JP5654601B2 - パラジウム化合物を用いたカップリング法によるフェニル置換複素環誘導体の製造法 - Google Patents

Description

本発明は、フェニル誘導体と複素環誘導体との新規なカップリング法を用いたフェニル置換複素環誘導体の製造方法に関するものである。更に詳細には、本発明は、例えば痛風及び／又は高尿酸血症治療剤等のキサンチンオキシダーゼ阻害剤として有用なフェニル置換複素環誘導体又はその中間体の優れた製造方法に関するものである。

痛風は高尿酸血症を基礎疾患とし、発作の寛解後は高尿酸血症の改善療法が行なわれる。高尿酸血症の治療薬は大別して尿酸排泄促進剤と尿酸合成阻害剤（キサンチンオキシダーゼ阻害剤）に分けられ、疾患の態様や程度に応じて適宜選択される。

キサンチンオキシダーゼ（ＸＯＤ）阻害剤としては、２−フェニルチアゾール誘導体（特許文献１〜６、非特許文献１）、３−フェニルイソチアゾール誘導体（特許文献７、８）、フェニルピラゾール誘導体（特許文献９〜１１）、２−フェニルオキサゾール誘導体（特許文献１２）、フェニルヘテロアリール誘導体（特許文献１３）が挙げられる。特許文献１〜１２に記載されている製造法は、反応を直線的に連続させた製造方法により複素環を構築していく方法で工程数が長い。特許文献１３に記載されている製造法はフェニル環と複素環を直接カップリングして骨格を構築する方法で工程数が短い。しかしながら、この方法ではボロン化合物を製造する必要があるためコストが高く、短工程、低コストの製造方法という観点ではまだ充分とは言えないものである。

ボロン化合物を用いることなく、複素環上のＣ−Ｈ結合の位置で直接複素環とフェニル環とを結合させる製造法としては、触媒として、パラジウム化合物（非特許文献２〜８）、ロジウム化合物（非特許文献９）、イリジウム化合物（非特許文献１０）、銅化合物（非特許文献１１）、ニッケル化合物（非特許文献１２〜１３）、及びコバルト化合物（非特許文献１４）を用いたカップリング反応による方法が報告されている。その中で、ニッケル化合物を用いた製造法は、キサンチンオキシダーゼ（ＸＯＤ）阻害剤であるフェニル置換複素環誘導体の製造法に関するものである（非特許文献１２）。しかしながら、ニッケル化合物以外の金属触媒を用いて本発明の目的物であるフェニル置換複素環誘導体を製造した例は報告されていない。また、いずれも基質面での制約、コスト面、収率面で満足できる方法ではない。

パラジウム化合物と銅化合物（非特許文献１５〜２２）、又はパラジウム化合物と銀化合物（非特許文献２３）を反応に用いることで、複素環上のＣ−Ｈ結合の位置で直接複素環とフェニル環とを結合させる製造法は既知ではあるが、環境面で好ましくない銅化合物や銀化合物を基質と等量以上に用いている例が多く（非特許文献１５〜１７、２３）、また、等量以上用いていない条件（非特許文献１８〜２２）においても、基質面での制約、コスト面、収率面で満足できる方法ではない。

なお、パラジウム化合物と銅化合物、又はパラジウム化合物と銀化合物にカルボン酸を組み合わせることで反応の収率や選択性、反応速度が向上する例は報告されていない。

国際公開第92/09279号パンフレット 特開平6-293746号公報 特開平6-329647号公報 特開平6-345724号公報 特開平10-139770号公報 特開平11-60552号公報 特開昭57-85379号公報 特開平6-211815号公報 特開昭59-95272号公報 国際公開第98/18765号パンフレット 特開平10-310578号公報 特開平6-65210号公報 国際公開第2007/097403号パンフレット

Heterocycles 1998：47，857 J. Am. Chem. Soc. 2006：128，16496 J. Org. Chem. 2009：74，1826 Org. Lett. 2009：10(13)，2909 Tetrahedron Letters，2008：49(6)，1045 Tetrahedron， 2003：59(30)，5685 Chem. A. Eur. J.， 2009：15(6)，1337 J. Am. Chem. Soc. 2006：128(2)，581 J. Am. Chem. Soc. 2008：130，14926 Chem. Comm. 2004：1926 J. Am. Chem. Soc. 2007：129(41)，12404 Org. Lett. 2009：11(8)，1733 Org. Lett. 2009：11(8)，1737 Org. Lett. 2003：5(20)，3607 Tetrahedron， 2007：63(9)，1970 J. Org. Chem. 2009：74，5810 Bull. Chem. Soc. Jpn.， 1998：71，467 Org. Lett. 2004：6(12)，2011 J. Am. Chem. Soc. 2010：132，3674 Angew. Chem. Int. Ed. 2006：7781 Tetrahedron Letters， 2005：46(8)，1349 J. Am. Chem. Soc. 2003：125，1700 Angew. Chem.， Int. Ed. 2007：46，7996

本発明が解決しようとする課題は、前記公知製造法とは異なる、痛風及び／又は高尿酸血症治療剤等のキサンチンオキシダーゼ阻害剤であるフェニル置換複素環誘導体又はその中間体の、短工程の優れた製造法を提供することである。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、
（ｉ）パラジウム化合物、
（ii）パラジウム化合物に配位し得る配位子又はその塩、
（iii）塩基、
（iv）Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩、及び
（ｖ）銅、銀、及びそれらの塩、ならびにそれらの錯体からなる群から選択される少なくとも１つの添加剤
を使用して、フェニル誘導体のフェニル環と複素環誘導体とを、複素環上のＣ−Ｈ結合の位置で直接カップリングでき、かつ高い基質選択性で目的とするカップリング反応が進行するという知見を得た。

すなわち本発明は、以下のものに関する。
［１］下記式（１）

［式（１）において、
Ｒ^１は、水素原子又はハロゲン原子を表し；
Ｒ^２は、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、ホルミル基、又はハロメチル基を表し；
Ａは、水素原子、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、Ｃ_３〜Ｃ_６シクロアルキル基、フェニル基、フッ素原子（Ｘが結合手の場合に限る）、又は水酸基の保護基（Ｘが酸素原子の場合に限る）を表し、
Ａは１〜３個の置換基で置換されていてもよく、かかる置換基は、ハロゲン原子、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキルチオ基、Ｃ_３〜Ｃ_６シクロアルキル基、フェニル基、フェノキシ基、及びピリジル基からなる群から選ばれる基であり；
Ｘは、結合手(ただし、Ａが、フェニル基、又はフッ素原子の場合に限る)、又は酸素原子を表し；
Ｙは、脱離基を表す。］
で表される化合物と、下記式（２）

［式（２）において、
Ｈは、水素原子を表し；
Ｂは、下記式から選択される基を表し；

Ｒ^３は、−ＣＯＯＲ^３ａ、又は−ＣＯＲ^３ｂを表し；
Ｒ^３ａは、水素原子、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、又はカルボキシル基のエステル系保護基を表し；
Ｒ^３ｂは、隣接するカルボニル基とアミドを形成する、カルボキシル基のアミド系保護基を表し；
Ｒ^４は、水素原子、ハロゲン原子、又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル基を表し；
Ｗは、酸素原子、又は硫黄原子を表す。］
で表される化合物とを、
（ｉ）パラジウム化合物、
（ii）パラジウム化合物に配位し得る配位子又はその塩、
（iii）塩基、
（iv）Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩、及び
（ｖ）銅、銀、及びそれらの塩、ならびにそれらの錯体からなる群から選択される少なくとも１つの添加剤
の存在下において反応させることによる、
下記式（３）

［式（３）において、
Ａ、Ｘ、Ｒ^１、及びＲ^２は式（１）の定義と同じであり、Ｂ、及びＲ^３は式（２）の定義と同じである。］で表されるフェニル置換複素環誘導体の製造法。
［２］Ａが、Ｃ_１〜Ｃ_５アルキル基である［１］記載の製造法。
［３］Ａが、イソブチル基である［１］記載の製造法。
［４］Ｘが、酸素原子である［１］〜［３］のいずれかに記載の製造法。
［５］Ｒ^１が、水素原子である［１］〜［４］のいずれかに記載の製造法。
［６］Ｒ^２が、シアノ基である［１］〜［５］のいずれかに記載の製造法。
［７］Ｙが、ハロゲン原子、−ＯＣＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）、−ＯＣＯ_２−（フェニル基）、−ＯＳＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）、−ＯＳＯ_２−（フェニル基）、又はジアゾニウム基を表し、
Ｙ中の、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基は１〜３個のハロゲン原子で置換されていてもよく、フェニル基はハロゲン原子及びＣ_１〜Ｃ_４アルキル基から選択される任意の１〜５個の置換基で置換されていてもよい［１］〜［６］のいずれかに記載の製造法。
［８］Ｂが、以下の基で表される［１］〜［７］のいずれかに記載の製造法。

［９］Ｒ^３がＣＯＯＲ^３ａであり、Ｒ^３ａがＣ_１〜Ｃ_４アルキル基である［１］〜［８］のいずれかに記載の製造法。
［１０］Ｒ^４が、メチル基である［１］〜［９］のいずれかに記載の製造法。
［１１］パラジウム化合物が、０価のパラジウム、又は1価もしくは２価のパラジウムの塩である［１］〜［１０］のいずれかに記載の製造法。
［１２］パラジウム化合物が、０価のパラジウム、又は２価のパラジウムの塩である［１］〜［１０］のいずれかに記載の製造法。
［１３］パラジウム化合物が、酢酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(ＯＡｃ)_２）、プロピオン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ_２ＣＨ_３)_２）、２−メチルプロパン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（ＣＨ_３）_２)_２）、ピバル酸パラジウム（Ｐｄ(ＯＰｉｖ)_２）、１−アダマンタンカルボン酸パラジウム（ＩＩ）、塩化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＣｌ_２）、臭化パラジウム（Ｉ）（Ｐｄ_２Ｂｒ_２）、臭化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＢｒ_２）、又はパラジウム（０）である［１］〜［１０］のいずれかに記載の製造法。
［１４］パラジウム化合物が、酢酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(ＯＡｃ)_２）、プロピオン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ_２ＣＨ_３)_２）、２−メチルプロパン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（ＣＨ_３）_２)_２）、ピバル酸パラジウム（Ｐｄ(ＯＰｉｖ)_２）、塩化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＣｌ_２）、臭化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＢｒ_２）、又はパラジウム（０）である［１］〜［１０］のいずれかに記載の製造法。
［１５］パラジウム化合物が、２−メチルプロパン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（ＣＨ_３）_２)_２）、ピバル酸パラジウム（Ｐｄ(ＯＰｉｖ)_２）、塩化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＣｌ_２）、臭化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＢｒ_２）、又はパラジウム（０）である［１］〜［１０］のいずれかに記載の製造法。
［１６］配位子が、ホスフィン系配位子である［１］〜［１３］のいずれかに記載の製造法。
［１７］配位子が、Ｒ^５Ｐ（Ｒ^６）Ｒ^７（Ｒ^５、Ｒ^６、及びＲ^７は、それぞれ独立して、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリールオキシ基、又はヘテロアリールオキシ基を表し、Ｒ^５及びＲ^６は互いに結合しＣ_２〜Ｃ_８アルキレン基を形成していてもよい。）で表されるホスフィン系配位子である［１］〜［１６］のいずれかに記載の製造法。
［１８］Ｒ^５Ｐ（Ｒ^６）Ｒ^７で表されるホスフィン系配位子において、Ｒ^５及びＲ^６が、それぞれ独立して、Ｃ_３〜Ｃ_８アルキル基、又は脂環式炭化水素基を表し、Ｒ^７が、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、又はヘテロアリール基を表す［１７］に記載の製造法。
［１９］Ｒ^５Ｐ（Ｒ^６）Ｒ^７で表されるホスフィン系配位子において、リン原子に結合している、Ｒ^５及びＲ^６のそれぞれの炭素原子に結合する水素原子数が０又は１である［１８］に記載の製造法。
［２０］Ｒ^７が、Ｃ_３〜Ｃ_８アルキル基、又は脂環式炭化水素基を表す［１９］に記載の製造法。
［２１］配位子が、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）メチルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロヘキシルホスフィン、又はトリ（シクロヘキシル）ホスフィンである［１］〜［１６］のいずれかに記載の製造法。
［２２］配位子が、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシルホスフィンである［１］〜［１６］のいずれかに記載の製造法。
［２３］配位子が、Ｒ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｐ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるホスフィン系配位子、又はＲ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｎ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるアミン−ホスフィン系配位子であって、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１１、及びＲ^１２は、それぞれ独立して、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリールオキシ基、又はヘテロアリールオキシ基を表し、
Ｒ^１０は、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキレン基、２価の脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリーレン基、又はヘテロアリーレン基を表し、また、Ｒ^１１、及びＲ^１２が窒素原子に結合している場合、Ｒ^１１とＲ^１２が結合している窒素原子、Ｒ^１１及びＲ^１２は一緒になってヘテロアリール基を形成していてもよい、［１］〜［１６］のいずれかに記載の製造法。
［２４］Ｒ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｐ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるホスフィン系配位子、又はＲ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｎ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるアミン−ホスフィン系配位子において、Ｒ^８及びＲ^９が、それぞれ独立して、Ｃ_３〜Ｃ_８アルキル基、又は脂環式炭化水素基である［２３］に記載の製造法。
［２５］Ｒ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｐ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるホスフィン系配位子、又はＲ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｎ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるアミン−ホスフィン系配位子において、リン原子又は窒素原子に結合している、Ｒ^８及びＲ^９のそれぞれの炭素原子に結合する水素原子数が０又は１である［２４］に記載の製造法。
［２６］塩基が、アルカリ金属もしくは第二族元素の水酸化物、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ金属のリン酸塩、又はアルカリ金属もしくは第二族元素の、炭酸塩もしくは炭酸水素塩である［１］〜［２５］のいずれかに記載の製造法。
［２７］塩基が、アルカリ金属の、炭酸塩もしくは炭酸水素塩である［１］〜［２５］のいずれかに記載の製造法。
［２８］塩基が、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム、又は炭酸水素ナトリウムである［１］〜［２５］のいずれかに記載の製造法。
［２９］塩基が、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、又は炭酸水素ナトリウムである［１］〜［２５］のいずれかに記載の製造法。
［３０］塩基が、炭酸カリウム、又は炭酸水素カリウムである［１］〜［２５］のいずれかに記載の製造法。
［３１］Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸において、カルボキシル基のα位の炭素原子が芳香環上の炭素原子でない［１］〜［３０］のいずれかに記載の製造法。
［３２］Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸において、カルボキシル基のα位の炭素原子に結合する水素原子数が０又は１である［１］〜［３１］のいずれかに記載の製造法。
［３３］Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸が、１個のカルボキシル基を有するものである［１］〜［３２］のいずれかに記載の製造法。
［３４］Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸が、カルボキシル基以外を構成する原子として、炭素原子、及び水素原子のみを有するものである［１］〜［３３］のいずれかに記載の製造法。
［３５］カルボン酸が、Ｃ_１〜Ｃ_１２のカルボン酸である［１］〜［３４］のいずれかに記載の製造法。
［３６］カルボン酸が、２−メチルプロパン酸、又はピバル酸である［１］〜［３０］のいずれかに記載の製造法。
［３７］（ｉ）パラジウム化合物と（iv）Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩を独立して用いる代わりに、Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸の２価のパラジウムの塩を用いる［１］〜［３６］に記載の製造法。
［３８］（iv）Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩と（ｖ）添加剤を独立して用いる代わりに、Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸の、１価の銅の塩もしくは１価の銀の塩を用いる［１］〜［３６］に記載の製造法。
［３９］添加剤が、０価の銅、又は１価の銅の塩である［１］〜［３７］のいずれかに記載の製造法。
［４０］添加剤が、酸化銅（Ｉ）、フッ化銅（Ｉ）、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、ギ酸銅（Ｉ）、酢酸銅（Ｉ）、プロピオン酸銅（Ｉ）、２−メチルプロパン酸銅（Ｉ）、２−エチルブタン酸銅（Ｉ）、２−メチルブタン酸銅（Ｉ）、２−メチルペンタン酸銅（Ｉ）、２−メチルヘキサン酸銅（Ｉ）、２−メチルヘプタン酸銅（Ｉ）、２，２−ジメチルブタン酸銅（Ｉ）、２，３−ジメチルブタン酸銅（Ｉ）、２，２−ジメチルペンタン酸銅（Ｉ）、２，３，３−トリメチルブタン酸銅（Ｉ）、２−エチルヘキサン酸銅（Ｉ）、２，２−ジエチルブタン酸銅（Ｉ）、２，２，４−トリメチルペンタン酸銅（Ｉ）、２-メチルオクタン酸銅（Ｉ）、２−メチルウンデカン酸銅（Ｉ）、２-メチルノナン酸銅（Ｉ）、ピバル酸銅（Ｉ）、シクロプロパン酸銅（Ｉ）、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸銅（Ｉ）、シクロペンタン酸銅（Ｉ）、及び１−アダマンタンカルボン酸銅（Ｉ）からなる群から選択される少なくとも１つである［１］〜［３８］のいずれかに記載の製造法。
［４１］添加剤が、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、２−メチルプロパン酸銅（Ｉ）、及びピバル酸銅（Ｉ）からなる群から選択される少なくとも１つである［１］〜［３８］のいずれかに記載の製造法。
［４２］添加剤が、０価の銀、又は１価の銀の塩である［１］〜［３８］のいずれかに記載の製造法。
［４３］添加剤が、酸化銀（Ｉ）、フッ化銀（Ｉ）、塩化銀（Ｉ）、臭化銀（Ｉ）、ヨウ化銀（Ｉ）、ギ酸銀（Ｉ）、酢酸銀（Ｉ）、プロピオン酸銀（Ｉ）、２−メチルプロパン酸銀（Ｉ）、２−エチルブタン酸銀（Ｉ）、２−メチルブタン酸銀（Ｉ）、２−メチルペンタン酸銀（Ｉ）、２−メチルヘキサン酸銀（Ｉ）、２−メチルヘプタン酸銀（Ｉ）、２，２−ジメチルブタン酸銀（Ｉ）、２，３−ジメチルブタン酸銀（Ｉ）、２，２−ジメチルペンタン酸銀（Ｉ）、２，３，３−トリメチルブタン酸銀（Ｉ）、２−エチルヘキサン酸銀（Ｉ）、２，２−ジエチルブタン酸銀（Ｉ）、２，２，４−トリメチルペンタン酸銀（Ｉ）、２-メチルオクタン酸銀（Ｉ）、２−メチルウンデカン酸銀（Ｉ）、２-メチルノナン酸銀（Ｉ）、ピバル酸銀（Ｉ）、シクロプロパン酸銀（Ｉ）、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸銀（Ｉ）、シクロペンタン酸銀（Ｉ）、及び１−アダマンタンカルボン酸銀（Ｉ）からなる群から選択される少なくとも１つである［１］〜［３８］のいずれかに記載の製造法。
［４４］添加剤が、塩化銀（Ｉ）、臭化銀（Ｉ）、２−メチルプロパン酸銀（Ｉ）、及びピバル酸銀（Ｉ）からなる群から選択される少なくとも１つである［１］〜［３８］のいずれかに記載の製造法。
［４５］反応中、さらに溶媒が存在する［１］〜［４４］のいずれかに記載の製造法。
［４６］溶媒が、脂肪族炭化水素類（ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、シクロへキサン、シクロヘプタン、及びシクロオクタン等）、芳香族炭化水素類（トルエン、キシレン、メシチレン、及びクロロベンゼン等）、エーテル類（ジメトキシエタン、シクロペンチルメチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトロヒドロフラン、及びジエチレングリコールジメチルエーテル等）、ケトン類（アセトン、及びメチルイソブチルケトン等）、エステル類（酢酸ブチル、及びプロピオン酸エチル等）、及びこれらの混合溶媒からなる群から選択される少なくとも１つである［４５］に記載の製造法。

