JP5642269B2 - メモリ書き込み処理の装置、方法及びチップ - Google Patents
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Description
また、上記の実施形態において、更なる電荷を提供させるために、制御可能な遅延回路を用いてブースト可能なドライバを制御してもよい。
また、上記の実施形態において、第1のビットライン及び第2のビットラインの両方にLowレベルを適用することで、低いアクティビティモード中にセルを停止させてもよい。
Claims (13)
- ワードライン上に接続されたメモリセルと、
前記ワードラインに連結されて、アサート停止状態とするために前記ワードラインを接地基準点に連結させ、書き込み処理のために、最初に前記ワードラインを供給基準点に連結させ、次に前記ワードラインをフロートさせて明示的なキャパシタと無関係に前記ワードラインを容量的にブーストするドライバ回路と
を備え、
前記ドライバ回路は、
第1N型トランジスタと直列に連結され、前記第1N型トランジスタと第1P型トランジスタとの間のノードから前記ワードラインを駆動する前記第1P型トランジスタと、
前記ドライバ回路の入力と前記第1P型トランジスタのゲートとの間に連結されたスイッチと、
を有し、
電力供給ノードと前記第1P型トランジスタの前記ゲートとの間はトランジスタに連結され、
前記スイッチ及び前記トランジスタのゲートの両方は制御信号線に連結され、
前記制御信号線で送信される制御信号の第1の状態が、前記第1P型トランジスタの前記ゲートと前記ドライバ回路の前記入力とを連結して、前記第1P型トランジスタの前記ゲートと前記電力供給ノードとを非連結して、前記制御信号線で送信される制御信号の第2の状態が、前記第1P型トランジスタの前記ゲートと前記ドライバ回路の前記入力とを非連結して、前記第1P型トランジスタの前記ゲートと前記電力供給ノードとを連結して、
前記第1の状態は、起動している前記第1P型トランジスタによって第1レベルに前記ワードラインを最初にプルアップして、
前記第2の状態は、前記ワードラインが電荷の転送中フロートするように、前記トランジスタを起動して、前記第1P型トランジスタ及び前記第1N型トランジスタを起動させないことで、前記第1P型トランジスタの寄生容量を介した前記電力供給ノードから前記ワードラインへの転送に変更することによって、前記第1の状態よりもハイなレベルへと前記ワードラインをブーストする
装置。 - 前記スイッチは、N型トランジスタ及びP型トランジスタから形成されるパスゲートである、請求項1に記載の装置。
- 前記メモリセルは、データの書き込み及び読み出しに、それぞれ別のビットライン及びワードラインを有するレジスタファイルセルを含む、請求項1または2に記載の装置。
- 前記メモリセルは8Tセルである、請求項3に記載の装置。
- 前記メモリセルは、6Tのスタティックランダムアクセスメモリセルである、請求項1から4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記メモリセルにアクセストランジスタ経由で連結された、互いに相補的な複数の書き込みビットラインの対を更に含み、前記メモリセルの中から一のメモリセルにデータを書き込む前に、複数の書き込みビットライン対のうち、1つの相補的な書き込みビットライン対における各ビットラインに低い値が与えられる、請求項1から5のいずれか1項に記載の装置。
- 前記制御信号線を駆動する、プログラムが可能な遅延回路を含む信号生成回路を備える、請求項1から6のいずれか1項に記載の装置。
- ワードラインを制御可能に連結する第1のアクセストランジスタ及び第2のアクセストランジスタを介して相補的な第1のビットライン及び第2のビットラインに連結されるセルを備えるメモリにおいて、前記アクセストランジスタを接続状態とする段階を備え、
前記接続状態とする段階は、
前記ビットラインを放電して、
制御信号を第1の状態にして、スイッチを閉状態にし、前記ワードラインを駆動するP型トランジスタを起動停止して、
前記スイッチを介してワードライン信号を連結して、前記P型トランジスタを起動させて、前記ワードラインを第1電圧レベルに駆動して、
前記制御信号を第2の状態にして、前記スイッチを閉じて、前記制御信号を前記第2の状態にすることは供給ノードと前記P型トランジスタのゲートとの間に連結された第2トランジスタを起動して、前記第2トランジスタを前記起動することは前記P型トランジスタを起動停止させて前記ワードラインをフロートさせ、前記供給ノードからの電荷を前記供給ノードから前記トランジスタ及び前記P型トランジスタの寄生容量を介して流して、前記ワードラインの前記電圧レベルを前記電圧レベルよりも高い第2電圧レベルまで上昇させて、
前記ビットラインの1つをチャージして、前記第1のアクセストランジスタ及び第2のアクセストランジスタの一方により、明示的なキャパシタなしで、前記ワードラインに電荷を容量的に連結して、前記セルにデータを書き込むために、前記第2電圧レベルよりも高い第3電圧レベルに前記ワードラインの前記電圧レベルを上昇させる段階を備える方法。 - ワードラインを有するプロセッサと、
アクセストランジスタ経由で前記ワードラインに連結された複数のセルと、
前記ワードラインに連結されて、第1の状態を適用して前記アクセストランジスタを停止させ、第2の状態を適用して起動状態のトランジスタによって第1電圧レベルに駆動して、前記トランジスタが起動停止状態のため前記ワードラインが少なくとも部分的にフロートしている第3の状態を適用して、電荷が起動停止の前記トランジスタを介して前記ワードライン上を流れて、前記ワードラインの電圧レベルを前記第2の状態のレベルよりも高いレベルまで上昇させるワードラインドライバ回路と
を備え、
前記第2の状態及び前記第3の状態が、前記アクセストランジスタを起動させ、
前記ドライバ回路は、前記第2の状態及び前記第3の状態の両方を設定するための制御信号線を有するチップ。 - 前記複数のセルは、8Tセルまたは6Tセルのメモリセルを含む、請求項9に記載のチップ。
- 前記ワードラインは、前記アクセストランジスタを起動して前記セルにデータを書き込むための書き込みワードラインである、請求項9または10に記載のチップ。
- 連結されて、前記制御信号線を駆動するプログラム可能な遅延回路を備える、請求項9に記載のチップ。
- 前記セルは、前記プロセッサにレジスタファイルを実装する複数のセルの一部である、請求項9から12のいずれか1項に記載のチップ。
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