JP2004107292A

JP2004107292A - 新規ビナフタレン誘導体並びにその製造方法

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Publication number: JP2004107292A
Application number: JP2002274982A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Nishiyama; 西山　正一; Hiroaki Tenma; 天満　浩章; Hisao Eguchi; 江口　久雄
Original assignee: Tosoh Corp
Current assignee: Tosoh Corp
Priority date: 2002-09-20
Filing date: 2002-09-20
Publication date: 2004-04-08

Abstract

【課題】平面光源や表示に使用される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子若しくは電子写真感光体等の正孔輸送又は正孔注入材料として利用できる新規ビナフタレン誘導体並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるビナフタレン誘導体
【化１１】

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は各々独立して水素原子、直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子又はアミノ基であり、Ａｒ^１、Ａｒ^２は各々独立して置換又は無置換のアリール基又は複素芳香環基を表し、さらにＡｒ^１とＡｒ^２は結合している窒素原子と共に含窒素複素環を形成してもよい。）を用いる。
【選択図】　　　なし

Description

【０００１】
【発明に属する技術分野】
本発明は新規ビナフタレン誘導体並びにその製造方法に関するものである。該化合物は、感光材料、有機光導電材料として使用でき、さらに具体的には、平面光源や表示に使用される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子若しくは電子写真感光体等の正孔輸送又は正孔注入材料として利用できる。
【０００２】
【従来の技術】
感光材料や正孔輸送材料として開発されている有機光導電材料は、低コスト、加工性が多様であり、無公害性などの多くの利点があり、多くの化合物が提案されている。例えば、オキサジアゾール誘導体（例えば、特許文献１参照）、オキサゾール誘導体（例えば、特許文献２参照）、ヒドラゾン誘導体（例えば、特許文献３参照）、トリアリールピラゾリン誘導体（例えば、特許文献４，５参照）、アリールアミン誘導体（例えば、特許文献６，７参照）、スチルベン誘導体（例えば、特許文献８，９参照）等の材料が開示されている。
【０００３】
中でも４，４’，４”−トリス［Ｎ，Ｎ−（１−ナフチル）フェニルアミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［Ｎ，Ｎ−（ｍ−トリル）フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ｍ−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＴＰＤ）等のアリールアミン誘導体が正孔輸送又は正孔注入材料として多く使われている（例えば、非特許文献１，２参照）。しかしながら、これら材料は、安定性、耐久性に乏しいなどの難点を有する事から、現在では、優れた正孔輸送能力を有し、高Ｔｇ（＝ガラス転移温度）を有した耐久性のある正孔輸送材料の開発が望まれている。
【０００４】
また、アリールアミン類の製造方法として、塩基の存在下でアミン化合物によるアリールハライドのアミノ化反応において、トリアルキルホスフィン類とパラジウム化合物からなる触媒を用いる方法が知られている（例えば特許文献１０参照）。
【０００５】
【特許文献１】
米国特許第３１８９４４７号明細書（クレーム）
【特許文献２】
米国特許第３２５７２０３号明細書（クレーム）
【特許文献３】
特開昭５４−５９１４３号公報（特許請求の範囲）
【特許文献４】
特開昭５１−９３２２４号公報（特許請求の範囲）
【特許文献５】
特開昭５５−１０８６６７号公報（特許請求の範囲）
【特許文献６】
特開昭５５−１４４２５０号公報（特許請求の範囲）
【特許文献７】
特開昭５６−１１９１３２号公報（特許請求の範囲）
【特許文献８】
特開昭５８−１９０９５３号公報（特許請求の範囲）
【特許文献９】
特開昭５９−１９５６５８号公報（特許請求の範囲）
【特許文献１０】
特開平１０−３２０９４９号公報（特許請求の範囲）
【非特許文献１】
「アドバンスド・マテリアルズ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」，（ドイツ国），１９９８年，第１０巻，第１４号，ｐ１１０８−１１１２（図１、表１）
【非特許文献２】
「ジャーナル・オブ・ルミネッセンス（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）」，（オランダ国），１９９７年，７２−７４，ｐ９８５−９９１（図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、優れた正孔輸送能力を有し、またα−ＮＰＤ又はＭＴＤＡＴＡより高Ｔｇを有し耐久性のある新規材料を提供することである。更に詳しくは有機ＥＬ素子等の正孔輸送材料に適した新規ビナフチル誘導体を提供する事である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意検討した結果、一般式（１）で示されるビナフタレン誘導体が、高Ｔｇを有することを見いだし本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、一般式（１）で示されるビナフタレン誘導体及びその製造方法に関するものである。
【０００８】
【化４】

