KR100765728B1 - 산소 플라즈마 및 열처리를 이용한 ｉｔｏ 표면처리방법 및이 방법에 의해 제조된 ｏｌｅｄ 소자 - Google Patents

산소 플라즈마 및 열처리를 이용한 ｉｔｏ 표면처리방법 및이 방법에 의해 제조된 ｏｌｅｄ 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 우수한 도전성(Conductivity)과 높은 일함수(Work function) 그리고 뛰어난 투명도(Transparency)를 가지고 있어 디스플레이 산업에서 투명 전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물(Indium-Tin-Oxide:ITO)의 표면처리에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 본 발명은 산소 플라즈마 그리고 동시에 산소 플라즈마 분위기 속에서의 열처리를 이용한 ITO 표면처리 방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 OLED 소자의 특성향상에 관한 것이다.
산소 플라즈마 공정 중에 열처리 공정을 추가하면 반응성이 높은 활성화된 산소 라디칼이나 원자, 분자들이 ITO 표면에 높은 에너지로 조사되고 ITO 표면에 전기 음성도가 큰 마이너스 전하를 띄는 산소를 흡착 시킨다. 결국 Anode(양극) 전극을 통하여 들어온 Mobility가 큰 홀(Hole)은 마이너스 전하를 띄는 흡착된 산소에 의해 HTL과 EML 사이에 축적되고 축적된 플러스 전하는 음극의 전자를 끌어당기는 역할을 하게 되어 홀과 전자의 수가 균형을 맞추게 됨으로써 홀과 전자의 결합이 효율적으로 이루어져 OLED 소자의 성능향상을 가져온다.

Description

산소 플라즈마 및 열처리를 이용한 ＩＴＯ 표면처리방법 및 이 방법에 의해 제조된 ＯＬＥＤ 소자{SURFACE TREATMENT METHOD OF ITO USING OXYGEN PLASMA AND THERMAL TREATMENT AND OLED DEVICE USING THE SAME METHOD}
도 1은 유기 발광 소자의 구조,
도 2는 각각의 샘플에 대한 I-V, L-V 특성 그래프,
도 3은 각각의 샘플에 대한 효율(Power efficiency)―V 특성 그래프,
도 4는 각각의 샘플에 대한 O1s XPS 결과 분석 그래프,
도 5는 각각의 샘플에 대한 C, In, Sn, O의 정량분석 값을 나타낸 표이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 유리 기판 2 : 양극(ITO)
3 : 산소 플라즈마 처리와 동시에 열처리 ITO표면
4 : 정공 수송층(HTL) 5 : 발광층(EML)
6 : 버퍼층(LiF) 7 : 음극
본 발명은 우수한 도전성(Conductivity)과 높은 일함수(Work function) 그리 고 뛰어난 투명도(Transparency)를 가지고 있어 디스플레이 산업에서 투명 전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물(Indium-Tin-Oxide:ITO)의 표면처리에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 본 발명은 산소 플라즈마 그리고 동시에 산소 플라즈마 분위기 속에서의 열처리를 이용한 ITO 표면처리 방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 OLED 소자의 특성향상에 관한 것이다.
ITO는 OLED(Organic Light-Emitting Diodes), LED(Light-Emitting Devices), LCD(Liquid Crystal Display), 태양전지(Solar Cell)등 광범위한 분야에 적용되고 있다.
주로 디스플레이 산업에서 투명전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물(ITO)의 표면 개질은 소자의 성능향상에 많은 기여를 하였다. 이전에는 단순히 습식세정(Wet Cleaning)을 이용해 ITO 표면의 유기물질을 제거하는데 그쳤지만 점점 더 그 중요성이 부각됨에 따라 습식세정(Wet Cleaning) 뿐만이 아닌 UV 오존을 이용한 개질, 여러 기체를 이용한 플라즈마 개질 등 다양한 시도를 해 왔다. 그 중에서도 산소 플라즈마를 이용한 개질은 ITO 표면의 유기물을 제거하는데 그치지 않고 표면의 거칠기(Roughness)를 평탄화 시키고 화합물의 구성비를 변화시켜 소자의 성능 향상을 가져 왔다.
