TWI389593B - 有機發光設備之製造方法 - Google Patents

Description

有機發光設備之製造方法

本發明係有關能夠被使用於影像顯示設備、照明系統等等之有機發光設備的製造方法。

於1987年，Tang等人已提出具有一組態之有機發光裝置(有機EL(電致發光)裝置)，而在該組態中，具有不同載子可移動性之有機化合物被層疊，並且分別從陽極和陰極中以良好的平衡噴射出電洞和電子。明確地說，藉由將有機化合物層(有機EL層)之厚度設定為200 nm或更少所產生之裝置已達成一效能及以10 V之電壓的1,000 cd/m² 的亮度(luminance)，其迄今尚未被達成。

之後，直到目前為止一直企圖獲以更低電壓的高亮度發光。舉例來說，日本專利申請案公開第H07－142168號揭示一ITO陽極受到UV處理或電漿處理做為形成有機EL層之前的處理，藉此，發光臨界值減少以提高電流特性，並且抑制發光特性隨著時間而劣化。

日本專利第3,704,883號揭示一陽極基板之形成方法，其中，在縮減壓力下一貫地實施在有機EL層的形成、有機EL層的形成、陰極的形成前之處理。更明確地說，藉由乾式蝕刻來實施陽極的圖案化，並且在縮減壓力下一貫連續地實施UV臭氧處理和氧氣電漿處理，藉此，陽極的表面變得乾淨，陽極被適當地氧化以提高電洞注射特性 ，使發光均勻，使驅動電壓減小，並且使壽命延長。

日本專利申請案公開第H11－045779號揭示一包含藉由透過在縮減壓力下以臭氧產生機所產生的臭氧來潔淨陽極基板以實施在有機EL層的形成前之處理，而沒有使用UV－光或電漿之技術。

日本專利第3,394,130號揭示一技術，包含在0.0001到0.1 Pa的縮減壓力下，以具有指向性(directivity)之UV－光來照射基板，並且以更高的周圍壓力將基板運送至有機EL層形成室以形成有機EL層，藉以防止基板被污染於在有機EL層的形成前之處理的室中。

日本專利申請案公開第2000－353593號揭示在一基板上之第一電極被形成，且在有氧和氮的情況中被來自UV－光燈之UV－光所照射，藉此，具有第一電極之基板被潔淨。其敘述較佳在潔淨期間將清潔室中的壓力調整為4.00 Pa到周圍壓力，其亦敘述一例，即，使用負光阻來形成分隔壁，之後導入氧和氮，並且在周圍壓力下潔淨具有第一電極之基板。

在發光設備中所使用的有機EL裝置中，為了界定在基板側上之電極的發光區域和形狀，並且為了致使電極能夠單獨地發光，通常形成一主要包含樹脂材料及無機材料之裝置分隔膜。通常藉由將基板側上之電極(下側電極)形成為陽極或陰極，而後藉由均勻地塗施樹脂材料、無機材料、或其前驅物於電極的表面上，或者藉由使用諸如CVD之膜形成方法來形成這樣的裝置分隔膜。

在具有裝置分隔膜的有機EL裝置中，可能無法獲得到足夠的驅動耐久性特性，並且在某些情況中，在使裝置保持於高溫及高濕度下之後，發光狀態可能變成不均勻。這被認為是由在上述裝置分隔膜的形成期間，於所露出之圖素電極上之裝置分隔膜材料或光阻製程中所使用之抗蝕劑材料的殘餘物，以及由在裝置分隔膜中所儲存之水分所造成的。

此外，藉由上述UV處理或電漿處理來分解裝置分隔膜，並且所分解之物質也被認為由於黏著於會圖素電極的表面而造成上面的問題。也就是說，一直都沒有用於在有機EL層的形成前之處理的技術，其中，有效率地潔淨具有電極之基板和形成於其上之裝置分隔膜，並且滿足充分的驅動耐久性特性及離開(leaving)耐久性特性。