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は各々独立して水素原子、直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子又はアミノ基であり、Ａｒ^１、Ａｒ^２は各々独立して置換又は無置換のアリール基又は複素芳香環基を表し、さらにＡｒ^１とＡｒ^２は結合している窒素原子と共に含窒素複素環を形成してもよい。）
以下、本発明に関して詳細に説明する。
【０００９】
一般式（１）で表されるビナフタレン誘導体において、Ａｒ^１、Ａｒ^２は各々独立して置換又は無置換のアリール基又は複素芳香環基を表し、さらにＡｒ^１とＡｒ^２は結合している窒素原子と共に含窒素複素環を形成してもよい。
【００１０】
置換又は無置換のアリール基としては、置換基を有してもよい炭素数６〜２４の芳香環基であり、具体的には、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−アントリル基、９−アントリル基、２−フルオレニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、２−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、２−ネオペンチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−（２’−エチルブチル）フェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−（２’−エチルヘキシル）フェニル基、４−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−テトラデシルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−（４’−メチルシクロヘキシル）フェニル基、４−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル）フェニル基、３−シクロヘキシルフェニル基、２−シクロヘキシルフェニル基、４−エチル−１−ナフチル基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，５−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェニル基、５−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル基、９−メチル−２−フルオレニル基、９−エチル−２−フルオレニル基、９−ｎ−ヘキシル−２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、９，９−ジエチル−２−フルオレニル基、９，９−ジ−ｎ−プロピル−２−フルオレニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、２−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、３−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、２−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、２−ｓｅｃ−ブトキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−イソペンチルオキシフェニル基、２−イソペンチルオキシフェニル基、４−ネオペンチルオキシフェニル基、２−ネオペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、２−（２’−エチルブチル）オキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−メトキシ−１−ナフチル基、４−メトキシ−１−ナフチル基、４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチル基、５−エトキシ−１−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、６−エトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ブトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ヘキシルオキシ−２−ナフチル基、７−メトキシ−２−ナフチル基、７−ｎ−ブトキシ−２−ナフチル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、２−メチル−５−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、３−エチル−５−メトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、３−メトキシ−４−メチルフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、３，５−ジ−ｎ−ブトキシフェニル基、２−メトキシ−４−エトキシフェニル基、２−メトキシ−６−エトキシフェニル基、３，４，５−トリメトキシフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、２−フェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェニル基、４−（３’−メチルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−ｎ−ブトキシフェニル）フェニル基、２−（２’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−クロロフェニル）フェニル基、３−メチル−４−フェニルフェニル基、３−メトキシ−４−フェニルフェニル基、９−フェニル−２−フルオレニル基、４−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−クロロ−１−ナフチル基、４−クロロ−２−ナフチル基、６−ブロモ−２−ナフチル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２，５−ジブロモフェニル基、２，４，６−トリクロロフェニル基、２，４−ジクロロ−１−ナフチル基、１，６−ジクロロ−２−ナフチル基、２−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−フルオロ−５−メチルフェニル基、３−フルオロ−２−メチルフェニル基、３−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−メチル−４−フルオロフェニル基、２−メチル−５−フルオロフェニル基、３−メチル−４−フルオロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−５−メチルフェニル基、２−クロロ−６−メチルフェニル基、２−メチル−３−クロロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、３−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４，６−ジメチルフェニル基、２−メトキシ−４−フルオロフェニル基、２−フルオロ−４−メトキシフェニル基、２−フルオロ−４−エトキシフェニル基、２−フルオロ−６−メトキシフェニル基、３−フルオロ−４−エトキシフェニル基、３−クロロ−４−メトキシフェニル基、２−メトキシ−５−クロロフェニル基、３−メトキシ−６−クロロフェニル基、５−クロロ−２，４−ジメトキシフェニル基などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００１１】
