KR101351475B1 - 투명전도성산화물 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 투명전도성산화물 박막 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법은, 액상 공정(solution process)으로 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 형성하는 단계와, 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 열처리하는 단계와, 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 수소 플라즈마 처리하는 단계와, 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 산성 용액으로 표면 처리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법은, 액상 공정을 이용하여 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 신속하고 경제적으로 형성할 수 있고, 이를 수소 플라즈마 처리함으로써 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있으며, 수소 플라즈마 처리 후, 박막 표면에 형성되는 메탈 클러스터에 의한 투과도 감소의 문제를 산성 용액을 이용한 표면 처리로 해결함으로써, 전기적 특성뿐만 아니라 광학적 특성이 향상된 투명전도성산화물 박막을 효과적으로 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 투명전극 등으로 이용되는 투명전도성산화물(transparent conductive oxide; TCO) 박막의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액상 공정(solution process)으로 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 형성하고, 이를 수소 플라즈마 처리한 후, 산성 용액을 이용하여 후처리함으로써 전기적 특성 및 투과도를 향상시킬 수 있는 투명전도성산화물 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 투명전도성산화물 박막에 관한 것이다.
현재 디스플레이 산업이 발달하면서 다양한 디스플레이에 대한 수요가 늘어나고 있다. 이에 따라서 디스플레이의 전극으로 이용되는 투명전도성산화물 박막의 필요성도 점차 증가하고 있다. 투명전도성산화물 박막은 LED, 터치 패널, LCD 패널, 태양전지, flexible 디스플레이 등 광투과성과 전도성의 두 가지 특성을 동시에 필요로 하는 다양한 소자에 응용되고 있다.
일반적으로 투명전극으로는 사용되는 투명전도성산화물로는 ITO(indium tin oxide)가 대표적이다. ITO는 투명도가 우수하면서 전기도 잘 통하고 생산성도 좋기 때문이다. 그런데 최근들어 인듐(In)의 가격이 급등하고 매장량 고갈의 문제가 대두되면서, 인듐 함유량이 적거나, 인듐을 포함하지 않는 투명전도성산화물에 대한 요구가 커지고 있다.
현재 투명전극 분야에서 인듐을 제외하면 ITO와 유사한 전기적, 광학적 특성을 나타낼 수 있는 산화물은 존재하지 않는 것으로 알려져 있다. 따라서, 인듐을 포함하지 않는 투명전도성산화물의 개발보다는 인듐을 적게 사용하는 투명전도성산화물에 대한 개발이 보다 현실적이며, 이를 위한 다양한 연구가 진행되고 있다.
한편, 새로운 투명전도성산화물의 개발과 함께 투명전극의 생산성을 높이고 제조 비용을 줄이려는 연구도 활발하게 이루어지고 있다. 이러한 연구의 일환으로 비교적 빠른 공정이며, 또한 경제적인 방법인 액상 공정이 주목받고 있다. 액상 공정으로 투명 박막을 제조하는 기술은 대한민국 공개특허공보 제2003-0066167호(2003. 08. 09 공개), 대한민국 등록특허공보 제1089566호(2010. 09. 06 공개) 등에 개시되어 있다.
그런데 액상 공정으로 제조된 투명전극은 그 구조적 특성상 향상된 전기적 특성을 갖기 어렵다.
본 발명은 상술한 것과 같은 점을 감안하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 액상 공정으로 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 형성한 후, 이를 열처리 및 플라즈마 처리하여 전기 저항을 낮추고, 산성 용액을 이용한 표면 처리를 통해 투과도를 향상시킬 수 있는 투명전도성산화물 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 투명전도성산화물 박막을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법은, (a) 액상 공정(solution process)으로 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 형성하는 단계와, (b) 상기 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 수소 플라즈마 처리하는 단계와, (c) 상기 박막을 산성 용액으로 표면 처리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법은 상기 (a) 단계 이후, 상기 (b) 단계 이전에 상기 박막을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 열처리는 RTA(rapid thermal annealing) 공정을 통해 수행될 수 있다.
