフェニレン基と連結する。

上記式（２）中、Ａｒ_１およびＡｒ_２は、単結合（直接結合；以下、同様）または置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を表す。この際、Ａｒ_１およびＡｒ_２は、同じであってもまたは相互に異なるものであってもよい。また、Ａｒ_１およびＡｒ_２の少なくとも一方は、置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を表す。すなわち、Ａｒ_１およびＡｒ_２双方が単結合となることはない。

ここで、芳香族炭化水素は、一つ以上の芳香族環を含む炭素環を有する炭化水素を意味する。すなわち、芳香族炭化水素基は、一つ以上の芳香族環を含む炭素環を有する炭化水素由来の基である。また、芳香族炭化水素基が２以上の環を含む場合、２以上の環は互いに縮合していてもよい。また、これら芳香族炭化水素基に存在する１以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。２価の芳香族炭化水素基としては、以下に制限されないが、フェニレン基、ペンタレニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、アズレニレン基、ヘプタレニレン基、アセナフチレニレン基、フェナレニレン基、フルオレニレン基、アントラキノリレン基、フェナントリレン基、ビフェニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ピセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ペンタセニレン基、テトラフェニレニレン基、ヘキサフェニレン基、ヘキサセニレン基、ルビセニレン基、トリナフチレニレン基、ヘプタフェニレン基、ピラントレニレン基等を挙げることができる。

また、芳香族複素環は、１個以上のヘテロ原子（例えば、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（Ｏ）、リン原子（Ｐ）、硫黄原子（Ｓ））を有し、残りの環原子が炭素原子（Ｃ）である１以上の芳香族環を含む環を意味する。すなわち、芳香族複素環基は、１個以上のヘテロ原子（例えば、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（Ｏ）、リン原子（Ｐ）、硫黄原子（Ｓ））を有し、残りの環原子が炭素原子（Ｃ）である１以上の芳香族環を含む環由来の基である。また、芳香族複素環基が２以上の環を含む場合、２以上の環は互いに縮合していてもよい。また、これら芳香族複素環基に存在する１以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。２価の芳香族複素環基としては、以下に制限されないが、ピラゾリレン基、イミダゾリレン基、オキサゾリレン基、チアゾリレン基、トリアゾリレン基、テトラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、ピリジニレン基、ピリダジニレン基、ピリミジニレン基、トリアジニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、キノリニレン基、イソキノリニレン基、ベンゾイミダゾリレン基、イミダゾピリジニレン基、イミダゾピリミジニレン基等を挙げることができる。

これらのうち、これらのうち、三重項エネルギー準位のさらなる向上の観点から、Ａｒ_１およびＡｒ_２は、単結合、フェニレン基、カルバゾリレン基、フルオレニレン基、トリフェニレニレン基のいずれかであることが好ましく、単結合、フェニレン基、カルバゾリレン基のいずれかであることがより好ましく、フェニレン基、カルバゾリレン基のいずれかであることが特に好ましい。ただし、Ａｒ_１およびＡｒ_２は、同時に単結合になることはない。さらに、構成単位（１）がカルバゾリレン基を有する場合には、得られる高分子化合物を用いて形成した層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）の三重項エネルギー準位（ゆえに、電流効率）をさらに有効に向上できる。ゆえに、本発明の好ましい形態では、Ａｒ_１およびＡｒ_２の少なくとも一方は、置換基を有してもよいカルバゾリレン基である。また、本発明の特に好ましい形態では、Ａｒ_１およびＡｒ_２双方が置換基を有してもよいカルバゾリレン基である。このような形態に係る高分子化合物を（特に正孔輸送材料として）用いてなる有機ＥＬ素子はさらに高い発光効率を発揮できる。加えて、Ａｒ_１および／またはＡｒ_２としてカルバゾリレン基を有する高分子化合物は移動度が高い。このため、電子に対しての劣化影響を小さくして、素子寿命を向上できる。なお、カルバゾリレン基は、下記のいずれかの構造を有する。下記において、Ｚは、存在しえる置換基（水素原子または以下で詳述される置換基）を表す。

好ましくは、カルバゾリレン基は、下記のいずれかの構造を有する。

Ａｒ_１およびＡｒ_２としての２価の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基が置換基を有する場合に存在しえる置換基は、特に制限されない。具体的には、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、および芳香族複素環基、ならびにこれらの組み合わせなどが挙げられる。なお、２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が置換基を有する場合、さらに置換された構造がさらに置換される前の基（芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基）と同じになる形態は除外される。例えば、Ａｒ_１がフェニレン基である場合に、当該フェニレン基はさらにフェニレン基で置換されることはない（以下同様）。

ここで、上記２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に導入されてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

また、上記２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に導入されてもよいアルキル基は、特に制限されないが、炭素数１以上２４以下の直鎖または分岐状のアルキル基でありうる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−イソプロピルブチル基、２−メチル−１−イソプロピル基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、イソデシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基、ｎ−ヘンエイコシル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコシル基などが挙げられる。これらのうち、炭素数１以上８以下の直鎖もしくは分岐状のアルキル基が好ましく、発光寿命のさらなる向上効果の観点から、炭素数１以上６以下の直鎖もしくは分岐状のアルキル基がより好ましい。

上記２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に導入されてもよいアルコキシ基は、特に制限されないが、炭素数１以上２４以下の直鎖または分岐状のアルコキシ基でありうる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３−エチルペンチルオキシ基などが挙げられる。これらのうち、炭素数１以上８以下の直鎖もしくは分岐状のアルコキシ基が好ましい。

上記２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に導入されてもよい芳香族炭化水素基および芳香族複素環基については、それぞれ、上記２価の基を１価とする以外は同様の基である。これらのうち、三重項エネルギー準位や発光寿命のさらなる向上、駆動電圧低減の観点から、芳香族炭化水素基は、フェニル基、フルオレニレン基、ビフェニレン基であることが好ましい。また、三重項エネルギー準位や発光寿命のさらなる向上、駆動電圧低減の観点から、芳香族複素環基は、カルバゾリレン基であることが好ましい。

すなわち、上記２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が置換基を有する場合の、導入されてもよい置換基は、アルキル基、アルコキシ基からなる群より選択される少なくとも１種で置換されてもよい、フェニル基、フルオレニレン基、ビフェニレン基であることが好ましく、１個のアルキル基で置換されてもよいフェニル基、１個または２個のアルキル基で置換されてもよいフルオレニレン基であることがより好ましい。

上記式（２）において、Ａｒ_３は、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を表す。ここで、「芳香族炭化水素基」および「芳香族複素環基」は、上記式（２）中のＡｒ_１およびＡｒ_２における芳香族炭化水素基および芳香族複素環基（２価の基）を１価とする以外は同様の定義であるために、ここでは説明を省略する。同様にして、「芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に存在しえる置換基」は、上記式（２）中のＡｒ_１およびＡｒ_２における置換基と同様の定義であるために、ここでは説明を省略する。なお、２価の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基に導入される置換基がカルバゾリル基である場合には、カルバゾリル基は下記のいずれかを表す。下記において、Ｚは、存在しえる置換基（水素原子または上記で詳述された置換基）を表す。

同様にして、２価の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基に導入される置換基がフルオレニル基である場合には、フルオレニル基は下記のいずれかを表す。下記において、ＺおよびＺ’は、存在しえる置換基（水素原子または上記で詳述された置換基）を表し、これらは同一であってもまたは異なるものであってもよい。

三重項エネルギー準位や発光寿命のさらなる向上などの観点から、芳香族炭化水素基は、置換されてもよいフェニル基、置換されてもよいビフェニル基、置換されてもよいフルオレニル基であることが好ましく、置換されてもよいフェニル基、無置換のビフェニル基であることがより好ましい。また、三重項エネルギー準位や発光寿命のさらなる向上、電子耐性向上などの観点から、芳香族複素環基は、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基であることが好ましく、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基であることがより好ましい。また、三重項エネルギー準位や発光寿命のさらなる向上、溶剤溶解性などの観点から、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に存在しえる置換基は、炭素数１以上８以下のアルキル基であることが好ましく、炭素数１以上３以下のアルキル基であることがより好ましい。

