JP5657229B2 - 電子ビーム源および電子ビーム源を作製する方法 - Google Patents
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Description
5 電子ビーム源
6,8 電極
7 カソード(チップ)
9 開口部
11 コンデンサレンズ
13 電子ビーム
15 開口部
17 二次電子検出器
19 電子光学系
21 位置
23 表面
25 物体
27 レンズ
29 ディフレクタ
31 拡大領域
33 コントローラ
35,36,37,38,39,41 ライン
42 制御ライン
51 キャリアプレート
52 領域
53 ベース
53′ 表面
54 対称軸線
55 凹部
57,57a コア
59a 被覆材
60,60a チップ
61 縦方向軸線
63 非導電性材料
65 内部コア
103,105,107 ステップ
l 寸法
b 最大寸法
c 厚さ
Claims (44)
- 凸面形状の表面を有するベースと、
ベースに固定され、前記ベースから離れる方向に延在する1つのチップであって、第1材料からなるコア表面を有し、第2材料からなる被覆層を塗布されたコアを備え、前記第2材料がチップの表面を提供するチップと、
前記被覆層に電気的に接続された第1電気端子と、
前記チップに向かい合って配置された間隙を有する抽出電極と、
該抽出電極に電気的に接続された第2電気端子とを備えるビーム電子源において、
前記第1材料の電気伝導率が、105S/mよりも低いという条件、
前記第2材料の電気伝導率が、10−7S/mよりも高いという条件、
前記第2材料の電気伝導率と前記第1材料の電気伝導率との間の比率が、10:1よりも大きいという条件のうち、少なくとも1つの条件を満たすことを特徴とする電子ビーム源。 - 請求項1に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料の電気伝導率が、10 −7 S/mよりも低いという条件、
前記第2材料の電気伝導率が、10 6 S/mよりも高いという条件、
前記第2材料の電気伝導率と前記第1材料の電気伝導率との間の比率が、10 8 よりも大きいという条件のうち、少なくとも1つの条件を満たすことを特徴とする電子ビーム源。 - 請求項1または2に記載の電子ビーム源において、
前記チップにおける前記ベースから離れた終端部の表面の曲率半径が、100nmよりも小さい電子ビーム源。 - 請求項3に記載の電子ビーム源において、
前記チップにおける前記ベースから離れた終端部の表面の曲率半径が、60nmよりも小さい電子ビーム源。 - 請求項1から4までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記ベースから離れて縦方向に延在するチップ寸法が、縦方向に直交する横方向に延在するチップ最大寸法よりも少なくとも2倍大きい電子ビーム源。 - 請求項5に記載の電子ビーム源において、
前記ベースから離れて縦方向に延在するチップ寸法が、縦方向に直交する横方向に延在するチップ最大寸法よりも少なくとも10倍大きい電子ビーム源。 - 請求項1から6までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記チップの縦方向最大寸法が、50nmよりも大きい電子ビーム源。 - 請求項7に記載の電子ビーム源において、
前記チップの縦方向最大寸法が、300nmよりも大きい電子ビーム源。 - 請求項1から8までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記チップの横方向寸法が、500nmよりも小さい電子ビーム源。 - 請求項9に記載の電子ビーム源において、
前記チップの横方向寸法が、50nmよりも小さい電子ビーム源。 - 請求項1から10までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第2材料からなる前記被覆層の厚さが、2nmよりも大きい電子ビーム源。 - 請求項11に記載の電子ビーム源において、
前記第2材料からなる前記被覆層の厚さが、10nmよりも大きい電子ビーム源。 - 請求項1から12までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第2材料からなる前記被覆層の厚さが、50nmよりも小さい電子ビーム源。 - 請求項13に記載の電子ビーム源において、
前記第2材料からなる前記被覆層の厚さが、20nmよりも小さい電子ビーム源。 - 請求項1から14までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記コアの中心が前記第1材料からなっている電子ビーム源。 - 請求項15に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料の弾性係数が、150kN/mm2よりも大きい電子ビーム源。 - 請求項16に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料の弾性係数が、700kN/mm 2 よりも大きい電子ビーム源。 - 請求項15から17までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料の弾性係数が、1100kN/mm2よりも小さい電子ビーム源。 - 請求項18に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料の弾性係数が、800kN/mm 2 よりも小さい電子ビーム源。 - 請求項1から19までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料が実質的に電気的に非伝導性の材料であるか、又はダイアモンド状炭素である電子ビーム源。 - 請求項1から14までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記チップの前記コアが、第1材料とは異なる第3材料からなる内部コアを備え、第1材料から形成された層が前記内部コアに塗布されている電子ビーム源。 - 請求項21に記載の電子ビーム源において、
