JP4491666B2 - フルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体の製造方法とその合成中間体 - Google Patents

フルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体の製造方法とその合成中間体 Download PDF

Info

Publication number
JP4491666B2
JP4491666B2 JP2003403050A JP2003403050A JP4491666B2 JP 4491666 B2 JP4491666 B2 JP 4491666B2 JP 2003403050 A JP2003403050 A JP 2003403050A JP 2003403050 A JP2003403050 A JP 2003403050A JP 4491666 B2 JP4491666 B2 JP 4491666B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
arylamine derivative
catalyst
producing
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2003403050A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005162660A (ja
Inventor
正一 西山
直樹 松本
久雄 江口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tosoh Corp filed Critical Tosoh Corp
Priority to JP2003403050A priority Critical patent/JP4491666B2/ja
Publication of JP2005162660A publication Critical patent/JP2005162660A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4491666B2 publication Critical patent/JP4491666B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

本発明はフルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体の新規製造方法に関するものである。フルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体は、有機エレクトロルミネセンス材料、又は電子写真用材料として使用できる。
従来、後記一般式(3)で表されるアリールアミン誘導体を効率的に製造する方法は報告されていない。一般的なアリールアミン誘導体の製造方法として芳香族ハライドとアミン化合物から銅触媒を用いたウルマン反応(例えば、特許文献1参照。)、パラジム触媒を用いた反応が知られている(例えば、特許文献2参照。)。しかし、前者のウルマン法では、通常200℃程度の条件下長時間加熱する必要があることから不純物を多く含み精製が非常に困難であった。一方、パラジウム触媒による方法は、高純度品を得るための方法として近年非常に注目されているが、特に立体的に嵩高い芳香族クロライドを原料に用いた場合には、微量の原料が残存する傾向にあった。
米国特許4764625号明細書
特開平10−172563号公報
本発明の目的は、不純物の少ないフルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体を効率的に合成するための新規合成法を提供することである。
本発明者らは鋭意検討した結果、下記一般式(1)及び(2)で表されるフルオレン誘導体及び有機金属化合物を触媒存在下に反応させることにより前記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、下記一般式(1)で表されるフルオレン誘導体と下記一般式(2)で表される有機金属化合物及び塩基とを触媒存在下に反応させることを特徴とする下記一般式(3)で表されるアリールアミン誘導体の製造方法に関するものである。
Figure 0004491666
(式中、R〜Rは各々独立して水素原子、直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、スチリル基又はヘテロアリール基である。Zは、ハロゲン原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基である。)
Figure 0004491666
(式中、Mは、下記一般式(4)〜(8)で表される置換基を表す。Ar、Arは各々独立して置換又は無置換のアリール基又は複素芳香環基を表し、ArとArは結合している窒素原子と共に含窒素複素環を形成してもよい。さらにArは置換又は無置換のアリーレン基を表す。)
Figure 0004491666
(式中、R、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、Xはハロゲン原子を表す。)
Figure 0004491666
(式中、R〜R、Ar、Ar及びArは前記に記載した置換基を表す。)
以下、本発明に関し詳細に説明する。
一般式(1)で表されるフルオレン誘導体において、R〜Rは各々独立して水素原子、直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、スチリル基又はヘテロアリール基である。
該フルオレン誘導体の合成方法については、特に制限はないが、例えば、下図に示すようなルートで合成可能である。具体的には、9,9’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2,7−ジブロモフルオレン誘導体を原料に、メトキシエチルメトキシ基で保護、相当するボロン酸、グリニャール試薬、アミン化合物又はアルコキシ化合物にてカップリングし最後にルイス酸等で脱保護したのちトリフルオロメタンスルホン酸無水物と反応させることで合成可能である。