上記式（１）において、Ｒ_１およびＲ_２は、炭素数１以上１８以下のアルキル基もしくはアルコキシ基、または炭素数６以上１８以下のアリール基を表す。この際、Ｒ_１およびＲ_２は、同じであってもまたは相互に異なるものであってもよい。また、Ｒ_１が複数存在する（即ち、ｍが２以上４以下である）場合、Ｒ_１は互いに同一でも異なってもよい。同様にして、Ｒ_２が複数存在する（即ち、ｎが２以上４以下である）場合、Ｒ_２は互いに同一でも異なってもよい。

ここで、炭素数１以上１８以下のアルキル基は、特に制限されず、炭素数１以上１８以下の直鎖または分岐状のアルキル基でありうる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−イソプロピルブチル基、２−メチル−１−イソプロピル基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、イソデシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基などが挙げられる。これらのうち、炭素数１以上８以下の直鎖もしくは分岐状のアルキル基が好ましい。

炭素数１以上１８以下のアルコキシ基は、特に制限されず、炭素数１以上１８以下の直鎖または分岐状のアルコキシ基でありうる。具体的には、メトキシ基、エチキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、イソペントキシ基、ｔｅｒｔ−ペントキシ基、ネオペントキシ基、１，２−ジメチルプロポキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、１−イソプロピルプロポキシ基、１，２−ジメチルブトキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキシ基、３−エチルペンチルオキシ基、２−メチル−１−イソプロピルプロポキシ基、１−エチル−３−メチルブトキシ基、ｎ−オクチル基オキシ、２−エチルヘキシルオキシ基、３−メチル−１−イソプロピルブトキシ基、２−メチル−１−イソプロポキシ基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロポキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、１−メチルデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基などが挙げられる。これらのうち、炭素数１以上８以下の直鎖もしくは分岐状のアルキル基が好ましい。

炭素数６以上１８以下のアリール基は、特に制限されず、例えば、フェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、フェナントリル基、ビフェニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基などが挙げられる。これらのうち、フェニル基、フルオレニル基が好ましい。

ｍは、置換基「Ｒ_１」がｏ−フェニレン基に結合する数を表わし、０以上４以下の整数である。好ましくは、ｍは、好ましくは０以上２以下の整数であり、より好ましくは０または１であり、特に好ましくは０である（置換基「Ｒ_１」が存在しない）。

ｎは、置換基「Ｒ_２」がｏ−フェニレン基に結合する数を表わし、０以上４以下の整数である。好ましくは、ｎは、好ましくは０以上２以下の整数であり、より好ましくは０または１であり、特に好ましくは０である（置換基「Ｒ_２」が存在しない）。

したがって、Ａｒ_１およびＡｒ_２は、下記いずれかの構造を有することが好ましい。また、下記構造において、「Ａｌｋｙｌ」は、「無置換またはアルキル基で置換された」ことを意味する。

すなわち、構成単位（１）は、下記いずれかの構造を有することが好ましい。下記において、＊は、他の構成単位との結合部位である。また、下記において、「Ａｌｋｙｌ」は、「無置換またはアルキル基で置換された」ことを意味する。

本発明の高分子化合物における構成単位（１）の組成は、特に制限されない。得られる高分子化合物を用いて形成した層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）の三重項エネルギー準位（ゆえに、電流効率）のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位（１）は、高分子化合物を構成する全構成単位数に対して、好ましくは３５％以上９５％以下、より好ましくは４０％以上８５％以下である。なお、高分子化合物が２種以上の構成単位（１）を含む場合には、上記構成単位（１）の含有量は、構成単位（１）の合計量を意味する。また、構成単位（１）ならびに下記構成単位（２）および／または構成単位（３）の合計組成（合計構成単位）は１００％である。

また、本発明の高分子化合物は、下記式（３）で表わされる構成単位（２）を有してもよい。構成単位（２）は架橋性基を有しているため、構成単位（２）を有する高分子化合物は、成膜を容易に行うことができる。なお、本発明の高分子化合物は、構成単位（２）１種を含むものであっても、または２種以上の構成単位（２）を含むものであってもよい。好ましくは、本発明の高分子化合物は、２種以上（より好ましくは２種または３種、特に好ましくは２種）の構成単位（２）を含む。

上記式（３）中、Ａｒ_４は、置換基を有してもよい（２＋ｐ）価の芳香族炭化水素基または置換基を有してもよい（２＋ｐ）価の芳香族複素環基を表す。ここで、ここで、「芳香族炭化水素基」および「芳香族複素環基」は、上記式（２）中のＡｒ_１〜Ａｒ_３における芳香族炭化水素基および芳香族複素環基の価を（２＋ｐ）価とする以外は同様の定義であるために、ここでは説明を省略する。これらのうち、得られる高分子化合物による成膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、Ａｒ_４は、フルオレンジイル基、フェニレン基であることが好ましく、フルオレンジイル基であることがより好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態によると、Ａｒ_４は、フルオレンジイル基、フェニレン基である。また、本発明のより好ましい形態によると、Ａｒ_４は、フルオレンジイル基である。ここで、Ａｒ_４としてのフルオレンジイル基は、下記のいずれかを表す。下記において、ＺおよびＺ’は、式：−Ｌ_２−Ｑ_１で示される基を表し、これらは同一であってもまたは異なるものであってもよい。

これらのうち、フルオレンジイル基は、下記構造を有することが好ましい。

また、Ａｒ_４の規定において、「芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に存在しえる置換基」は、上記式（２）中のＡｒ_１〜Ａｒ_３における置換基と同様の定義であるために、ここでは説明を省略する。

また、上記式（３）中、Ｌ_２は、単結合または置換基を有してもよいアルキレン基もしくはフェニレン基を表す。ここで、Ｌ_２が複数存在する（ｐが２以上の整数である）場合、それらは、同一でもまたは異なっていてもよい。ここで、アルキレン基は、特に制限されないが、炭素数１以上２４以下の直鎖または分岐状のアルキレン基でありうる。具体的には、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基等の、上記アルキル基の例示からいずれかの水素原子を１個除いた基が挙げられる。これらのうち、Ｌ_２は、炭素数１以上８以下の直鎖もしくは分岐状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基であることがより好ましく、トリメチレン基、プロピレン基であることが特に好ましい。また、Ｌ_２の規定において、「アルキレン基またはフェニレン基に存在しえる置換基」は、上記式（２）中のＡｒ_１〜Ａｒ_３における置換基と同様の定義であるために、ここでは説明を省略する。

得られる高分子化合物による成膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、Ｌ_２は、単結合または炭素数１以上８以下の直鎖もしくは分岐状のアルキレン基であることが好ましく、単結合、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基またはプロピレン基であることがより好ましく、単結合、トリメチレン基またはプロピレン基であることが特に好ましい。

上記式（３）において、Ｑ_１は、１価の架橋性基を表す。ここで、Ｑ_１が複数存在する（ｐが２以上の整数である）場合、それらは、同一でもまたは異なっていてもよい。架橋性基は、熱や活性エネルギー線による架橋反応を誘導できる基であれば特に制限されないが、得られる高分子化合物による成膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、下記構造が好ましく挙げられる。すなわち、本発明の好ましい形態によると、前記式（３）中、Ｑ_１は、下記群：

から選択される。上記架橋性基を表す式において、Ｒ_１０〜Ｒ_１６は、それぞれ独立して、水素原子または置換基を有してもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基である。ここで、炭素数１以上１０以下のアルキル基は、特に制限されないが、炭素数１以上１０以下の直鎖または分岐状のアルキル基でありうる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−イソプロピルブチル基、２−メチル−１−イソプロピル基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基などが挙げられる。これらのうち、Ｒ_１０〜Ｒ_１６は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上５以下の直鎖もしくは分岐状のアルキル基であることが好ましく、水素原子または炭素数１以上３以下の直鎖もしくは分岐状のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。また、「アルキル基に存在しえる置換基」は、上記式（２）中のＡｒ_１〜Ａｒ_３における置換基と同様の定義であるために、ここでは説明を省略する。また、ｐは、１以上１０以下の整数である。

これらのうち、架橋反応性（架橋容易性、成膜容易性）、架橋構造の安定性、電気化学的安定性などを考慮すると、下記構造のベンゾシクロブテン環由来の基（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエニル基）やビニル基（−ＣＨ＝ＣＨ_２）が好ましい。また、架橋反応性（架橋容易性）などの観点から、エポキシ基、オキセタン基などの環状エーテル基、ビニルエーテル基が好ましい。