상기 (a) 단계는, 상기 투명전도성산화물의 나노 분말을 유기 용매에 섞은 용액을 스핀 코팅함으로써 상기 박막을 형성할 수 있다.
상기 투명전도성산화물은 ITO, IGZO, IZO, IZTO, ZnO 중에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 (b) 단계는 유도결합 플라즈마(inductively coupled plasma) 장치를 이용하여 상기 박막을 반응 챔버에 넣고 수소 가스를 주입하면서 수행할 수 있다.
상기 유도결합 플라즈마 장치를 이용한 수소 플라즈막 처리 시, 상기 반응 챔버의 압력을 20mTorr ~ 90mTorr로 하고, RF 파워를 150W ~ 750W로 하며, 처리 시간을 1분 ~ 10분으로 하는 것이 바람직하다.
상기 산성 용액은 유기산 용액인 것이 바람직하다.
상기 유기산 용액은 옥살산(oxalic acid)을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법은, 액상 공정을 이용하여 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 신속하고 경제적으로 형성할 수 있고, 이를 수소 플라즈마 처리함으로써 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 그리고 수소 플라즈마 처리 후, 박막 표면에 형성되는 메탈 클러스터에 의한 투과도 감소의 문제를 산성 용액을 이용한 표면 처리로 해결함으로써, 전기적 특성뿐만 아니라 광학적 특성이 향상된 투명전도성산화물 박막을 효과적으로 제조할 수 있다.
또한 본 발명에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법은 높은 경제성과 기능성의 장점을 갖는 액상 공정을 충분히 활용하면서, 종래 제한적인 용도로만 사용 가능하던 액상 공정 박막의 응용 가능성을 높일 수 있다.
또한 본 발명에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법을 이용하면, 고가의 인듐 사용량을 줄이면서 전기적 특성과 광학적 특성이 우수한 투명전도성산화물 박막을 제조할 수 있으므로, 투명전도성산화물 박막이 적용되는 각종 디스플레이, 조명 기기, 광전소자, 기억소자, 각종 센서 등 다양한 응용 장치의 제조비용을 줄이고 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법을 나타낸 공정도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법 중 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 형성하는 공정을 나타낸 것이다.
도 3은 실시예 1에서 제조된 IZTO 박막의 주사전자현미경 사진이다.
도 4는 실시예 1에서 제조된 IZTO 박막의 표면을 나타낸 주사전자현미경 사진이다.
도 5는 실시예 1에서 제조된 IZTO 박막의 전기적 특성을 나타낸 것이다.
도 6는 실시예 1에서 제조된 IZTO 박막의 수소 플라즈마 처리에 따른 투과도 변화를 나타낸 것이다.
도 7은 실시예 1에서 제조된 IZTO 박막의 산성 용액 처리 후의 투과도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법 중 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 형성하는 공정을 나타낸 것이다.
도 3은 실시예 1에서 제조된 IZTO 박막의 주사전자현미경 사진이다.
도 4는 실시예 1에서 제조된 IZTO 박막의 표면을 나타낸 주사전자현미경 사진이다.
도 5는 실시예 1에서 제조된 IZTO 박막의 전기적 특성을 나타낸 것이다.
도 6는 실시예 1에서 제조된 IZTO 박막의 수소 플라즈마 처리에 따른 투과도 변화를 나타낸 것이다.
도 7은 실시예 1에서 제조된 IZTO 박막의 산성 용액 처리 후의 투과도를 나타낸 것이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 투명전도성산화물 박막에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명을 설명함에 있어서, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의를 위해 과장되거나 단순화되어 나타날 수 있다. 또한 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들은 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법을 나타낸 공정도이다.