本発明によれば、パラジウム化合物、そのパラジウム化合物に配位し得る配位子、塩基、及びＣ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸、さらに１種類以上の添加剤を用いて、フェニル誘導体（式（１）で表される化合物）と複素環誘導体（式（２）で表される化合物）とを選択的にカップリング反応させることにより、短工程で、フェニル置換複素環誘導体（式（３）で表される化合物）を得ることができる。

また、短工程であることから、フェニル置換複素環誘導体（式（３）で表される化合物
）を高収率かつ低コストで製造することができる。

本明細書で単独又は組み合わせて用いられる用語を以下に説明する。特段の記載がない限り、各置換基の説明は、各部位において共通するものとする。なお、置換基及び変数の組み合わせは、そのような組み合わせが化学的に安定な化合物をもたらす場合にだけ許される。置換基自身が２個以上の基で置換される場合、これらの多数の基は、安定な構造が生じる限り、同じ炭素又は異なる炭素に存在し得る。

本発明において「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子を意味する。

本発明において「Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基」とは、炭素数が１〜８個の飽和の直鎖又は分岐状脂肪族炭化水素基を意味し、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１−メチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、１,１−ジメチルブチル基、２,２−ジメチルブチル基、３,３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、及びｎ−オクチル基等が挙げられる。

本発明のうち、例えば「Ｃ_１」等の「Ｃ」は炭素原子を表し、その後に付く数字は炭素数を表す。例えば、「Ｃ_１〜Ｃ_６」は炭素数１から炭素数６までの範囲を表す。もちろんであるが、本発明において、炭素数が異なれば、その炭素数を有するその基を意味することとなる。例えば、「Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基」は、「Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基」で説明しているうち、炭素数が１から４であるアルキルを意味する。他の基における炭素数の扱いも同様である。

本発明において「Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基」とは、「Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基」とオキシ基とからなる基を意味し、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、及びｔｅｒｔ−ブチルオキシ基等が挙げられる。

本発明において「脂環式炭化水素基」とは、３〜１２個の炭素原子からなる、炭素環が飽和構造の、単環性、二環性又は三環性の脂環式炭化水素基を意味する。例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基、７−ノルボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、及び３−ノルアダマンチル基等が挙げられる。

本発明において「Ｃ_３〜Ｃ_８シクロアルキル基」とは、「脂環式炭化水素基」のうち、３〜８個の炭素原子からなる単環性の脂環式炭化水素基を意味し、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。

本発明において「Ｃ_１〜Ｃ_８アルキレン基」とは、炭素数が１〜８個の飽和の直鎖又は分岐状脂肪族炭化水素基の２価の基を意味し、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、１−メチルプロピレン基、ｎ−ヘキシレン基、イソヘキシレン基、１,１−ジメチルブチレン基、２,２−ジメチルブチレン基、１,３−ジメチルブチレン基、ｎ−ヘプチレン基、及びｎ−オクチレン基等が挙げられる。

本発明において「２価の脂環式炭化水素基」とは、３〜１２個の炭素原子からなる、炭素環が飽和構造の、単環性、二環性又は三環性の脂環式炭化水素基の２価の基を意味する。例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、ノルボルニレン基、及びノルアダマンチレン基等が挙げられる。

本発明において「Ｃ_３〜Ｃ_８シクロアルキレン基」とは、「２価の脂環式炭化水素基」のうち、３〜８個の炭素原子からなる単環性の脂環式炭化水素基の２価の基を意味し、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、及びシクロオクチレン基等が挙げられる。

本発明において「Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基」とは、炭素数が６〜１２個の芳香族炭化水素の環炭素原子に結合する水素原子を１個除去することにより生成される官能基を意味し、例えば、フェニル基、ビフェニル基、及びナフチル基等が挙げられる。

本発明において「ヘテロアリール基」とは、酸素原子、硫黄原子、及び窒素原子からなる群より選ばれる１〜４個のヘテロ原子を含有する、５〜１２員の芳香族複素環から１個の水素原子を除去することにより生成される官能基を意味し、例えば、フリル基、チオフリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、インドリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、及びピリジル基等が挙げられる。

本発明において「Ｃ_６〜Ｃ_１２アリールオキシ基」とは、「Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基」とオキシ基からなる基を意味し、例えば、フェノキシ基、ビフェノキシ基、及びナフトキシ基等が挙げられる。

本発明において「ヘテロアリールオキシ基」とは、「ヘテロアリール基」とオキシ基からなる基を意味し、例えば、フリルオキシ基、チオフリルオキシ基、ピロールオキシ基、イミダゾールオキシ基、ピラゾールオキシ基、チアゾールオキシ基、オキサゾールオキシ基、インドールオキシ基、ベンゾチアゾールオキシ基、ベンゾイミダゾールオキシ基、ベンゾオキサゾールオキシ基、トリアゾールオキシ基、テトラゾールオキシ基、及びピリジンオキシ基等が挙げられる。

本発明において「Ｃ_６〜Ｃ_１２アリーレン基」とは、炭素数が６〜１２個の芳香族炭化水素の環炭素原子に結合する水素原子を２個除去することにより生成される２価の官能基を意味し、例えば、フェニレン基、ビフェニレン基、及びナフチレン基等が挙げられる。

本発明において「ヘテロアリーレン基」とは、酸素原子、硫黄原子、及び窒素原子からなる群より選ばれる１〜４個のヘテロ原子を含有する、５〜１２員の芳香族複素環から２個の水素原子を除去することにより生成される官能基を意味し、例えば、フリレン基、チオフリレン基、ピロリレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、チアゾリレン基、オキサゾリレン基、インドリレン基、ベンゾチアゾリレン基、ベンゾイミダゾリレン基、ベンゾオキサゾリレン基、トリアゾリレン基、及びピリジレン基等が挙げられる。

本発明において「Ｃ_１〜Ｃ_４アルキルチオ基」とは、「Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基」とチオ基とからなる基を意味し、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、及びｔｅｒｔ−ブチルチオ基等が挙げられる。

本発明において、Ｒ^５Ｐ（Ｒ^６）Ｒ^７もしくはＲ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｐ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるホスフィン系配位子、Ｒ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｎ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるアミン−ホスフィン系配位子、又はＲ^８（Ｒ^９）ＮＲ^１０Ｎ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるアミン系配位子中に存在する、「Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基」、「Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基」、「脂環式炭化水素基」、「２価の脂環式炭化水素基」、「Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基」、「ヘテロアリール基」、「Ｃ_６〜Ｃ_１２アリールオキシ基」、「ヘテロアリールオキシ基」、「Ｃ_６〜Ｃ_１２アリーレン基」、及び「ヘテロアリーレン基」は、ハロゲン原子、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、第一級アミノ基、第二級アミノ基、及びハロメチル基等からなる群から選択される１〜４個の基で、置換されていてもよい。

本発明において「第一級アミノ基」とは、アミノ基の窒素原子に、「Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、及びヘテロアリール基」からなる群から選択される１個の基、及び１個の水素原子が結合した官能基を意味し、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、シクロプロピルアミノ基、シクロブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、シクロヘプチルアミノ基、シクロオクチルアミノ基、１−ノルボルニルアミノ基、２−ノルボルニルアミノ基、７−ノルボルニルアミノ基、１−アダマンチルアミノ基、２−アダマンチルアミノ基、３−ノルアダマンチルアミノ基、アニリノ基、ビフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、フリルアミノ基、チオフリルアミノ基、ピロリルアミノ基、イミダゾリルアミノ基、ピラゾリルアミノ基、チアゾリルアミノ基、オキサゾリルアミノ基、インドリルアミノ基、ベンゾチアゾリルアミノ基、ベンゾイミダゾリルアミノ基、ベンゾオキサゾリルアミノ基、トリアゾリルアミノ基、テトラゾリルアミノ基、及びピリジルアミノ基等が挙げられる。

本発明において「第二級アミノ基」とは、アミノ基の窒素原子に、「Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、及びヘテロアリール基」からなる群から独立して選択される２個の基が結合した官能基、又はアミノ基の窒素原子に「Ｃ_１〜Ｃ_８アルキレン基」が、それぞれ独立して、その２個の結合手によって結合した官能基を意味する。

第二級アミノ基において、アミノ基の窒素原子に「Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、及びヘテロアリール基」からなる群から独立して選択される２個の基が結合した官能基の例として、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ（ｎ−ブチル）アミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、エチルイソプロピルアミノ基、ジシクロプロピルアミノ基、ジシクロブチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘプチルアミノ基、ジシクロオクチルアミノ基、シクロプロピルメチルアミノ基、シクロヘキシルメチルアミノ基、シクロペンチルエチルアミノ基、シクロオクチル（ｎ−プロピル）アミノ基、メチル−１−ノルボルニルアミノ基、エチル−２−ノルボルニルアミノ基、ｎ−プロピル−７−ノルボルニルアミノ基、イソプロピル−１−アダマンチルアミノ基、イソブチル−２−アダマンチルアミノ基、シクロプロピル−３−ノルアダマンチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビフェニルフェニルアミノ基、ナフチルフェニルアミノ基、ジフリルアミノ基、ジチオフリルアミノ基、ジピロリルアミノ基、ジイミダゾリルアミノ基、ジピラゾリルアミノ基、ジチアゾリルアミノ基、ジオキサゾリルアミノ基、ジインドリルアミノ基、ジベンゾチアゾリルアミノ基、ジベンゾイミダゾリルアミノ基、ジベンゾオキサゾリルアミノ基、ジトリアゾリルアミノ基、ジテトラゾリルアミノ基、及びジピリジルアミノ基等が挙げられる。

アミノ基の窒素原子に「Ｃ_１〜Ｃ_８アルキレン基」が、それぞれ独立して、その２個の結合手によって結合した官能基の例として、アジリジノ基、アゼチジノ基、ピロリジノ基、及びピペリジノ基等が挙げられる。

本発明において「ヘテロアレーン」とは、酸素原子、硫黄原子、及び窒素原子からなる群より選ばれる１〜４個のヘテロ原子を含有する、５〜１２員の芳香族複素環化合物を意味し、例えば、フラン、チオフラン、ピラン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、インドール、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、トリアゾール、テトラゾール、及びピリジン等が挙げられる。本発明においてヘテロアレーンは、単座、及び二座の配位子として用いられる。ヘテロアレーンは、ハロゲン原子、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、第一級アミノ基、第二級アミノ基、及びハロメチル基等からなる群から選択される１〜３個の基で、置換されていてもよい。

本発明において「ハロメチル基」とは、１〜３個のハロゲン原子で置換されたメチル基を意味し、例えば、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、フルオロメチル基、トリクロロメチル基、ジクロロメチル基、クロロメチル基、トリブロモメチル基、ジブロモメチル基、及びブロモメチル基等が挙げられる。

本発明において、「脱離基」とは、置換反応又は脱離反応等において、反応基質から離れていく原子又は原子団を意味する。かかる「脱離基」としては、例えば、ハロゲン原子、−ＯＣＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）、−ＯＣＯ_２−（フェニル基）、−ＯＳＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）、−ＯＳＯ_２−（フェニル基）、又はジアゾニウム基（−Ｎ^＋≡Ｎ）等が挙げられる。また、脱離基を構成する、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基は１〜３個のハロゲン原子で置換されていてもよく、フェニル基はハロゲン原子及びＣ_１〜Ｃ_４アルキル基から選択される任意の１〜５個の置換基で置換されていてもよい。ただし、これらに限定されない。

「水酸基の保護基」とは、水酸基を保護する基を意味する。このような「水酸基の保護基」は、当技術分野において周知であるが、エーテル系保護基、シリルエーテル系保護基、エステル系保護基、カルボナート系保護基、ホスフィン系保護基、及びスルホナート系保護基等に分類され、例えば、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、フェニルチオメチル基、フェナシルメチル基、４−ブロモフェナシルメチル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、プロパルギル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、オルト−ニトロベンジル基、４−（ジメチルアミノ）カルボニルベンジル基、４−メチルスルフィニルベンジル基、９−アントラニルメチル基、４−ピコリル基、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ホルミル基、−（Ｃ＝Ｏ）−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）、ベンゾイル基、４−オキソ−ペンタノイル基、ピバロイル基、メチルエステル基、１−アダマンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、４−メチルスルフィニルベンジルオキシカルボニル基、２，４−ジメチルペント−３−イルオキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、−（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）、メタンスルホニル基、及びトルエンスルホニル基等、グリーン（Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎｅ）及びウッツ（Ｐ．Ｇ．Ｍ．Ｗｕｔｓ）著、「Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ（第３版、１９９４年）、（第４版、２００６年）」のフェノールの保護基に記載される基等を挙げることができる。ただし、ここに例示した基に限定されず、水酸基の保護基として利用される基であればよい。ここで、Ａとしての水酸基の保護基は、Ｘが酸素原子の場合に水酸基の保護基として用いられるものである。例えば、ベンジル基が保護基の場合、Ａ−Ｘ−はＰｈＣＨ_２−Ｏ−となる。

本発明における「カルボキシル基のエステル系保護基」とは、保護するカルボキシル基の酸素原子と結合し、エステルを形成する、カルボキシル基を保護する基を意味する。このような「カルボキシル基のエステル系保護基」としては、例えば、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル基、９−フルオレニルメチル基、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、メトキシエトキシメチル基、２−（トリメチルシリル）エトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、フェニルアセトキシメチル基、トリイソプロピルシリルメチル基、パラ−ブロモフェナシル基、α−メチルフェナシル基、パラ−メトキシファナシル基、デシル基、カルボキサミドメチル基、パラ−アゾベンゼンカルボキサミドメチル基、Ｎ−フタルイミドメチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２−ハロエチル基、ω−クロロアルキル基、２−（トリエチルシリル）エチル基、２−メチルチオエチル基、１，３−ジチアニル−２−メチル基、２−（パラ−ニトロフェニルスルフェニル）エチル基、２−（パラ−トルエンスルホニル）エチル基、２−（２’−ピリジル）エチル基、２−（パラ−メトキシフェニル）エチル基、２−（ジフェニルホスフィノ）エチル基、１−メチル−１−フェニルエチル基、２−（４−アセチル−２−ニトロフェニル）エチル基、２−シアノエチル基、ジシクロプロピルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アリル基、メタリル基、２−メチルブト−３−エン−２−イル基、３−メチルブト−２−（プレニル）基、３−ブテン−１−イル基、４−（トリメチルシリル）−２−ブテン−１−イル基、シンナミル基、α−メチルシンナミル基、プロプ−２−インイル（プロパルギル）基、フェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）−４−メチルフェニル基、２，６−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）−４−メトキシフェニル基、パラ−（メチルチオ）フェニル基、ペンタフルオロフェニル基、ベンジル基、トリフェニルメチル基、ジフェニルメチル基、ビス（オルト−ニトロフェニル）メチル基、９−アントラニルメチル基、２−（９，１０−ジオキソ）アントラニルメチル基、５−ジベンゾスベリル基、１−ピレニルメチル基、２−（トリフルオロメチル）−６−クロモニルメチル基、２，４，６−トリメチルベンジル基、パラ−ブロモベンジル基、オルト−ニトロベンジル基、パラ−ニトロベンジル基、パラ−メトキシベンジル基、２，６−ジメトキシベンジル基、４−（メチルスルフィニル）ベンジル基、４−スルホベンジル基、４−アジドメトキシベンジル基、ピペロニル基、４−ピコニル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ジ−（ｔｅｒｔ−ブチル）メチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルチオ基、オキサゾール基、２−アルキル−１，３−オキサゾリン基、４−アルキル−５−オキソ−１，３−オキサゾリジン基、２，２−ビストリフルオロメチル−４−アルキル−５−オキソ−１，３−オキサゾリジン基、５−アルキル−４−オキソ−１，３−ジオキソラン基、及びジオキサノン基等、グリーン（Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎｅ）及びウッツ（Ｐ．Ｇ．Ｍ．Ｗｕｔｓ）著、「Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ（第３版、１９９４年）、（第４版、２００６年）」のカルボキシル基のエステル系保護基に記載される基を挙げることができる。ただし、ここに例示した基に限定されず、カルボキシル基の保護基として利用される基であればよい。

本発明における「カルボキシル基のアミド系保護基」とは、保護するカルボキシル基のカルボニル炭素原子に結合し、アミドを形成する、カルボキシル基を保護する基を意味する。このような「カルボキシル基のアミド系保護基」としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、ピロリジニル基、ピペリジニル基、５，６−ジヒドロフェナントリジル基、オルト−ニトロフェニルアミノ基、Ｎ−７−ニトロインドリル基、Ｎ−８−ニトロ−１，２，３，４−テトラヒドロキノリル基、Ｎ−フェニルヒドラジル基、及びＮ，Ｎ’−ジイソプロピルヒドラジル基等、グリーン（Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎｅ）及びウッツ（Ｐ．Ｇ．Ｍ．Ｗｕｔｓ）著、「Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ（第３版、１９９４年、第４版、２００６年）」のカルボキシル基の保護基に記載される基を挙げることができる。ただし、ここに例示した基に限定されず、カルボキシル基の保護基として利用されるアミノ基であればよい。

本発明における「保護基」は樹脂やシリカゲルのような固体に担持されていてもよい。
本発明における「ジアゾニウム基」は塩を形成し得る。かかる塩としては、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、及びテトラフルオロホウ酸塩等を挙げることができる。

本発明で使用する略称は以下の通りである。
ＯＴｆ：トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ＯＭｓ：メタンスルホニルオキシ基、ＯＴｓ：トルエンスルホニルオキシ基、Ｍｅ：メチル基、Ｅｔ：エチル基、ｎ−Ｐｒ：ｎ−プロピル基、ｉ−Ｐｒ：イソプロピル基、ｉ−Ｂｕ：イソブチル基、ｔ−Ｂｕ：ｔｅｒｔ−ブチル基、ＭｅＯ：メトキシ基、Ｐｈ：フェニル基、ＯＡｃ：アセチルオキシ基、４−ＭｅＯ−Ｐｈ：４−メトキシ−フェニル基、Ｃｙ：シクロヘキシル基、Ｐｉｖ：ピバロイル基
本発明は、前記式（１）

で表される化合物と、下記式（２）

で表される化合物とを、
（ｉ）パラジウム化合物、
（ii）パラジウム化合物に配位し得る配位子又はその塩、
（iii）塩基、
（iv）Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩、及び
（ｖ）銅、銀、及びそれらの塩、ならびにそれらの錯体からなる群から選択される少なくとも１つの添加剤
の存在下において反応させることによる、下記式（３）

で表されるフェニル置換複素環誘導体を製造する方法に関する。

前記式（１）及び（３）中、Ｒ^１は、水素原子、又はハロゲン原子を表す。

Ｒ^１における「ハロゲン原子」としては、塩素原子、又はフッ素原子が好ましく、さらにはフッ素原子が好ましい。

Ｒ^１全体としては、水素原子が好ましい。

前記式（１）及び（３）中、Ｒ^２は、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、ホルミル基、又はハロメチル基を表す。

Ｒ^２における「ハロゲン原子」としては、臭素原子が好ましい。

Ｒ^２における「ハロメチル基」としては、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、又はトリフルオロメチル基が好ましい。

Ｒ^２全体としては、シアノ基、ニトロ基、又はホルミル基が好ましく、中でもシアノ基が好ましい。

前記式（１）及び（３）中、Ａは、水素原子、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、Ｃ_３〜Ｃ_６シクロアルキル基、フェニル基、フッ素原子（Ｘが結合手の場合に限る）、又は水酸基の保護基（Ｘが酸素原子の場合に限る）を表す。ここで、Ａとしての水酸基の保護基は、Ｘが酸素原子である場合に水酸基の保護基として用いられるものである。例えば、保護基がベンジル基の場合、Ａ−Ｘ−はＰｈＣＨ_２−Ｏ−となる。

また、Ａは、１〜３個の置換基で置換されていてもよく、かかる置換基は、ハロゲン原子、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキルチオ基、Ｃ_３〜Ｃ_６シクロアルキル基、フェニル基、フェノキシ基、及びピリジル基からなる群から選ばれる基である。

Ａにおける「Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基」としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、又はネオペンチル基が好ましく、中でもイソブチル基、又はネオペンチル基が好ましく、さらにはイソブチル基が好ましい。

Ａ全体としては、Ｃ_１〜Ｃ_５アルキル基が好ましい。

前記式（１）及び（３）中、Ｘは、結合手（ただし、Ａが、フェニル基、又はフッ素原子の場合に限る。）、又は酸素原子を表す。中でも、酸素原子が好ましい。

前記式（１）中、Ｙは、脱離基を表す。中でも、ハロゲン原子、−ＯＣＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）、−ＯＣＯ_２−（フェニル基）、−ＯＳＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）、−ＯＳＯ_２−（フェニル基）、又はジアゾニウム基が好ましい。

Ｙとしての脱離基が、「−ＯＣＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）」、又は「−ＯＳＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）」である場合、かかるＹ中の「Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基」としては、メチル基が好ましい。

Ｙとしての脱離基が「−ＯＣＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）」、又は「−ＯＳＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）」である場合、かかるＹ中の「Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基」は１〜３個のハロゲン原子で置換されていてもよい。かかる「ハロゲン原子」としては、フッ素原子が好ましく、特に３個のフッ素原子で置換されていることが好ましい。

Ｙとしての脱離基が「−ＯＣＯ_２−（フェニル基）」、又は「−ＯＳＯ_２−（フェニル基）」である場合、かかるＹ中の「フェニル基」はハロゲン原子及びＣ_１〜Ｃ_４アルキル基から選択される任意の１〜５個の置換基で置換されていてもよい。かかる「Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基」としては、メチル基が好ましい。

Ｙとしての脱離基が「ハロゲン原子」である場合、「ハロゲン原子」としては、ヨウ素原子、臭素原子、又は塩素原子が好ましく、中でもヨウ素原子、又は臭素原子が好ましい。

「ジアゾニウム基」は塩を形成し得る。Ｙとしての脱離基が「ジアゾニウム基」を表す場合、「ジアゾニウム基」の塩としては、テトラフルオロホウ酸塩が好ましい。

Ｙ全体としては、ヨウ素原子、臭素原子、又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基等が好ましい。

前記式（２）中、Ｈは、水素原子を表す。

前記式（２）及び（３）中、Ｂは、下記式から選択される基を表す。なお、下記の各式の右側の結合手はＲ^３に結合するものであり、左側の結合手は、式（２）では水素原子に、式（３）ではフェニル基に結合するものである。

中でも、以下の基が好ましい。

前記式（２）及び（３）中、Ｒ^３は、ＣＯＯＲ^３ａ、又はＣＯＲ^３ｂを表す。

Ｒ^３ａは、水素原子、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、又はカルボキシル基のエステル系保護基を表す。ここで、Ｒ^３ａとしてのカルボキシル基のエステル系保護基は、Ｒ^３ａが置換するカルボキシル基を保護するものである。

Ｒ^３ａとしては、水素原子、又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル基が好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基がより好ましい。

Ｒ^３ｂは、隣接するカルボニル基とアミドを形成する、カルボキシル基のアミド系保護基を表す。

Ｒ^３全体としては、ＣＯＯＲ^３ａが好ましく、Ｒ^３ａとしては、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基が好ましい。

前記式（２）及び（３）中、Ｒ^４は、水素原子、ハロゲン原子、又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル基を表す。

Ｒ^４における「ハロゲン原子」としては、フッ素原子が好ましい。

Ｒ^４における「Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基」としては、メチル基が好ましい。

Ｒ^４全体としては、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基が好ましく、中でもメチル基が好ましい。

前記式（２）及び（３）におけるＢ中、Ｗは、酸素原子、又は硫黄原子を表す。

前記式（３）において、Ａ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２の定義及び好ましい基は、式（１）のものとそれぞれ同じであり、Ｂ、Ｒ^３の定義及び好ましい基は式（２）のものとそれぞれ同じである。

式（１）で表される化合物の具体的な例を表１〜４に、式（２）で表される化合物の具体的な例を表５〜７に、列挙する。ただし、式（１）及び式（２）で表される化合物は、かかる具体例に限定されるものではない。

本発明の製造法は、
（ｉ）パラジウム化合物、
（ii）パラジウム化合物に配位し得る配位子又はその塩、
（iii）塩基、
（iv）Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩、及び
（ｖ）銅、銀、及びそれらの塩、ならびにそれらの錯体からなる群から選択される少なくとも１つの添加剤
を用いて反応させることが特徴である。
［パラジウム化合物］
本発明において用いられるパラジウム化合物としては、０価のパラジウム、又は１価もしくは２価のパラジウムの塩が好ましい。

１価のパラジウムの塩としては、例えば、ジブロモジパラジウム（Ｉ）、及びその水和物等が挙げられる。

２価のパラジウムの塩としては、例えば、酢酸パラジウム（ＩＩ）、プロピオン酸パラジウム（ＩＩ）、ブタン酸パラジウム（ＩＩ）、２−メチルプロパン酸パラジウム（ＩＩ）、３−メチルブタン酸パラジウム（ＩＩ）、２−メチルブタン酸パラジウム（ＩＩ）、２−エチルブタン酸パラジウム（ＩＩ）、ピバル酸パラジウム（ＩＩ）、３，３−ジメチルブタン酸パラジウム（ＩＩ）、２，２，３，３−テトラメチルブタン酸パラジウム（ＩＩ）、１−アダマンタンカルボン酸パラジウム（ＩＩ）、２−アダマンタンカルボン酸パラジウム（ＩＩ）、３−ノルアダマンタンカルボン酸パラジウム（ＩＩ）、トリフルオロ酢酸パラジウム（ＩＩ）、硝酸パラジウム（ＩＩ）、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、ヨウ化パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）アセチルアセトナート、過塩素酸パラジウム（ＩＩ）、クエン酸パラジウム（ＩＩ）、シュウ酸パラジウム（ＩＩ）、シクロヘキサン酪酸パラジウム（ＩＩ）、安息香酸パラジウム（ＩＩ）、ステアリン酸パラジウム（ＩＩ）、スルファミンパラジウム（ＩＩ）、炭酸パラジウム（ＩＩ）、チオシアン酸パラジウム（ＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸パラジウム（ＩＩ）、ビス（ ４ ‐ジエチルアミノジチオベンジル）パラジウム（ＩＩ）、シアン化パラジウム（ＩＩ）、フッ化パラジウム（ＩＩ）、ホウ化パラジウム（ＩＩ）、ホウ酸パラジウム（ＩＩ）、次亜リン酸パラジウム（ＩＩ）、硫酸アンモニウムパラジウム（ＩＩ）、水酸化パラジウム（ＩＩ）、シクロペンタジエニルパラジウム（ＩＩ）、及びこれらの水和物等が挙げられる。

中でも、酢酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(ＯＡｃ)_２）、プロピオン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ_２ＣＨ_３)_２）、２−メチルプロパン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（ＣＨ_３）_２)_２）、ピバル酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(ＯＰｉｖ)_２）、１−アダマンタンカルボン酸パラジウム（ＩＩ）、塩化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＣｌ_２）、臭化パラジウム（Ｉ）（Ｐｄ_２Ｂｒ_２）、臭化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＢｒ_２）、又は、パラジウム（０）が好ましく、特に、２−メチルプロパン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（ＣＨ_３）_２)_２）、ピバル酸パラジウム（Ｐｄ(ＯＰｉｖ)_２）、臭化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＢｒ_２）、塩化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＣｌ_２）、又はパラジウム（０）が好ましい。