上記式（３）において、ｐは、１以上１０以下の整数であり、Ａｒ_４によって一義的に規定される。すなわち、ｐは、１以上３以下の整数であることが好ましく、１または２であることがより好ましく、２であることが特に好ましい。

すなわち、構成単位（２）は、下記いずれかの構造を有することが好ましい。

本発明の高分子化合物における構成単位（２）の組成は、特に制限されない。得られる高分子化合物による成膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位（２）は、高分子化合物を構成する全構成単位数に対して、好ましくは１％以上１５％以下、より好ましくは５％以上１０％以下である。なお、高分子化合物が２種以上の構成単位（２）を含む場合には、上記構成単位（２）の含有量は、構成単位（２）の合計量を意味する。

また、本発明の高分子化合物は、下記式（４）で表わされる構成単位（３）を有してもよい。構成単位（３）を有する高分子化合物は、溶媒溶解性に優れる。このため、このような構成単位（３）を有する高分子化合物を用いることにより、塗布法によって成膜を容易に行うことができる。なお、本発明の高分子化合物は、構成単位（３）１種を含むものであっても、または２種以上の構成単位（３）を含むものであってもよい。

上記式（３）において、Ａｒ_５は、置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である。ここで、「芳香族炭化水素基」および「芳香族複素環基」は、上記式（２）中のＡｒ_１〜Ａｒ_３における芳香族炭化水素基および芳香族複素環基の価と同様の定義であるために、ここでは説明を省略する。これらのうち、溶剤溶解性のさらなる向上を考慮すると、Ａｒ_５は、フェニレン基、フルオレニレン基またはカルバゾリレン基であることが好ましく、フェニレン基またはカルバゾリレン基であることがより好ましく、フェニレン基であることが好ましい。また、Ａｒ_５の規定において、「芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に存在しえる置換基」は、上記式（２）中のＡｒ_１〜Ａｒ_３における置換基と同様の定義であるために、ここでは説明を省略する。これらのうち、得られる高分子化合物の溶媒溶解性のさらなる向上効果などを考慮すると、置換基は、炭素数１以上２０以下の直鎖もしくは分岐状のアルキル基であることが好ましく、炭素数３以上１０以下の直鎖もしくは分岐状のアルキル基であることがより好ましい。

すなわち、構成単位（３）は、下記いずれかの構造を有することが好ましい。なお、下記において、「Ａｌｋｙｌ」は、「アルキル基で置換された」ことを意味する。

より好ましくは、構成単位（３）は、下記いずれかの構造を有する。

本発明の高分子化合物における構成単位（３）の組成は、特に制限されない。得られる高分子化合物の溶媒溶解性のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位（３）は、高分子化合物を構成する全構成単位数に対して、好ましくは１％以上６０％以下、より好ましくは１０％以上５０％以下である。なお、高分子化合物が２種以上の構成単位（３）を含む場合には、上記構成単位（３）の含有量は、構成単位（３）の合計量を意味する。

本発明の高分子化合物は、構成単位（１）と、構成単位（２）及び構成単位（３）の少なくとも一方から構成される（即ち、構成単位（１）と、構成単位（２）および／または構成単位（３）との、２元または３元共重合体である）が、構成単位（１）、（２）および（３）から構成される（即ち、構成単位（１）、（２）および（３）の３元共重合体である）ことが好ましい。ここで、高分子化合物の構造は特に制限されず、ランダム共重合体、交互共重合体、周期的共重合体、ブロック共重合体のいずれであってもよい。

本発明に係る高分子化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて特に制限されるものではないが、例えば、５，０００以上５００，０００以下であることが好ましく、９，０００以上８５，０００以下であることがより好ましい。このような数平均分子量であれば、高分子化合物を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。また、本発明に係る高分子化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）もまた、本発明の目的効果が得られる限りにおいて特に制限されるものではないが、例えば、１０，０００以上１、０００，０００以下であることが好ましく、１５，０００以上１８０，０００以下であることがより好ましい。このような重量平均分子量であれば、高分子化合物を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。

ここで、数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）の測定方法は、特に制限されず、公知の方法を同様にしてまたは適宜修飾して適用できる。本明細書では、数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記方法で測定された値を採用するものとする。

（数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）の測定）
高分子化合物重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレンを標準物質として用いて、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー：Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｉｔｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により下記条件で測定する。

・分析装置：株式会社島津製作所製、Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ
・カラム：ポリマーラボラトリーズ社製ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ
・カラム温度：４０℃
・流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
・注入量：２０μＬ
・溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（濃度：約０．０５質量％）
・検出器：ＵＶ−ＶＩＳ検出器（株式会社島津製作所製、ＳＰＤ−１０ＡＶ）
・標準試料：ポリスチレン。

本発明の高分子化合物の主鎖の末端は特に制限されず、使用される原料の種類によって適宜規定されるが、通常、水素原子である。

本発明に係る高分子化合物は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。本発明の高分子化合物の具体的な合成方法は、後述する実施例を参照した当業者であれば、容易に理解することが可能である。具体的には、本発明に係る高分子化合物は、下記式（５）で示される１種以上の単量体（１）、ならびに下記式（６）で示される１種以上の単量体（２）および／または下記式（７）で示される１種以上の単量体（３）を用いた共重合反応により製造することができる。なお、高分子化合物の重合に用いられる上記単量体は、公知の合成反応を適宜組み合わせて合成ことができ、その構造も、公知の方法、例えばＮＭＲやＬＣ−ＭＳ等を用いて確認できる。

上記式（５）〜（７）中、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｒ_１、Ｒ_２、ｍ、ｎ、Ａｒ_４、Ｌ_２、Ｑ_１、ｐ、およびＡｒ_５は、上記式（１）〜（４）におけるのと同様の定義であり；Ｙ_１〜Ｙ_６は、それぞれ独立して、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、特に臭素原子）または下記構造の基（構造中、Ｒ_Ａ〜Ｒ_Ｄは、それぞれ独立して、炭素数１以上３以下のアルキル基である）である。

本発明に係る高分子化合物は、構成単位（１）を有する。このため、高い三重項エネルギー準位を有する。このため、特に本発明に係る高分子化合物を正孔注入材料または正孔輸送材料（特に正孔輸送材料）として使用する場合には、電流密度を向上できる。また、
また、本発明に係る高分子化合物を有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる場合には、高い電荷移動度が達成される。このため、特に本発明に係る高分子化合物を正孔輸送材料として使用する場合には、電子に対しての劣化影響を小さくして、素子寿命（発光寿命）を向上できる。ゆえに、本発明に係る高分子化合物を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子は発光効率および耐久性に優れる。さらに、本発明の高分子化合物は架橋性基を有する構成単位（２）を有する場合には、塗布膜安定性をさらに向上できる。本発明の高分子化合物は構成単位（３）を有する場合には、溶媒溶解性をさらに向上できる。このため、有機ＥＬ素子を積層構造にて形成した場合の発光特性および安定性を向上させることができる。

＜有機エレクトロルミネッセンス素子用材料＞
本発明に係る高分子化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として好適に用いられる。本発明に係る高分子化合物によれば、高い三重項エネルギー準位（ゆえに電流効率）、さらには高い電荷移動度（耐久性）を有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が提供される。また、高分子化合物の高分子主鎖（式（１）の構成単位）は適切なフレキシビリティーを有する。このため、高分子化合物は、溶媒への高い溶解性および高い耐熱性を示すため、湿式（塗布）法により容易に成膜（薄膜化）できる。

したがって、本発明は、本発明の高分子化合物の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料としての使用が提供される。すなわち、本発明は、本発明の高分子化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料をも提供する。また、一対の電極と、前記電極間に配置され、本発明の高分子化合物を含む少なくとも１層の有機層と、を備える、有機エレクトロルミネッセンス素子をも提供する。上記態様の好ましい形態としては、有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記電極間に配置され、三重項励起子からの発光が可能な発光材料を含む発光層をさらに備える。さらに、本発明は、一対の電極と、前記電極間に配置され、本発明の高分子化合物を含む少なくとも１層の有機層と、を備える、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記有機層のうち少なくとも１層を塗布法により形成する、方法をも提供する。

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は有機溶媒に対する溶解性に優れるため、塗布法（ウェットプロセス）による素子（特に薄膜）の製造に特に好適に用いられる。このため、本発明は、本発明の高分子化合物と、溶媒または分散媒と、を含有する液状組成物をも提供する。また、本発明は、本発明の高分子化合物を含有する薄膜をも提供する。

