JP5367344B2 - 有機発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
前記陽極を形成する面を平坦化する平坦化膜と、
前記陽極の周辺を覆って前記有機発光素子部を区画する画素分離膜と、
を基板上に備え、該画素分離膜及び該平坦化膜のいずれかの構成材料が有機材料である有機発光装置の製造方法において、
該基板上に、該平坦化膜と、該陽極と、該画素分離膜と、を順次形成する工程と、
少なくとも酸素を含む気体を導入・排気しながら、UV光を前記画素分離膜までが形成された基板上に照射するUV光照射工程と、
該基板を加熱する基板加熱処理工程と、
該有機化合物層を該陽極上に真空蒸着法にて形成する有機化合物層形成工程と、を有し、
該UV光照射工程と該基板加熱処理工程とを同時に行い、
該UV光照射工程を、10Pa以上10000Pa以下の圧力雰囲気下で行うことを特徴とする。
(ii)少なくとも酸素を含む気体を導入・排気しながら、UV光を該基板上に照射する工程(UV光照射工程)
(iii)基板を加熱する工程(基板加熱処理工程)
(iv)有機化合物層を陽極上に形成する工程(有機化合物層形成工程)
尚、本発明の有機発光装置の製造方法は、UV光照射工程と該基板加熱処理工程とを同時に行う必要がある。また、本発明の有機発光装置の製造方法は、UV光照射工程を大気圧未満の圧力雰囲気下で行う必要がある。
図1に示す有機発光装置を製造した。本実施例では、陽極11の構成材料として、Ag合金及びインジウム亜鉛酸化物(IZO)を使用した。また陰極16を透明な発光取り出し電極として機能させるべくその構成材料として、インジウム錫酸化物(ITO)を使用した。即ち、トップエミッション型の有機発光装置を製造した。
まず基板10上にアクリル樹脂を成膜し層間絶縁膜11(平坦化膜)を形成した。このとき層間絶縁膜11の膜厚は2μmであった。次に、スパッタリング法により層間絶縁膜11上にAg合金膜とIZO膜とを順次成膜した。このときAg合金膜の膜厚を100nmとし、IZO膜の膜厚を60nmとした。尚、Ag合金膜及びIZO膜は陽極12として機能する。
画素分離膜18を形成した後、図4に示すフロー図に基づいて有機発光装置を作製した。
次に、前処理用のチャンバーと成膜用のチャンバーとを備える真空蒸着装置(株式会社アルバック製)に、洗浄・乾燥処理を施した基板を導入した後、装置内の圧力が1×10-4Paになるまで排気を行った。
次に、真空蒸着法により、陽極12上にN,N’−α−ジナフチルベンジジン(α−NPD)を成膜して正孔輸送層13を形成した。正孔輸送層13を成膜する際は、基板を成膜用のチャンバー内に搬送した後速やかに行った。また正孔輸送層13の膜厚を40nmとし、基板の温度を70℃とした。尚、基板の設定温度は、N,N’−α−ジナフチルベンジジンのガラス転移点(96℃)よりも低い温度である。
次に、陰極17まで形成されている基板をグローブボックスに移し、窒素雰囲気中で乾燥剤を入れたガラスキャップにより封止した。以上の工程により有機発光装置を得た。
得られた有機発光装置について電流値100mA/cm2の定電流を流したところ、この有機発光装置は緑色発光した。また、この装置について、電流値100mA/cm2として定電流連続点灯を100時間行い、初期輝度と100時間後の輝度とをそれぞれ輝度計(トプコン社製BM−7)にて測定することで本実施例の有機発光装置の発光特性の変化を評価した。その結果、初期輝度L(ini)は1300cd/m2であり、輝度変化を示すL(100h)/L(ini)は95.4%であった。このため、優れた駆動寿命特性であることがわかった。
実施例1(1)において、画素分離膜18を以下に示す方法により形成した。即ち、陽極12上に実施例1で使用したアクリル樹脂と、感光性ポリイミド樹脂とを順次成膜した。このときアクリル樹脂の膜厚を1μmとし、感光性ポリイミド樹脂の膜厚を1μmとした。この後、実施例1と同様の方法で画素分離膜をパターン形成した。
その結果、試験後の発光状態を観察すると、試験前と同様に均一な緑色発光を示し、画素周辺の劣化は検出限界の3μm以下であることがわかった。
実施例1(1)において、画素分離膜18を以下に示す方法により形成した。即ち、陽極12上に実施例1で使用したアクリル樹脂と、感光性ポリイミド樹脂とを順次成膜した。このときアクリル樹脂の膜厚を1μmとし、感光性ポリイミド樹脂の膜厚を1μmとした。この後、実施例1と同様の方法で画素分離膜をパターン形成した。
実施例1(3)において、装置内の圧力を10Paとし、基板の加熱温度を200℃とした。