これらのパラジウム化合物は、混合して使用してもよい。

これらパラジウム化合物は、配位子を事前に配位させた化合物を使用してもよい。そのような配位子が配位したパラジウム化合物としては、例えば、以下のパラジウム化合物が挙げられる。ただし、この限りではない。

［パラジウム化合物に配位し得る配位子又はその塩］
反応中、パラジウム化合物に配位し得る配位子が存在することにより、フェニル誘導体のフェニル環と複素環誘導体とを、複素環上のＣ−Ｈ結合の位置で選択性良くカップリングでき、式（３）で表される化合物の収率を上げることができる。かかる本発明の製造法に使用する配位子としては、カルボン酸系、アミド系、ホスフィン系、オキシム系、スルフィド系、スルホン酸系、１，３−ジケトン系、シッフ塩基系、オキサゾリン系、ジアミン系、炭化水素系、一酸化炭素、及びカルベン系の配位子等が挙げられる。ただし、この限りではない。配位子における配位原子は窒素原子、リン原子、酸素原子及び硫黄原子等であり、配位子には配位原子を１箇所のみ有する単座配位子と２箇所以上を有する多座配位子がある。炭化水素系、一酸化炭素、カルベン系に関しては、炭素原子を配位原子とする。これら配位子は塩として使用してもよい。

単座の配位子としては、Ｒ^５Ｐ（Ｒ^６）Ｒ^７で表されるホスフィン系配位子（ここで、Ｒ^５、Ｒ^６、及びＲ^７は、それぞれ独立して、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリールオキシ基、又はヘテロアリールオキシ基を表す。また、Ｒ^５及びＲ^６は互いに結合してＣ_２〜Ｃ_８アルキレン基を形成していてもよい。）、トリエチルアミン、及びヘテロアレーン等が挙げられる。

Ｒ^５Ｐ（Ｒ^６）Ｒ^７で表されるホスフィン系配位子としては、例えば、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロヘキシルホスフィン、イソブチルジシクロヘキシルホスフィン、（ｎ−ブチル）ジシクロヘキシルホスフィン、イソプロピルジシクロヘキシルホスフィン、（ｎ−プロピル）ジシクロヘキシルホスフィン、エチルジシクロヘキシルホスフィン、メチルジシクロヘキシルホスフィン、シクロプロピルジシクロヘキシルホスフィン、シクロブチルジシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロオクチルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロヘプチルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロペンチルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロブチルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロプロピルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ（ｎ−プロピル）ホスフィン、トリ（イソプロピル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリ（ｎ−ブチル）ホスフィン、トリ（ｎ−オクチル）ホスフィン、トリ（シクロオクチル）ホスフィン、トリ（シクロヘプチル）ホスフィン、トリ（シクロヘキシル）ホスフィン、トリ（シクロペンチル）ホスフィン、トリ（シクロブチル）ホスフィン、トリ（シクロプロピル）ホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）メチルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）エチルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）ｎ−プロピルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）イソプロピルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）ｎ−ブチルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）イソブチルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）ネオペンチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（オルト−トルイル）ホスフィン、トリ（メシチル）ホスフィン、トリ（フェノキシ）ホスフィン、トリ−（２−フリル）ホスフィン、トリメトキシホスフィン、トリエトキシホスフィン、トリ（ｎ−プロピルオキシ）ホスフィン、トリ（イソプロピルオキシ）ホスフィン、トリ（ｎ−ブチルオキシ）ホスフィン、トリ（イソブチルオキシ）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチルオキシ）ホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシルホスフィン、ジ（イソブチル）シクロヘキシルホスフィン、ジ（ｎ−ブチル）シクロヘキシルホスフィン、ジ（イソプロピル）シクロヘキシルホスフィン、ジ（ｎ−プロピル）シクロヘキシルホスフィン、ジエチルシクロヘキシルホスフィン、ジメチルシクロヘキシルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロペンチルホスフィン、ジ（イソブチル）シクロペンチルホスフィン、ジ（ｎ−ブチル）シクロペンチルホスフィン、ジ（イソプロピル）シクロペンチルホスフィン、ジ（ｎ−プロピル）シクロペンチルホスフィン、ジエチルシクロペンチルホスフィン、ジメチルシクロペンチルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロオクチルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘプチルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロペンチルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロブチルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロプロピルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、ジ（ｎ−プロピル）フェニルホスフィン、ジ（イソプロピル）フェニルホスフィン、ジ（ｎ−ブチル）フェニルホスフィン、ジ（イソブチル）フェニルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニルホスフィン、ジシクロオクチルフェニルホスフィン、ジシクロヘプチルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジシクロペンチルフェニルホスフィン、ジシクロブチルフェニルホスフィン、ジシクロプロピルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシル−（パラ−トルイル）−ホスフィン、ジシクロヘキシル−（オルト−トルイル）ホスフィン、ジシクロヘキシル−（パラ−トルイル）ホスフィン、ジシクロヘキシル−（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、（ｎ−プロピル）ジフェニルホスフィン、イソプロピルジフェニルホスフィン、（ｎ−ブチル）ジフェニルホスフィン、イソブチルジフェニルホスフィン、（ｔｅｒｔ−ブチル）ジフェニルホスフィン、シクロオクチルジフェニルホスフィン、シクロヘプチルジフェニルホスフィン、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、シクロペンチルジフェニルホスフィン、シクロブチルジフェニルホスフィン、シクロプロピルジフェニルホスフィン、ビス（パラ−スルホナートフェニル）フェニルホスフィンカリウム、２−（２’−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル−１，３−ジオキソラン、ｃＢＲＩＤＰ、ＸＰｈｏｓ（２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’、４’，６’−トリイソプロピル−１，１’−ビフェニル）、ｔ−Ｂｕ−ＸＰｈｏｓ、ＪｏｈｎＰｈｏｓ、Ｃｙ−ＪｏｈｎＰｈｏｓ、ＭｅＰｈｏｓ、ｔ−Ｂｕ−ＭｅＰｈｏｓ、ＳＰｈｏｓ、ＲｕＰｈｏｓ（２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジイソプロポキシ−１，１’−ビフェニル）、ｃａｔａＣＸｉｕｍ Ａ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＡＢｎ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰｔＢ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＣｙ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＯＭｅｔＢ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＯＭｅＣｙ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＩｎｔＢ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＩｎＣｙ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＩＣｙ、Ｑ−Ｐｈｏｓ、及びＪＯＳＩＰＨＯＳ等が挙げられる。

上記のＲ^５Ｐ（Ｒ^６）Ｒ^７で表されるホスフィン系配位子の例として挙げた配位子のうち、略称で記載したものの一部について、化学構造を以下に示す。

二座の配位子としては、Ｒ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｐ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるホスフィン系配位子、Ｒ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｎ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるアミン−ホスフィン系配位子、Ｒ^８（Ｒ^９）ＮＲ^１０Ｎ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるアミン系配位子（ここで、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１１、及びＲ^１２は、それぞれ独立して、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリールオキシ基、又はヘテロアリールオキシ基を表す。Ｒ^１０は、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキレン基、２価の脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリーレン基、又はヘテロアリーレン基を表す。また、Ｒ^１１及びＲ^１２が窒素原子に結合している場合、Ｒ^１１とＲ^１２が結合している窒素原子、Ｒ^１１及びＲ^１２は一緒になってヘテロアリール基を形成していてもよい。）、ヘテロアレーン、１，５−シクロオクタジエン、及び２−（ジメチルアミノ）エタノール等が挙げられる。また、アミン系配位子において、Ｒ^１１とＲ^１２が結合している窒素原子、Ｒ^１１及びＲ^１２が一緒になって形成し得るヘテロアリール基の例として、ピロリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピラジル基、及びチアゾリル等が挙げられる。

Ｒ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｐ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるホスフィン系配位子としては、例えば、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、１，１’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチル）フェロセン、ジフェニルホスフィノメタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン、１，２−ビス（ジペンタフルオロフェニルホスフィノ）エタン、１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン、１，３−（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）ブタン、１，２−ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ブタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン、ＢＩＮＡＰ、ＢＩＰＨＥＭＰ、ＰＲＯＰＨＯＳ、ＤＩＯＰ、ＤＥＧＵＰＨＯＳ、ＤＩＰＡＭＰ、ＤｕＰＨＯＳ、ＮＯＲＰＨＯＳ、ＰＮＮＰ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ、ＢＰＰＦＡ、ＳＥＧＰＨＯＳ、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ、ＤＰＥｐｈｏｓ、及びＸａｎｔｐｈｏｓ等が挙げられる。

Ｒ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｎ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるアミン−ホスフィン系配位子としては、例えば、２−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィノ−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、ＤａｖｅＰｈｏｓ、ｔ−Ｂｕ−ＤａｖｅＰｈｏｓ、ＴｒｉｐｐｙＰｈｏｓ、及びＢｉｐｐｙＰｈｏｓ等が挙げられる。

Ｒ^８（Ｒ^９）ＮＲ^１０Ｎ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるアミン系配位子としては、例えば、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、２−アミノメチルピリジン、及び（ＮＥ）−Ｎ−（ピリジン−２−イルメチリデン）アニリン等が挙げられる。

ヘテロアレーンとしては、例えば、２，２’−ビピリジル、４，４’−（ｔｅｒｔ−ブチル）ビピリジル、フェナントロリン、及び２，２’−ビピリミジル等が挙げられる。

上記のＲ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｐ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるホスフィン系配位子の例として挙げた配位子のうち、略称で記載したものの一部について、化学構造を以下に示す。

ＢＩＮＡＰとしては、ＢＩＮＡＰの誘導体も含まれ、具体例としては、２，２’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１,１’−ビナフチル、２，２’−ビス(ジ−パラ−トリルホスフィノ)−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス(ジ−パラ−第３級ブチルフェニルホスフィノ) −１,１’−ビナフチル、２，２’−ビス(ジ−メタ−トリルホスフィノ)−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス(ジ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ)−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス(ジ−パラ−メトキシフェニルホスフィノ)−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス(ジシクロペンチルホスフィノ)−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)−１，１’−ビナフチル、２−ジ(β−ナフチル)ホスフィノ−２’−ジフェニルホスフィノ−１，１’−ビナフチル、及び２−ジフェニルホスフィノ−２’−ジ( パラ−トリフルオロメチルフェニル)ホスフィノ−１，１’−ビナフチル等が挙げられる。

ＢＩＰＨＥＭＰとしては、ＢＩＰＨＥＭＰの誘導体も含まれ、具体例としては、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス(ジフェニルホスフィノ−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ビス(ジメチルアミノ)−６，６’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１，１’−ビフェニル、２，２’，４，４’−テトラメチル−６，６‘−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１，１’−ビフェニル、２，２’，３，３’−テトラメトキシ−６，６’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１，１’−ビフェニル、２，２’，４，４’−テトラメチル−３，３’ジメトキシ−６，６’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス(ジ−パラ−トリルホスフィノ)−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス(ジ−パラ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィノ)−１，１’−ビフェニル、及び２，２’，４，４’−テトラメチル−３，３’−ジメトキシ−６，６’−ビス(ジ−パラ−メトキシフェニルホスフィノ)−１，１’−ビフェニル等が挙げられる。

本発明の製造法に用いる配位子は、塩として使用してもよく、そのような塩として、例えば、塩酸塩、臭化水素酸塩、テトラフェニルホウ酸塩、及びテトラフルオロホウ酸塩等が挙げられる。

本発明の製造法に用いる配位子としては、中でも、ホスフィン系配位子が好ましく、さらには、Ｒ^５Ｐ（Ｒ^６）Ｒ^７で表されるホスフィン系配位子、Ｒ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｐ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるホスフィン系配位子、及びＲ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｎ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるアミン−ホスフィン系配位子が好ましい。

Ｒ^５Ｐ（Ｒ^６）Ｒ^７で表されるホスフィン系配位子に関しては、Ｒ^５及びＲ^６が、それぞれ独立して、Ｃ_３〜Ｃ_８アルキル基、又は脂環式炭化水素基であるものが好ましく、それに加えてＲ^７が、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、又はヘテロアリール基であるものがさらに好ましい。具体的にはトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリ（シクロヘキシル）ホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロヘキシルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）メチルホスフィン、２−（２’−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル−１，３−ジオキソラン、ＸＰｈｏｓ、ＳＰｈｏｓ、ＲｕＰｈｏｓ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ Ａ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＡＢｎ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰｔＢ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＣｙ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＯＭｅｔＢ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＯＭｅＣｙ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＩｎｔＢ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＩｎＣｙ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＩＣｙ、Ｑ−Ｐｈｏｓ、ＪＯＳＩＰＨＯＳトリ（ｎ−ブチル）ホスフィン、トリ（ｎ−オクチル）ホスフィン、及びそれらの塩等が挙げられる。その中でも、リン原子に結合している、Ｒ^５及びＲ^６のそれぞれの炭素原子に結合する水素原子数が０又は１であるホスフィンが好ましい。具体的には、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリ（シクロヘキシル）ホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロヘキシルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）メチルホスフィン、２−（２’−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル−１，３−ジオキソラン、ＸＰｈｏｓ、ＳＰｈｏｓ、ＲｕＰｈｏｓ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ Ａ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＡＢｎ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰｔＢ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＣｙ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＯＭｅｔＢ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＯＭｅＣｙ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＩｎｔＢ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＩｎＣｙ、ｃａｔａＣＸｉｕｍ ＰＩＣｙ、Ｑ−Ｐｈｏｓ、ＪＯＳＩＰＨＯＳ、及びそれらの塩等が挙げられる。さらには、Ｒ^７が、Ｃ_３〜Ｃ_８アルキル基、又は脂環式炭化水素基であるものが好ましい。具体的には、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）メチルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロヘキシルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、又はそれらの塩が好ましく、特にジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシルホスフィン、又はその塩が好ましい。

Ｒ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｐ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるホスフィン系配位子、及びＲ^８（Ｒ^９）ＰＲ^１０Ｎ（Ｒ^１１）Ｒ^１２で表されるアミン−ホスフィン系配位子に関しては、Ｒ^８及びＲ^９が、それぞれ独立して、Ｃ_３〜Ｃ_８アルキル基、又は脂環式炭化水素基であるものが好ましい。更には、リン原子、又は窒素原子に結合している、Ｒ^８及びＲ^９のそれぞれの炭素原子に結合する水素原子数が０もしくは１である配位子が好ましい。具体的には１，１’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチル）フェロセン、１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン、１，３−（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）ブタン、１，２−ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ブタン、ＤａｖｅＰｈｏｓ、ｔ−Ｂｕ−ＤａｖｅＰｈｏｓ、ＴｒｉｐｐｙＰｈｏｓ、ＢｉｐｐｙＰｈｏｓ、及びそれらの塩等が挙げられる。