置換又は無置換の複素芳香環基としては、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のうち少なくとも一つのヘテロ原子を含有する芳香環基であり、例えば、４−キノリル基、４−ピリジル基、３−ピリジル基、２−ピリジル基、３−フリル基、２−フリル基、３−チエニル基、２−チエニル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、２−ベンゾイミダゾリル基などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００１２】
高Ｔｇを達成するためには、Ａｒ^１及びＡｒ^２のうち少なくとも一つが置換又は無置換の縮合環式芳香族基であることが好ましく、例えば、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基の他、アントラセニル基、ピレニル基、クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基等を挙げることができる。さらに好ましくは、１−ナフチル基、９−フェナントリル基又は２−フルオレニル基である。
【００１３】
一般式（１）で表される化合物において、さらに、Ａｒ^１とＡｒ^２は結合している窒素原子と共に含窒素複素環を形成していてもよく、置換又は無置換の−Ｎ−カルバゾリイル基、−Ｎ−フェノキサジニイル基又は−Ｎ−フェノチアジニイル基を形成していてもよい。含窒素複素環は、置換基として例えば、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又は炭素数６〜１０のアリール基で単置換又は多置換されていてもよい。これらの中で、好ましくは、無置換又はハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基若しくは炭素数６〜１０のアリール基で単置換若しくは多置換の−Ｎ−カルバゾリイル基、−Ｎ−フェノキサジニイル基又は−Ｎ−フェノチアジニイル基であり、より好ましくは、無置換の−Ｎ−カルバゾリイル基、−Ｎ−フェノキサジニイル基又は−Ｎ−フェノチアジニイル基である。置換の−Ｎ−カルバゾリイル基、−Ｎ−フェノキサジニイル基又は−Ｎ−フェノチアジニイル基の具体例としては、例えば、２−メチル−Ｎ−カルバゾリイル基、３−メチル−Ｎ−カルバゾリイル基、４−メチル−Ｎ−カルバゾリイル基、３−ｎ−ブチル−Ｎ−カルバゾリイル基、３−ｎ−ヘキシル−Ｎ−カルバゾリイル基、３−ｎ−オクチル−Ｎ−カルバゾリイル基、３−ｎ−デシル−Ｎ−カルバゾリイル基、３，６−ジメチル−Ｎ−カルバゾリイル基、２−メトキシ−Ｎ−カルバゾリイル基、３−メトキシ−Ｎ−カルバゾリイル基、３−エトキシ−Ｎ−カルバゾリイル基、３−イソプロポキシ−Ｎ−カルバゾリイル基、３−ｎ−ブトキシ−Ｎ−カルバゾリイル基、３−ｎ−オクチルオキシ−Ｎ−カルバゾリイル基、３−ｎ−デシルオキシ−Ｎ−カルバゾリイル基、３−フェニル−Ｎ−カルバゾリイル基、３−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−カルバゾリイル基、３−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−Ｎ−カルバゾリイル基、３−クロロ−Ｎ−カルバゾリイル基、２−メチル−Ｎ−フェノチアジニイル基などを挙げることができる。
【００１４】
一般式（１）で表されるビナフタレン誘導体において、Ｒ^１〜Ｒ^６は、各々独立して水素原子、直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子又はアミノ基である。
【００１５】
アルキル基としては、炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフロロメチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、１，３−シクロヘキサジエニル基、２−シクロペンテン−１−イル基等を挙げることができる。
【００１６】
アルコキシ基としては、炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルコキシ基が挙げられ、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ基、トリフロロメトキシ基等を例示することができる。
【００１７】
アリール基としては、置換基を有してもよい炭素数６〜２４の芳香環であり、具体的には、フェニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、１−ビフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、９，９−ジアルキル−フルオレン−２−イル基、９，９−ジ−トリフルオロメチル−フルオレン−２−イル基等前記Ａｒ^１又はＡｒ^２と同一の置換基を挙げることができる。
【００１８】
又、アリールオキシ基としては、置換基を有してもよい炭素数６〜２４の芳香環であり、具体的には、フェノキシ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、４−フルオロフェノキシ基等を挙げることができる。
【００１９】
ハロゲン原子としては弗素、塩素、臭素又はヨウ素原子がある。
【００２０】
アミノ基としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、フェニルアミノ基等のモノ置換アミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｎ−フェニルナフチルアミノ基、ビス（アセトオキシメチル）アミノ基、ビス（アセトオキシエチル）アミノ基、ビス（アセトオキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトオキシブチル）アミノ基、ジベンジルアミノ基等のジ置換アミノ基を例示することができるが、上記置換基に具体的に限定されるものではない。
【００２１】
前記一般式（１）で表されるビナフタレン誘導体は、一般式（２）で表されるジハロビナフタレン誘導体（式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は各々独立して水素原子、直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコシキ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子又はアミノ基であり、Ｘは塩素、臭素又は沃素原子を表す）と一般式（３）で表されるアミン化合物（式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２は各々独立して置換又は無置換のアリール基又は複素芳香環基を表し、さらにＡｒ^１とＡｒ^２は結合している窒素原子と共に含窒素複素環を形成してもよい。）とを塩基存在下、パラジウム触媒により反応させることにより合成することができる。
【００２２】
【化５】