도 1에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일실시예에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법은, 투명전도성산화물로 박막을 형성하는 단계(S10)와, 투명전도성산화물로 형성된 박막을 열처리하는 단계(S20)와, 열처리된 박막을 수소 플라즈마 처리하는 단계(S30)와, 수소 플라즈마 처리된 박막을 산성 용액으로 표면 처리하는 단계(S40)를 포함한다. 이러한 본 발명에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법은 다양한 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 수소 플라즈마 처리한 후 산성 용액 처리함으로써, 전기적 특성 및 투과도가 향상된 투명전도성산화물 박막을 제조할 수 있다. 본 발명에 의해 제조되는 투명전도성산화물 박막은 디스플레이 분야, 조명 분야, 산업 분야, 메모리 반도체, 광전소자, 기억장치, 각종 센서 등 다양한 분야에서 응용이 가능하다.
본 발명에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법을 이용하여 투명전도성산화물 박막을 제조하는 구체적인 방법은 다음과 같다.
먼저, 각종 투명전도성산화물을 이용하여 액상 공정으로 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 형성한다. 투명전도성산화물로는 ITO, IGZO, IZO, IZTO, ZnO 등의 인듐을 포함하거나, 인듐을 포함하지 않는 투명성과 전도성 특성을 갖는 산화물이 이용될 수 있다. 투명전도성산화물 박막을 형성하는 구체적인 방법으로는, 스핀 코팅법, 인쇄법, 브러시 이용 방법 등 다양한 액상 공정이 이용될 수 있다.
스핀 코팅법을 이용하여 투명전도성산화물 박막을 형성하는 구체적인 방법은 도 2에 나타낸 것과 같다. 먼저, 투명전도성산화물의 나노 분말을 적당한 유기 용매에 섞어 투명전도성산화물 용액(10)을 만들고, 그 용액(10)을 기판(20)에 도포한 후(도 2의 (a)), 기판(20)을 고속으로 회전시키면 용액(10)이 기판(20) 전체에 걸쳐 일정한 두께로 고르게 펴진다(도 2의 (b), (c)). 그리고 기판(20)에 펴진 액상막을 건조시키면 균일한 두께의 투명전도성산화물로 이루어진 박막(15)을 형성할 수 있다. 투명전도성산화물 용액(10)을 만드는데 이용되는 유기 용매로는 Oxalic, NH4OH, Formic, Hydrogen 등의 유기산, 또는 그 이외에 투명전도성산화물의 종류에 따라 다양한 용매가 이용될 수 있다.
다음으로, 만들어진 박막(15)을 열처리한다. 액상 공정을 이용하여 투명전도성산화물로 이루어진 박막(15)을 형성하면, 박막(15)의 표면에 수많은 기공(pore)이 존재하게 되고, 이러한 표면 특성은 전자가 잘 흐르지 못하는 원인이 되어 높은 저항특성을 나타내게 된다. 박막(15)을 열처리하면 액상 공정 시 박막(15)의 표면에 형성되는 기공을 제거함으로써 박막(15)의 표면 저항(sheet resistance)을 낮출 수 있고, 산소 원자 결합(oxigen vacancy) 생성으로 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 박막(15)의 열처리에는 RTA(rapid thermal annealing) 공정이 이용될 수 있다.
계속해서, 박막(15)의 열처리 후, 박막(15)을 수소 플라즈마 처리한다. 박막(15)을 수소 플라즈마 처리하면, 박막(15)의 표면 저항과 비저항(resistivity) 특성을 더욱 향상시킬 수 있다. 박막(15)을 수소 플라즈마 처리하면, 플라즈마 내 수소 입자가 박막(15)에 침투하여 얕은 주개(shallow donor)로 작용하므로 박막(15)의 전기적 특성이 향상되는 것이다. 수소 플라즈마 처리에는 유도결합 플라즈마(inductively coupled plasma) 장치나 RF 건을 이용하는 플라즈마 장치 등 다양한 플라즈마 처리 장치가 이용될 수 있다.