Figure 0004491666
(式中、R〜Rは各々独立して水素原子、直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、スチリル基又はヘテロアリール基である。又R13は、直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基、アリール基、スチリル基又はヘテロアリール基であり、R14からR15は、直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基、R16は、直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基である。Tfはトリフルオロメタンスルホニル基である。R,RはR13〜R16に由来する。)
上記一般式(1)で表されるフルオレン誘導体中のR〜Rのアルキル基としては、炭素数1〜18の直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフロロメチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、1,3−シクロヘキサジエニル基、2−シクロペンテン−1−イル基等を挙げることができる。
〜Rのアルコキシ基としては、炭素数1〜18の直鎖,分岐若しくは環状のアルコキシ基が挙げられ、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ基、トリフロロメトキシ基等を例示することができる。
〜Rのアリール基としては、置換基を有してもよい炭素数6〜24の芳香環であり、具体的には、フェニル基、4−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、2−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、3−エチルフェニル基、2−エチルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、4−n−ブチルフェニル基、4−イソブチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロペンチルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3,4−ジメチルフェニル基、4−(1−ナフチル)フェニル基、4−(9−アントリル)フェニル基、4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル基、4−ビフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基、9−アントリル基、10−フェニル−9−アントリル基、10−ビフェニル−9−アントリル基、9,9−ジメチル−フルオレン−2−イル基、7−フェニル−9,9−ジメチル−フルオレン−2−イル基,9−ジ−トリフルオロメチル−フルオレン−2−イル基等の置換基を挙げることができる。
又、R〜Rのアリールオキシ基としては、置換基を有してもよい炭素数6〜24の芳香環であり、具体的には、フェノキシ基、p−tert−ブチルフェノキシ基、3−フルオロフェノキシ基、4−フルオロフェノキシ基等を挙げることができる。
〜Rのハロゲン原子としては、弗素、塩素、臭素又はヨウ素原子がある。
〜Rのアミノ基としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、フェニルアミノ基、m−トリルアミノ基、p−トリルアミノ基、1−ナフチルアミノ基、2−ナフチルアミノ基、4−ビフェニルアミノ基等のモノ置換アミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ(m−トリル)アミノ基、ジ(p−トリル)アミノ基、N−(m−トリル)フェニルアミノ基、N−(p−トリル)フェニルアミノ基、N−(1−ナフチル)フェニルアミノ基、N−(2−ナフチル)フェニルアミノ基、N−(4−ビフェニル)フェニルアミノ基、ジ(4−ビフェニル)アミノ基、ジ(2−ナフチル)アミノ基、ビス(アセトオキシメチル)アミノ基、ビス(アセトオキシエチル)アミノ基、ビス(アセトオキシプロピル)アミノ基、ビス(アセトオキシブチル)アミノ基、ジベンジルアミノ基等のジ置換アミノ基を例示することができるが、上記置換基に具体的に限定されるものではない。
〜Rのスチリル基としては、2−フェニルビニル基、2,2’−ジフェニルビニル基を挙げることができる。更に、ヘテロアリール基としては、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のうち少なくとも一つのヘテロ原子を含有する芳香環基であり、チオフェン−2−イル基、2,2’−ビチオフェン−5−イル基、チオナフテン−2−イル基、2,1,3−ベンゾチアジアゾール−4−イル基、2−オキサゾリル基、2−チアゾリル基、2−ベンゾオキサゾリル基、2−ベンゾチアゾリル基、2−ベンゾイミダゾリル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−キノリル基2−フリル基、3−フリル基等を例示することができる。
上記アリールアミン誘導体を製造するに際し、上記一般式(2)で示される有機金属化合物を用いる。該有機金属化合物は、相当するグリニャール試薬又はリチウム試薬から公知方法に従い容易に変換できる。Mは、上記一般式(4)〜(8)で表される置換基であり、好ましくは一般式(4)又は(5)である。収率、選択率の点で、より好ましくはRが水素原子であるボロン酸又はボロン酸ピナコレートである。
該有機金属化合物の使用量は、フルオレン誘導体1モルに対し1.0〜10倍モルであり、好ましくは1.8〜2.4倍モルである。