を行うまでに、基板に蓄積した熱を放出するために、装置内を真空状態にして基板を5分間静置した。
実施例1(3)において、装置内の圧力を100000Pa(大気圧)とし、基板を加熱しなかったことを除いては、実施例1と同様の方法により有機発光装置を得た。
実施例3において、UV光照射工程を行うときの装置内の圧力を100000Pa(大気圧)としたことを除いては、実施例3と同様の方法により有機発光装置を得た。
実施例1(3)において、装置内の圧力を10000Paとし、加熱処理を省略し、UV光照射時間を5分としたことを除いては、実施例1と同様の方法により有機発光装置を得た。
実施例1(1)において、画素分離膜18を以下に示す方法により形成した。即ち、陽極12上に実施例1で使用したアクリル樹脂と、感光性ポリイミド樹脂とを順次成膜した。このときアクリル樹脂の膜厚を1μmとし、感光性ポリイミド樹脂の膜厚を1μmとした。この後、実施例1と同様の方法で画素分離膜をパターン形成した。
実施例3において、基板加熱処理工程を行うときに基板を250℃で加熱したことを除いては、実施例3と同様の方法により有機発光装置を得た。
実施例3において、UV光照射工程を行うときに装置内の圧力を1Paとし、基板加熱処理工程を行うときに基板を80℃で加熱し、UV光照射工程及び基板の加熱処理工程を20分間行ったことを除いては、実施例3と同様の方法により有機発光装置を得た。
10 基板
11 層間絶縁膜(平坦化膜)
12 陽極
13 正孔輸送層
14 発光層
15 電子輸送層
16 電子注入層
17 陰極
18 画素分離膜
2 基板前処理装置
20 ハロゲンランプヒーター
21 UVランプ
22 基板
23 マスフローコントローラー
24 真空計
25 圧力コントローラー
26 減圧ポンプ
26a 可変バルブ
30a 第一ロードロック室
30b 第二ロードロック室
31 基板前処理室
32 有機化合物層成膜室
33 カソード成膜室
34 グローブボックス
35 ハロゲンランプヒーター
36 UVランプ
37 シャッター
38 蒸着源
39 カソードターゲット
Claims (7)
- 陽極と陰極と、該陽極と該陰極とに挟まれ少なくとも正孔輸送層と発光層とをこの順に含んでなる有機化合物層と、から構成される有機発光素子部と、
前記陽極を形成する面を平坦化する平坦化膜と、
前記陽極の周辺を覆って前記有機発光素子部を区画する画素分離膜と、
を基板上に備え、該画素分離膜及び該平坦化膜のいずれかの構成材料が有機材料である有機発光装置の製造方法において、
該基板上に、該平坦化膜と、該陽極と、該画素分離膜と、を順次形成する工程と、
少なくとも酸素を含む気体を導入・排気しながら、UV光を前記画素分離膜までが形成された基板上に照射するUV光照射工程と、
該基板を加熱する基板加熱処理工程と、
該有機化合物層を該陽極上に真空蒸着法にて形成する有機化合物層形成工程と、を有し、
該UV光照射工程と該基板加熱処理工程とを同時に行い、
該UV光照射工程を、10Pa以上10000Pa以下の圧力雰囲気下で行うことを特徴とする、有機発光装置の製造方法。 - 前記基板加熱処理工程において、前記基板を100℃以上で加熱することを特徴とする、請求項1に記載の有機発光装置の製造方法。
- 前記基板加熱処理工程において、前記基板の加熱温度を前記画素分離膜及び前記平坦化膜の構成材料の分解温度のうちいずれか低い温度以下に制御することを特徴とする、請求項1又は2に記載の有機発光装置の製造方法。
- 前記UV光照射工程を行った後、前記有機化合物層形成工程を行うまでの間、前記基板が置かれている装置内の圧力を大気圧未満に制御することを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機発光装置の製造方法。
- 前記有機化合物層形成工程において、基板の温度を前記有機化合物層の構成材料のガラス転移点以下に制御することを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機発光装置の製造方法。
- 前記画素分離膜及び前記平坦化膜の構成材料のうちいずれかがアクリル樹脂又はポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の有機発光装置の製造方法。
- 前記画素分離膜が、フォトリソグラフィーを用いてパターン状に形成されることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の有機発光装置の製造方法。
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