在上面的日本專利第3,704,883號中，藉由乾式蝕刻來實施陽極的圖案化，並且在縮減壓力下一貫地實施UV臭氧處理和氧氣電漿處理，藉此，陽極的表面變得乾淨，並且陽極被適當地氧化以提高電洞注射特性。此外，做為以UV臭氧潔淨之方法，氧氣自高真空狀態導入，使得獲得到0.01 torr(約1.33 Pa)的壓力，並且照射UV－光。

但是，依據這種方法，不能夠形成裝置分隔膜，或者即將被使用之材料等等需要被嚴格地限制，所以不能夠達成有機EL裝置為一高品質的發光設備。

日本專利申請案公開第H11－045779號使用包含藉由以臭氧產生機所產生的臭氧來潔淨圖素電極的表面，而沒 有使用UV－光或電漿之方法。但是，依據此方法，因為不能夠獲得以UV能量來切割分子間鍵的功效，所以污染物和殘餘物的分解並未充分地進行。因此，不能夠獲得到優異的驅動耐久性特性。

日本專利第3,394,130號使用包含在0.0001到0.1 Pa的縮減壓力下照射具有指向性之UV－光的方法。但是，在此壓力範圍中不能夠產生所需之量的臭氧和活性氧，而且不能夠滿足優異的驅動耐久性特性。

在上面的日本專利申請案公開第2000－353593號中，清潔室中的壓力為4.00 Pa到周圍壓力，並且在此例中，於周圍壓力下實施照射係較佳的。但是，在周圍壓力下，殘留在電極之表面上的污染物和殘餘物進一步增加，與在潔淨之前的狀態比較，其反而會使狀態劣化。此外，依據本案發明人所實施的實驗，發現到4.00的壓力太低而不能夠產生所需之量的臭氧和活性氧，而且不能夠獲得優異的驅動耐久性特性。

本發明提供一有機發光設備之製造方法，其滿足優異的驅動耐久性特性及離開－劣化(leaving－degradation)耐久性特性。

為了達成上述目的，本發明提供一有機發光設備之製造方法，該有機發光設備包含一基板、一形成於該基板上之有機發光裝置、及一形成於該有機發光裝置之周圍上的 裝置分隔膜，該有機發光裝置從該基板側按照所述之順序包含一下側電極、一有機化合物層、及一上側電極，該方法包含：藉由以UV－光來照射具有至少該下側電極和形成於其上之該裝置分隔膜的基板，而同時將含有至少氧之氣體導入大氣中，且在從10 Pa或更高到10,000 Pa或更低的範圍中之壓力下排出該氣體，以潔淨該基板；形成一有機化合物層於該經潔淨之下側電極上；以及形成一上側電極於該有機化合物層上。

依據本發明，以UV－光來照射具有至少一下側電極和形成於其上之裝置分隔膜的該基板，而同時在從10 Pa或更高到10,000 Pa或更低的範圍中之壓力下，將含有至少氧之氣體導入大氣中及排出該氣體。因此，獲得到優異的驅動耐久性特性及離開耐久性特性。

明確地說，裝置分隔膜材料及抗蝕劑材料的殘餘物和殘留在下側電極上的污染物於10 Pa或更高到10,000 Pa或更低的縮減壓力下，藉由UV－光的照射而以UV－光的能量來予以分解。此外，以由UV－光所產生的臭氧和活性氧與氧之反應，及縮減之周圍壓力的去除功能來有效率地去除殘餘物和污染物。由於此，保持電洞和電子從下側電極注射入有機EL層中之耐久性，其顯著地提高驅動耐久性特性。

此外，甚至在裝置分隔膜儲存有水分的情況中，以少量的UV－光來使裝置分隔膜的表面分解，並且水分由於縮減之周圍壓力而被有效率地擴散於大氣中。因此，引人注 目地消除了可能在高溫及高濕度下離開設備後發生之發光狀態的不均勻。此外，因為周圍壓力係在從10 Pa或更高到10,000 Pa或更低的範圍中，所以經分解之裝置分隔膜黏著於下側電極之表面的問題不可能出現。