上記一般式(2)で示される有機金属化合物において、Ar、Arは各々独立して置換又は無置換のアリール基又は複素芳香環基を表し、さらにArとArは結合している窒素原子と共に含窒素複素環を形成してもよい。
置換又は無置換のアリール基としては、置換基を有してもよい炭素数6〜24の芳香環基であり、具体的には、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−アントリル基、9−アントリル基、2−フルオレニル基、4−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、2−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、3−エチルフェニル基、2−エチルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、4−n−ブチルフェニル基、4−イソブチルフェニル基、4−sec−ブチルフェニル基、2−sec−ブチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、3−tert−ブチルフェニル基、2−tert−ブチルフェニル基、4−n−ペンチルフェニル基、4−イソペンチルフェニル基、2−ネオペンチルフェニル基、4−tert−ペンチルフェニル基、4−n−ヘキシルフェニル基、4−(2’−エチルブチル)フェニル基、4−n−ヘプチルフェニル基、4−n−オクチルフェニル基、4−(2’−エチルヘキシル)フェニル基、4−tert−オクチルフェニル基、4−n−デシルフェニル基、4−n−ドデシルフェニル基、4−n−テトラデシルフェニル基、4−シクロペンチルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、4−(4’−メチルシクロヘキシル)フェニル基、4−(4’−tert−ブチルシクロヘキシル)フェニル基、3−シクロヘキシルフェニル基、2−シクロヘキシルフェニル基、4−エチル−1−ナフチル基、6−n−ブチル−2−ナフチル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、3,4−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、2,4−ジエチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,6−トリメチルフェニル基、3,4,5−トリメチルフェニル基、2,6−ジエチルフェニル基、2,5−ジイソプロピルフェニル基、2,6−ジイソブチルフェニル基、2,4−ジ−tert−ブチルフェニル基、2,5−ジ−tert−ブチルフェニル基、4,6−ジ−tert−ブチル−2−メチルフェニル基、5−tert−ブチル−2−メチルフェニル基、4−tert−ブチル−2,6−ジメチルフェニル基、9−メチル−2−フルオレニル基、9−エチル−2−フルオレニル基、9−n−ヘキシル−2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、9,9−ジエチル−2−フルオレニル基、9,9−ジ−n−プロピル−2−フルオレニル基、4−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、2−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、2−エトキシフェニル基、4−n−プロポキシフェニル基、3−n−プロポキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、2−イソプロポキシフェニル基、4−n−ブトキシフェニル基、4−イソブトキシフェニル基、2−sec−ブトキシフェニル基、4−n−ペンチルオキシフェニル基、4−イソペンチルオキシフェニル基、2−イソペンチルオキシフェニル基、4−ネオペンチルオキシフェニル基、2−ネオペンチルオキシフェニル基、4−n−ヘキシルオキシフェニル基、2−(2’−エチルブチル)オキシフェニル基、4−n−オクチルオキシフェニル基、4−n−デシルオキシフェニル基、4−n−ドデシルオキシフェニル基、4−n−テトラデシルオキシフェニル基、4−シクロヘキシルオキシフェニル基、2−シクロヘキシルオキシフェニル基、2−メトキシ−1−ナフチル基、4−メトキシ−1−ナフチル基、4−n−ブトキシ−1−ナフチル基、5−エトキシ−1−ナフチル基、6−メトキシ−2−ナフチル基、6−エトキシ−2−ナフチル基、6−n−ブトキシ−2−ナフチル基、6−n−ヘキシルオキシ−2−ナフチル基、7−メトキシ−2−ナフチル基、7−n−ブトキシ−2−ナフチル基、2−メチル−4−メトキシフェニル基、2−メチル−5−メトキシフェニル基、3−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−5−メトキシフェニル基、3−エチル−5−メトキシフェニル基、2−メトキシ−4−メチルフェニル基、3−メトキシ−4−メチルフェニル基、2,4−ジメトキシフェニル基、2,5−ジメトキシフェニル基、2,6−ジメトキシフェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、3,5−ジ−n−ブトキシフェニル基、2−メトキシ−4−エトキシフェニル基、2−メトキシ−6−エトキシフェニル基、3,4,5−トリメトキシフェニル基、4−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、2−フェニルフェニル基、4−(4’−メチルフェニル)フェニル基、4−(3’−メチルフェニル)フェニル基、4−(4’−メトキシフェニル)フェニル基、4−(4’−n−ブトキシフェニル)フェニル基、2−(2’−メトキシフェニル)フェニル基、4−(4’−クロロフェニル)フェニル基、3−メチル−4−フェニルフェニル基、3−メトキシ−4−フェニルフェニル基、9−フェニル−2−フルオレニル基、4−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル基、2−フルオロフェニル基、4−クロロフェニル基、3−クロロフェニル基、2−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、2−ブロモフェニル基、4−クロロ−1−ナフチル基、4−クロロ−2−ナフチル基、6−ブロモ−2−ナフチル基、2,3−ジフルオロフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、2,5−ジフルオロフェニル基、2,6−ジフルオロフェニル基、3,4−ジフルオロフェニル基、3,5−ジフルオロフェニル基、2,3−ジクロロフェニル基、2,4−ジクロロフェニル基、2,5−ジクロロフェニル基、3,4−ジクロロフェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、2,5−ジブロモフェニル基、2,4,6−トリクロロフェニル基、2,4−ジクロロ−1−ナフチル基、1,6−ジクロロ−2−ナフチル基、2−フルオロ−4−メチルフェニル基、2−フルオロ−5−メチルフェニル基、3−フルオロ−2−メチルフェニル基、3−フルオロ−4−メチルフェニル基、2−メチル−4−フルオロフェニル基、2−メチル−5−フルオロフェニル基、3−メチル−4−フルオロフェニル基、2−クロロ−4−メチルフェニル基、2−クロロ−5−メチルフェニル基、2−クロロ−6−メチルフェニル基、2−メチル−3−クロロフェニル基、2−メチル−4−クロロフェニル基、3−クロロ−4−メチルフェニル基、3−メチル−4−クロロフェニル基、2−クロロ−4,6−ジメチルフェニル基、2−メトキシ−4−フルオロフェニル基、2−フルオロ−4−メトキシフェニル基、2−フルオロ−4−エトキシフェニル基、2−フルオロ−6−メトキシフェニル基、3−フルオロ−4−エトキシフェニル基、3−クロロ−4−メトキシフェニル基、2−メトキシ−5−クロロフェニル基、3−メトキシ−6−クロロフェニル基、5−クロロ−2,4−ジメトキシフェニル基などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
置換又は無置換の複素芳香環基としては、例えば、4−キノリル基、4−ピリジル基、3−ピリジル基、2−ピリジル基、3−フリル基、2−フリル基、3−チエニル基、2−チエニル基、2−オキサゾリル基、2−チアゾリル基、2−ベンゾオキサゾリル基、2−ベンゾチアゾリル基、2−ベンゾイミダゾリル基などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
一般式(2)で表される有機金属化合物において、さらに、ArとArは結合している窒素原子と共に含窒素複素環を形成していてもよく、置換又は無置換の−N−カルバゾリイル基、−N−フェノキサジニイル基又は−N−フェノチアジニイル基を形成していてもよい。含窒素複素環は、置換基として例えば、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基又は炭素数6〜10のアリール基で単置換又は多置換されていてもよい。これらの中で、好ましくは、無置換又はハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基若しくは炭素数6〜10のアリール基で単置換若しくは多置換の−N−カルバゾリイル基、−N−フェノキサジニイル基又は−N−フェノチアジニイル基であり、より好ましくは、無置換の−N−カルバゾリイル基、−N−フェノキサジニイル基又は−N−フェノチアジニイル基である。置換の−N−カルバゾリイル基、−N−フェノキサジニイル基又は−N−フェノチアジニイル基の具体例としては、例えば、2−メチル−N−カルバゾリイル基、3−メチル−N−カルバゾリイル基、4−メチル−N−カルバゾリイル基、3−n−ブチル−N−カルバゾリイル基、3−n−ヘキシル−N−カルバゾリイル基、3−n−オクチル−N−カルバゾリイル基、3−n−デシル−N−カルバゾリイル基、3,6−ジメチル−N−カルバゾリイル基、2−メトキシ−N−カルバゾリイル基、3−メトキシ−N−カルバゾリイル基、3−エトキシ−N−カルバゾリイル基、3−イソプロポキシ−N−カルバゾリイル基、3−n−ブトキシ−N−カルバゾリイル基、3−n−オクチルオキシ−N−カルバゾリイル基、3−n−デシルオキシ−N−カルバゾリイル基、3−フェニル−N−カルバゾリイル基、3−(4’−メチルフェニル)−N−カルバゾリイル基、3−(4’−tert−ブチルフェニル)−N−カルバゾリイル基、3−クロロ−N−カルバゾリイル基、2−メチル−N−フェノチアジニイル基などを挙げることができる。
一般式(2)で表される有機金属化合物において、Arは、置換又は無置換のアリーレン基であれば特に制限はないが、好ましくは、具体的に一般式(9a)〜(9e)で表されるアリーレン基である。
Figure 0004491666
(式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は置換若しくは未置換のアリール基を表す。)
Figure 0004491666
(式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は置換若しくは未置換のアリール基を表す。)
Figure 0004491666
(式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は置換若しくは未置換のアリール基を表す。)
Figure 0004491666
(式中、R10〜R12は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は置換若しくは未置換のアリール基を表す。)
〜R12の具体例としては、前記のR〜R、Ar、Arと同様の置換基を挙げることができる。前記一般式(9a)〜(9e)のアリーレン基のうち、(9a)、特にフェニレン基が合成的観点から原料が入手し易く特に好ましい。
本発明で使用する触媒は、第八族遷移金属触媒等が用いられるが、特にパラジウム触媒が好ましい。