また、配位子は、事前にパラジウム化合物に配位させて使用することもできる。そのような場合も、好ましい配位子を配位させて使用するのが好ましい。

これらの配位子又は塩は、混合して使用してもよい。

［塩基］
反応中、塩基を併用することにより、式（３）で表される化合物の収率を上げることができる。このような本発明の製造法に用いる塩基としては、特に限定されないが、中でも、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、アルカリ金属の水酸化物（水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、及び水酸化セシウム）、第二族元素の水酸化物（水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、及び水酸化バリウム）アルカリ金属のフッ化物（フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、及びフッ化セシウム）、アルカリ金属のリン酸塩（リン酸三リチウム、リン酸三ナトリウム、リン酸三ナトリウム、及びリン酸三セシウム）、酢酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、アルカリ金属又は第二族元素の炭酸塩（炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、及び炭酸バリウム）、アルカリ金属又は第二族元素の炭酸水素塩（炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素セシウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水素カルシウム、及び炭酸水素バリウム）、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルコキシドの金属塩（リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、及びマグネシウム塩）、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルキルアニオンの金属塩（リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、及びマグネシウム塩）、テトラ（Ｃ_１〜Ｃ_４のアルキル）アンモニウムのハロゲン化物（フッ化物、塩化物、及び臭化物）、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン、ジアザビシクロウンデセン、ジアザビシクロオクタン、ならびにイミダゾール等が挙げられる。

本発明の製造法に用いる塩基としての「Ｃ_１〜Ｃ_６のアルコキシドの金属塩（リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、及びマグネシウム塩）」における「Ｃ_１〜Ｃ_６のアルコキシド」としては、メトキシド、エトキシド、ｎ−プロピルオキシド、イソプロピルオキシド、ｎ−ブチルオキシド、イソブチルオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルオキシド、ｎ−ペンチルオキシド、イソペンチルオキシド、ネオペンチルオキシド、１−メチルプロピルオキシド、ｎ−ヘキシルオキシド、イソヘキシルオキシド、１,１−ジメチルブチルオキシド、２,２−ジメチルブチルオキシド、及び３,３−ジメチルブチルオキシド等が挙げられる。

本発明の製造法に用いる塩基としての「Ｃ_１〜Ｃ_６のアルキルアニオンの金属塩（リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、及びマグネシウム塩）」における「Ｃ_１〜Ｃ_６のアルキルアニオン」としては、メチルアニオン、エチルアニオン、ｎ−プロピルアニオン、イソプロピルアニオン、ｎ−ブチルアニオン、イソブチルアニオン、ｔｅｒｔ−ブチルアニオン、ｎ−ペンチルアニオン、イソペンチルアニオン、ネオペンチルアニオン、１−メチルプロピルアニオン、ｎ−ヘキシルアニオン、イソヘキシルアニオン、１,１−ジメチルブチルアニオン、２,２−ジメチルブチルアニオン、及び３,３−ジメチルブチルアニオン等が挙げられる。

本発明の製造法に用いる塩基としては、アルカリ金属もしくは第二族元素の水酸化物、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ金属のリン酸塩、アルカリ金属もしくは第二族元素の炭酸塩、又はアルカリ金属もしくは第二族元素の炭酸水素塩が好ましく、中でも、アルカリ金属の炭酸塩、又はアルカリ金属の炭酸水素塩が好ましい。更には、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、又は炭酸セシウムが好ましく、特に、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、又は炭酸水素ナトリウムが好ましく、更に特には、炭酸カリウム、又は炭酸水素カリウムが好ましい。

塩基は、これらの塩基を混合して使用してもよい。

［Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸、又はその塩］
反応中、Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸を添加することにより、式（３）で表される化合物の収率、及び／又は反応速度をさらに上げることができる。これらのＣ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸は塩として用いてもよい。そのような塩として、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩などのアルカリ金属塩；カルシウム塩、マグネシウム塩などの第二族元素の塩；アルミニウム塩、鉄塩、銅塩、銀塩などの金属塩、アンモニウム塩などのような無機塩；ｔ−オクチルアミン塩、ジベンジルアミン塩、モルホリン塩、グルコサミン塩、フェニルグリシルアルキルエステル塩、エチレンジアミン塩、Ｎ−メチルグルカミン塩、グアニジン塩、ジエチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、Ｎ，Ｎ’−ジベンジルエチレンジアミン塩、クロロプロカイン塩、プロカイン塩、ジエタノールアミン塩、Ｎ−ベンジルフェネルアミン塩、ピペラジン塩、テトラメチルアンモニウム塩、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン塩などのアミン塩などの有機塩が挙げられる。

Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸は、カルボキシル基の炭素を含めて炭素数が１〜４０個のものであり、ハロゲン原子、オキソ基、エーテル結合を含んでもよい。例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、２−メチルプロパン酸、ペンタン酸、３−メチルブタン酸、２−メチルブタン酸、ピバル酸、３，３−ジメチルブタン酸、２−メチルペンタン酸、２−メチルヘキサン酸、２−メチルヘプタン酸、ペンタンカルボン酸、ヘキサン酸、４−メチルペンタン酸、３，３−ジメチルブタン酸、２−エチルブタン酸、３−メチルペンタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、２，３−ジメチルブタン酸、ヘプタン酸、３−メチルヘキサン酸、４−メチルヘキサン酸、５−メチルヘキサン酸、２，２−ジメチルペンタン酸、２，３，３−トリメチルブタン酸、オクタン酸、２−プロピルペンタン酸、２−エチルヘキサン酸、３−メチルヘプタン酸、４−メチルヘプタン酸、６−メチルヘプタン酸、２，２−ジメチルヘプタン酸、３−メチルヘプタン酸、２，２−ジエチルブタン酸、２，２，４−トリメチルペンタン酸、２-メチルオクタン酸、２−メチルウンデカン酸、２−メチルノナン酸、２−メチルデカン酸、２−エチルデカン酸、２，２−ジメチルウンデカン酸、２−エチルウンデカン酸、２−プロピルデカン酸、２−ヘキシルデカン酸、２−メチルペンタデカン酸、２−メチルヘキサデカン酸、２−ヘプチルウンデカン酸、２−メチルオクタデカン酸、プリスタン酸、２−デシルドデカン酸、２−ドデシルテトラデカン酸、２−テトラデシルヘキサデカン酸、２−ヘキサデシル−オクタデカン酸、２−オクタデシルエイコサン酸、α−メチルシンナミル酸、シクロプロピル酢酸、３−シクロプロピルプロピオン酸、シクロブチル酢酸、シクロペンチル酢酸、シクロヘキシル酢酸、シクロペンチルプロピオン酸、（２−メチルシクロペンチル）酢酸、シクロペンタンカルボン酸、３−オキソシクロペンタンカルボン酸、シクロプロパンカルボン酸、シクロブタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘプタンカルボン酸、１−メチルシクロプロパンカルボン酸、２−メチルシクロプロパンカルボン酸、２，２−ジメチルシクロプロパンカルボン酸、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパンカルボン酸、２−オクチル−シクロプロパンカルボン酸、１−（４−メチルフェニル）−１−シクロプロパンカルボン酸、２−パラ−トルイル−シクロプロパンカルボン酸、１−（２−フルオロ−フェニル）−シクロプロパンカルボン酸、１−（３−フルオロ−フェニル）−シクロプロパンカルボン酸、１−（４−フルオロ−フェニル）−シクロプロパンカルボン酸、１−（４−クロロフェニル）−シクロプロパンカルボン酸、１−（３−クロロフェニル）−シクロプロパンカルボン酸、２−（４−クロロフェニル）−シクロプロパンカルボン酸、１−（２，４−ジクロロフェニル）−シクロプロパンカルボン酸、１−（３，４−ジクロロフェニル）−シクロプロパンカルボン酸、２−フルオロ−２−フェニルシクロプロパンカルボン酸、１−（４−メトキシフェニル）−シクロプロパンカルボン酸、２−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）−シクロプロパンカルボン酸、２，２−ジフルオロシクロプロパンカルボン酸、２，２−ジクロロシクロプロパンカルボン酸、２−クロロ−２−フルオロシクロプロパンカルボン酸、１−トリフルオロメチルシクロプロパンカルボン酸、２，２−ジクロロ−１−メチルシクロプロパンカルボン酸、シクロプロパン−１，１−ジカルボン酸、２，２’−オキシジ酢酸、２，３-ジメチル−シクロプロパンジカルボン酸、２，２−ジメチルマロン酸、２，３−ジメチルこはく酸、２，２，３−トリメチルこはく酸、２，２，３，３−テトラメチルこはく酸、２，４−ジメチルグルタル酸、２，２，４−トリメチルグルタル酸、２，２，４，４−テトラメチルグルタル酸、２，５−ジメチルアジピン酸、２，２，５−トリメチルアジピン酸、２，２，５，５−テトラメチルアジピン酸、２，５−ジメチルアジピン酸、２，２，５−トリメチルアジピン酸、２，２，５，５−テトラメチルアジピン酸、２，６−ジメチルピメリン酸、２，２，６−トリメチルピメリン酸、２，２，６，６−テトラメチルピメリン酸、４−メチルシクロブタンカルボン酸、４−エチルシクロプロパンカルボン酸、３−メトキシシクロブタンカルボン酸、３−クロロシクロブタンカルボン酸、４−クロロブタンカルボン酸、３−オキソ−シクロブタンカルボン酸、３，３−ジメチルシクロブタンカルボン酸、１−メチルシクロペンタンカルボン酸、３−シクロペンテンカルボン酸、１−メチルシクロペンタンカルボン酸、１−メチルシクロヘキサンカルボン酸、４−メチルシクロヘキサンカルボン酸、２−メチルシクロヘキサンカルボン酸、３−メチルシクロヘキサンカルボン酸、シクロオクタンカルボン酸、スピロ［２．２］ペンタン−１−カルボン酸、スピロ［２．３］ヘキサン−１−カルボン酸、ビシクロ［４．１．０］ヘプタン−７−カルボン酸、トリシクロ［３．２．１．０^２，４］オクタン−３−カルボン酸、ビシクロ［６．１．０］ノナン−９−カルボン酸、ビシクロ［２．２．１］へプタン−１−カルボン酸、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−カルボン酸、７，７−ジメチルトリシクロ［２．２．１．０^２，６］ヘプタン−１−カルボン酸、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、ノルボルナン−２カルボン酸、１−アダマンタンカルボン酸、３−メチル−アダマンタン−１−カルボン酸、３−フルオロ−アダマンタン−１−カルボン酸、３，５−ジメチル−アダマンタン−１−カルボン酸、３−エチル−アダマンタン−１−カルボン酸、３−クロロアダマンタン−１−カルボン酸、３，５，７−トリメチル−アダマンタン−１−カルボン酸、３−ブロモアダマンタン−１−カルボン酸、５−ブロモ−３−メチル−アダマンタン−１−カルボン酸、５−ブロモ−３−エチル−アダマンタン−１−カルボン酸、テトラヒドロフラン−２−カルボン酸、テトラヒドロフラン−３−カルボン酸、テトラヒドロピラン−４−カルボン酸、テトラヒドロピラン−３−カルボン酸、メトキシ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、クロロ酢酸、フルオロ酢酸、２−フルオロ−２−メチルプロパン酸、ジフルオロ酢酸、２−クロロプロパン酸、３−フルオロプロピオン酸、２−フルオロプロピオン酸、２−クロロプロピオン酸、３−クロロプロピオン酸、２−クロロブタン酸、３−クロロブタン酸、４−クロロブタン酸、２−クロロ−２−メチルプロパン酸、３−クロロ−２，２−ジメチルプロパン酸、５−クロロペンタン酸、２−クロロ−３−メチルブタン酸、ジクロロ酢酸、１−フルオロ―１−クロロ酢酸、２，２−ジフルオロプロピオン酸、２，２−ジフルオロブタン酸、２，２−ジクロロプロピオン酸、２，３−ジクロロプロピオン酸、クロロジフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸、３，３，３−トリフルオロプロピオン酸、２−メチル−４，４，４−トリフルオロブタン酸、４，４，４−トリフルオロブタン酸、２，２，３，３−テトラフルオロプロピオン酸、及び２，３，３，３−テトラフルオロプロピオン酸等が挙げられる。但し、この限りではない。

本発明の製造法において用いられるＣ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸としては、カルボキシル基のα位の炭素原子が芳香環上の炭素原子でないカルボン酸が好ましい。例えば、酢酸、プロピオン酸、２−メチルプロパン酸、２−エチルブタン酸、ピバル酸、２−メチルブタン酸、２−メチルペンタン酸、２−メチルヘキサン酸、２−メチルヘプタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、２，３−ジメチルブタン酸、２，２−ジメチルペンタン酸、２，３，３−トリメチルブタン酸、２−エチルヘキサン酸、２，２−ジエチルブタン酸、２，２，４−トリメチルペンタン酸、２-メチルオクタン酸、２−メチルウンデカン酸、２−メチルノナン酸、２−メチルデカン酸、２−エチルデカン酸、２，２−ジメチルウンデカン酸、２−エチルウンデカン酸、２−プロピルデカン酸、２−ヘキシルデカン酸、２−メチルペンタデカン酸、２−メチルヘキサデカン酸、２−ヘプチルウンデカン酸、２−メチルオクタデカン酸、プリスタン酸、２−デシルドデカン酸、２−ドデシルテトラデカン酸、２−テトラデシルヘキサデカン酸、２−ヘキサデシル−オクタデカン酸、２−オクタデシルエイコサン酸、３，５−ジメチル−アダマンタン−１−カルボン酸、シクロプロパン酸、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸、シクロペンタン酸、１−アダマンタンカルボン酸、２−クロロ−２−メチルプロパン酸、テトラヒドロフラン−２−カルボン酸、２，２’−オキシジ酢酸、２，３−ジメチル−シクロプロパンジカルボン酸、２，３−ジメチル−シクロプロパンジカルボン酸、２，２−ジメチルマロン酸、２，３−ジメチルこはく酸、２，２，３−トリメチルこはく酸、２，２，３，３−テトラメチルこはく酸、２，４−ジメチルグルタル酸、２，２，４−トリメチルグルタル酸、２，２，４，４−テトラメチルグルタル酸、２，５−ジメチルアジピン酸、２，２，５−トリメチルアジピン酸、２，２，５，５−テトラメチルアジピン酸、２，５−ジメチルアジピン酸、２，２，５−トリメチルアジピン酸、２，２，５，５−テトラメチルアジピン酸、２，６−ジメチルピメリン酸、２，２，６−トリメチルピメリン酸、２，２，６，６−テトラメチルピメリン酸、及びシクロプロパン−１，１−ジカルボン酸等が挙げられる。

中でも、カルボキシル基のα位の炭素原子に結合する水素原子数が０又は１であるＣ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸がより好ましい。例えば、２−メチルプロパン酸、２−エチルブタン酸、ピバル酸、２−メチルブタン酸、２−メチルペンタン酸、２−メチルヘキサン酸、２−メチルヘプタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、２，３−ジメチルブタン酸、２，２−ジメチルペンタン酸、２，３，３−トリメチルブタン酸、２−エチルヘキサン酸、２，２−ジエチルブタン酸、２，２，４−トリメチルペンタン酸、２-メチルオクタン酸、２−メチルウンデカン酸、２−メチルノナン酸、２−メチルデカン酸、２−エチルデカン酸、２，２−ジメチルウンデカン酸、２−エチルウンデカン酸、２−プロピルデカン酸、２−ヘキシルデカン酸、２−メチルペンタデカン酸、２−メチルヘキサデカン酸、２−ヘプチルウンデカン酸、２−メチルオクタデカン酸、プリスタン酸、２−デシルドデカン酸、２−ドデシルテトラデカン酸、２−テトラデシルヘキサデカン酸、２−ヘキサデシル−オクタデカン酸、２−オクタデシルエイコサン酸、３，５−ジメチル−アダマンタン−１−カルボン酸、シクロプロパン酸、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸、シクロペンタン酸、１−アダマンタンカルボン酸、２−クロロ−２−メチルプロパン酸、テトラヒドロフラン−２−カルボン酸、２，３-ジメチル−シクロプロパンジカルボン酸、２，２−ジメチルマロン酸、２，３−ジメチルこはく酸、２，２，３−トリメチルこはく酸、２，２，３，３−テトラメチルこはく酸、２，４−ジメチルグルタル酸、２，２，４−トリメチルグルタル酸、２，２，４，４−テトラメチルグルタル酸、２，５−ジメチルアジピン酸、２，２，５−トリメチルアジピン酸、２，２，５，５−テトラメチルアジピン酸、２，５−ジメチルアジピン酸、２，２，５−トリメチルアジピン酸、２，２，５，５−テトラメチルアジピン酸、２，６−ジメチルピメリン酸、２，２，６−トリメチルピメリン酸、２，２，６，６−テトラメチルピメリン酸、及びシクロプロパン−１，１−ジカルボン酸等が挙げられる。