유도결합 플라즈마 장치를 이용하는 경우, 박막(15)을 반응 챔버에 넣고 수소 가스를 주입하면서 RF 파워를 인가함으로써 박막(15)을 수소 플라즈마 처리할 수 있다. 유도결합 플라즈마 장치를 이용한 수소 플라즈마 처리 시, 반응 챔버의 압력은 20mTorr ~ 90mTorr가 바람직하다. 반응 챔버의 압력이 20mTorr 미만이면 반응 챔버 내에 플라즈마가 원활하게 생성되지 않고, 반응 챔버의 압력이 90mTorr를 초과하는 경우는 장치에 무리만 주게 될 뿐 플라즈마 생성 효과에 별다른 영향을 주지 않는다.
그리고 RF 파워는 150W ~ 750W가 바람직한데, RF power가 150W 미만인 경우는 수소 플라즈마 처리 시 활성화(activation)의 작용이 원활하게 일어나지 않고, RF power가 750W를 초과하면 박막 표면에 손상을 주어 특성 저하로 이어질 수 있다. 또한 수소 플라즈마 처리 시간은 1분 ~ 10분인 것이 바람직하다. 처리 시간이 1분 미만이면 수소 플라즈마 처리 시 활성화 작용이 원활이 일어나지 않고, 처리 시간이 10분을 초과하면 박막 표면에 메탈 클러스터가 생성되어 투과도가 감소하기 때문이다.
계속해서, 박막(15)의 수소 플라즈마 처리 후, 박막(15)을 산성 용액 처리한다. 수소 플라즈마 처리 후 박막(15)의 표면에는 메탈 클러스터(metal cluster)가 발생하게 된다. 즉, 수소 플라즈마 처리 시 투명전도성산화물로 이루어진 박막(15) 표면의 산소가 수소와 결합하여 O-H bond 결합을 이루면서 제거됨으로써, 박막(15)의 표면에는 가시광선 영역에서 불투명한 메탈 클러스터가 형성된다. 따라서, 박막(15)의 표면으로 입사되는 빛이 메탈 클러스터 등에 의해 산란되어 투과가 억제됨으로써, 박막(15)의 투과율이 감소하는 문제가 발생하는데, 이러한 문제는 산성 용액 처리를 통해 해결할 수 있다.
구체적으로, 박막(15)의 표면을 산성 용액으로 처리하면 박막(15) 표면의 메탈 클러스터를 제거할 수 있고, 이를 통해 박막(15) 표면에서의 빛의 산란을 억제함으로써 박막(15)의 전기적 특성을 저해하지 않으면서 박막(15)의 투과도를 향상시킬 수 있다. 박막(15)의 투과도 향상을 위한 표면 처리에는 HF, HNO3, H2SO4, NH4OH, 옥살산(Oxalic acid) 등 다양한 산성 물질이 이용될 수 있다. 박막(15)을 산성 용액 처리하는 방법은 박막(15)을 산성 용액에 담그거나, 박막(15) 표면에 산성 용액을 도포하는 방법 등 다양한 방법이 이용될 수 있다.
박막(15)의 표면 처리에 이용되는 다양한 산성 물질 중에서 HF, HNO3, H2SO4의 강산성 물질보다는 OH 농도가 상대적으로 낮은 NH4OH, 옥살산(Oxalic acid) 등의 유기산을 사용하는 것이 박막(15)의 투과도 향상에 더욱 효과적이다.
이와 같이, 본 발명에 의한 투명전도성산화물 박막의 제조방법은, 액상 공정을 이용하여 투명전도성산화물로 이루어진 박막(15)을 신속하고 경제적으로 형성할 수 있고, 이를 열처리한 후 반응 가스와 RF 파워를 조절하면서 수소 플라즈마 처리함으로써, 박막(15)의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 그리고 수소 플라즈마 처리 후, 박막(15) 표면에 형성되는 메탈 클러스터에 의한 투과도 감소의 문제를 산성 용액을 이용한 표면 처리로 메탈 클러스터를 제거함으로써, 전기적 특성뿐만 아니라 광학적 특성이 향상된 투명전도성산화물 박막을 효과적으로 제조할 수 있다.
이하에서는, 본 발명을 실시예에 의거하여 설명한다.
