JP2008041289A - 電界放出型電子銃およびそれを用いた電子線応用装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の課題を達成するための手段は、繊維状炭素物質とそれを支持する導電性基材から構成される電子源と、電子を電界放出させる引出装置と、電子を加速させる加速装置を有する電界放出型電子銃において、該繊維状炭素物質がバンドギャップを有する物質で被覆されていることにある。また、本発明の電界放出型電子銃を各種電子線応用装置に適用することである。
【選択図】図2
Description
13…導電性基材先端部に形成した平坦面、14…繊維状炭素物質、15…被覆層(バンドギャップを有する物質)、16…電子銃、17…アライメントコイル、18…コンデンサレンズ、19…非点補正コイル、20…偏向,走査コイル、21…対物レンズ、22…対物レンズ絞り、23…試料、24…試料ステージ、25…排気系、26…二次電子検出器、27…ブランキング電極。
Claims (10)
- 繊維状炭素物質と、前記繊維状炭素物質を支持する導電性基材と、前記繊維状炭素物質より電子を電界放出させる引出装置と、前記電子を加速する加速装置とを有する電界放出型電子銃であって、前記繊維状炭素物質の電界放出部位が半導体または絶縁体を含む被覆層で被覆されていることを特徴とする電界放出型電子銃。
- 請求項1に記載された電界放出型電子銃であって、前記被覆層は酸化物,炭化物,窒化物を含むことを特徴とする電界放出型電子銃。
- 請求項1または2に記載された電界放出型電子銃であって、前記電界放出部位の被覆層の厚みが10nm以下であることを特徴とする電界放出型電子銃。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載された電界放出型電子銃であって、前記被覆層が複数層よりなり、少なくとも最表面層が半導体または絶縁体よりなる層であることを特徴とする電界放出型電子銃。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載された電界放出型電子銃であって、
前記繊維状炭素物質の直径が50nm以上であることを特徴とする電界放出型電子銃。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載された電界放出型電子銃であって、
前記繊維状炭素物質は窒素またはホウ素を含有することを特徴とする電界放出型電子銃。 - 電子線源より発生した電子線を試料に照射し、試料観察を行う電子顕微鏡であって、
前記電子線源はカーボンナノチューブと、カーボンナノチューブを固定する導電性基材とを有し、
前記カーボンナノチューブの電子線発生部が半導体あるいは絶縁体で被覆されていることを特徴とする電子顕微鏡。 - 請求項7に記載された電子顕微鏡において、試料ステージと、前記試料ステージを駆動する駆動装置と、前記駆動装置を制御する制御装置と、試料より得られる情報を画像処理する測長システムとを有することを特徴とする電子顕微鏡。
- 電子線源より発生した電子線を試料に照射し、試料に電子線による描画を行う電子線描画装置において、
前記電子線源はカーボンナノチューブと、カーボンナノチューブを固定する導電性基材とを有し、
前記カーボンナノチューブの電子線発生部が半導体あるいは絶縁体で被覆されていることを特徴とする電子線描画装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載された電界放出型電子銃であって、
前記繊維状炭素物質は原子価が3価または5価の元素を含有することを特徴とする電界放出型電子銃。
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