また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、電荷移動度に優れるため、正孔注入材料、正孔輸送材料、および／または発光層材料（ホスト）等のいずれの有機膜の形成においても好適に利用され得るが、正孔の輸送性の観点から、正孔注入材料および／または正孔輸送材料として好適に用いられ、正孔輸送材料として特に好適に用いられる。すなわち、本発明は、高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料と、を含有する組成物をも提供する。ここで、発光材料は、特に制限されないが、発光性有機金属錯体化合物であることが好ましい。

＜有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）＞
以下では、図１を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ素子について、詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の一例を示す模式図である。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０とを備える。

ここで、本発明の高分子化合物は、例えば、第１電極１２０と第２電極１８０との間に配置されたいずれかの有機層中に含まれる。具体的には、高分子化合物は、正孔注入層として正孔注入層１３０または正孔輸送材料として正孔輸送層１４０または発光層材料（ホスト）として発光層１５０に含まれることが好ましく、正孔注入層として正孔注入層１３０にまたは正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれることがより好ましく、正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれることが特に好ましい。

また、本発明の高分子化合物を含む有機層は、塗布法（溶液塗布法）によって形成される。具体的には、高分子化合物を含む有機層は、スピンコート（ｓｐｉｎ ｃｏａｔ）法、キャスティング（ｃａｓｔｉｎｇ）法、マイクログラビアコート（ｍｉｃｒｏ ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔ）法、グラビアコート（ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔ）法、バーコート（ｂａｒ ｃｏａｔ）法、ロールコート（ｒｏｌｌ ｃｏａｔ）法、ワイアーバーコード（ｗｉｒｅ ｂａｒ ｃｏａｔ）法、ディップコート（ｄｉｐ ｃｏａｔ）法、スプレーコート（ｓｐｒｙ ｃｏａｔ）法、スクリーン（ｓｃｒｅｅｎ）印刷法、フレキソ（ｆｌｅｘｏｇｒａｐｈｉｃ）印刷法、オフセット（ｏｆｆｓｅｔ）印刷法、インクジェット（ｉｎｋ ｊｅｔ）印刷法等の溶液塗布法を用いて成膜される。なお、溶液塗布法に使用する溶媒は、高分子化合物を溶解することができるものであれば、どのような溶媒でも使用することができ、使用する高分子化合物の種類によって適宜選択できる。例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、メチシレン、プロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ジメトキシベンゼン、アニソール、エトキシトルエン、フェノキシトルエン、イソプロピルビフェニル、ジメチルアニソール、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル等が例示できる。ここで、溶媒の使用量は、特に制限されないが、塗布容易性などを考慮すると、高分子化合物の濃度が、好ましくは０．１質量％以上１０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以上５質量％以下程度となるような量である。

なお、高分子化合物を含む有機層以外の層の成膜方法については、特に限定されない。本発明の高分子化合物を含む有機層以外の層は、例えば、真空蒸着法にて成膜されてもよく、溶液塗布法にて成膜されてもよい。

基板１１０は、一般的な有機ＥＬ素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）基板などの半導体基板、または透明なプラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）基板等であってもよい。

基板１１０上には、第１電極１２０が形成される。第１電極１２０は、具体的には、陽極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が大きいものによって形成される。例えば、第１電極１２０は、透明性および導電性に優れる酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等によって透過型電極として形成されてもよい。また、第１電極１２０は、上記透明導電膜に対して、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを積層することによって反射型電極として形成されてもよい。

第１電極１２０上には、正孔注入層１３０が形成される。正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする層であり、具体的には、約１０ｎｍ以上約１０００ｎｍ以下、より具体的には、約１０ｎｍ以上約１００ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。

正孔注入層１３０は、公知の正孔注入材料にて形成することができる。正孔注入層１３０を形成する公知の正孔注入材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｅｒ ｋｅｔｏｎｅ）−ｃｏｎｔａｉｎｇ ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＰＡＰＥＫ）、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（４−ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ−４’−ｍｅｔｈｙｌｄｉｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ ｔｅｔｒａｋｉｓ（ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｂｏｒａｔｅ：ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−［４−（フェニル−ｍ−トリル−アミノ）−フェニル］−ビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ−［４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｍｔｏｌｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｐｈｅｎｙｌ］−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）、４，４’，４”−トリス（ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（Ｎ，Ｎ−２−ｎａｐｈｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：２−ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｐｈｏｎｉｃ ａｃｉｄ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））、およびポリアニリン／１０−カンファースルホン酸（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／１０−ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ）等を挙げることができる。

正孔注入層１３０上には、正孔輸送層１４０が形成される。正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を備えた層であり、例えば、約１０ｎｍ以上約１５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。正孔輸送層１４０は、本発明の高分子化合物を用いて湿式製膜法（塗布法）によって成膜されることが好ましい。この方法によれば、有機ＥＬ素子１００の電流効率（さらには発光寿命）を向上させることが可能な高分子化合物を効率的に大面積にて成膜することができる。

ただし、有機ＥＬ素子１００のいずれかの他の有機層が本発明の高分子化合物を含む場合、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料にて形成されてもよいことはいうまでもない。公知の正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（１，１−ｂｉｓ［（ｄｉ−４−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）ｐｈｅｎｙｌ］ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ：ＴＡＰＣ）、Ｎ−フェニルカルバゾール（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）およびポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）などのカルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：ＴＰＤ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＣＴＡ）、ならびにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）等を挙げることができる。

正孔輸送層１４０上には、発光層１５０が形成される。発光層１５０は、蛍光、りん光等によって光を発する層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて形成される。発光層１５０は、例えば、約１０ｎｍ以上約６０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。発光層１５０の発光材料としては、公知の発光材料を用いることができる。ただし、発光層１５０に含まれる発光材料は、三重項励起子からの発光（すなわち、りん光発光）が可能な発光材料であることが好ましい。このような場合、有機ＥＬ素子１００の発光寿命をさらに向上させることができる。

発光層１５０は、ホスト材料として、例えば、６，９−ジフェニル−９’−（５’−フェニル−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−３−イル）３，３’−ビ［９Ｈ−カルバゾール］、３，９−ジフェニル−５−（３−（４−フェニル−６−（５’−フェニル−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−３−イル）−１，３，５，−トリアジン−２−イル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール、９，９’−ジフェニル−３，３’−ビ［９Ｈ−カルバゾール］、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ：Ａｌｑ３）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（４，４’−ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ：ＣＢＰ）、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（ｐｏｌｙ（ｎ−ｖｉｎｙｌ ｃａｒｂａｚｏｌｅ）：ＰＶＫ）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（９，１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ：ＡＤＮ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（１，３，５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ：ＴＰＢＩ）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（３−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−９，１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ：ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ：ＤＳＡ）、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−２，２’−ジメチル−ビフェニル（４，４’−ｂｉｓ（９−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）２，２’−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｂｉｐｈｅｎｙ：ｄｍＣＢＰ）などを含んでもよい。

また、発光層１５０は、ドーパント材料として、例えば、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）およびその誘導体、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）およびその誘導体、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）およびその誘導体、４−ジシアノメチレン−２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−６−メチル−４Ｈ−ピラン（４−ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ−２−（ｐｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−６−ｍｅｔｈｙｌ−４Ｈ−ｐｙｒａｎ：ＤＣＭ）およびその誘導体、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート］ピコリネートイリジウム（ＩＩＩ）（ｂｉｓ［２−（４，６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎａｔｅ］ｐｉｃｏｌｉｎａｔｅ ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、トリス（２−（３−ｐ−キシイル）フェニル）ピリジン イリジウム（ＩＩＩ）などイリジウム（Ｉｒ）錯体、オスミウム（Ｏｓ）錯体、白金錯体などを含んでもよい。これらのうち、発光材料が発光性有機金属錯体化合物であることが好ましい。

発光層１５０上には、電子輸送層１６０が形成される。電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を備えた層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて形成される。電子輸送層１６０は、例えば、約１５ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。