【化６】

本発明で使用するパラジウム触媒は、パラジウム化合物及び三級ホスフィンからなる。
【００２３】
パラジウム化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、ヘキサクロロパラジウム（ＩＶ）酸ナトリウム四水和物、ヘキサクロロパラジウム（ＩＶ）酸カリウム等の４価パラジウム化合物類、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセトナート（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテトラアンミンパラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ）、パラジウムトリフルオロアセテート（ＩＩ）等の２価パラジウム化合物類、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウムクロロホルム錯体（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等の０価パラジウム化合物類等が挙げられる。
【００２４】
パラジウム化合物の使用量は、特に限定するものではないが、一般式（２）で表されるジハロビナフタレン誘導体１モルに対しパラジウム換算で通常０．０００００１〜２０モル％の範囲である。パラジウム化合物が上記範囲内であれば、高い選択率でビナフタレン誘導体を合成できるが、活性を更に向上させるためには、また高価なパラジウム化合物を使用することからも、より好ましいパラジウム化合物の使用量は、ジハロビナフタレン誘導体１モルに対し、パラジウム換算で０．０００１〜５モル％の範囲である。
【００２５】
パラジウム化合物と組み合わせて使用される三級ホスフィンとしては、特に限定するものではなく、例えば、トリエチルホスフィン、トリ−シクロヘキシルホスフィン、トリ−イソプロピルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリ−ｉｓｏ−ブチルホスフィン、トリ−ｓｅｃ−ブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン類が挙げられるが、これらのうち、ビナフタレン誘導体の選択性を向上させるためには、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンがより好ましい。
【００２６】
本発明において、三級ホスフィンの使用量は、パラジウム化合物に対して通常０．０１〜１００００倍モルの範囲で使用すればよい。三級ホスフィンの使用量が、上記の範囲内であれば、ビナフタレン誘導体の選択率に変化はないが、活性を更に向上させるためには、また高価な三級ホスフィンを使用することからも、より好ましい三級ホスフィンの使用量は、パラジウム化合物に対して０．１〜１０倍モルの範囲である。
【００２７】
本発明においては、パラジウム化合物と三級ホスフィンが必須であり、両者を組み合わせて触媒として反応系に加える。添加方法は、反応系にそれぞれ単独で加えても、予め錯体の形にし調整して添加してもよい。
【００２８】
本発明において使用される塩基としては、無機塩基及び／又は有機塩基から選択すればよく、特に限定するものではないが、より好ましくは、ナトリウム−メトキシド、ナトリウム−エトキシド、カリウム−メトキシド、カリウム−エトキシド、リチウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のようなアルカリ金属アルコキシドであって、それらは反応場にそのまま加えても、またアルカリ金属、水素化アルカリ金属及び水酸化アルカリ金属とアルコールからその場で調製して反応場に供してもよい。
【００２９】
使用される塩基の量は、反応で生成するハロゲン化水素に対し、０．５倍モル以上使用するのが好ましい。塩基の量が０．５倍モル未満では、ビナフタレン誘導体の収率が低くなる場合がある。塩基を大過剰に加えてもビナフタレン誘導体の収率に変化はないが、反応終了後の後処理操作が煩雑になることから、より好ましい塩基の量は、１〜５倍モルの範囲である。
【００３０】
本発明における反応は、通常不活性溶媒存在下で行う。使用される溶媒としては、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、特に限定するものではないが、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系有機溶媒や、ジエチルエーテル、テトラハイドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系有機溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホトリアミド等を挙げることができる。これらのうちより好ましくは、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系有機溶媒である。
【００３１】
本発明は、常圧下、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことも、また加圧下でも行うことができる。
【００３２】
本発明は反応温度２０℃〜３００℃の範囲で行われるが、より好ましくは５０℃〜２００℃の範囲で行われる。
【００３３】
本発明において反応時間は、ジハロビナフタレン誘導体、アミン化合物、塩基、パラジウム触媒の量及び反応温度によって一定しないが、数分〜７２時間の範囲から選択すればよい。
【００３４】
反応終了後、常法によって処理することにより目的とする化合物を得ることができる。
【００３５】
本発明のビナフタレン誘導体は、ラセミ体又は光学活性なＲ体或いはＳ体でも特に限定されない。
【００３６】
本発明の新規ビナフタレン誘導体は、有機ＥＬ素子若しくは電子写真感光体等の正孔輸送材料としのみでなく、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等有機光導電材料のいずれの分野においても使用できる。
【００３７】
【発明の効果】
本発明による一般式（１）で表されるビナフタレン誘導体は、従来報告された材料と比較して、安定性及び耐久性に優れた材料であり、有機ＥＬ素子若しくは電子写真感光体等の正孔輸送材料等として利用できる。
【００３８】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明する。
【００３９】
合成例１　（６，６’−ジブロモ−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルの合成）
６，６’−ジブロモ−２，２’−ジヒドロキシ−１，１’−ビナフチル１０ｇ（２１．８ｍｍｏｌ）をジクロロメタン１００ｍｌに懸濁させ、４０％苛性水溶液４．６ｇを３０℃以下に保持しながら滴下した。その後、１４時間加熱還流し、その後ジメチル硫酸５．４９ｇを滴下した。４時間加熱還流したところ固体が析出したので、反応液を室温まで戻し濾過した。メタノールで洗浄の後、真空乾燥し８．９ｇ（純度＝９８％）の白色粉末を得た。
１Ｈ−ＮＭＲより下記（４）の構造を有する目的化合物であることを確認した。
【００４０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＴＨＦ−ｄ８）；３．８４（ｓ，６Ｈ），６．９８−８．１０（ｍ，１０Ｈ）
【００４１】
【化７】