예를 들어, 유기 발광 소자는 일반적으로 두 개의 반대 전극 사이에 박막의 유기물들로 이루어져 있고, 그 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어져 있다. 통상적인 유기 발광 소자의 다층 구조는 양극으로부터 정공을 주입 받는 정공 주입층(hole injection layer), 정공을 전달하 는 정공 수송층(hole transporting layer), 정공과 전자가 결합하는 발광층(emitting layer), 음극을 포함한다. 선택적으로 소자의 효율과 수명을 더욱 향상시키기 위하여 상기 층들을 혼합 물질로 구성하거나 추가적인 역할을 하는 층들을 도입할 수 있다. 또한, 소자의 제작을 간단히 하기 위하여 여러 가지의 기능을 동시에 갖는 물질을 사용하여 사용되는 층의 수를 줄일 수도 있다.
유기 발광 소자에서 발광된 빛을 외부로 발산하기 위하여 기판의 한쪽 전극은 가시광선에 대하여 흡수가 적은 투명한 물질을 사용하게 되는데, 이 투명 전극 물질로 바로 ITO(Indium Tin Oxide)가 일반적으로 사용되며, 이 물질은 정공을 주입하는 양극으로 사용된다.
유기 발광 소자의 원리는 다음과 같다. 일 함수가 높은 양극과 낮은 음극에서 발생된 각각의 정공과 전자가 정공 주입 층/정공 수송층 및 전자 주입층을 통하여 발광층에 주입되면, 발광층 내에 엑시톤(Exciton)이 생성되며, 이 엑시톤이 소멸될 때 그 에너지에 해당하는 빛을 발생하게 된다.
유기 발광 소자의 효율(efficiency), 수명, 구동 전압 및 발광색에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 특히, 효율 및 수명의 경우 유기 발광 물질과 전극 사이의 계면 상에서의 전하 주입이 가장 큰 영향을 주기 때문에 계면 특성을 향상시키는 것에 대한 연구가 집중되고 있다.
ITO 기판은 표면 상태에 따라 ITO 표면의 일함수(Work function)와 정공수송층의 표면 일함수와의 접합계면에서 표면 전위 차가 발생하게 되고 여기에 기인하여 소자의 발광개시전압에서 수 V의 차이가 생기게 된다. 또한 기판 표면의 유기물 질과 수분 흡착, 모폴로지(Morphology) 그리고 ITO 스퍼터링시 O/In의 비율에 따라 ITO 표면의 일함수는 큰 변화가 나타난다.
정공수송층(Hole Transporting Layer)과 접합되는 ITO의 표면을 물리적, 화학적으로 안정한 상태로 유지하기 위한 전처리 기술로는 평행 평판형 방전을 이용한 ITO 표면산화법, 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 ITO 표면을 산화하는 방법, UV-ozone-HCl과 같은 습식처리를 혼용하는 방법, 산소, 아르곤, CF4/O2 가스를 공급 하면서 챔버 내에 진공을 유지하여 RF 발생기에 의해 플라즈마를 발생시켜 ITO 표면을 개질시키는 방법 등 여러 가지가 있다. 위와 같은 전처리는 공통적으로 ITO 표면의 산소이탈을 방지하고 수분 및 유기물의 잔류를 최대한 억제하는 효과가 있다.