아래의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 실시예로 한정되는 것은 아니다.
실시예
1 :
IZTO
(
Indium
-
zinc
-
tin
-
oxide
) 박막의 제조 및 특성 평가
먼저, 도 2의 (a)에 나타낸 것과 같이 ITO 나노분말과 ZnO(Zinc oxide) 나노분말을 9:1로 섞고, 이러한 혼합 분말을 에탄올과 2:1의 비율로 혼합하여 만든 용액을 기판의 중앙에 도포하였다. 이후, 도 2의 (b)~(d)에 나타낸 것과 같이, 기판을 고속으로 회전시켜 기판 중앙의 용액을 기판 전체에 걸쳐 고루 퍼지게 한 후, 이를 건조시켜 균일한 두께의 IZTO 박막을 제조하였다.
도 3은 제조된 IZTO 박막의 주사전자현미경 사진이다. 도 3에 나타난 것과 같이, 나노미터 크기의 입자들이 서로 뭉쳐 있으며, 수많은 기공(pore)이 존재함을 확인할 수 있으며, 이러한 구조적 특징으로 인해 전자가 잘 흐르지 못하고 높은 저항특성을 나타내게 된다.
IZTO 박막의 제조 후, IZTO 박막을 열처리하였다. IZTO 박막의 열처리는 RTA 장비를 이용하여 N2-5000 sccm 분위기에서 500℃의 온도로 1분간 수행되었다. 도 4의 (a)는 제조된 IZTO 박막의 표면을 나타낸 것이고, 도 4의 (b)는 제조된 IZTO 박막을 500℃에서 1분간 열처리한 후 박막의 표면을 나타낸 주사전자현미경 사진이다. 열처리를 통해서는 표면의 모양에는 큰 변화가 없음을 알 수 있다.
IZTO 박막의 열처리 후, IZTO 박막을 수소 플라즈마 처리하였다. 수소 플라즈마 처리에는 유도결합 플라즈마 장치가 이용되었고, 챔버 공정압력을 2×10-2 torr로 유지하고 H2 가스 분위기에서 RF 파워를 150W에서 750W까지 순차적으로 증가시키면서 2분간 수행하였다. 도 4의 (c)는 수소 플라즈마 처리 후 IZTO 박막의 표면을 나타낸 것으로, IZTO 박막의 표면에 커다란 In/Zn 메탈 클러스터(metal cluster)가 다수 발생한 것을 확인할 수 있다.
이후, 수소 플라즈마 처리된 IZTO 박막을 산성 용액 처리하여, IZTO 박막에 형성된 메탈 클러스터를 제거하였다. 산성 용액 처리 시 HF, HNO3, H2SO4와 탈이온수를 혼합한 산성 용액을 이용하였다.
도 5는 IZTO 박막의 전기적 특성을 나타낸 것이다. 도 5의 (a)에 나타낸 것과 같이, 500℃의 열처리를 통해서는 IZTO 박막의 표면 저항(sheet resistance)을 약 200Ω/sq까지 감소시킬 수 있었다. 그리고 IZTO 박막을 RF 파워를 변화시키면서 수소 플라즈마 처리한 결과, RF power 600W에서 표면 저항을 최소 88Ω/sq까지 낮출 수 있었다. 이는 RTA 열처리를 통해 확보된 표면 저항(200Ω/sq) 보다 월등히 낮은 수치로, 수소 플라즈마 처리를 통해 IZTO 박막의 전기적 특성을 크게 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
또한 비저항(resistivity) 특성도 RF 파워 600W에서 가장 뛰어난 특성을 나타냄을 알 수 있었다. 이렇게 저항이 감소한 이유로는 플라즈마 내 수소 입자가 IZTO 박막에 침투하여 얕은 주개(shallow donor)로 작용한 때문으로, 이러한 결과는 도 5의 (b)에서와 같이 시트 캐리어 농도(sheet carrier concentration)의 증가가 저항의 감소와 동일한 트랜드를 나타내는 것으로부터 알 수 있다.