前記第3材料の弾性係数が、150kN/mm2よりも大きい電子ビーム源。 - 請求項22に記載の電子ビーム源において、
前記第3材料の弾性係数が、700kN/mm 2 よりも大きい電子ビーム源。 - 請求項21から23までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第3材料の弾性係数が、1100kN/mm2よりも小さい電子ビーム源。 - 請求項24に記載の電子ビーム源において、
前記第3材料の弾性係数が、800kN/mm 2 よりも小さい電子ビーム源。 - 請求項21から25までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第3材料がダイアモンド状炭素である電子ビーム源。 - 請求項21から26までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第3材料がsp3結合炭素を含む電子ビーム源。 - 請求項27に記載の電子ビーム源において、
前記第3材料が、sp2結合炭素、水素、窒素、フッ素、ホウ素からなる群の少なくともいずれか1種の添加剤を含む電子ビーム源。 - 請求項21から25までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第3材料が、実質的にダイアモンド状炭素からなる電子ビーム源。 - 請求項1から29までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第2材料が金属を含む電子ビーム源。 - 請求項30に記載の電子ビーム源において、
前記金属が、Ti、Pt、Al、W、V、Hf、Fe、Co、Niからなる群の少なくともいずれか1種の元素を含む電子ビーム源。 - 請求項1から29までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第2材料が、半導体材料を含む電子ビーム源。 - 請求項32に記載の電子ビーム源において、
前記半導体材料が、Si、Ge、In、GaおよびAs、P、Sbからなる群の少なくともいずれか1種を含む電子ビーム源。 - 請求項1から33までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第1電気端子および前記第2電気端子に電気的な供給電圧を供給するための電圧供給器をさらに備える電子ビーム源。 - 請求項1から34までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記ベースの前記凸面部に関連した曲率半径が、10μm〜0.1μmである電子ビーム源。 - 請求項35に記載の電子ビーム源において、
前記ベースの前記凸面部に関連した曲率半径が、0.6μm〜0.4μmである電子ビーム源。 - 請求項1から36までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記ベースが、対称軸線に対して軸線対称の表面形状を有する表面部を有し、対称軸線と前記チップの縦方向との間の角度が10°未満である電子ビーム源。 - 電子ビーム源を作製するための方法、特に請求項1から37までのいずれか一項に記載の電子ビーム源を作製するための方法において、該方法が、
電子ビーム蒸着またはイオンビーム蒸着の少なくともいずれかを用いてベースに第1材料のコアを成長させるステップと、
第2材料の被覆層を前記コアに塗布するステップと、
該コアを抽出電極の間隙に向かい合わせに配置するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 電子ビームシステムにおいて、
請求項1から37までのいずれか一項に記載の電子ビーム源または請求項38に記載の方法により作製された電子ビーム源を備えることを特徴とする電子ビームシステム。 - ベースと、
ベースに固定され、前記ベースから離れる方向に延在する1つのチップであって、第1材料からなるコア表面を有し、第2材料からなる被覆層を塗布されたコアを備え、前記第2材料がチップの表面を提供するチップと、
前記被覆層に電気的に接続された第1電気端子と、
前記チップに向かい合って配置された間隙を有する抽出電極と、
該抽出電極に電気的に接続された第2電気端子とを備えるビーム電子源であって、
前記第1材料の電気伝導率が、10 5 S/mよりも低いという条件、
前記第2材料の電気伝導率が、10 −7 S/mよりも高いという条件、
前記第2材料の電気伝導率と前記第1材料の電気伝導率との間の比率が、10:1よりも大きいという条件のうち、少なくとも1つの条件を満たすことを特徴とする電子ビーム源の使用法において、
0.1μAよりも大きい電子ビーム電流を有する電子ビームを生成するために使用することを特徴とする使用法。 - 請求項40に記載の電子ビーム源の使用法において、1μAよりも大きい電子ビーム電流を有する電子ビームを生成するために使用することを特徴とする使用法。
- 請求項40または41に記載の電子ビーム源の使用法において、前記ベースが凸面形状の表面を有することを特徴とする使用法。
- 請求項1から37までのいずれか一項に記載の電子ビーム源、または請求項38に記載の方法により作製された電子ビーム源の使用法において、
物体の電子顕微鏡画像を生成するために使用することを特徴とする使用法。 - 請求項1から37までのいずれか一項に記載の電子ビーム源、または請求項38に記載の方法により作製された電子ビーム源の使用法において、
所定パターンにより感光性層を露光するために使用することを特徴とする使用法。
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