종래기술로서 산소 플라즈마를 이용하여 인듐 주석 산화물(ITO)의 표면을 개질하는 방법이 개시되어 있다(1999년 4월 28일자 출원된 일본특허출원 제1999-120875호, surface modifying method for ITO thin film, 출원인 ULVAC JAPAN LTD). 상기 일본출원에서는 산소 플라즈마를 생성하고，ITO 기판을 플라즈마 생성 장치에 넣고 교류 전압을 인가하여 인듐 주석 산화물(ITO)을 개질 시킨다. 표면을 산소 플라즈마로 처리하게 되면 Sn 농도가 높은 표면이 식각되고 또한 산소가 공급되어 표면 산소의 농도가 커지게 된다. 따라서, 산소 플라즈마 처리에 의하여 일 함수가 커지게 되고 그 결과 정공 주입의 장벽이 작아지게 되어 소자의 성능이 향상된다고 알려져 있다.
또한 종래 기술로서, 한국 특허출원 제2003-0032864호(2003.05.23), 출원인 주식회사엘지화학, "질소플라즈마 처리된 ITＯ 필름 및 이를 양극으로 사용한 유기 발광 소자(THE ITO FILM TREATED BY NITROGEN PLASMA AND THE ORGANIC LUMINESCENTDEVICE USINGTHE SAME)"에서는 ITO를 포함하는 필름의 표면을 질소 플라즈마 처리함으로써 질소 화합물을 포함하는 ITO 필름을 생성하는 방법이 개시되어 있다. 그러나 상기와 같은 종래기술처럼 비활성 기체인 질소 플라즈마를 이용한 ITO 표면개질은 한계성을 가지고 있다. 즉 소자의 효율성에 많은 영향을 미치는 ITO 표면에 흡착된 유기물의 제거율이 미미하다.
또한, ITO가 코팅된 기판위에 산소 플라즈마 처리를 하여 인듐 주석 산화물(ITO)의 표면의 물리적, 화학적, 전기적 특성을 향상시키기 위한 기술이 공지되어 있다(Surface characterization of O2-Plasma-Treated ITO anodes for Organic Light Emitting Device applications, Hyoungsik Kim, Junho Lee, Chinho Park, Journal of the Korean Physical Society , Vol 41, No. 3. 2002). 그러나 상기 문헌의 경우 다소 긴 시간동안 산소 플라즈마 처리를 하여야 하기 때문에 공정 효율성이 떨어지며 또한 재현성이 어렵다.
ITO가 코팅된 기판을 Carbon TetraFluorinde(CF4)/Oxygen(O2) 플라즈마 처리하여 인듐 주석 산화물(ITO)의 표면의 물리적, 화학적, 전기적 특성을 향상시키기 위한 기술이 공지되어 있다(Plasma treatments of indium tin oxide anodes in carbon tetrafluorinde (CF4)/oxygen(O2) to improve the performance of organic light-emitting diodes, I-Min Chan, Franklin Chau-Nan Hong, Thin solid Films 444(2003) 254-259). 그러나 Carbon TetraFluorinde (CF4)/Oxygen (O2) Plasma 처리를 이용해 소자의 성능을 향상시키는 상기 문헌은 공정조건이 까다로워 공정을 구현하는데 어려움이 있다. 또한 사용하는 기체가 탄소를 함유하고 있고 유해한 가스를 사용한다.
따라서 본 발명은 상기 종래 기술이 가지고 있는 문제점들을 해결함과 동시에 Display에 널리 사용되는 ITO 표면개질 공정의 다변성을 확보하기 위해 안출된 것으로서, ITO 스퍼터링 할 때 벌크와 표면에 결핍된 산소를 보충하고 표면에 전기 음성도 값이 큰 산소를 흡착시켜 정공주입장벽(Hole injection barrier)을 낮추고 일함수를 높여 OLED 소자의 전기적, 물리적, 화학적 성질을 향상시키기 위한 것이다.
또한 본 발명은 산소 플라즈마 그리고 동시에 산소 플라즈마 공정 중에서의 열처리 하여 ITO 표면의 오염원인 탄소를 제거하고 표면 거칠기도 향상시키고 전기 저항값도 낮추어 궁극적으로 OLED 소자의 성능을 향상시키기 위한 것이다.