パラジウム触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、塩化パラジウム(II)、臭化パラジウム(II)、酢酸パラジウム(II)、パラジウムアセチルアセトナート(II)、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム(II)、ジクロロビス(アセトニトリル)パラジウム(II)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロテトラアンミンパラジウム(II)、ジクロロ(シクロオクタ−1,5−ジエン)パラジウム(II)、パラジウムトリフルオロアセテート(II)等の2価パラジウム化合物、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム(0)、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウムクロロホルム錯体(0)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)等の0価パラジウム化合物が挙げられる。また、ポリマー固定型パラジウム触媒、パラジウム炭素等の固定化パラジウム触媒も例示できる。これらに、トリフェニルホスフィン、トリ(o―トリル)ホスフィン等の単座アリールホスフィン、トリ(シクロヘキシル)ホスフィン、トリ(イソプロピル)ホスフィン、トリ(tert−ブチル)ホスフィン等の単座アルキルホスフィン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン等のニ座ホスフィンを共存させ反応させてもよい。
パラジウム触媒の使用量は、特に限定するものではないが、一般式(1)で表されるフルオレン誘導体1モルに対し通常0.000001〜20モル%の範囲である。触媒が上記範囲内であれば、高い選択率でアリールアミン誘導体を合成できるが、高価な触媒の使用量を低減させる意味から、より好ましい触媒使用量は、フルオレン誘導体1モルに対し、パラジウム換算で0.0001〜5モル%の範囲である。
本発明において使用される塩基としては、無機塩基及び/又は有機塩基から選択すればよく、特に限定するものではないが、より好ましくは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸カリウム、燐酸ナトリウム等、ナトリウム−メトキシド、ナトリウム−エトキシド、カリウム−メトキシド、カリウム−エトキシド、リチウム−tert−ブトキシド、ナトリウム−tert−ブトキシド、カリウム−tert−ブトキシド等のようなアルカリ金属アルコキシド、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジンであって、更に好ましくは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸カリウム、燐酸ナトリウムである。
使用される塩基の量は、前記一般式(1)で表されるフルオレン誘導体に対し0.5倍モル以上使用するのが好ましい。塩基の量が0.5倍モル未満では、アリールアミン誘導体の収率が低くなる場合がある。塩基を大過剰に加えてもアリールアミン誘導体の収率に変化はないが、反応終了後の後処理操作が煩雑になることから、より好ましい塩基の量は、1〜5倍モルの範囲である。
本発明における反応は、通常不活性溶媒存在下で行う。使用される溶媒としては、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、特に限定するものではないが、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系有機溶媒や、ジエチルエーテル、テトラハイドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系有機溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホトリアミド等を挙げることができる。これらのうちより好ましくは、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系有機溶媒である。
本発明は、常圧下、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことも、また加圧下でも行うことができる。
本発明は反応温度20〜300℃の範囲で行われるが、より好ましくは30〜150℃の範囲で行われる。
本発明において反応時間は、フルオレン誘導体、有機金属化合物、塩基、触媒の量及び反応温度によって一定しないが、数分〜72時間の範囲から選択すればよい。
反応終了後、常法によって処理することにより目的とする化合物を得ることができる。
本発明の製造方法により有機EL材料、電子写真材料として有用なフルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体が、温和な条件下、高純度で得られることができた。
以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明する。
合成例1 4−(3−メチルジフェニルアミノ)クロロベンゼンの合成
窒素雰囲気下、キシレン90mlに4−ブロモクロロベンゼン10.4g(54.6mmol)、3−メチルジフェニルアミン10.0g(54.6mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド6.3g(65.5mmol)を懸濁させた。更に、酢酸パラジウム5.8mg、トリ−tert−ブチルホスフィン21mgを添加し、125℃に加熱した。同温度で2時間熟成した後、反応液を室温まで冷却した。水20mlで洗浄後、減圧下で溶媒を留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶により精製し、無色針状結晶を14.3g(収率89%)得た。NMR及び質量分析(FDMS)から目的物であることを確認した。
FDMS ;293
H−NMR(CDCl);6.83−7.27(m,13H),2.25(s,3H)