한편, 도 6은 수소 플라즈마 처리에 따른 IZTO 박막의 투과도를 나타낸 것이다. IZTO 박막을 RF 파워를 변화시키면서 수소 플라즈마 처리한 결과, IZTO 박막의 투과도는 파워가 증가함에 따라 급속하게 감소함을 알 수 있다. 이는 수소 플라즈마 처리 시 IZTO 박막 표면의 산소가 수소와 결합하여 O-H bond 결합을 이루면서 제거됨으로써, IZTO 박막의 표면에는 가시광선 영역에서 불투명한 인듐(In) 혹은 아연(Zinc)의 메탈 클러스터가 형성되기 때문이다. 즉, 입사된 빛이 표면의 메탈 클러스터 등에 의해 산란되어 투과가 억제됨으로써, IZTO 박막의 투과율 감소로 이어진 것이다.
이러한 IZTO 박막의 투과도 저하 문제는 산성 용액 처리를 통해 해결할 수 있었다. 즉, 박막 표면에 다양한 산처리를 실시하여 박막 표면의 메탈 클러스터를 제거함으로써 박막 표면에서의 빛의 산란을 억제할 수 있었다. 도 7은 IZTO 박막의 산성 용액 처리 후의 투과도를 나타낸 것이다.
도 7에 나타난 결과와 같이, 다양한 산성 용액을 이용하여 표면 처리를 함으로써 박막의 투과도를 향상시킬 수 있었다. 특히, 여러 가지 산성 용액 중에서 HF, HNO3, H2SO4의 강산보다는 NH4OH, 옥살산(Oxalic acid)과 같은 유기산 종류가 투과도 향상에 더 효과적임을 확인할 수 있었다. 즉, NH4OH, 옥살산(Oxalic acid)과 같은 유기산을 사용하여 표면 처리한 경우, H2SO4을 사용하여 표면 처리한 경우보다 약 1~2% 높은 투과도를 나타냈고, 다른 강산보다는 20~30%의 높은 투과도를 나타냈다.
앞에서 설명되고 도면에 도시된 본 발명의 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 특허청구범위에 기재된 사항에 의해서만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 및 변경하는 것이 가능하다. 따라서, 이러한 개량 및 변경은 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
10 : 투명전도성산화물 용액 15 : 박막
20 : 기판
20 : 기판
Claims (10)
- (a) 액상 공정(solution process)으로 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 형성하는 단계;
(b) 상기 투명전도성산화물로 이루어진 박막을 수소 플라즈마 처리하는 단계; 및
(c) 상기 박막을 산성 용액으로 표면 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성산화물 박막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 (a) 단계 이후, 상기 (b) 단계 이전에 상기 박막을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성산화물 박막의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,
상기 열처리는 RTA(rapid thermal annealing) 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 투명전도성산화물 박막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 (a) 단계는,
상기 투명전도성산화물의 나노 분말을 유기 용매에 섞은 용액을 스핀 코팅함으로써 상기 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전도성산화물 박막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 투명전도성산화물은 ITO, IGZO, IZO, IZTO, ZnO 중에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성산화물 박막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 (b) 단계는 유도결합 플라즈마(inductively coupled plasma) 장치를 이용하여 상기 박막을 반응 챔버에 넣고 수소 가스를 주입하면서 수행하는 것을 특징으로 하는 투명전도성산화물 박막의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 유도결합 플라즈마 장치를 이용한 수소 플라즈막 처리 시, 상기 반응 챔버의 압력을 20mTorr ~ 90mTorr로 하고, RF 파워를 150W ~ 750W로 하며, 처리 시간을 1분 ~ 10분으로 하는 것을 특징으로 하는 투명전도성산화물 박막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 산성 용액은 유기산 용액인 것을 특징으로 하는 투명전도성산화물 박막의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,
상기 유기산 용액은 옥살산(oxalic acid)을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성산화물 박막의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 의한 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 투명전도성산화물 박막.
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