이러한 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는 우선 시스템에 맞는 적절한 산소 플라즈마의 공정조건과 그리고 열처리 온도 조건을 설정한다. 공정변수는 RF 파워, 챔버압력, 가스유속, 노출시간, 온도 그리고 기판의 위치가 있다. 각각의 공정 변수를 변화시킨 후 소자를 제작하고 특성을 분석하여 최적의 조건을 잡는다.
산소 플라즈마 공정 중에 열처리 공정을 추가하면 반응성이 높은 활성화된 산소 라디칼이나 원자, 분자들이 ITO표면에 높은 에너지로 조사되고 ITO 표면에 전기 음성도가 큰 마이너스 전하를 띄는 산소를 흡착 시킨다 결국 Anode(양극) 전극을 통하여 들어온 Mobility가 큰 홀(Hole)은 마이너스 전하를 띄는 흡착된 산소에 의해 HTL과 EML 사이에 축적되고 축적된 플러스 전하는 음극의 전자를 끌어당기는 역할을 하게 되어 홀과 전자의 수가 균형을 맞추게 됨으로써 홀과 전자의 결합이 효율적으로 이루어져 OLED 소자의 성능향상을 가져온다.
결과적으로 ITO의 시트저항(Sheet resistance), 투과율, 모폴로지(Morphology), 결정(Crystallization), O/In 비율의 총체적 변화는 일함수의 향상으로 비발광 재결합(Recombination)을 통한 효율감소를 막고 구동전압(driving voltage)을 낮출 수 있고 ITO 표면의 거칠기(Roughness)값을 낮추어 ITO와 정공수송층(Hole Transporting Layer)의 높은 계면 접착력으로 소자의 효율을 높이는 결과에 이르게 된다.
이하 첨부된 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.
인듐 주석 산화물(ITO)의 표면 처리
ITO가 소정 두께로 패턴된 유리 기판을 습식세정(Wet Cleaning: Trichloroethylen, Acetone, Methanol, DI water)후에 RF 플라즈마 챔버(Chamber) 속에 ITO 기판을 넣는다. 다음에 진공펌프를 이용하여 챔버내 진공을 설정하고, MFC(Mass Flow Controller)를 사용하여 산소를 반응기에 유입시키면서 반응기내의 산소의 양을 조절하고 챔버내 압력을 조절한다. 다음에 RF 발생기 및 조절기를 이용하여 RF 파워를 조절하고 온도를 조절하고 노출시간을 조절하여 ITO 표면을 산소 플라즈마 처리와 동시에 열처리 한다.
플라즈마 챔버에서 산소 플라즈마를 이용하여 ITO 표면을 플라즈마 가공하는 중에, 챔버 내의 온도를 증가시켜 열처리 공정을 수행한다. 따라서, 산소 플라즈마 가공 중에 동시에 열처리 공정이 수행되도록 한다.
본 실시예에서 산소가 흐르는 RF 플라즈마 챔버의 압력은 대략 0.100 내지 0.200 Torr로 유지하며, 더욱 바람직하게는 0.130 내지 0.160 Torr로 유지한다. 그리고 산소 플라즈마 노출시간은 약 30초 내지 3분 이내이며, 바람직하게는 30초 내지 2분이다. 그리고 산소 플라즈마 공정중에 열처리 노출 시간은 1분 내지 3분 이내이며, 바람직하게는 1 내지 2분이다. RF 플라즈마 챔버에 가해지는 RF 파워는 약 30 내지 70W이다. 한편, 플라즈마 처리 중에 열처리를 위해 챔버의 온도를 약 400 내지 600℃로 유지한다. 열처리를 위해 플라즈마 챔버의 온도를 상승시키기 위해 할로겐 램프를 이용한다. 예를 들어, 플라즈마 공정 시작 후 약 1분 경과 후에 플라즈마 챔버의 온도를 상승시키기 시작하여 플라즈마 공정과 동시에 열처리를 수행한다.
도1은 유기 발광 소자의 구조를 도시한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 유기 발광 소자의 다층 구조는 양극(2), ITO 위에 산소 플라즈마/열처리가 이루어지는 부분(3), 정공을 전달하는 정공 수송층(Hole Transporting Layer:HTL)(4), 정공과 전자가 결합하는 발광층(Emitting Layer:EML)(5), 버퍼층(Buffer Layer;LiF)(6) 및 알루미늄(Al)로 이루어진 음극(7)을 포함한다. 유기 발광 소자에서 발광된 빛을 외부로 발산하기 위하여 기판의 한쪽 전극은 가시광선에 대하여 흡수가 적은 투명한 물질을 사용하게 되는데, 이 투명 전극 물질로 ITO(Indium Tin Oxide)가 사용되며, 이 물질은 정공을 주입하는 양극으로 사용된다. 또한 본 실시예에서 정공 수송층은 트리페닐 디아민(triphenyl diamine: TPD)을 사용하였고, 발광층으로서 Alq3을 사용하였다.
<비교예>
이하에서는 본 발명에 따라 산소 플라즈마 공정 중에 열처리된 ITO를 이용한 소자와 종래 기술에 의한 ITO의 전기적, 화학적 특성을 비교하였다. 이를 위해, 유리 위에 코팅된 ITO 표면에 산소 플라즈마/열처리 후 정공 수송층, 발광층, 버퍼층(LiF), 음극(Al)을 진공 증착(10-6 Torr) 시킨 후 소자의 전기적, 화학적 특성을 측정 하였다. 이러한 비교를 위하여 다음과 같은 4가지 종류의 샘플을 준비한다.
샘플 1 : 표면을 산소 플라즈마 공정 중에 열처리한 ITO를 이용한 소자
샘플 2 : 무처리(표면에 아무런 처리를 하지 않은) ITO를 이용한 소자
샘플 3 : 표면에 산소 플라즈마 처리를 한 ITO를 이용한 소자
샘플 4 : 표면에 열처리 한 ITO를 이용한 소자
이렇게 각각의 샘플소자가 완성되면 I-V, L-V, 효율(Power efficiency)―V를 측정하고 샘플을 XPS 분석한다.
도2는 각각의 샘플에 대한 I-V, L-V 특성 그래프를 도시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, I-V 결과는 ITO 표면 처리를 하지 않은 샘플과 산소 플라즈마만을 처리한 샘플의 턴온 전압(Turn on Voltage) 보다 산소 플라즈마와 동시에 열처리를 한 샘플의 턴온전압(Turn on Voltage)이 낮은 쪽으로 이동 하였다. 그리고 L-V도 마찬가지로 산소 플라즈마와 열처리를 동시에 진행시킨 샘플의 구동전압(Driving Voltage)이 아무런 처리를 하지 않은 샘플과 산소 플라즈마만을 처리한 샘플 보다 더 낮은 구동전압에서 구동됨을 확인 할 수 있었고 또한 높은 Brightness(휘도)를 보여 주었다.
도 3은 각각의 샘플에 대한 파워 효율(Power efficiency)―V 특성 그래프를 도시한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 산소 플라즈마 공정 중에 열처리를 한 샘플의 효율(Power efficiency)―V 특성 그래프가 산소 플라즈마 처리만한 샘플 그리고 아무런 처리도 하지 않은 샘플의 특성보다 더 높은 효율을 보이고 있다.
도4는 산소 플라즈마 공정 중에 열처리한 ITO를 이용한 샘플, 무처리 ITO를 이용한 샘플, 산소 플라즈마 처리 ITO를 이용한 샘플 그리고 열처리한 ITO를 이용한 샘플에 대한 O1s XPS 결과 분석 그래프이다. 도4에 도시된 바와 같이, 산소 플라즈마와 열처리를 동시에 한 샘플의 결합에너지(Binding energy)가 무처리 샘플과 산소 플라즈마 처리만을 한 샘플보다 높은 쪽으로 이동했음을 확인할 수 있고 새로 운 결합상태(Bonding state)가 생성되었음을 알 수 있다.