合成例2 4−(3−メチルジフェニルアミノ)ブロモベンゼンの合成
窒素雰囲気下、トルエン20mlに4−ブロモヨードベンゼン4.74g(16.81mmol)、3−メチルジフェニルアミン3.38g(18.46mmol)、塩化銅83mg(0.84mmol)、フェナントロリン166mg(0.84mmol)、水酸化カリウム7.53g(134.22mmol)を加え、加熱還流下15時間反応させた。反応液を室温まで冷却、トルエン70mlを加えた後、ろ過して不溶分を取り除いた。ろ液を飽和塩化アンモニウム水溶液、水で洗浄し、減圧下にて溶媒を留去した。シリカゲルクロマトグラフィー及び再結晶により精製し、無色針状結晶を得た。NMR及び質量分析(FDMS)から目的物であることを確認した。
FDMS ; 337
H−NMR(CDCl);6.84−7.33(m,13H),2.26(s,3H)
合成例3 4−(3−メチルジフェニルアミノ)フェニルボロン酸の合成(合成法1)
窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン2ml、マグネシウム0.4gに合成例1で得た4−(3−メチルジフェニルアミノ)クロロベンゼン4.0g(13.6mmol)のテトラヒドロフラン溶液4mlを滴下し、加熱還流下10時間反応させた。反応液を−78℃に冷却した後、ホウ酸トリメチル1.4g(13.6mmol)のテトラヒドロフラン溶液を滴下し、更に室温で12時間攪拌した。ここに10%塩酸水溶液を添加、有機層と水層を分離し、水層はジエチルエーテルで抽出した。抽出液を減圧下で濃縮した後、ヘキサンを添加し、ろ過すると白色粉末2.6g(収率63%)が得られた。NMR及びIRから目的物であることを確認した。
H−NMR(CDCl);6.89−8.00(m,13H),2.28(s,3H)
13C−NMR(CDCl);147.1,147.0,139.2,136.6,129.3,129.1,126.1,125.3,124.7,123.6,122.7,120.8,21.5ppm
IR(KBr);3219,3034,2919,2361,1924,1590,1557,1492,1415,1375,1307,1277,1180,1113,1078,1024,838,812,782cm−1
合成例4 4−(3−メチルジフェニルアミノ)フェニルボロン酸の合成(合成法2)
窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン40mlに合成例2で得た4−(3−メチルジフェニルアミノ)ブロモベンゼン3.0g(8.9mmol)を溶解させた。−78℃に冷却し、n−ブチルリチウムのヘキサン溶液(2.6mol/L)を4.1ml添加した後、0℃で2時間反応させた。反応液を再度−78℃に冷却し、ホウ酸トリメチル0.9g(8.9mmol)のテトラヒドロフラン溶液10mlを滴下、更に室温で12時間攪拌した。ここに10%塩酸水溶液を添加、有機層と水層を分離し、水層はジエチルエーテルで抽出した。抽出液を減圧下で濃縮した後、ヘキサンを添加し、ろ過すると白色粉末が得られた。NMR及びIRから目的物であることを確認した。
実施例1 9,9−ビス[4−(3−メチルジフェニルアミノ)−1,1’−ビフェニル]フルオレン(化合物1)の合成
窒素雰囲気下、9,9−ビス[4−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)フェニル]フルオレン1.23g(2.0mmol)をテトラヒドロフラン6mlに溶解させ、20%炭酸ナトリウム水溶液4.7g、4−(3−メチルジフェニルアミノ)フェニルボロン酸1.27g(4.2mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム23mg(0.02mmol)を加えた。65℃で2時間反応させた後、室温まで冷却し、分液した。有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、減圧下にて溶媒を留去した。残査をシリカゲルクロマトグラフィーに付し、淡黄色粉末1.27g(収率84%、LC純度=99.7%)を得た。元素分析及び質量分析(FDMS)から目的物であることを確認した。
FDMS ;832
元素分析 計算値:C;90.8%,H;5.8%,N;3.6%
実測値:C;90.0%,H;5.7%,N;3.4%
比較例1 9,9−ビス[4−(3−メチルジフェニルアミノ)−1,1’−ビフェニル]フルオレン(化合物1)の合成
50ml三つ口フラスコに9,9−ビス(4−クロロ−1,1’−ビフェニル)フルオレン1.0g(1.8mmol)、N−(3−トリル)アニリン0.68g(3.7mmol)ナトリウム−tert−ブトキシド0.54g(5.6mmol)及びキシレン20mlを窒素雰囲気下仕込み、触媒として酢酸パラジウム4mg、トリ−tert−ブチルホス10mgを添加して120℃で6時間反応させた。反応後、水を添加して有機相を分離した。有機層を濃縮した後ショートカラムにて精製し化合物1を1.3g単離した。LC純度は97.6%であった。
実施例2(化合物1の合成[別法])
合成例3に準じて得られた4−(3−メチルジフェニルアミノ)フェニルマグネシウムクロリドのグリニャール溶液(4.2mmol)と9,9−ビス[4−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)フェニル]フルオレン(2.0mmol)とをテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム触媒存在下に2時間還流させた。後処理を実施例1に準じて、目的とする化合物1を64%で単離した。LC純度を表1に示す。
実施例3(化合物2の合成)
4−(3−メチルジフェニルアミノ)フェニルボロン酸の代わりにトリフェニルアミンボロン酸(4.2mmol)を用いた以外は、実施例1に準じて化合物2を88%で単離した。FDMSにより目的物であることを確認した。LC純度を表1に示す。
実施例4(化合物3の合成)