実施例１　（６，６’−ジ（Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミノ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルの合成）
２００ｍｌ四つ口フラスコに、６，６’−ジブロモ−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル８．５ｇ（１８ｍｍｏｌ）、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン８．３ｇ（３７．８ｍｍｏｌ）及びナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド４．１５ｇ（４３．２ｍｍｏｌ）をキシレン６０ｍｌに懸濁させ、２０分間系内を窒素で置換した。その後、酢酸パラジウム４ｍｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１５ｍｇを加え１２５℃で６時間加熱攪拌し反応を終了した。反応液温度を５０℃に冷却し水５０ｇを加えた。生成した粉末を濾過、更に得られた粉末をキシレンから再結晶することにより淡黄色粉末１１．０ｇを得た（収率＝８１％）。
瞬間脱離質量分析法（ＦＤＭＳ）、元素分析より下記（５）の構造を有する目的化合物であることを確認した。
・ＦＤＭＳ；７４９

示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によりＴｇを測定したところ、１４１℃であった。
【００４２】
【化８】

実施例２　（６，６’−ビス（ジフェニルアミノ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルの合成）
Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンをジフェニルアミン６．３７ｇに変更した以外は、実施例１と同様な操作を行い下記（６）の構造を有する淡黄色粉末７．９ｇ（収率＝７７％）を得た。
・ＦＤＭＳ；６４９

【００４３】
【化９】

実施例３　（６，６’−ジ（Ｎ−ｍ−トリル−フェニルアミノ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルの合成）
Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンをＮ−ｍ−トリル−アニリン６．９ｇに変更した以外は、実施例１と同様な操作を行い下記（７）の構造を有する淡黄色粉末９．９ｇ（収率＝８１％）を得た。
・ＦＤＭＳ；６７７

【００４４】
【化１０】

Claims

一般式（１）で表されるビナフタレン誘導体。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は各々独立して水素原子、直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子又はアミノ基であり、Ａｒ^１、Ａｒ^２は各々独立して置換又は無置換のアリール基又は複素芳香環基を表し、さらにＡｒ^１とＡｒ^２は結合している窒素原子と共に含窒素複素環を形成してもよい。）
一般式（１）において、Ａｒ^１及びＡｒ^２のうち少なくとも一つが置換又は無置換の縮合環式芳香族基である請求項１記載のビナフタレン誘導体。
縮合環式芳香族基が、１−ナフチル基、９−フェナントリル基又は２−フルオレニル基である請求項２記載のビナフタレン誘導体。
一般式（２）で表されるジハロビナフタレン（式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は各々独立して水素原子、直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコシキ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子又はアミノ基であり、Ｘは塩素、臭素又は沃素原子を表す）と一般式（３）（式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２は各々独立して置換又は無置換のアリール基又は複素芳香環基を表し、さらにＡｒ^１とＡｒ^２は結合している窒素原子と共に含窒素複素環を形成してもよい。）で表されるアミン化合物とを塩基存在下、パラジウム触媒により反応させる請求項１乃至３いずれかに記載のビナフタレン誘導体の製造方法。
パラジウム触媒が、三級ホスフィンとパラジム化合物からなる触媒である請求項４記載のビナフタレン誘導体の製造方法。
三級ホスフィンが、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンである請求項５記載のビナフタレン誘導体の製造方法。