도5는 각각의 샘플에 대한 C, In, Sn, O2의 정량분석 값을 나타낸 표이다. 도5에 나타난 바와 같이, 소자의 성능 향상에 많은 영향을 미치는 탄소의 양이 줄고, 산소의 양이 증가된 소자는 산소 플라즈마와 열처리를 동시에 진행시킨 샘플이다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 하나의 실시예를 설명한 것이며, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 변경실시 가능한 범위까지 본 발명의 범위에 있다고 할 것이다.
기존의 산소 플라즈마 공정은 시간을 증가시켜 챔버내 온도를 상승시킴으로써 본 발명과 유사하게 공정을 진행 시킬 수 있으나, 이 경우 플라즈마에 의한 ITO 표면 손상을 가져오고 결과적으로 소자의 안정성에 영향을 끼치게 된다. 산소 플라즈마 공정 중에 열처리는 짧은 시간동안에 반응속도를 더욱 촉진시켜 ITO 표면에 전기 음성도가 높은 산소의 흡착 및 표면 구성물과의 결합과 결합상태(Bonding state)의 변화로 소자의 안정성과 특성 변화를 가져왔다. 즉 본 발명은 소자의 성능 향상이 산소 플라즈마 공정 중에 짧은 열처리를 동시에 진행시킴으로써 ITO 표면의 물리적, 화학적, 전기적 특성 향상을 극대화 할 수 있는 공정의 다변화에 기여를 할 것이다.

Claims (7)

  1. 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 필름의 표면을 RF 플라즈마 챔버에서 산소 플라즈마에 의한 처리 중에 열처리를 수행하며, 상기 열처리는 1분 내지 3분 동안 별도의 가열원에 의해 400℃ 내지 600℃ 범위의 온도로 상승시킴으로써 수행되는 인듐 주석 산화물(ITO) 표면 처리 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 산소 플라즈마 처리시 RF 플라즈마 챔버의 압력은 0.100 Torr 내지 0.200 Torr이고, 노출시간은 30초 내지 3분인 것을 특징으로 하는 인듐 주석 산화물(ITO) 표면 처리 방법.
  3. 삭제
  4. 제 2항에 있어서, RF 플라즈마 챔버에 가해지는 RF 파워는 30 내지 70W인 것을 특징으로 하는 인듐 주석 산화물(ITO) 표면 처리 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 열처리는 산소 플라즈마에 의한 처리 개시 1분 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 인듐 주석 산화물(ITO) 표면 처리 방법.
  6. 제 1항, 제 2항, 제 4항 및 제 5항 중의 어느 한 항에 있어서, 인듐 주석 산화물(ITO)의 표면 처리 방법은 유기 발광 소자 제조에 이용되는 것을 특징으로 하는 인듐 주석 산화물(ITO) 표면 처리 방법.