4−(3−メチルジフェニルアミノ)フェニルボロン酸の代わりに4−(N−カルバゾリル)フェニルボロン酸(4.2mmol)を用いた以外は、実施例1に準じて化合物3を81%で単離した。FDMS、H及び13C−NMRにより目的物を確認した。LC純度を表1に示す。
FDMS ; 800
H−NMR(CDCl);7.28−8.15(m)
13C−NMR(CDCl);150.9,145.3,140.8,140.2,139.7,138.6,136.7,128.7,128.2,127.9,127.7,127.2,126.9,126.2,125.9,123.4,120.38,120.33,120.0,109.8,65.15ppm
実施例5(化合物4の合成)
9,9−ビス[4−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)フェニル]フルオレンの代わりに2,7−ビス(4−ビフェニル)−9,9−ビス[4−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)フェニル]フルオレンを用いた以外は実施例1に準じて目的とする化合物4を単離した。FDMSにより目的物であることを確認した。LC純度を表1に示す。
FDMS;1136
Figure 0004491666

Claims (8)

  1. 下記一般式(1)で表されるフルオレン誘導体と下記一般式(2)で表される有機金属化合物及び塩基とを触媒存在下に反応させることを特徴とする下記一般式(3)で表されるアリールアミン誘導体の製造方法。
    Figure 0004491666
    (式中、R〜Rは各々独立して水素原子、直鎖,分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、スチリル基又はヘテロアリール基である。Zは、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基である。
    Figure 0004491666
    (式中、Mは、下記一般式(4)〜(8)で表される置換基を表す。Ar、Arは各々独立して置換又は無置換のアリール基又は複素芳香環基を表し、ArとArは結合している窒素原子と共に含窒素複素環を形成してもよい。さらにArは置換又は無置換のアリーレン基を表す。)
    Figure 0004491666
    (式中、R、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、Xはハロゲン原子を表す。)
    Figure 0004491666
    (式中、R〜R、Ar、Ar及びArは前記に記載した置換基を表す。)
  2. 上記一般式(2)において、Arがフェニレン基であることを特徴とする請求項1に記載のアリールアミン誘導体の製造方法。
  3. 上記一般式(2)においてMが上記一般式(4)又は(5)のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載のアリールアミン誘導体の製造方法。
  4. 上記一般式(2)においてMが上記一般式(5)であることを特徴とする請求項記載のアリールアミン誘導体の製造方法。
  5. 触媒が0価又は2価のパラジウム触媒であることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載のアリールアミン誘導体の製造方法。
  6. 触媒が2価のパラジウム触媒であることを特徴とする請求項記載のアリールアミン誘導体の製造方法。
  7. 触媒がジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムであることを特徴とする請求項に記載のアリールアミン誘導体の製造方法。
  8. 触媒がパラジウム炭素であることを特徴とする請求項に記載のアリールアミン誘導体の製造方法。
JP2003403050A 2003-12-02 2003-12-02 フルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体の製造方法とその合成中間体 Expired - Lifetime JP4491666B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003403050A JP4491666B2 (ja) 2003-12-02 2003-12-02 フルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体の製造方法とその合成中間体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003403050A JP4491666B2 (ja) 2003-12-02 2003-12-02 フルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体の製造方法とその合成中間体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005162660A JP2005162660A (ja) 2005-06-23
JP4491666B2 true JP4491666B2 (ja) 2010-06-30

Family

ID=34726471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003403050A Expired - Lifetime JP4491666B2 (ja) 2003-12-02 2003-12-02 フルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体の製造方法とその合成中間体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4491666B2 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5103727B2 (ja) * 2005-11-16 2012-12-19 東ソー株式会社 フルオレン化合物およびそれを用いた有機el素子