さらには、カルボキシル基を１個有するＣ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸が好ましい。例えば、２−メチルプロパン酸、２−エチルブタン酸、ピバル酸、２−メチルブタン酸、２−メチルペンタン酸、２−メチルヘキサン酸、２−メチルヘプタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、２，３−ジメチルブタン酸、２，２−ジメチルペンタン酸、２，３，３−トリメチルブタン酸、２−エチルヘキサン酸、２，２−ジエチルブタン酸、２，２，４−トリメチルペンタン酸、２-メチルオクタン酸、２−メチルウンデカン酸、２−メチルノナン酸、２−メチルデカン酸、２−エチルデカン酸、２，２−ジメチルウンデカン酸、２−エチルウンデカン酸、２−プロピルデカン酸、２−ヘキシルデカン酸、２−メチルペンタデカン酸、２−メチルヘキサデカン酸、２−ヘプチルウンデカン酸、２−メチルオクタデカン酸、プリスタン酸、２−デシルドデカン酸、２−ドデシルテトラデカン酸、２−テトラデシルヘキサデカン酸、２−ヘキサデシル−オクタデカン酸、２−オクタデシルエイコサン酸、３，５−ジメチル−アダマンタン−１−カルボン酸、シクロプロパン酸、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸、シクロペンタン酸、１−アダマンタンカルボン酸、２−クロロ−２−メチルプロパン酸、及びテトラヒドロフラン−２−カルボン酸等が挙げられる。

特には、カルボキシル基以外は炭素原子、及び水素原子のみで構成されるＣ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸がより好ましい。例えば、２−メチルプロパン酸、２−エチルブタン酸、ピバル酸、２−メチルブタン酸、２−メチルペンタン酸、２−メチルヘキサン酸、２−メチルヘプタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、２，３−ジメチルブタン酸、２，２−ジメチルペンタン酸、２，３，３−トリメチルブタン酸、２−エチルヘキサン酸、２，２−ジエチルブタン酸、２，２，４−トリメチルペンタン酸、２-メチルオクタン酸、２−メチルウンデカン酸、２−メチルノナン酸、２−メチルデカン酸、２−エチルデカン酸、２，２−ジメチルウンデカン酸、２−エチルウンデカン酸、２−プロピルデカン酸、２−ヘキシルデカン酸、２−メチルペンタデカン酸、２−メチルヘキサデカン酸、２−ヘプチルウンデカン酸、２−メチルオクタデカン酸、プリスタン酸、２−デシルドデカン酸、２−ドデシルテトラデカン酸、２−テトラデシルヘキサデカン酸、２−ヘキサデシル−オクタデカン酸、２−オクタデシルエイコサン酸、３，５−ジメチル−アダマンタン−１−カルボン酸、シクロプロパン酸、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸、シクロペンタン酸、及び１−アダマンタンカルボン酸等が挙げられる。

これらの中でも、Ｃ_１〜Ｃ_３４のカルボン酸がより好ましく、特に、Ｃ_１〜Ｃ_１２のカルボン酸がより好ましい。例えば、２−メチルプロパン酸、２−エチルブタン酸、ピバル酸、２−メチルブタン酸、２−メチルペンタン酸、２−メチルヘキサン酸、２−メチルヘプタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、２，３−ジメチルブタン酸、２，２−ジメチルペンタン酸、２，３，３−トリメチルブタン酸、２−エチルヘキサン酸、２，２−ジエチルブタン酸、２，２，４−トリメチルペンタン酸、２-メチルオクタン酸、２−メチルウンデカン酸、２−メチルノナン酸、シクロプロパン酸、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸、シクロペンタン酸、及び１−アダマンタンカルボン酸等が挙げられる。中でも、２−メチルプロパン酸、又はピバル酸が好ましい。

Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩は、これらのＣ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩を混合して使用してもよい。

［添加剤］
反応中、銅、銀、及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１つの添加剤を添加することにより、式（３）で表される化合物の収率、反応速度の向上、パラジウム化合物の使用量の低減、及び／又は副反応の進行の抑制等を達成することができる。

銅及びその塩としては、０価の銅、１価の銅の塩、及び２価の銅の塩が挙げられるが、中でも０価の銅、又は１価の銅の塩が好ましい。１価の銅の塩としては、例えば、ハロゲン化銅（Ｉ）（フッ化銅（Ｉ）、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、及びヨウ化銅（Ｉ））、カルボン酸銅（Ｉ）（ギ酸銅（Ｉ）、酢酸銅（Ｉ）、プロピオン酸銅（Ｉ）、２−メチルプロパン酸銅（Ｉ）、２−エチルブタン酸銅（Ｉ）、２−メチルブタン酸銅（Ｉ）、２−メチルペンタン酸銅（Ｉ）、２−メチルヘキサン酸銅（Ｉ）、２−メチルヘプタン酸銅（Ｉ）、２，２−ジメチルブタン酸銅（Ｉ）、２，３−ジメチルブタン酸銅（Ｉ）、２，２−ジメチルペンタン酸銅（Ｉ）、２，３，３−トリメチルブタン酸銅（Ｉ）、２−エチルヘキサン酸銅（Ｉ）、２，２−ジエチルブタン酸銅（Ｉ）、２，２，４−トリメチルペンタン酸銅（Ｉ）、２−メチルオクタン酸銅（Ｉ）、２−メチルウンデカン酸銅（Ｉ）、２−メチルノナン酸銅（Ｉ）、ピバル酸銅（Ｉ）、シクロプロパン酸銅（Ｉ）、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸銅（Ｉ）、シクロペンタン酸銅（Ｉ）、及び１−アダマンタンカルボン酸銅（Ｉ）等、ただしこの限りではない）、テトラフルオロホウ酸銅（Ｉ）、硫酸銅（Ｉ）、硝酸銅（Ｉ）、シアン化銅（Ｉ）、チオシアン化銅（Ｉ）、リン酸銅（Ｉ）、酸化銅（Ｉ）、硫化銅（Ｉ）、ならびにこれらの水和物等が挙げられる。

中でも、酸化銅（Ｉ）、ハロゲン化銅（Ｉ）、又はカルボン酸銅（Ｉ）が好ましい。特に、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、２−メチルプロパン酸銅（Ｉ）、又はピバル酸銅（Ｉ）が好ましい。

銀及びその塩としては、０価の銀、１価の銀の塩、及び２価の銀の塩が挙げられるが、中でも０価の銀、又は１価の銀の塩が好ましい。１価の銀の塩としては、例えば、ハロゲン化銀（Ｉ）（フッ化銀（Ｉ）、塩化銀（Ｉ）、臭化銀（Ｉ）、及びヨウ化銀（Ｉ））、カルボン酸銀（Ｉ）（ギ酸銀（Ｉ）、酢酸銀（Ｉ）、プロピオン酸銀（Ｉ）、２−メチルプロパン酸銀（Ｉ）、２−エチルブタン酸銀（Ｉ）、２−メチルブタン酸銀（Ｉ）、２−メチルペンタン酸銀（Ｉ）、２−メチルヘキサン酸銀（Ｉ）、２−メチルヘプタン酸銀（Ｉ）、２，２−ジメチルブタン酸銀（Ｉ）、２，３−ジメチルブタン酸銀（Ｉ）、２，２−ジメチルペンタン酸銀（Ｉ）、２，３，３−トリメチルブタン酸銀（Ｉ）、２−エチルヘキサン酸銀（Ｉ）、２，２−ジエチルブタン酸銀（Ｉ）、２，２，４−トリメチルペンタン酸銀（Ｉ）、２-メチルオクタン酸銀（Ｉ）、２−メチルウンデカン酸銀（Ｉ）、２−メチルノナン酸銀（Ｉ）、ピバル酸銀（Ｉ）、シクロプロパン酸銀（Ｉ）、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸銀（Ｉ）、シクロペンタン酸銀（Ｉ）、及び１−アダマンタンカルボン酸銀（Ｉ）等、ただしこの限りではない）、テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）、硫酸銀（Ｉ）、硝酸銀（Ｉ）、シアン化銀（Ｉ）、チオシアン化銀（Ｉ）、炭酸銀（Ｉ）、リン酸銀（Ｉ）、酸化銀（Ｉ）、硫化銀（Ｉ）、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルコキシ化銀（Ｉ）、ならびにこれらの水和物等が挙げられる。

中でも、酸化銀（Ｉ）、ハロゲン化銀（Ｉ）、又はカルボン酸銀（Ｉ）が好ましい。特に、塩化銀（Ｉ）、臭化銀（Ｉ）、２−メチルプロパン酸銀（Ｉ）、又はピバル酸銀（Ｉ）が好ましい。

また、本発明の製造法において添加剤として使用する、銅、銀、及びそれらの塩は、錯体を形成させて使用しても良い。そのような例として、ジメチルスルフィド錯体、トリフェニルホスフィン錯体、トリメチルホスフィン錯体、及びテトラヒドロフラン錯体などが挙げられる。

添加剤は、これらの添加剤を混合して使用してもよい。

入手可能又は製造が容易であれば、「パラジウム化合物」と「Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩」を独立して用いる代わりに、パラジウム化合物のカルボン酸塩（例えば、プロピオン酸パラジウム（ＩＩ））、又はその錯体を使用してもよい。同様に、「Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩」と「添加剤」を独立して用いる代わりに、銅もしくは銀のカルボン酸塩、又はその錯体を使用してもよい。そのようなＣ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸の塩としては、２価のパラジウムの塩、１価の銅の塩、又は１価の銀の塩が挙げられる。

Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸の、パラジウム化合物の塩、銅の塩、もしくは銀の塩、又はその錯体を使用する場合、さらに「Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩」を使用してもよい。

入手可能又は製造が容易なＣ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸の、２価のパラジウムの塩、１価の銅の塩、又は１価の銀の塩における、Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、２−メチルプロパン酸、２−エチルブタン酸、２−メチルブタン酸、２−メチルペンタン酸、２−メチルヘキサン酸、２−メチルヘプタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、２，３−ジメチルブタン酸、２，２−ジメチルペンタン酸、２，３，３−トリメチルブタン酸、２−エチルヘキサン酸、２，２−ジエチルブタン酸、２，２，４−トリメチルペンタン酸、２-メチルオクタン酸、２−メチルウンデカン酸、２-メチルノナン酸、ピバル酸、シクロプロパン酸、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸、シクロペンタン酸、及び１−アダマンタンカルボン酸等が挙げられる。

本発明の製造法には、パラジウム化合物とともにパラジウム化合物を還元する還元剤を併用してもよい。例えば、亜鉛、マグネシウム、トリエチルシラン、及び樹脂やシリカゲル等に坦持されたシラン等が挙げられる。

本発明の製造法には、パラジウム化合物とともにパラジウム化合物の酸化を防ぐ、抗酸化剤を併用してもよい。例えば、アスコルビン酸等が挙げられる。

本発明の製造法は、広い温度範囲内において実施することができる。一般には、０℃〜２００℃、好ましくは０℃〜１５０℃である。また、反応は常圧の下で行うことが望ましいが、加圧又は減圧下で行うこともできる。反応時間は、０．１〜１４４時間であり、好ましくは、０．１〜４８時間である。空気中での反応も可能だが、アルゴンガス、窒素ガス等の反応に悪影響のないガス雰囲気下が望ましい。また、本反応においてマイクロ波を照射してもよい。

本発明の製造法に使用する溶媒は特に限定されないが、脂肪族炭化水素類（ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、シクロヘプタン、及びシクロオクタン等）、脂肪族ハロゲン化炭化水素類（ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、及びジクロロエタン等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、及びクロロベンゼン等）、エーテル類（ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、シクロペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトロヒドロフラン、ジオキサン、及びジエチレングリコールジメチルエーテル等）、ケトン類（アセトン、及びメチルイソブチルケトン等）、エステル類（酢酸エチル、及びプロピオン酸エチル 等）、酸アミド類（ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセタミド（ＤＭＡ）、及びＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）等）、ニトリル類（アセトニトリル、及びプロピオニトリル等）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、水、ならびにこれらの混合溶媒等を挙げることができる。

中でも脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、エーテル類、ケトン類、エステル類、又はこれらの混合溶媒等が好ましい。

本発明の製造法で使用する、式（１）の化合物に対する式（２）の化合物の使用量は１モル％〜１０００モル％の範囲で使用してよい。好ましくは５０モル％〜２００モル％の範囲であり、さらに好ましくは、７５モル％〜１２５モル％の範囲である。

本発明の製造法に使用する、パラジウム化合物、配位子又はその塩、及びＣ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩の使用量は、それぞれ、使用する式（１）の化合物又は式（２）の化合物の１００モル％以下の範囲で使用してよい。好ましくは０．００１モル％〜２０モル％の範囲であり、更に好ましくは０．０１モル％〜５モル％の範囲である。

本発明の製造法に使用する添加剤の使用量は、使用する式（１）の化合物又は式（２）の化合物の１０００モル％以下の範囲で使用してよい。好ましくは０．００１モル％〜１００モル％の範囲であり、更に好ましくは０．０１モル％〜２０モル％の範囲である。

本発明の製造法に使用する塩基の使用量は、式（１）の化合物又は式（２）の化合物の１０００モル％以下の範囲で使用してよい。好ましくは２５モル％〜５００モル％の範囲である。

本発明の製造法に使用する溶媒量は、式（１）の化合物又は式（２）の化合物の重量の１０００倍以下の重量で使用してよい。好ましくは、０．１倍〜１００倍である。さらに好ましくは、０．１倍〜２０倍である。さらに、より好ましくは、０．５倍〜２０倍である。

本発明の製造法で使用する、式（１）の化合物、式（２）の化合物、パラジウム化合物、配位子又はその塩、塩基、Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩、添加剤、及び溶媒の加える順序については任意であり、使用する試薬の組み合わせにより、最適な順序が選択されてよい。

「モル％」は、ある物質のモル数を関係物質１００モルで割って表されるその物質の濃度を表す。

本発明の製造法に使用される式（１）で表される化合物は以下の方法で製造することが可能である。

合成法（１）

反応式中、Ｘは酸素原子であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ａ、Ｙは式（１）の定義と同じである。Ｌ^１は脱離基を表し、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、及びパラ−トルエンスルホニルオキシ基等が挙げられる。

具体的には、化合物（ａ）を適当な塩基存在下、適当な溶媒中、適当な温度条件下で化合物（ｂ）と反応させることで、式（１）で表される化合物を製造することができる。

使用する溶媒は特に限定されないが、例えば、脂肪族炭化水素類（ヘキサン、シクロヘキサン、及びヘプタン等）、脂肪族ハロゲン化炭化水素類（ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、及びジクロロエタン等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、及びメシチレン等）、エーテル類（ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、シクロペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）、テトロヒドロフラン、及びジオキサン等）、エステル類（酢酸エチル、及びプロピオン酸エチル等）、酸アミド類（ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセタミド（ＤＭＡ）、及びＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）等）、ニトリル類（アセトニトリル、及びプロピオニトリル等）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、水、ならびにこれらの混合溶媒等を挙げることができる。