  7. 인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어진 양극(2), 정공을 전달하는 정공 수송층(Hole Transporting Layer:HTL)(4), 정공과 전자가 결합하는 발광층(Emitting Layer:EML)(5), 버퍼층(Buffer Layer;LiF)(6) 및 음극(7)을 순차적으로 포함하는 OLED 소자로서, 상기 인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어진 양극(2)과 상기 정공 수송층(4) 사이에 위치한 상기 인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어진 양극(2)의 일부 또는 전부에는 제 1항에 따라 산소 플라즈마 처리와 동시에 열처리가 이루어진 부분(3)이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 OLED 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010065494A3 (en) * 2008-12-01 2010-08-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Anode for an organic electronic device
US8343381B1 (en) 2008-05-16 2013-01-01 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport composition
US8420232B2 (en) 2008-12-04 2013-04-16 E I Du Pont De Nemours And Company Binaphthyl-arylamine polymers
US8431245B2 (en) 2009-09-29 2013-04-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for luminescent applications
US8440324B2 (en) 2005-12-27 2013-05-14 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel copolymers and electronic devices made with such compositions
US8460802B2 (en) 2007-06-01 2013-06-11 E I Du Pont De Nemours And Company Charge transport materials for luminescent applications
US8465848B2 (en) 2006-12-29 2013-06-18 E I Du Pont De Nemours And Company Benzofluorenes for luminescent applications
US8487055B2 (en) 2006-08-24 2013-07-16 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport polymers
US8497495B2 (en) 2009-04-03 2013-07-30 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8551624B2 (en) 2008-12-01 2013-10-08 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
KR101321332B1 (ko) * 2010-07-23 2013-10-23 광운대학교 산학협력단 산소 플라즈마를 이용한 ｉｔｏ 표면처리 방법
US8652655B2 (en) 2007-11-19 2014-02-18 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8759818B2 (en) 2009-02-27 2014-06-24 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for electronic applications
US9099653B2 (en) 2008-12-01 2015-08-04 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101228592B1 (ko) * 2011-03-02 2013-02-01 순천대학교 산학협력단 투명 전도성 산화막의 표면처리 방법
KR101351475B1 (ko) * 2012-12-31 2014-01-15 순천대학교 산학협력단 투명전도성산화물 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 투명전도성산화물 박막
KR102011873B1 (ko) 2013-05-02 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102064894B1 (ko) 2013-07-15 2020-01-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 구비하는 유기 발광 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010003045A (ko) * 1999-06-21 2001-01-15 김영환 유기 전계발광 표시소자의 제조방법
KR20010057125A (ko) * 1999-12-18 2001-07-04 이형도 양극이 처리된 유기발광소자 제조방법
KR20050017169A (ko) * 2003-08-08 2005-02-22 삼성에스디아이 주식회사 애노드 표면 개질층을 사용하는 유기 전계 발광 소자

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010003045A (ko) * 1999-06-21 2001-01-15 김영환 유기 전계발광 표시소자의 제조방법
KR20010057125A (ko) * 1999-12-18 2001-07-04 이형도 양극이 처리된 유기발광소자 제조방법
KR20050017169A (ko) * 2003-08-08 2005-02-22 삼성에스디아이 주식회사 애노드 표면 개질층을 사용하는 유기 전계 발광 소자

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8440324B2 (en) 2005-12-27 2013-05-14 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel copolymers and electronic devices made with such compositions
US8487055B2 (en) 2006-08-24 2013-07-16 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport polymers
US8465848B2 (en) 2006-12-29 2013-06-18 E I Du Pont De Nemours And Company Benzofluorenes for luminescent applications
US8460802B2 (en) 2007-06-01 2013-06-11 E I Du Pont De Nemours And Company Charge transport materials for luminescent applications
US8889269B2 (en) 2007-11-19 2014-11-18 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8652655B2 (en) 2007-11-19 2014-02-18 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8343381B1 (en) 2008-05-16 2013-01-01 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport composition
US9574084B2 (en) 2008-05-16 2017-02-21 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport composition
WO2010065494A3 (en) * 2008-12-01 2010-08-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Anode for an organic electronic device
US9099653B2 (en) 2008-12-01 2015-08-04 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8551624B2 (en) 2008-12-01 2013-10-08 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8420232B2 (en) 2008-12-04 2013-04-16 E I Du Pont De Nemours And Company Binaphthyl-arylamine polymers
US8759818B2 (en) 2009-02-27 2014-06-24 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for electronic applications
US8890131B2 (en) 2009-02-27 2014-11-18 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for electronic applications
US8497495B2 (en) 2009-04-03 2013-07-30 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8431245B2 (en) 2009-09-29 2013-04-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for luminescent applications
KR101321332B1 (ko) * 2010-07-23 2013-10-23 광운대학교 산학협력단 산소 플라즈마를 이용한 ｉｔｏ 표면처리 방법

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Publication number Publication date
KR20070098314A (ko) 2007-10-05

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