本發明之其他特徵將從下面參照附圖之代表性實施例的說明而變得明顯。

依據本發明之有機發光設備的製造方法係適合實施做為有機發光設備之製造方法，該有機發光設備包含一基板、一形成於該基板上之有機發光裝置、及一形成於該有機發光裝置之周圍上的裝置分隔膜。和一般有機發光裝置相同的方式，本發明中之有機發光裝置從該基板側按照順序包含一下側電極、一有機化合物層(有機EL層)、及一上側電極。

該製造方法包含以UV－光來照射其上係形成有至少上述下側電極和上述裝置分隔膜的基板，而同時在從10 Pa或更高到10,000 Pa或更低的範圍中之壓力下，將含有至少氧之氣體導入大氣中及自大氣中排出該氣體的潔淨程序(前處理程序)。此外，該製造方法包含形成一有機化合物層於該經潔淨之下側電極上的程序，以及形成一上側電極於該有機化合物層上的程序。

習知上，烘烤處理通常係實施於真空下，以便在形成裝置分隔膜之後，在形成有機EL層之前從裝置分隔膜中 去除水分。然後，在脫水之後，通常會形成有機EL層，而同時保持真空狀態，使得水分不會再次回到裝置分隔膜。

但是，依據本發明，經由UV－光之照射以使下側電極之表面潔淨，而同時在實施真空烘烤之後，在比真空更高之從10 Pa或更高到10,000 Pa或更低的縮減壓力環境下，含氧氣體被導入大氣中及自大氣中排出該氣體。然後，在潔淨之後，於真空下形成有機EL層，藉此，能夠獲得到令人滿足的發光特性。本發明中的真空係指10^－6 Pa或更高到10^－2 Pa或更低的壓力範圍。

在下文中，將參照圖1來說明有機發光設備之組態及製造程序。圖1係示意例舉構成本發明之有機發光設備的一個有機發光裝置之剖面的視圖。

薄膜電晶體(TFT)2係排列及形成於包含玻璃、矽、或塑膠膜之基板1上，以便對應於各圖素。如果有機發光裝置為頂部發光型有機發光裝置，則基板1並不需要具有透光性。

在基板1上，設置層間絕緣膜3，以便覆蓋TFT 2，並且該層間絕緣膜3係設有使配線(未例舉出)到達TFT 2之連接孔4。做為層間絕緣膜3，可以使用包含氧化矽(SiO₂ )或氮化矽(Si₃ N₄ )之無機材料膜；但是，希望藉由隱藏TFT和配線部分的不平坦以使膜表面平坦，所以通常設置幾μm到幾十μm之厚度的丙烯酸樹脂膜。

經由連接孔4而被連接至配線的下側電極5被圖案化， 以便對應於層間絕緣膜3上之各圖素(有機發光裝置)。下側電極5，舉例來說，被使用做為有機發光裝置的陽極。因此，如果該有機發光裝置為頂部發光型有機發光裝置，則使用具有高反射率之材料(諸如，Cr，Ag，Al)，或者其具有其他金屬的合金。為了提高電荷的注射效率，也有可能層疊包含ITO或IZO之導電氧化物膜。在下側表面發光類型的情況中，使用ITO、IZO等等。

為本發明之特徵的形成有機EL層前之處理能夠被最佳第使用於有機發光裝置，而在該有機發光裝置中，基板側電極(下側電極5)為陽極，以便提高功函數。但是，甚至在基板側電極為陰極的情況中，也能夠獲得該功效。

在層間絕緣膜3上，設置裝置分隔膜6，以便覆蓋下側電極5的周圍。裝置分隔膜6包含開口部分7，該開口部分7被圖案化以便僅使該下側電極5的表面暴露出，開口部分7實質上用做為該有機發光裝置中的發光部分。

做為裝置分隔膜6，適當地使用包含感光性聚醯亞胺、丙烯酸樹脂等等之樹脂材料膜，或者包含氧化矽(SiO₂ )之無機材料膜。

因此，希望具有至少下側電極5和形成於其上之裝置分隔膜6的基板被製造，受到以各種溶劑、表面活性劑、純水等等之溼式潔淨，以及受到藉由在真空下加熱於約100℃到200℃的脫水作用。