電子輸送層１６０は、公知の電子輸送材料にて形成されてもよい。公知の電子輸送材料としては、例えば、（８−キノリノラト）リチウム（Ｌｉｑ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ：Ａｌｑ３）、および含窒素芳香環を有する化合物等を挙げることができる。含窒素芳香環を有する化合物の具体例としては、例えば、１，３，５−トリ［（３−ピリジル）−フェン−３−イル］ベンゼン（１，３，５−ｔｒｉ［（３−ｐｙｒｉｄｙｌ）−ｐｈｅｎ−３−ｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ）のようなピリジン（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）環を含む化合物、２，４，６−トリス（３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン（２，４，６−ｔｒｉｓ（３’−（ｐｙｒｉｄｉｎ−３−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−３−ｙｌ）−１，３，５−ｔｒｉａｚｉｎｅ）のようなトリアジン（ｔｒｉａｚｉｎｅ）環を含む化合物、２−（４−（Ｎ−フェニルベンゾイニダゾリル−１−イル−フェニル）−９，１０−ジナフチルアントラセン（２−（４−（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ−１−ｙｌ−ｐｈｅｎｙｌ）−９，１０−ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）のようなイミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）環を含む化合物等を挙げることができる。

電子輸送層１６０上には、電子注入層１７０が形成される。電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層であり、真空蒸着法などを用いて形成される。電子注入層１７０は、約０．３ｎｍ以上約９ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。電子注入層１７０は、電子注入層１７０を形成する材料として公知の材料ならば、いずれも使用することができる。例えば、電子注入層１７０は、（８−キノリノラト）リチウム（（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ｌｉｔｈｉｕｍ：Ｌｉｑ）およびフッ化リチウム（ＬｉＦ）等のリチウム（ｌｉｔｈｉｕｍ）化合物、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、または酸化バリウム（ＢａＯ）等にて形成されてもよい。

電子注入層１７０上には、第２電極１８０が形成される。第２電極１８０は、具体的には、陰極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が小さいものによって形成される。例えば、第２電極１８０は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）等の金属、またはアルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）等の合金で反射型電極として形成されてもよい。また、第２電極１８０は、上記金属材料の２０ｎｍ以下の薄膜、酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）および酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）などの透明導電性膜によって透過型電極として形成されてもよい。

以上、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の一例について説明した。本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、高分子化合物を含む有機層を有することにより、電流密度（さらには発光寿命）をより向上させることができる。

なお、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の積層構造は、上記例示に限定されない。本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、他の公知の積層構造にて形成されてもよい。例えば、有機ＥＬ素子１００は、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、電子輸送層１６０および電子注入層１７０のうちの１層以上が省略されてもよく、また、追加で他の層を備えていてもよい。また、有機ＥＬ素子１００の各層は、それぞれ単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。

例えば、有機ＥＬ素子１００は、励起子または正孔が電子輸送層１６０に拡散することを防止するために、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間に正孔阻止層をさらに備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）誘導体、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）誘導体、または、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）誘導体等によって形成することができる。

本発明の効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。なお、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）で行われた。また、特記しない限り、「％」および「部」は、それぞれ、「質量％」および「質量部」を意味する。

合成例１：化合物１の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物１を合成した。詳細には、アルゴン雰囲気下、３００ｍＬフラスコ中に、１，４−ジヘキシル−２，５−ジブロモベンゼン（８．０８ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコレートジボロン）（１２．１９ｇ、４８．０ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）（０．９８ｇ、１．２ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１１．７８ｇ、１２０．０ｍｍｏｌ）、及び脱水１，４−ジオキサン（１００ｍＬ）を混合し、加熱還流下で６時間攪拌した。

反応終了後、室温まで冷却し、トルエン及び水を加えて分液し、水で洗浄した。無水硫酸ナトリウム及び活性炭を加え、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）でろ過した。ろ液を濃縮し、粗生成物を得た（１１．９４ｇ）。ヘキサンで再結晶し、メタノールで結晶を洗浄した。得られた結晶を減圧乾燥させることにより、４．２３ｇの白色針状結晶を得た。得られた化合物１の構造は、核磁気共鳴装置（^１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した（収率４２％）。

合成例２：化合物２の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物２を合成した。詳細には、アルゴン雰囲気下、５００ｍＬの４つ口フラスコ中で、２，７−ジブロモフルオレン（２２．７ｇ、７０．０ｍｍｏｌ）、５−ブロモ−１−ペンテン（２１．９ｇ、１４７．０ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム（１６．７ｇ、２９７．６ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム（１．２ｇ、７．２ｍｍｏｌ）及びＤＭＳＯ（１７０ｍＬ）を混合し、８０℃にて４時間加熱撹拌した。

反応終了後、室温まで冷却し、水（３００ｍＬ）及びトルエン（３００ｍＬ）を加えて分液した後、得られた有機層を飽和食塩水（３００ｍｌ）で５回洗浄した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製することにより、２４．１ｇの白色固体を得た。得られた化合物２の構造は、核磁気共鳴装置（^１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した（収率７５％）。

合成例３：化合物３の合成
３−１．化合物３−１の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物３−１を合成した。詳細には、アルゴン下において反応溶器中に、３−ブロモベンゾシクロブタン（４．１ｇ、２２．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（６９ｍＬ）を仕込み、ドライアイス−メタノールバスで−７８℃まで冷却した。ｎ−ＢｕＬｉ（１６．９ｍＬ）を加えて２時間攪拌し、４，４’−ジブロモ−［１，１’−ビフェニル］−２−カルボン酸メチルエステル（４．１ｇ、１１．０８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（１２ｍＬ）に溶かした溶液を滴下した。−７８℃で２時間攪拌後、さらに室温で４時間攪拌した。氷浴で冷やしながら水（５０ｍＬ）をゆっくりと加え、分液ロートに移して洗浄し、さらに水３０ｍＬで２回洗浄した。得られた有機層は硫酸マグネシウムを用いて脱水し、固体を濾過して溶液を濃縮し５．６ｇの固体を得た（収率９２％）。得られた化合物３−１の構造は、核磁気共鳴装置（^１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。

３−２．化合物３の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物３を合成した。詳細には、アルゴン下において反応溶器中に、化合物３−１（５．０ｇ、９．１ｍｍｏｌ）、クロロホルム（２４ｍｌ）を加え、氷浴で０℃に冷却後、ＢＦ_３Ｅｔ_２Ｏ（７．０ｍＬ）を滴下漏斗より滴下した。１時間攪拌後、さらにＢＦ_３Ｅｔ_２Ｏ（７．０ｍＬ）を加えて１時間攪拌し、室温で５時間攪拌した。水（１００ｍＬ）を加えて攪拌した後、分液ロートへ移し、クロロホルム（５０ｍＬ）で３回抽出した。得られた有機層は硫酸ナトリウムで乾燥後、溶液を濃縮し、クロロホルム（３０ｍＬ）を加えた。加熱還流しながらメタノール（３００ｍＬ）を加えて結晶化を行い、得られた結晶を濾過した。この結晶をクロロホルム（２０ｍＬ）に加えて加熱し、メタノール（２００ｍＬ）を加えて室温で２時間攪拌した。生じた結晶を濾過して乾燥し、２．０ｇの固体を得た（収率４０％）。得られた化合物３の構造は、核磁気共鳴装置（^１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。

合成例４：化合物８の合成
４−１．化合物４の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物４を合成した。詳細には、アルゴン下において、反応溶器中に３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）−９Ｈ−カルバゾール（３８．５２ｇ、１３１．４ｍｍｏｌ）、２，２’−ジブロモ−１，１’−ビフェニル（２０．０ｇ、６４．１０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（２．２２ｇ、１．９２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３９．８６ｇ、２８８．４６ｍｍｏｌ）、水（１４４ｍＬ）、１，４−ジオキサン（３８４ｍＬ）を加え、８５℃にて１０時間、混合物を撹拌した。反応終了後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。溶媒を留去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ取した。得られた固体にメタノールを加えて８０℃にて２時間加熱撹拌した。固体をろ取した後、トルエン（１００ｍＬ）およびメタノール（４００ｍＬ）を加えて８０℃で２時間撹拌した、固体をろ取、乾燥して２０．７ｇの化合物４を得た（収率６６％）。

４−２．化合物５の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物５を合成した。詳細には、アルゴン置換した三つ口フラスコに、化合物４（９．７０ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、ｐ−ブロモ−ヘキシルベンゼン（９．８９ｇ、４１．０３ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＮａ）（７．６８ｇ、８０．０８ｍｍｏｌ）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ｔ−Ｂｕ_３Ｐ）_２、０．４０８ｇ、０．８０ｍｍｏｌ）、およびキシレン（２００ｍＬ）を入れ、４時間還流撹拌した。室温まで冷却後、反応液をセライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。有機層をアルミナカラムに通し、その溶出液から溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンおよびヘキサンにて再結晶を行い、１０．０ｇの化合物５を得た（収率６２％）。