使用する塩基としては、例えば、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルコキシドの金属塩（リチウム塩、ナトリウム塩、及びカリウム塩）、Ｃ_１〜Ｃ_６のアルキルアニオンの金属塩（リチウム塩、ナトリウム塩、及びカリウム塩）、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン、ジアザビシクロウンデセン、ジアザビシクロオクタン、ならびにイミダゾール等を挙げることができる。

例えば、本発明の参考例、又は「Bioorg. Med. Chem. Lett. 2004:14,2547-2550」等を参考に合成することができる。

合成法（２）

反応式中、Ｘは酸素原子であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ａ、Ｙは式（１）の定義と同じである。この反応は光延反応を使用することができる。例えば、アゾジカルボン酸ジエチル（ＤＥＡＤ）、アゾジカルボン酸ジイソプロピル（ＤＩＡＤ）、１，１’−（アゾジカルボニル）ジピペリジン（ＡＤＤＰ）、又は１，１’−アゾビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）（ＴＭＡＤ）等の存在下、かつトリフェニルホスフィン、又はトリブチルホスフィン等の存在下、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジクロロメタン、又はトルエン等の溶媒中、０℃から１５０℃の温度範囲で反応を行うことができる。

光延反応及びその類縁反応「Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，１９６７年，第４０巻，ｐ．２３８０」、「Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，１９８１年，ｐ．１」、「Ｏｒｇ．Ｒｅａｃｔ．，１９９２年，第４２巻，ｐ．３３５」を用いて反応させることで、式（１）で表される化合物を合成することができる。

式（１）で表される化合物は他にも、既存の一般的なエーテル合成の手法を用いて合成可能である。例えば、「丸善（株）社団法人日本化学会編 第４版 実験化学講座２０ 有機合成ＩＩアルコール・アミン、ｐ１８７−２０５」等の一般的な有機合成化学の書物を参考に合成することができる。

式（２）で表される化合物のうち、Ｂがチアゾール環である化合物は、市販されている場合もあるが、例えば、以下のスキームを参考に合成できる。

上記反応スキーム中、Ｒ^３、及びＲ^４は本発明の式（２）における定義と同じである。Ｘ’はハロゲン原子を表す。

工程１のチアゾール環化反応による２−アミノチアゾール誘導体は、「Ｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｊｏｕｒｎａｌ， ２００７年，第４１巻，ｐ．１０５−１０８」、「Ｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｊｏｕｒｎａｌ， ２００1年，第３５巻，ｐ．９６−９８」、「国際公開第２００５／０７５４３５号パンフレット」、「国際公開第２００５／０２６１３７号パンフレット」等を参考に合成できる。工程２の反応は、「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９８５年，第２２巻，ｐ．１６２１−１６３０」、「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ１：Ｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｂｉｏ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ,１９８２年，第１巻，ｐ．１５９−１６４」、「Ｂｉｏｏｒｇａｎｉｃ ＆ Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００８年，第１８巻，ｐ．６２３１−６２３５」を参考に実施可能である。他にも、例えば、「国際公開第２００２／０５１８４９号パンフレット」、「国際公開第２００１／０６２２５０号パンフレット」を参考に式（２）で表されるチアゾール誘導体を合成することができる。

式（２）で表される化合物のうち、Ｂがピリジン環である化合物は、種々市販されており、購入可能であるとともに広く合成法が報告されており、それらの技術を利用することにより合成できる。

式（２）で表される化合物のうち、Ｂがイソキサゾール環、イソチアゾール環（式（２）中、Ｗが酸素原子、又は硫黄原子）である化合物は市販されている場合もあるが、例えば、「Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９６８年，ｐ．５２０９−５２１３」、「Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，１９７０年，ｐ．３４４−３５０」、「Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ，１９６７年，第７９巻，ｐ．４７１−４７２」、「Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ，１９７３年，第１０６巻，ｐ．３２９１−３３１１」記載の方法を参考に合成できる。
本発明の式（３）で表される化合物を中間体として用いるときは、加水分解反応等によって最終化合物であるフェニル置換複素環誘導体に導くことができる。

本発明を以下に実施例等によって具体的に説明する。しかし、本発明の範囲はこれらの実施例によっていかなる意味においても制限されるものではない。

本実施例において、分析、精製は、以下の機器等を使用した。
ＴＬＣ：Ｅ．Ｍｅｒｃｋ ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ ６０ Ｆ２５４（０．２５ｍｍ）
Ｆｌａｓｈ ｃｏｌｕｍｎ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ：Ｂｉｏｔａｇｅ Ｆｌａｓｈ，Ｓｉ４０
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ／Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ（ＬＣ／ＭＳ）
Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ：ＳＨＩＭＡＺＵ ＬＣＭＳ−２０１０Ａ
Ｓｏｆｔｗａｒｅ：ＬＣＭＳ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ
Ｅｘｐｅｒｉｍａｎｔａｌ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ：
カラム：Ｐｈｅｎｏｍｅｎｅｘ Ｇｅｍｉｎｉ ３μｍ ４．６ｍｍ×３０ｍｍ
流速：１．２ｍＬ／ｍｉｎ
測定温度：４０℃
ＡＳｏｌｖ：５％ＭｅＣＮ／９５％Ｈ２Ｏ＋０．０５％ＴＦＡ
Ｂｓｏｌｖ：９５％ＭｅＣＮ／５％Ｈ２Ｏ＋０．０５％ＴＦＡ
ＭＳ−ｍｏｄｅ：ＥＳＩ＋
ＥＳＩ Ｖｏｌｔａｇｅ：４．５ＫＶ
Ｓｏｕｒｃｅ Ｔｅｍｐ：１３０℃
Ｄｅｓｏｌｖａｔｉｏｎ Ｔｅｍｐ：３２０℃

Ｈｉｇｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ（Ｈ
ＰＬＣ）
Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ：Ｇ１３１５Ａ Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ ｓｅｒｉｅｓ１１００
Ｓｏｆｔｗａｒｅ：ＣｈｅｍＳｔａｔｉｏｎ ｆｏｒ ＬＣ ３Ｄ
Ｅｘｐｅｒｉｍａｎｔａｌ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ：
Ｃｏｌｕｍｎ：Ｐｈｅｎｏｍｅｎｅｘ Ｌｕｎａ Ｐｈｅｎｙｌ−Ｈｅｘｙｌ ５μｍ ４．６×１００ｍｍ
Ｆｌｏｗ：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
Ｗａｖｅ Ｌｅｎｇｔｈ：２４０ｎｍ
Ｔｅｍｐａｒａｔｕｒｅ：４０℃
ＡＳｏｌｖｅｎｔ：５％ＭｅＣＮ／９５％Ｈ２Ｏ＋０．０５％ＴＦＡ
Ｂｓｏｌｖｅｎｔ：９５％ＭｅＣＮ／５％Ｈ２Ｏ＋０．０５％ＴＦＡ
Ｇｒａｄｉｅｎｔ：
０⇒１ｍｉｎ １０％ Ｂ＿Ｓｏｌｖ．
１⇒１４ｍｉｎ １０⇒７０％ Ｂ＿Ｓｏｌｖ．
１４⇒２４ｍｉｎ ７０⇒８０％ Ｂ＿Ｓｏｌｖ．
２４⇒２５ｍｉｎ ８０⇒１００％ Ｂ＿Ｓｏｌｖ．
２５⇒３０ｍｉｎ １００％ Ｂ＿Ｓｏｌｖ．
３０⇒３２ｍｉｎ １００⇒１０％ Ｂ＿Ｓｏｌｖ．
３２⇒３５ｍｉｎ １０％ Ｂ＿Ｓｏｌｖ．
Ｎｕｃｌｅａｒ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ（ＮＭＲ）：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（１Ｈ ４００ＭＨｚ）１Ｈ−ＮＭＲのシフト値は、ｐｐｍ表示、テトラメチルシランのシフト値（δ０．０ｐｐｍ）を基準として表示した。データは以下の略称で表示した。
ｓ＝ｓｉｎｇｌｅｔ，ｄ＝ｄｏｕｂｌｅｔ，ｄｄ＝ｄｏｕｂｌｅｔ ｏｆ ｄｏｕｂｌｅｔｓ，ｔ＝ｔｒｉｐｌｅｔ，ｑ＝ｑｕａｒｔｅｔ，ｍ＝ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ，ｂｒ＝ｂｒｏａｄ ｓｉｇｎａｌ）．
なお、参考例及び実施例の１Ｈ−ＮＭＲにおいて、カルボン酸におけるプロトンシグナルは溶媒等の測定条件により、確認できない場合もある。

［参考例１］
５−ブロモ−２−イソブトキシベンゾニトリルの合成

水素化ナトリウム（１．６４ｇ，６０％ ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ ｉｎ ｍｉｎｅｒａｌ ｏｉｌ，３７．５ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５０ｍＬ）懸濁液を０℃に冷却した後、２−メチル−１−プロパノール（３．４７ｍＬ，３７．５ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた。反応液を２５℃で２０分間攪拌した。再び、反応液を０℃に冷却し、２−フルオロ−５−ブロモベンゾニトリル（５．００ｇ，２５．０ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた後、反応液を２５℃で１５時間攪拌した。反応終了後、水（１００ｍＬ）を加え、酢酸エチル（３×１００ｍＬ）で抽出した。有機相を合わせて、飽和食塩水（２×５０ｍＬ）で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ別除去した後、溶媒を減圧濃縮し、得られた粗体をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９／１）で精製し、表題化合物（６．０４ｇ）を得た。収率９５％。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３） δ ７．６５（ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ），７．６０（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２．４Ｈｚ，１Ｈ），６．８４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），３．８１（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ），２．２２−２．１２（ｍ、１Ｈ），１．０６（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，６Ｈ）．

［実施例１］
エチル ２−（３−シアノ−４−イソブトキシフェニル）−４−メチルチアゾール−５−カルボキシレートの合成

反応容器に、参考例１で得られた５−ブロモ−２−イソブトキシベンゾニトリル（５．０８ｇ，２０．０ｍｍｏｌ）、エチル ４−メチルチアゾール−５−カルボキシレート（３．６０ｇ，２１．０ｍｍｏｌ）、塩化パラジウム（５．３ｍｇ，０．０３０ｍｍｏｌ）、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシルホスフィン（２７．４ｍｇ，０．１２０ｍｍｏｌ）、２−メチルプロパン酸（１０．６ｍｇ，０．１２０ｍｍｏｌ）、臭化銅（Ｉ）−ジメチルスルフィド錯体（４１．１ｍｇ，０．２０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（５．８０ｇ，４２．０ｍｍｏｌ）、及びトルエン（１５．２ｍＬ）を加えた後、窒素雰囲気下、２５℃で５分攪拌し、さらに加熱還流させて、２１時間攪拌した。反応終了後、熱時ろ過を行い、不溶物を除去した。ろ液を減圧濃縮し、得られた粗体を精製し、表題化合物（６．１１ｇ）を得た。収率８９％。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３） δ ８．１８（ｄ，Ｊ＝２．４４Ｈｚ，１Ｈ），８．０９（ｄｄ，Ｊ＝８．７８Ｈｚ，２．２０Ｈｚ，１Ｈ），７．０１（ｄ，Ｊ＝８．７８Ｈｚ，１Ｈ），４．３６（ｑ，Ｊ＝７．０７Ｈｚ，２Ｈ），３．９０（ｄ，Ｊ＝６．３４Ｈｚ，２Ｈ），２．７７（ｓ，３Ｈ），２．２６−２．１６（ｍ，１Ｈ），１．３９（ｔ，Ｊ＝７．１９Ｈｚ，３Ｈ），１．０９（ｄ，Ｊ＝６．８３Ｈｚ，６Ｈ）．

［実施例２］
エチル ２−（３−シアノ−４−イソブトキシフェニル）−４−メチルチアゾール−５−カルボキシレートの合成

反応容器に、参考例１で得られた５−ブロモ−２−イソブトキシベンゾニトリル（５．０８ｇ，２０．０ｍｍｏｌ）、エチル ４−メチルチアゾール−５−カルボキシレート（３．６０ｇ，２１．０ｍｍｏｌ）、塩化パラジウム（３．５ｍｇ，０．０２０ｍｍｏｌ）、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシルホスフィン（１１．０ｍｇ，０．０４８ｍｍｏｌ）、２−メチルプロパン酸（７．０ｍｇ，０．０８０ｍｍｏｌ）、臭化銅（Ｉ）（２８．７ｍｇ，０．２０ｍｍｏｌ）、炭酸水素カリウム（４．２１ｇ，４２．０ｍｍｏｌ）、及びトルエン（１５．２ｍＬ）を加えた後、窒素雰囲気下、２５℃で５分攪拌し、さらに加熱還流させて、８時間攪拌した。反応終了後、熱時ろ過を行い、不溶物を除去した。ろ液を減圧濃縮し、得られた粗体を精製し、表題化合物（６．３８ｇ）を得た。収率９３％。

［実施例３］
エチル ２−（３−シアノ−４−イソブトキシフェニル）−４−メチルチアゾール−５−カルボキシレートの合成

試験管型反応容器（６０ｍＬ）に、エチル ４−メチルチアゾール−５−カルボキシレート（２．１４ｇ，１２．５ｍｍｏｌ）、参考例１で得られた５−ブロモ−２−イソブトキシベンゾニトリル（２．５４ｇ，１０．０ｍｍｏｌ）、及びキシレン（７．６ｍＬ）、ならびにパラジウム化合物（０．０２５ｍｍｏｌ）、配位子（０．１０ｍｍｏｌ）、塩基（２１．０ｍｍｏｌ）、カルボン酸（０．１０ｍｍｏｌ）、及び添加剤（１．０ｍｍｏｌ）として、表９に記載したものを加えた後、反応容器に窒素を充填し密栓した状態で、１４０℃に加熱し、２４時間攪拌した。反応終了後、反応液の一部をキシレンとＤＭＳＯで希釈し、得られた溶液をＨＰＬＣで測定し、化合物Ａ〜ＤおよびＴＭのＨＰＬＣ ａｒｅａ％合計を１００％に補正し、それぞれのＨＰＬＣ ａｒｅａ％から、目的物の計算収率を算出した。目的物のＨＰＬＣ ａｒｅａ％からの、目的物の計算収率の算出は、以下の計算式に当てはめることにより行った。
ＴＭの収率（％）＝ＴＭの総量（ｍｏｌ）／｛Ａの総量（ｍｏｌ）＋Ｃの総量（ｍｏｌ）×２＋ＴＭの総量（ｍｏｌ）｝］×１００
各化合物の総量（ｍｏｌ）＝各化合物のＨＰＬＣでの面積値（ｍＡＵ）／各化合物の１ｍｏｌあたりのＨＰＬＣでの面積値（ｍＡＵ／ｍｏｌ）
結果を表９に示す。

実験番号１〜４に示すように、塩基、パラジウム化合物、配位子、カルボン酸は、それぞれが反応を進行させるのに必要な要素である。また、実験番号５及び６に示すように、添加剤が存在しなくても反応は進行するが、添加剤を加えることにより、反応の進行を飛躍的に向上させることができた。