在藉由加熱的脫水作用之後，緊接著有機EL層(有機化合物層)8的形成之前立即實施為本發明之特徵的前處理 程序。明確地說，在連接至用以形成有機EL層8之真空氣相沉積設備的基板前處理設備中，上面的裝置基板被處理。

圖2為例舉本發明之基板前處理設備的示意圖。參考數字31表示真空槽，參考數字32表示UV－燈，參考數字33表示基板(裝置基板)，參考數字34表示質量流量控制器，參考數字35表示真空計，參考數字36表示壓力控制器，及參考數字37表示變動閥。

基板前處理設備包含一被設計而藉由連接至變動閥37來抗臭氧之乾式泵，而變動閥37之開口部分能夠被調整，以及一能夠在高真空下排放的渦輪分子泵。壓力控制器36根據真空計35來調整變動閥37之開口部分，基板33係藉由調節周圍壓力而受到以UV－燈32之UV－臭氧處理，且同時諸如乾空氣及氧之氣體正用這些機制和質量流量控制器34來予以導入。

希望即將被導入之諸如乾空氣及氧的氣體含有盡可能少的水分，且適當地使用具有－70℃之露點的氣體。

做為UV照射源(燈)32，能夠使用低壓水銀燈及準分子燈。在含有至少氧之氣體正以0.1 slm到500 slm之範圍中的方式而被導入，且周圍壓力正以10 Pa到10,000 Pa之範圍中的方式而被導入時，以UV光照射基板33持續0.5分鐘到60分鐘的時間。基板33與UV－燈32之間的距離希望是在1 mm到50 mm的範圍中，並且為了使照射強度均勻，希望基板33或UV－燈32被搖動。在照射UV光一段預定 的時間之後或者在UV光正被輻射的同時，停止氣體的導入，並且基板前處理設備被抽空而到達10^－3 Pa或更低的真空。之後，基板33被快速地運送至真空氣相沉積設備，而同時保持高的真空氛圍。

在周圍壓力低於10 Pa的情況中，即使氧氣被導入於大氣中並且被排出，去除下側電極5之表面上的污染物和殘餘物之分解物質所需之臭氧及活性氧的量係不足夠的。因此，不能夠滿足優異的驅動耐久性特性，並且顯著地抑制載子從下側電極5到有機EL層8之注入。

此外，在周圍壓力高於10,000 Pa的情況中，在下側電極5之表面上殘餘的污染物和殘餘物增加更多，驅動耐久性特性劣化，在裝置分隔膜6中所儲存的水分不可能被擴散於大氣中，並且特別是在高溫及高濕度下，可能使離開－劣化(leaving－degradation)耐久性特性劣化。

在有機EL層之形成前的處理之後，有機EL層8被形成於所運送之裝置基板上，主要使用真空加熱氣相沉積法。做為形成有機EL層8之方法，除了真空加熱氣相沉積法之外，EB氣相沉積法、LB法、旋塗法、噴墨法、熱轉印法等等。藉由連續地層疊而獲得到有機EL層8，例如，電洞運送層、發光層、電子運送層、電子注射層等等。

在形成有機EL層於真空下之情況中，如同在真空加熱氣相沉積法中，通常，從藉由加熱基板之脫水到下面的密封程序的製程被一貫地實施於真空下。因此，能夠使大氣對有機EL層的影響達最小。但是，依據本發明，在基 板前處理的程序期間藉由增加高於真空的壓力，並且在10 Pa或更高到10,000 Pa或更低的縮減壓力下潔淨基板，能夠顯著地提高有機發光裝置之驅動耐久性特性及離開－劣化耐久性特性。

接著，上側電極(陰極)9被設置以便覆蓋有機EL層8。上側電極9被設置做為在基板1之上方的一層，當做為各個圖素所共有的電極。在頂部發射型的情況中，上側電極9具有光透性。通常，使用包含包含ITO、IZO等等之導電氧化物膜。在下側表面發光型的情況中，上側電極9為反射電極，且Al,Ag或其與另一金屬之合金被適當地使用。