JP4765589B2 (ja) * 2005-12-02 2011-09-07 東洋インキScホールディングス株式会社 カルバゾリル基を有するフルオレン化合物およびその用途
CN100523789C (zh) * 2006-03-21 2009-08-05 中国科学院化学研究所 一种用于检测抗氧化剂清除自由基的反应的配合物及其检测方法
JO3598B1 (ar) 2006-10-10 2020-07-05 Infinity Discovery Inc الاحماض والاسترات البورونية كمثبطات اميد هيدروليز الحامض الدهني
CA2721060A1 (en) 2008-04-09 2009-10-15 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Inhibitors of fatty acid amide hydrolase
EP2416660B1 (en) 2009-04-07 2014-07-02 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Inhibitors of fatty acid amide hydrolase
WO2010118159A1 (en) 2009-04-07 2010-10-14 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Inhibitors of fatty acid amide hydrolase
WO2010131930A2 (ko) 2009-05-15 2010-11-18 제일모직 주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
WO2010137601A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fluorene derivative, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CA2788587C (en) 2010-02-03 2020-03-10 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Fatty acid amide hydrolase inhibitors
KR102198635B1 (ko) 2012-04-20 2021-01-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005162660A (ja) 2005-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4506113B2 (ja) フルオレン骨格を有する新規アリールアミン誘導体、その合成中間体及びこれらの製造方法並びに有機el素子
JP7179252B2 (ja) 有機金属化合物及びその使用
JP6032000B2 (ja) 環状アジン化合物の製造方法
KR101142293B1 (ko) 벤조플루오렌 화합물 및 그 용도
JP5259426B2 (ja) フルオレン基を含有する電気発光化合物、及びこれを発光材料として使用する有機電気発光素子
EP1752440A1 (en) Amine compound having fluorene group as framework, process for producing the amine compound, and use of the amine compound
JP5439711B2 (ja) ベンゾフルオレン化合物及びその用途
TW201016665A (en) Phosphorescent materials
JP4491666B2 (ja) フルオレン骨格を有するアリールアミン誘導体の製造方法とその合成中間体
JP2004107292A (ja) 新規ビナフタレン誘導体並びにその製造方法
JP5428263B2 (ja) アミン誘導体及びその用途
JP4810830B2 (ja) フルオレン基を母核とするアミン化合物並びにその製造方法及び用途
JP6732190B2 (ja) ヘテロレプティックイリジウム錯体、ならびに該化合物を用いた発光材料および有機発光素子
JP4797470B2 (ja) キノリン誘導体及びこれを含有する有機el素子
JP5320722B2 (ja) ベンゾフルオレノン誘導体及びその製造方法
JP4085905B2 (ja) フルオレン骨格を有する新規アリールビニル化合物、及びその製造方法並びに有機el素子
JP5163853B2 (ja) 有機化合物およびその用途
JP7044580B2 (ja) 新規な芳香族化合物
KR101166458B1 (ko) 플루오렌기를 모핵으로 하는 아민 화합물, 그 아민화합물의 제조방법 및 그 아민 화합물의 용도
JP2012176928A (ja) ピレン誘導体、ピレン誘導体の製造方法、錯体、触媒、電子材料、発光材料および色素
JP6835326B2 (ja) ヘテロレプティックイリジウム錯体、ならびに該化合物を用いた発光材料および有機発光素子
KR100679949B1 (ko) 유기 발광 재료
JP2003221393A (ja) アミン化合物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061023

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100309

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100322

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4491666

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416

Year of fee payment: 4