［実施例４］
エチル ２−（３−シアノ−４−イソブトキシフェニル）−４−メチルチアゾール−５−カルボキシレートの合成

試験管型反応容器（６０ｍＬ）に、エチル ４−メチルチアゾール−５−カルボキシレート（２．１４ｇ，１２．５ｍｍｏｌ）、及び参考例１で得られた５−ブロモ−２−イソブトキシベンゾニトリル（２．５４ｇ，１０．０ｍｍｏｌ）、ならびに溶媒（７．６ｍＬ）、パラジウム化合物（０．０２５ｍｍｏｌ）、配位子（０．１０ｍｍｏｌ）、塩基（２１．０ｍｍｏｌ）、カルボン酸（０．１０ｍｍｏｌ）、添加剤（０．１０ｍｍｏｌ）、及び還元剤（０．１０ｍｍｏｌ）として、表１０に記載したものを加えた後、反応容器に窒素を充填し密栓した状態で、１４０℃に加熱し、２４時間攪拌した。反応終了後、反応液の一部をキシレンとＤＭＳＯで希釈し、得られた溶液をＨＰＬＣで測定し、化合物Ａ〜ＤおよびＴＭのＨＰＬＣ ａｒｅａ％合計を１００％に補正し、それぞれのＨＰＬＣ ａｒｅａ％から、目的物の計算収率を算出した。目的物のＨＰＬＣ ａｒｅａ％からの、目的物の計算収率の算出は、以下の計算式に当てはめることにより行った。
ＴＭの収率（％）＝ＴＭの総量（ｍｏｌ）／｛Ａの総量（ｍｏｌ）＋Ｃの総量（ｍｏｌ）×２＋ＴＭの総量（ｍｏｌ）｝］×１００
各化合物の総量（ｍｏｌ）＝各化合物のＨＰＬＣでの面積値（ｍＡＵ）／各化合物の１ｍｏｌあたりのＨＰＬＣでの面積値（ｍＡＵ／ｍｏｌ）
結果を表１０に示す。なお、表１０中実験番号２２の結果は、溶媒として酢酸ｎ−ブチルを用いたため、化合物ＴＭ、化合物Ｂ、及び化合物Ｄ中のエチルエステルが、一部、ブチルエステルに変換されたことから、それぞれ、エチルエステル体及びブチルエステル体のＨＰＬＣ ａｒｅａ％を合算した値を記載した。

表１０に示すように、本発明は、種々の溶媒、塩基、パラジウム化合物、配位子、カルボン酸及び添加剤を用いて実施することができる。

実験番号１４に示すように、パラジウム化合物とカルボン酸を独立して用いる代わりに、パラジウム化合物のカルボン酸塩を使用した場合においても、反応は円滑に進行する。

表１０中の略称は以下を表す。
ＰＣｙ_３−ＨＢＦ_４：トリシクロヘキシルホスフィンテトラフルオロホウ酸塩
ｔＢｕＰＣｙ_２：ｔｅｒｔ−ブチルジシクロヘキシルホスフィン
１−ａｄ−ＣＯ_２Ｈ：１−アダマンタンカルボン酸
ｔＢｕ_３Ｐ−ＨＢＦ_４：トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロホウ酸塩
ＰｉｖＯＨ：ピバル酸
Ｃｕ（ＯＡｃ）：酢酸銅（Ｉ）
２−Ｍｅ−ＢｕＣＯ_２Ｈ：２−メチルブタン酸
Ｐｄ（ＯＰｉｖ）_２：ピバル酸パラジウム
Ｃｒｏｔｙｌ Ｄｉｍｅｒ：塩化クロチルパラジウム二量体（ＩＩ）
Ｐｄ（ｄｂａ）_２：ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）
Ｅｔ_３ＳｉＨ：トリエチルシラン
Ｄｉｇｌｙｍｅ：ジエチレングリコールジメチルエーテル
ｎ−Ｈｅｘａｄｅｃ．ｎ−ｏｃｔａｄｅｃ．ＣＯ_２Ｈ：２−ヘキサデシルオクタデカン酸３，５−ｄｉＭｅ−１−ａｄ−ＣＯ_２Ｈ：３，５−ジメチル−１−アダマンタンカルボン酸Ｃｙ_２Ｐ（Ｃ_６Ｈ_４）−１，３−ｄｉｏｘｏｒａｎｅ：２−（２’−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル−１，３−ジオキソランＣｙ_２Ｐ（ＣＨ_２）_４ＰＣｙ_２：１，４−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）ブタン

本発明の式（１）で表されるフェニル誘導体と式（２）で表される複素環誘導体とを、パラジウム化合物、パラジウム化合物に配位し得る配位子、塩基、及びＣ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸、さらに１種類以上の添加剤の存在下でカップリングし、式（３）で表されるフェニル置換複素環誘導体を得る新規のカップリング法は、高尿酸血症の治療薬であるキサンチンオキシダーゼ阻害薬又はその中間体を短工程で、ひいては高収率かつ低コストで製造するのに有用である。

Claims (26)

1. 下記式（１）
   

   

   ［式（１）において、
   Ｒ^１は、水素原子又はハロゲン原子を表し；
   Ｒ^２は、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、ホルミル基、又はハロメチル基を表し；
   Ａは、水素原子、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、Ｃ_３〜Ｃ_６シクロアルキル基、フェニル基、フッ素原子（Ｘが結合手の場合に限る）、又は水酸基の保護基（Ｘが酸素原子の場合に限る）を表し、
   Ａは１〜３個の置換基で置換されていてもよく、かかる置換基は、ハロゲン原子、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキルチオ基、Ｃ_３〜Ｃ_６シクロアルキル基、フェニル基、フェノキシ基、及びピリジル基からなる群から選ばれる基であり；
   Ｘは、結合手(ただし、Ａが、フェニル基、又はフッ素原子の場合に限る。)、又は酸素原子を表し；
   Ｙは、脱離基を表す。］
   で表される化合物と、下記式（２）
   

   

   ［式（２）において、
   Ｈは、水素原子を表し；
   Ｒ ^３は、−ＣＯＯＲ^３ａ、又は−ＣＯＲ^３ｂを表し；
   Ｒ^３ａは、水素原子、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、又はカルボキシル基のエステル系保護基を表し；
   Ｒ^３ｂは、隣接するカルボニル基とアミドを形成する、カルボキシル基のアミド系保護基を表し；
   Ｒ^４は、水素原子、ハロゲン原子、又はＣ_１〜Ｃ_４アルキルを表す。］
   で表される化合物とを、
   （ｉ）パラジウム化合物、
   （ii）パラジウム化合物に配位し得る配位子又はその塩、
   （iii）塩基、
   （iv）Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩、及び
   （ｖ）銅、銀、及びそれらの塩、ならびにそれらの錯体からなる群から選択される少なくとも１つの添加剤の存在下において反応させることによる、下記式（３）
   

   

   ［式（３）において、
   Ａ、Ｘ、Ｒ^１、及びＲ^２は式（１）の定義と同じであり、Ｒ ^３ 及びＲ ^４ は式（２）の定義と同じである。］で表されるフェニル置換複素環誘導体を製造する方法。
   ただし、下記式（１）’
   

   

   ［式（１）’において、
   Ｙ’は、ハロゲン原子、−ＯＣＯ _２ −（Ｃ _１ 〜Ｃ _４ アルキル基）、−ＯＣＯ _２ −（フェニル基）、−ＯＳＯ _２ −（Ｃ _１ 〜Ｃ _４ アルキル基）、−ＯＳＯ _２ −（フェニル基）、又はジアゾニウム基を表し、
   Ｙ’中の、Ｃ _１ 〜Ｃ _４ アルキル基は１〜３個のハロゲン原子で置換されていてもよく、フェニル基は１〜３個の、ハロゲン原子又はＣ _１ 〜Ｃ _４ アルキル基で置換されていてもよい。］
   で表される化合物と、下記式（２）’
   

   

   ［式（２）’において、
   Ｒ ^３ ’は、ＣＯＯＲ ^３ａ ’、又はＣＯＲ ^３ｂ ’を表し；
   Ｒ ^３ａ ’は、水素原子、Ｃ _１ 〜Ｃ _４ アルキル基、又はカルボキシル基のエステル系保護基を表し；
   Ｒ ^３ｂ ’は、隣接するカルボニル基とアミドを形成する、カルボキシル基のアミド系保護基を表す。］
   で表される化合物とを、
   （ｉ）酢酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(ＯＡｃ) _２ ）、プロピオン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ _２ ＣＨ _３ ) _２ ）、２−メチルプロパン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（ＣＨ _３ ） _２ ) _２ ）、及びピバル酸パラジウム（Ｐｄ(ＯＰｉｖ) _２ ）からなる群から選ばれる遷移金属化合物、
   （ii）トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）メチルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロヘキシルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシルホスフィン、トリ（シクロヘキシル）ホスフィン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジイソプロポキシ−１，１’−ビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’、４’，６’−トリイソプロピル−１，１’−ビフェニル、及びそれらの塩からなる群から選ばれる、遷移金属化合物に配位し得る配位子、
   （iii）銀塩、及び
   （iv）Ｃ _１ 〜Ｃ _１２ のカルボン酸又はその塩
   の存在下において反応させることによる、下記式（３）’
   

   

   ［式（３）’において、Ｒ ^３ ’は式（２）’の定義と同じである。］で表されるフェニル置換複素環誘導体を製造する方法を除く。
2. Ａが、Ｃ_１〜Ｃ_５アルキル基である請求項１に記載の製造法。
3. Ａが、イソブチル基である請求項１に記載の製造法。
4. Ｘが、酸素原子である請求項１〜３のいずれかに記載の製造法。
5. Ｒ^１が、水素原子である請求項１〜４のいずれかに記載の製造法。
6. Ｒ^２が、シアノ基である請求項１〜５のいずれかに記載の製造法。
7. Ｙが、ハロゲン原子、−ＯＣＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）、−ＯＣＯ_２−（フェニル基）、−ＯＳＯ_２−（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基）、−ＯＳＯ_２−（フェニル基）、又はジアゾニウム基を表し、
   Ｙ中の、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基は１〜３個のハロゲン原子で置換されていてもよく、フェニル基はハロゲン原子又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル基から選択される任意の１〜５個の置換基で置換されていてもよい請求項１〜６のいずれかに記載の製造法。
8. Ｒ^３が−ＣＯＯＲ^３ａであり、Ｒ^３ａがＣ_１〜Ｃ_４アルキル基である請求項１〜７のいずれかに記載の製造法。
9. Ｒ^４が、メチル基である請求項１〜８のいずれかに記載の製造法。
10. パラジウム化合物が、０価のパラジウム、又は１価もしくは２価のパラジウムの塩である請求項１〜９のいずれかに記載の製造法。
11. パラジウム化合物が、酢酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(ＯＡｃ)_２）、プロピオン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ_２ＣＨ_３)_２）、２−メチルプロパン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（ＣＨ_３）_２)_２）、ピバル酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(ＯＰｉｖ)_２）、塩化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＣｌ_２）、臭化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＢｒ_２）、又はパラジウム（０）である請求項１〜９のいずれかに記載の製造法。
12. パラジウム化合物が、２−メチルプロパン酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（ＣＨ_３）_２)_２）、ピバル酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ(ＯＰｉｖ)_２）、塩化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＣｌ_２）、臭化パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＢｒ_２）、又はパラジウム（０）である請求項１〜９のいずれかに記載の製造法。
13. 配位子が、ホスフィン系配位子である請求項１〜１２のいずれかに記載の製造法。
14. ホスフィン系配位子が、Ｒ^５Ｐ（Ｒ^６）Ｒ^７（Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立して、Ｃ_３〜Ｃ_８アルキル基、又は脂環式炭化水素基であり、リン原子に結合している、Ｒ^５及びＲ^６のそれぞれの炭素原子に結合する水素原子数が０又は１である。Ｒ^７は、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、脂環式炭化水素基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基、又はヘテロアリール基である）で表されるホスフィン系配位子である請求項１３に記載の製造法。
15. ホスフィン系配位子が、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）メチルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジシクロヘキシルホスフィン、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシルホスフィン、又はトリ（シクロヘキシル）ホスフィンである請求項１４に記載の製造法。
16. 塩基が、アルカリ金属もしくは第二族元素の水酸化物、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ金属のリン酸塩、又はアルカリ金属もしくは第二族元素の、炭酸塩もしくは炭酸水素塩である請求項１〜１５のいずれかに記載の製造法。
17. 塩基が、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、又は炭酸水素ナトリウムである請求項１６に記載の製造法。
18. Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸において、カルボキシル基のα位の炭素原子が芳香環上の炭素原子でなく、カルボキシル基のα位の炭素原子に結合する水素原子数が０又は１である請求項１〜１７のいずれかに記載の製造法。
19. Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸が、１個のカルボキシル基を有し、かつカルボキシル基以外を構成する原子としては、炭素原子、及び水素原子のみを有するものである請求項１８に記載の製造法。
20. Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸が、２−メチルプロパン酸、又はピバル酸である請求項１９に記載の製造法。
21. （ｉ）パラジウム化合物と（iv）Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩を独立して用いる代わりに、Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸の、２価のパラジウム塩を用いる請求項１〜２０に記載の製造法。
22. （iv）Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸又はその塩と（ｖ）添加剤を独立して用いる代わりに、Ｃ_１〜Ｃ_４０のカルボン酸の、１価の銅の塩もしくは１価の銀の塩を用いる請求項１〜２０に記載の製造法。
23. 添加剤が、０価の銅、又は１価の銅の塩である請求項１〜２１のいずれかに記載の製造法。
24. 添加剤が、酸化銅（Ｉ）、フッ化銅（Ｉ）、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、ギ酸銅（Ｉ）、酢酸銅（Ｉ）、プロピオン酸銅（Ｉ）、２−メチルプロパン酸銅（Ｉ）、２−エチルブタン酸銅（Ｉ）、２−メチルブタン酸銅（Ｉ）、２−メチルペンタン酸銅（Ｉ）、２−メチルヘキサン酸銅（Ｉ）、２−メチルヘプタン酸銅（Ｉ）、２，２−ジメチルブタン酸銅（Ｉ）、２，３−ジメチルブタン酸銅（Ｉ）、２，２−ジメチルペンタン酸銅（Ｉ）、２，３，３−トリメチルブタン酸銅（Ｉ）、２−エチルヘキサン酸銅（Ｉ）、２，２−ジエチルブタン酸銅（Ｉ）、２，２，４−トリメチルペンタン酸銅（Ｉ）、２-メチルオクタン酸銅（Ｉ）、２−メチルウンデカン酸銅（Ｉ）、２-メチルノナン酸銅（Ｉ）、ピバル酸銅（Ｉ）、シクロプロパン酸銅（Ｉ）、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸銅（Ｉ）、シクロペンタン酸銅（Ｉ）、及び１−アダマンタンカルボン酸銅（Ｉ）からなる群から選択される少なくとも１つである請求項１〜２２のいずれかに記載の製造法。
25. 添加剤が、０価の銀、又は１価の銀の塩である請求項１〜２２のいずれかに記載の製造法。
26. 添加剤が、酸化銀（Ｉ）、フッ化銀（Ｉ）、塩化銀（Ｉ）、臭化銀（Ｉ）、ヨウ化銀（Ｉ）、ギ酸銀（Ｉ）、酢酸銀（Ｉ）、プロピオン酸銀（Ｉ）、２−メチルプロパン酸銀（Ｉ）、２−エチルブタン酸銀（Ｉ）、２−メチルブタン酸銀（Ｉ）、２−メチルペンタン酸銀（Ｉ）、２−メチルヘキサン酸銀（Ｉ）、２−メチルヘプタン酸銀（Ｉ）、２，２−ジメチルブタン酸銀（Ｉ）、２，３−ジメチルブタン酸銀（Ｉ）、２，２−ジメチルペンタン酸銀（Ｉ）、２，３，３−トリメチルブタン酸銀（Ｉ）、２−エチルヘキサン酸銀（Ｉ）、２，２−ジエチルブタン酸銀（Ｉ）、２，２，４−トリメチルペンタン酸銀（Ｉ）、２-メチルオクタン酸銀（Ｉ）、２−メチルウンデカン酸銀（Ｉ）、２-メチルノナン酸銀（Ｉ）、ピバル酸銀（Ｉ）、シクロプロパン酸銀（Ｉ）、２，２，３，３−テトラメチルシクロプロパン酸銀（Ｉ）、シクロペンタン酸銀（Ｉ）、及び１−アダマンタンカルボン酸銀（Ｉ）からなる群から選択される少なくとも１つである請求項１〜２２のいずれかに記載の製造法。