４−３．化合物６の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物６を合成した。詳細には、三つ口フラスコに、化合物５（１０．０ｇ、１２．４２ｍｍｏｌ）、クロロホルム（１００ｍＬ）を入れ、−５℃以下に冷却した。Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（４．５３ｇ、２５．４６ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド（１０ｍＬ）に溶解した溶液を、内温０℃以下にて滴下し、２時間撹拌した。反応液に水を加え、クロロホルムで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。その抽出液から溶媒を減圧留去し、その残留物をトルエンとヘキサンの混合溶媒による再結晶により精製を行い、１１．２ｇの化合物６を得た（収率９３％）。

４−４．化合物７の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物７を合成した。詳細には、アルゴン置換した三つ口フラスコに、化合物６（１１．０ｇ、１１．４２ｍｍｏｌ）、４−メチルジフェニルアミン（４．２９ｇ、２３．４２ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（６．５８ｇ、６８．５３ｍｍｏｌ）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ｔ−Ｂｕ_３Ｐ）_２、０．２４ｇ、０．４６ｍｍｏｌ）、およびキシレン（２００ｍＬ）を入れ、３時間還流し室温まで冷却した。冷却した反応液を、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。有機層をアルミナカラムに通し、その溶出液から溶媒を減圧留去した。その残留物をトルエンとヘキサンの混合溶媒による再結晶により精製を行い、１３．０ｇの化合物７を得た（収率９７％）。

４−５．化合物８の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物８を合成した。詳細には、アルゴン置換した三つ口フラスコに、化合物７（１２．５ｇ、１０．７０ｍｍｏｌ）、クロロホルム（１５０ｍＬ）を入れ、−５℃以下に冷却した。Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（３．８５ｇ、２１．９３ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド（１５ｍＬ）に溶解した溶液を、内温０℃以下にて滴下し、２時間撹拌した。反応液をメタノール３００ｍＬに注ぎ、析出した固体をろ取した。この固体にメタノールを加えて８０℃で加熱撹拌を１時間行った。固体をろ取した後、クロロホルムとイソプロピルアルコールの混合溶媒による再結晶を３回行いにより精製を行い、１２．２ｇの化合物８を得た（収率８６％）。

合成例５：化合物１７の合成
５−１．化合物９の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物９を合成した。詳細には、アルゴン下において反応器中に、２−ヨード−４−メトキシ−１−ニトロベンゼン（２５．０ｇ、８９．６０ｍｍｏｌ）、２−ブロモフェニルボロン酸（１８．８９ｇ、９４．０８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（２．０７ｇ、１．７９ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（２８．４８ｇ、２６８．７９ｍｍｏｌ）、水（１３４ｍｌ）、ジメトキシエーテル（ＤＭＥ）（１３１ｍＬ）、トルエン（１３１ｍＬ）を加え、８５℃にて１５時間、混合物を撹拌した。反応終了後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。ろ液に水を加えた後、トルエンを用いて抽出し、抽出した有機層を濃縮した。濃縮液をカラムクロマトグラフィにて精製し、２２．０ｇの化合物９を得た（収率７９％）。

５−２．化合物１０の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物１０を合成した。詳細には、窒素置換した三つ口フラスコに、化合物９（２０．００ｇ、６４．９４ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（ＰＰｈ_３）（４２．５６ｇ、１６２．２７ｍｍｏｌ）、およびｏ−ジクロロベンゼン（１３６ｍＬ）を入れ、１８０℃で２０時間還流した。減圧下溶媒を留去し、その残留物をシリカゲルを充填したカラムクロマトグラフィーで精製し、９．６０ｇの化合物１０を得た（収率５３％）。

５−３．化合物１１の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物１１を合成した。詳細には、アルゴン雰囲気下、ｐ−ヨードペンチルベンゼン（５．４８ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、化合物１０（５．００ｇ、１８．１ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（０．１９ｇ、１．０ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．５１ｇ、２６．１８ｍｍｏｌ）に脱水１，４−ジオキサン５００ｍＬを加え、室温にて３０分間撹拌した。その後、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミン（ＤＡＣｙＨｘ）（０．５３ｇ、４．６５ｍｍｏｌ）を加えて、８時間加熱還流攪拌した。

反応終了後、室温に冷却し、セライトを通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、５．３５ｇの白色固体を得た（収率７０％）。

５−４．化合物１２の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物１２を合成した。詳細には、アルゴン置換した三つ口フラスコに、化合物１１（１３．４０ｇ、３１．７３ｍｍｏｌ）を投入し、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１９０ｍＬ）を加えて溶解させ、アセトン／ドライアイスバスを用いて−７５℃に冷却し、１５分間撹拌した。次に、ｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）の２．６Ｍヘキサン溶液（１３．１７ｍＬ、３４．９０ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに１時間、撹拌した。続いて、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（７．０７ｍｌ、３４．９０ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間、撹拌した。反応終了後、反応混合液に水を加え、酢酸エチルを用いて抽出し、抽出した有機層を濃縮した。有機層の濃縮により得られた固体をヘキサンによる再結晶によって精製し、１０．０ｇの化合物１２を得た（収率６７％）。

５−５．化合物１３の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物１３を合成した。詳細には、アルゴン下において反応器中に、化合物１２（８．０ｇ、１７．０ｍｍｏｌ）、２，２’−ジブロモ−１，１’−ビフェニル（２．５ｇ、８．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．１９、０．１７ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１．８６ｇ、１７．６ｍｍｏｌ）、水（２０ｍＬ）、１，４−ジオキサン（５０ｍＬ）を加え、８５℃にて１０時間、混合物を撹拌した。反応終了後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。溶媒を留去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ取した。得られた固体にメタノールを加えて８０℃にて２時間加熱撹拌した。固体をろ取した後、トルエンおよびメタノールを加えて８０℃で２時間撹拌した、固体をろ取、乾燥して４．０ｇの化合物１３を得た（収率６０％）。

５−６．化合物１４の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物１４を合成した。詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物１３（４．０ｇ、４．７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン５０ｍＬに加えた反応溶液を０℃で撹拌した。次いで、三臭化ホウ素（ＢＢｒ_３）（１０．３４ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液を滴下し、室温に戻してから１８時間撹拌した。再び、０℃に冷却してから、水４０ｍＬを加えて有機層を分取した。溶媒を減圧下で留去し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製することにより、３．７ｇの中間体（ＯＨ体）を得た（収率９９％）。

続いて、アルゴン気流下、中間体（ＯＨ体）（３．７ｇ、４．５ｍｍｏｌ）、２，６−ルチジン（１．１ｇ、１０．７３ｍｍｏｌ）を脱水ジクロロメタン１５０ｍＬを加え、氷水浴にて０℃まで冷却した。次に、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（Ｔｆ_２Ｏ）（３．０ｇ、１０．８０ｍｍｏｌ）を加えた後、自然昇温にて室温まで戻して５時間反応させた。

反応終了後、水１５０ｍＬを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へ硫酸マグネシウムを加えて乾燥し、ろ過により硫酸マグネシウムを除去した。溶媒を減圧下にて除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィにより単離し、３．８ｇの化合物１４を得た（収率８０％）。

５−７．化合物１５の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物１５を合成した。詳細には、アルゴン雰囲気下、フラスコに、化合物１４（３．８ｇ、３．６ｍｍｏｌ）、４−メチルアニリン（０．７７ｇ、７．２ｍｍｏｌ）、脱水トルエン（５０ｍＬ）を加えて３０分間、室温にて撹拌した。次いで、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（９２ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（２２１ｍｇ、０．４０ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド（１．３ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）を入れ、９５℃で２時間撹拌した。放冷後、水とトルエンを加え分液洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過後濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィー（展開液：ヘキサン／酢酸エチル＝９５／５）により精製し、２．１ｇの化合物１５を得た（収率６０％）。

５−８．化合物１６の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物１６を合成した。詳細には、アルゴン雰囲気下、ｐ−ブロモヨードベンゼン（１．２７ｇ、４．５ｍｍｏｌ）、化合物１５（２．１ｇ、２．１ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（０．０４３ｇ、０．２３ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．５６ｇ、５．８９ｍｍｏｌ）に脱水１，４−ジオキサン１５０ｍＬを加え、室温にて３０分間撹拌した。その後、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミン（０．１１５ｇ、１．０４ｍｍｏｌ）を加えて、８時間加熱還流攪拌した。