此外，為了防止水分滲透至有機EL層8，有機發光裝置被密封。包含諸如氧化矽或氮化矽之無機材料膜或聚合物膜的透明保護膜10可以被提供來密封有機發光裝置。在此情況中，在形成有機EL層之後一直到密封程序之製程適合被實施於真空下。此外/或者，有機發光裝置可以用諸如玻璃板之蓋材料來予以密封。在此情況中，諸如氮之惰性氣體被密封於該蓋材料與有機發光裝置之間的間隙中係較佳的，且在此情況中，有機發光裝置在密封程序之前自真空解除。

在上面的實施例中，在基板上設置一個有機發光裝置。但是，本發明係可應用於一顯示設備，其中，多個有機發光裝置係配置於基板上，各個有機發光裝置構成一圖素。該多個有機發光裝置之驅動可為主動矩陣型，其中，各 圖素包含一控制各發光裝置之發光的切換元件，或者可為被動矩陣型，其中，發光裝置係形成於條形電極的交叉點處。

藉由本發明之製造方法所製造的有機發光設備能夠被使用於各種電子器具的顯示部分、照明系統的發光部分等等。電子器具的例子包含電視、個人電腦、數位照相機、移動式電話、移動式音樂播放設備、個人數位助理(PDA)、及汽車導航系統。

在下文中，依據本發明之有機發光設備的製造方法將經由舉例及其結果來予以說明。此外，表1總結實例及比較例的設定條件和結果。此外，圖3例舉實例中之有機發光設備的製造流程，及在各個程序中之壓力的改變。

(實例1)

具有2μm之厚度的裝置分隔膜係使用正感光性聚醯亞胺樹脂而被形成於基板的整個表面之上，而形成於Ag合金膜(厚度：100 nm)上之ITO膜(厚度：60 nm)被設置於基板上做為陽極(下側電極)。接著，藉由以UV－燈來曝光而使裝置分隔膜圖案化，藉此，形成開口部分。

如此所獲得之裝置基板以界面劑之水溶液來予以潔淨，並且以離子交換水和超音波來予以沖洗。

已潔淨之裝置基板被放置於真空乾燥器中，藉此，於200℃實施脫水24小時。

受到脫水之裝置基板被引導進基板前處理設備中，和 低壓水銀燈(輸出：110 W)相對，並且以20 mm/sec的速率搖動於50 mm之間隔的範圍中，燈與基板之間最短距離為5 mm。基板前處理設備被抽空而獲得到5×10^－5 Pa的高真空狀態，且之後，具有－80℃之露點的乾空氣以10 slm之流動速率而被導入於基板前處理設備中。當基板前處理設備中的壓力到達1,000 Pa時，以壓力控制器來取得排氣壓力之平衡，而同時乾空氣正被導入，藉此，使基板前處理設備中的壓力保持在1,000 Pa。

在此狀態中，以UV－光來照射裝置基板而受到UV臭氧處理10分鐘。

在經過10分鐘之後，停止UV－光的照射，以中止乾空氣的導入，藉此，使基板前處理設備排氣抽空。

當基板前處理設備中的壓力到達1×10^－3 Pa時，裝置基板被運送至維持在1×10^－3 到5×10^－4 Pa之真空氣相沉積設備的有機EL層氣相沉積室，且有機EL層、上側電極及保護膜經由後續的程序而被連續地層疊。

N,N－α－二萘聯苯胺(dinaphthylbenzidine)(α－NPD)係受到真空－沉積而在從開口部分所露出之陽極上具有40 nm的厚度，藉此，形成電洞運送層。然後，香豆素6(1.0 vol%)和三[8－羥基喹啉酸]鋁(Alq3)之共同沉積膜被形成而具有30 nm的厚度，藉此，形成發光層。接著，做為電子運送層，三[8－羥基喹啉酸]鋁(Alq3)被形成而具有10 nm的厚度。此外，碳酸銫(0.7 vol%)和三[8－羥基喹啉酸]鋁(Alq3)之共同沉積膜被形成而具有40 nm的厚度，藉此， 形成電子注入層。各層相當於有機EL層。