反応終了後、室温に冷却し、セライトを通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、１．３６ｇの化合物１６を得た（収率５０％）。

合成例５：化合物１７の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物１７を合成した。詳細には、アルゴン下において反応器中に、ボロン酸エステル体（５．２ｇ、１７．０ｍｍｏｌ）、２，２’−ジブロモ−１，１’−ビフェニル（２．５ｇ、８．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．１９、０．１７ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１．８６ｇ、１７．６ｍｍｏｌ）、水（２０ｍＬ）、１，４−ジオキサン（５０ｍＬ）を加え、８５℃にて１０時間、混合物を撹拌した。反応終了後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。溶媒を留去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ取した。得られた固体にメタノールを加えて８０℃にて２時間加熱撹拌した。固体をろ取した後、トルエンおよびメタノールを加えて８０℃で２時間撹拌した、固体をろ取、乾燥して６．４ｇの化合物１７を得た（収率７３％）。

合成例６：化合物１９の合成
６−１．化合物１８の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物１８を合成した。詳細には、アルゴン置換した三つ口フラスコに、９Ｈ−カルバゾール（３．３４ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（９．６２ｇ、２０．５０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＮａ）（３．８４ｇ、４０．０４ｍｍｏｌ）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ｔ−Ｂｕ_３Ｐ）_２、０．２０４ｇ、０．４０ｍｍｏｌ）、およびキシレン（１００ｍＬ）を入れ、４時間還流撹拌した。室温まで冷却後、反応液をセライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。有機層をアルミナカラムに通し、その溶出液から溶媒を減圧留去して、８．３ｇの化合物１８を得た（収率７５％）。

６−２．化合物１９の合成
下記方法に従って、下記構造を有する化合物１９を合成した。詳細には、アルゴン置換した三つ口フラスコに、化合物１８（８．０ｇ、１４．３７ｍｍｏｌ）、クロロホルム（１５０ｍＬ）を入れ、−５℃以下に冷却した。Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（５．６ｇ、３１．６６ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド（２５ｍＬ）に溶解した溶液を、内温０℃以下にて滴下し、２時間撹拌した。反応終了後、水（３００ｍＬ）を加えて分液した後、得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、８．８ｇの化合物１９を得た（収率８６％）。

実施例１：高分子化合物Ａ−１の合成
上記合成例１で合成した化合物１、上記合成例２で合成した化合物２、上記合成例３で合成した化合物３および上記合成例４で合成した化合物８を用いて、下記構成単位（Ａ）および構成単位（Ｂ）を下記組成にて有する高分子化合物Ａ−１を合成した。

詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物１（１．４９ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、化合物２（０．１３８ｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、化合物３（０．１５９ｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、化合物８（３．２２ｇ、２．４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２．１５ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２０．２５ｍｇ）、トルエン（４５ｍｌ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４２ｇ）を加え、７時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２３．３０ｍｇ、０．５７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２．１５ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１０．１２ｍｇ）および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４２ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（５．４０ｇ、２３．９７ｍｍｏｌ）およびイオン交換水（５０ｍｌ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することによって、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別・乾燥して、高分子化合物Ａ−１を得た。

このようにして得られた高分子化合物Ａ−１は、単量体の仕込み比から、下記組成（化合物１由来の構成単位：化合物８由来の構成単位：化合物３由来の構成単位：化合物２由来の構成単位＝５０：４０：５：５（モル比））にて、（Ａ）の構成単位と（Ｂ）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物であると推定される。また、この高分子化合物Ａ−１の数平均分子量（Ｍｎ）および多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）で見積もったところ、Ｍｎ＝５５，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．５４であった。

実施例２：高分子化合物Ａ−２の合成
上記合成例１で合成した化合物１、上記合成例２で合成した化合物２、上記合成例３で合成した化合物３および上記合成例５で合成した化合物１６を用いて、下記構成単位（Ａ’）および構成単位と（Ｂ’）を下記組成にて有する高分子化合物Ａ−２を合成した。

詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物１（１．４９ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、化合物２（０．１３８ｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、化合物３（０．１５９ｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、化合物１６（３．１２ｇ、２．４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２．１５ｍｇ）およびトリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２０．２５ｍｇ）、トルエン（４５ｍｌ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４２ｇ）を加え、７時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２３．３０ｍｇ、０．５７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２．１５ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１０．１２ｍｇ）および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４２ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（５．４０ｇ、２３．９７ｍｍｏｌ）およびイオン交換水（５０ｍｌ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することによって、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別・乾燥して、高分子化合物Ａ−２を得た。

このようにして得られた高分子化合物Ａ−２は、単量体の仕込み比から、下記組成（化合物１由来の構成単位：化合物１６由来の構成単位：化合物３由来の構成単位：化合物２由来の構成単位＝５０：４０：５：５（モル比））にて、（Ａ’）の構成単位と（Ｂ’）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物であると推定される。また、この高分子化合物Ａ−２の数平均分子量（Ｍｎ）および多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）で見積もったところ、Ｍｎ＝４０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．５０であった。

実施例３：高分子化合物Ａ−３の合成
上記合成例５で合成した化合物１７、上記合成例２で合成した化合物２、上記合成例３で合成した化合物３および上記合成例６で合成した化合物１９を用いて、下記構成単位（Ａ”）および構成単位と（Ｂ”）を下記組成にて有する高分子化合物Ａ−３を合成した。

詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物１７（４．００ｇ、７．７４ｍｍｏｌ）、化合物２（０．３５ｇ、０．７７４ｍｍｏｌ）、化合物３（０．４１ｇ、０．７７４ｍｍｏｌ）、化合物１９（４．２２ｇ、５．９２ｍｍｏｌ）、トルエン（５５ｍＬ）をフラスコに仕込み、６０℃で３０分間撹拌した。続いて、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム錯体（０．１４ｇ、０．１６ｍｍｏｌ）、［４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル］ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（Ａｍｐｈｏｓ）（０．３２ｇ、１．２０ｍｍｏｌ）を加えて、２時間加熱還流反応を行った。各モノマーが消失したことを確認し、ブロモベンゼン（０．８９ｇ、０．５６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに２時間加熱還流した。反応終了後、反応液を放冷し、トルエン５０ｍＬを添加してメタノール５００ｍＬに滴下して固体を得た。

この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別・乾燥して、高分子化合物Ａ−３を得た。

このようにして得られた高分子化合物Ａ−３は、単量体の仕込み比から、下記組成（化合物１７由来の構成単位：化合物１９由来の構成単位：化合物３由来の構成単位：化合物２由来の構成単位＝５０：４０：５：５（モル比））にて、（Ａ’’）の構成単位と（Ｂ’’）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物であると推定される。また、この高分子化合物Ａ−３の数平均分子量（Ｍｎ）および多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）で見積もったところ、Ｍｎ＝９，１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６４であった。

上記実施例１〜３にて得られた高分子化合物Ａ−１〜Ａ−３および下記構成単位を有するポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（４，４’−（Ｎ−（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）（Luminescence Technology Corp.製）（比較例１）について下記方法に従って、三重項エネルギー準位（ｅＶ）を測定した。その結果を下記表１に示す。

（三重項エネルギー準位の測定）
各化合物を、３．２質量％濃度となるようにトルエンに溶解させ、コート液を調製した。このコート液を、スピンコートにより１６００ｒｐｍの回転速度で塗布し、ホットプレート上で、２５０℃で６０分間乾燥し、約７０ｎｍの厚み（乾燥膜厚）の膜（サンプル）を得た。このサンプルを７７Ｋ（−１９６℃）に冷却して、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを測定した。このＰＬスペクトルの最も短波側のピーク値から、三重項エネルギー準位（ｅＶ）を算出した。その結果を下記表１に示す。

表１の結果から、本発明の高分子化合物は、従来使用されるＴＦＢに比して、三重項エネルギー準位が有意に高いことが示めされる。

実施例４：有機エレクトロルミネッセンス素子Device-1の作製
まず、あらかじめ第１電極（陽極）として、ストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）状の酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が膜厚１５０ｎｍにて成膜されたＩＴＯ付きガラス基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート)(poly(3,4-ethylene dioxythiophene)/poly(4-styrene sulfonate)：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ製）を乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法にて塗布し、正孔注入層を形成した。