然後，基板被運送至真空氣相沉積設備的濺射室，且銦錫氧化物(ITO)在0.6 Pa的壓力下且同時Ar氣體正藉由濺射而被導入(100 sccm)而被形成為一具有220 nm之厚度的膜，藉此，形成陰極9。此外，氧氣體(0.2 sccm)和氮氣體(10 sccm)被導入，且矽(Si)靶材在0.6 Pa的壓力下受到反應濺射，藉此，透明的氮氧化矽膜(Si－O－N)被形成而具有500 nm的厚度，藉此，形成表面保護膜10。其後，完成膜形成程序之基板被運送至手套箱，並且以含有乾燥劑之玻璃蓋來密封手套箱於氮氣氛圍中。

經由上面之製造程序所獲得到之有機發光設備的有機發光裝置(發射綠光)係以恆定的電流(以100 mA/cm² 之電流值)而被連續點亮100小時，並且以亮度計(由Topcon公司所製造之BM－7)來測量初始亮度和100小時之後的亮度，藉此，評估發光特性上的改變。亮度改變L(100h)/L(ini)為95.0%(初始亮度L(ini)＝1,300 cd/m² )，且獲得到優異的驅動及壽命特性。

然後，有機發光設備被放置在恆溫恆濕箱中於80℃之溫度和80%之濕度，藉此，實施1,000小時之離開評估(leaving evaluation)。當離開後之發光狀態被觀察時，發現到綠光被均勻地發射，如同在離開前的情況中。

(實例2)

以和實例1中之相同方式來製造裝置基板，除了使用 具有500 nm之厚度的Cr膜做為陽極，接著潔淨和脫水之外。此外，做為形成有機EL層之前的處理，以和實例1中之相同方式來實施UV臭氧處理，除了將周圍壓力設定為100 Pa之外。

以和實例1中之相同方式來評估所獲得到之有機發光設備，而發現到L(100h)/L(ini)為94.5%(初始亮度L(ini)＝1,050 cd/m² )，且和實例1中相同，有機發光設備具有優異的驅動及壽命特性。此外，在離開於80℃之溫度和80%之濕度1,000小時之後的發光狀態係和在離開之前的情況相同。

(實例3)

以和實例1中之相同方式，使用在實例1中所使用之裝置基板按照原樣來製造有機發光設備，除了在形成有機EL層之前的處理期間之壓力為10,000 Pa之外。

以和實例1中之相同方式來評估所獲得到之有機發光設備，而發現到L(100h)/L(ini)為92.8%(初始亮度L(ini)＝1,290 cd/m² )，且有機發光設備具有優異的驅動及壽命特性，儘管它們略遜於實例1中之驅動及壽命特性。此外，在離開於80℃之溫度和80%之濕度1,000小時之後的發光狀態係和在離開之前的情況相同。

(實例4)

以和實例1中之相同方式，使用在實例1中所使用之裝 置基板按照原樣來製造有機發光設備，除了在形成有機EL層之前的處理期間之壓力為10 Pa，即將被導入之氣體為具有99.9%純度的氧氣，導入流動速率為0.5 slm，及UV－光照射時間為20分鐘之外。

以和實例1中之相同方式來評估所獲得到之有機發光設備，而發現到L(100h)/L(ini)為91.6%(初始亮度L(ini)＝1,210 cd/m² )，且有機發光設備具有在實際使用上並沒有任何問題的驅動及壽命特性，儘管它們略遜於其他實例中之驅動及壽命特性。此外，在離開於80℃之溫度和80%之濕度1,000小時之後的發光狀態係和在離開之前的情況相同。

(比較例1)

以和實例1中之相同方式，使用在實例1中所使用之裝置基板按照原樣來製造有機發光設備，除了在形成有機EL層之前的處理期間之壓力為101,300 Pa(大氣壓力)之外。

以和實例1中之相同方式來評估所獲得到之有機發光設備，而發現到L(100h)/L(ini)為90.5%(初始亮度L(ini)＝1,300 cd/m² )，且有機發光設備之驅動及壽命特性遜於上面實例中之驅動及壽命特性。此外，在有機發光設備離開於80℃之溫度和80%之濕度1,000小時之後，觀察到圖素之周圍部分變暗，而這在離開之前並未被觀察到。

(比較例2)

以和實例1中之相同方式，使用在實例1中所使用之裝置基板按照原樣來製造有機發光設備，除了在形成有機EL層之前的處理期間之壓力為5 Pa，即將被導入之氣體為具有99.9%純度的氧氣，導入流動速率為0.05 slm，及UV－光照射時間為20分鐘之外。

以和實例1中之相同方式來評估所獲得到之有機發光設備，而發現到L(100h)/L(ini)為10.5%(初始亮度L(ini)＝1,200 cd/m² )，且有機發光設備之驅動及壽命特性不良。此外，在有機發光設備離開於80℃之溫度和80%之濕度1,000小時之後，觀察到整個發光部分變暗。

(比較例3)

以和實例1中之相同方式，使用在實例2中所使用之裝置基板按照原樣來製造有機發光設備，除了在形成有機EL層之前的處理期間之壓力為101,300 Pa(大氣壓力)之外。

以和實例1中之相同方式來評估所獲得到之有機發光設備，而發現到L(100h)/L(ini)為89.0%(初始亮度L(ini)＝1,300 cd/m² )，且有機發光設備之驅動及壽命特性遜於上面實例中之驅動及壽命特性。此外，在有機發光設備離開於80℃之溫度和80%之濕度1,000小時之後，觀察到圖素之周圍部分變暗，而這在離開之前並未被觀察到。

在本發明已經參照代表性實施例來做說明的同時，將會了解到本發明並不限於所揭露之代表性實施例。下面之申請專利範圍的範疇係依照其最廣的解釋，以便包括所有如此之修正及等同之結構和功能。

1‧‧‧基板

2‧‧‧薄膜電晶體(TFT)

3‧‧‧層間絕緣膜

4‧‧‧連接孔

5‧‧‧下側電極

6‧‧‧裝置分隔膜

7‧‧‧開口部分

8‧‧‧有機EL層(有機化合物層)

31‧‧‧真空槽

32‧‧‧UV－燈

33‧‧‧基板(裝置基板)

34‧‧‧質量流量控制器

35‧‧‧真空計

36‧‧‧壓力控制器

37‧‧‧變動閥

9‧‧‧上側電極(陰極)

10‧‧‧保護膜

圖1係例舉依據本發明之有機發光設備之典型局部剖面結構的示意圖。

圖2係基板前處理設備之示意圖。

圖3係例舉在依據本發明一例之有機發光設備之各個製程中，壓力之變化的製造流程和視圖。

1‧‧‧基板

2‧‧‧薄膜電晶體(TFT)

3‧‧‧層間絕緣膜

4‧‧‧連接孔

5‧‧‧下側電極

6‧‧‧裝置分隔膜

7‧‧‧開口部分

8‧‧‧有機EL層(有機化合物層)

9‧‧‧上側電極(陰極)

10‧‧‧保護膜

Claims (3)

1. 一種有機發光設備之製造方法，該有機發光設備包含一基板、一形成於該基板上之有機發光裝置、及一形成於該有機發光裝置之周圍上的裝置分隔膜，該有機發光裝置從該基板側按照所述之順序包含一下側電極、一有機化合物層、及一上側電極，該方法包括：藉由以UV－光來照射具有至少該下側電極和形成於其上之該裝置分隔膜的基板，而同時將含有至少氧之氣體導入大氣中，且在從10 Pa或更高到10,000 Pa或更低的範圍中之壓力下排出該氣體，以潔淨該基板；形成一有機化合物層於該經潔淨之下側電極上；以及形成一上側電極於該有機化合物層上。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，另包括藉由加熱於真空下而使具有至少該下側電極和形成於其上之該裝置分隔膜的該基板脫水，其中：該潔淨包括使藉由加熱而脫水之該基板潔淨；以及該形成該有機化合物層包括在真空下形成一有機化合物層於該經潔淨之該基板上的該下側電極上。
3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該下側電極為陽極。