次に、実施例１で合成した高分子化合物Ａ−１（正孔輸送材料Ａ−１）をキシレン（溶媒）に１質量％濃度で溶解して正孔輸送層形成用塗布液を調製した。上記で形成した正孔注入層上に、この正孔輸送層形成用塗布液を厚さ（乾燥膜厚）が３０ｎｍになるようにスピンコート法にて塗布し、２３０℃で１時間加熱して、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔輸送層を正孔注入層上に形成した。

さらに、上記で形成した正孔輸送層上に、ホスト（ｈｏｓｔ）材料として下記構造を有する化合物ｈ−１（６，９−ジフェニル−９’−（５’−フェニル−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−３−イル）３，３’−ビ［９Ｈ−カルバゾール］）、化合物ｈ−２（３，９−ジフェニル−５−（３−（４−フェニル−６−（５’−フェニル−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−３−イル）−１，３，５，−トリアジン−２−イル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール）、ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）材料としてトリス（２−（３−ｐ−キシイル）フェニル）ピリジン イリジウム（ＩＩＩ）(tris(2-(3-p-xylyl)phenyl)pyridine iridium(III))を含むトルエン溶液を調製した。この際、化合物ｈ−１の濃度を０．４９ｇ／ｍｌ、化合物ｈ−２の濃度を０．０５ｇ／ｍｌとなるようにトルエン溶液を調製した。また、ドーパント材料の含有量は、ドープ量が発光層の総質量に対して１０質量％となるように調整した。正孔輸送層上に、上記にて調製したトルエン溶液を乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法で塗布し、発光層を正孔輸送層上に形成した。

次に、上記で形成した発光層上に、（８−キノリノラト）リチウム（Ｌｉｑ）およびＫＬＥＴ−０３（ケミプロ化成株式会社製）を真空蒸着装置にて共蒸着して、膜厚５０ｎｍの電子輸送層を発光層上に形成した。また、上記で形成した電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着装置にて蒸着して、膜厚１ｎｍの電子注入層を電子輸送層上に形成した。さらに、上記で形成した電子注入層上に、アルミニウム（Ａｌ）を真空蒸着装置にて蒸着し、膜厚１００ｎｍの第２電極（陰極）を電子注入層上に形成した。以上の製造方法によって有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）Device-1を作製した。

実施例５：有機エレクトロルミネッセンス素子Device-2の作製
実施例４において、高分子化合物Ａ−１（正孔輸送材料Ａ−１）の代わりに、実施例２で合成した高分子化合物Ａ−２（正孔輸送材料Ａ−２）を用いて正孔輸送層を形成した以外は、実施例４と同様の方法によって、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）Device-2を作製した。

実施例６：有機エレクトロルミネッセンス素子Device-3の作製
実施例４において、高分子化合物Ａ−１（正孔輸送材料Ａ−１）の代わりに、実施例３で合成した高分子化合物Ａ−３（正孔輸送材料Ａ−３）を用いて正孔輸送層を形成した以外は、実施例４と同様の方法によって、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）Device-3を作製した。

比較例２：有機エレクトロルミネッセンス素子Device-4の作製
実施例４において、高分子化合物Ａ−１（正孔輸送材料Ａ−１）の代わりに、下記構成単位を有するポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（４，４’−（Ｎ−（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）（Luminescence Technology Corp.製）を用いて正孔輸送層を形成した以外は、実施例４と同様の方法によって、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）Device-4を作製した。

上記実施例４〜６にて作製された有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）Device-1〜Device-3および比較例２にて作製された有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）Device-4について下記方法に従って、電流効率および耐久性（発光寿命）を以下の方法にて評価した。その結果を下記表２に示す。

（電流効率および耐久性（発光寿命）の評価）
まず、直流定電圧電源（ＫＥＹＥＮＣＥ製、ソースメータ（ｓｏｕｒｃｅ ｍｅｔｅｒ））を用いて、各有機ＥＬ素子に対して電圧を加えると、ある一定の電圧で電流が流れ始め、有機ＥＬ素子が発光する。この際の電圧を駆動電圧（単位：Ｖ）とする。有機ＥＬ素子の発光を輝度測定装置（Ｔｏｐｃｏｍ製、ＳＲ−３）にて測定しつつ、徐々に電流を増加させ、輝度が６０００ｃｄ／ｍ^２になったところで電流を一定にし、放置した。

ここで、有機ＥＬ素子の面積から単位面積あたりの電流値（電流密度）を計算し、輝度（ｃｄ／ｍ^２）を電流密度（Ａ／ｍ^２）にて除算することで、電流効率（ｃｄ／Ａ）を算出する。また、輝度測定装置で測定した輝度の値が徐々に変動（低下）し、初期輝度の９５％になるまでの時間（時間）を「発光寿命（時間）」とした。なお、電流効率は、電流を発光エネルギーへ変換する効率（変換効率）を示し、電流効率が高いほど有機ＥＬ素子の性能が高いことを示す。

上記表２から、実施例１〜３の高分子化合物を正孔輸送材料として用いてなる有機ＥＬ素子Device-1〜Device-3は、従来の正孔輸送材料（ＴＦＢ）を用いてなる有機ＥＬ素子Device-4に比して、電流効率および耐久性（発光寿命）共に優れることが分かる。したがって、本発明の高分子化合物は、エレクトロルミネッセンス素子（特に正孔輸送材料）などに好適に使用できると考察される。

また、実施例の高分子化合物を用いる場合には、塗布法により正孔輸送材料を形成できるため、大量生産の観点から好ましい。

１００ 有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）、
１１０ 基板、
１２０ 第１電極、
１３０ 正孔注入層、
１４０ 正孔輸送層、
１５０ 発光層、
１６０ 電子輸送層、
１７０ 電子注入層、
１８０ 第２電極。

Claims (13)

1. 下記式（１）：
   式（１）中、Ｘ_１およびＸ_２は、それぞれ独立して、下記式（２）：
   式（２）中、Ａｒ_１およびＡｒ_２は、それぞれ独立して、単結合または置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を表し、この際、Ａｒ_１およびＡｒ_２の少なくとも一方は、置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
   Ａｒ_３は、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す、
   で示される２価の基であり；
   Ｒ_１およびＲ_２は、それぞれ独立して、炭素数１以上１８以下のアルキル基もしくはアルコキシ基、または炭素数６以上１８以下のアリール基であり、Ｒ_１およびＲ_２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく；
   ｍおよびｎは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数である、
   で表わされる構成単位（１）、ならびに
   下記式（３）：
   式（３）中、Ａｒ_４は、置換基を有してもよい（２＋ｐ）価の芳香族炭化水素基または置換基を有してもよい（２＋ｐ）価の芳香族複素環基を表し；
   Ｌ_２は、単結合または置換基を有してもよいアルキレン基もしくはフェニレン基を表し、Ｌ_２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく；
   Ｑ_１は、１価の架橋性基を表し、Ｑ_１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく；
   ｐは、１以上の整数である、
   で表わされる構成単位（２）、および
   下記式（４）：
   式（４）中、Ａｒ_５は、置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である、
   で表わされる構成単位（３）の少なくとも一方
   を含む高分子化合物。
2. 前記Ａｒ_１およびＡｒ_２の少なくとも一方は、置換基を有してもよいカルバゾリレン基である、請求項１に記載の高分子化合物。
3. 前記式（３）中、Ｑ_１は、下記群：
   式中、Ｒ_１０〜Ｒ_１６は、水素原子または置換基を有してもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基であり、ｐは、１以上１０以下の整数である、
   から選択される、請求項１または２に記載の高分子化合物。
4. 前記式（３）中、Ａｒ_４がフルオレンジイル基である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の高分子化合物。
5. 数平均分子量が１０，０００以上５００，０００以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の高分子化合物。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料と、を含有する組成物。
7. 前記発光材料が、発光性有機金属錯体化合物を含有する、請求項６に記載の組成物。
8. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子化合物と、溶媒または分散媒と、を含有する液状組成物。
9. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子化合物を含有する薄膜。
10. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
11. 一対の電極と、
    前記電極間に配置され、請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子化合物を含む少なくとも１層の有機層と、
    を備える、有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 前記電極間に配置され、三重項励起子からの発光が可能な発光材料を含む発光層をさらに備える、請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13. 一対の電極と、前記電極間に配置され、請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子化合物を含む少なくとも１層の有機層と、を備える、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
    前記有機層のうち少なくとも１層を塗布法により形成する、方法。