JP5620827B2 - ナノインプリントモールドの洗浄方法 - Google Patents
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Description
上記モールドが、平板状の支持部と、支持部の一面にありかつこの一面から所定の高さを有するメサ部であって、微細な凹凸パターンが形成された凹凸パターン領域を有する上記メサ部と、上記凹凸パターンに沿って上記凹凸パターン領域上に形成されたフッ素化合物を含有する離型層とを備えたものであり、
ナノインプリントにおいて使用したレジストの残渣が付着した状態の上記モールドを洗浄液に浸漬して、超音波洗浄を行うことを特徴とするものである。
Zは、フッ素またはトリフルオロメチル基を表し、
a〜eは、それぞれ0以上の整数を表し、a+b+c+d+eは、少なくとも1であり、a〜eが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は構造式(1)において任意であり、
Xは、メサ部を構成する材料と化学的に結合可能な官能基を表す。
C3F7(OCF2CF2CF2)pOC2F4C2H4−Si(OCH3)3
なお、構造式(2)において、pは重合度(1以上の整数)を表す。
PnRm−nM−Z−Y−X−(OC3F6)a−(OC2F4)b−(OCF2)c−O−X−Y−Z−MPnRm−n
なお、構造式(3)において、a〜cはそれぞれ0以上の整数を表し、a+b+cは少なくとも1であり、a〜cが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は構造式(3)において任意であり、
Xは、構造式(3−1):−(O)d−(CF2)e−(CH2)f−(ここで、d、e及びfはそれぞれ0以上の整数を表し、e及びfの和は少なくとも1であり、d、e及びfが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は、構造式(3−1)において任意であるが、Oは連続しない。)で示される基を表し、
Yは、二価の極性基または単結合を表し、
Zは、構造式(3−2):−(CH2)g−(ここで、gは0以上の整数を表す。)で示される基を表し、
−MPnRm−nは、メサ部を構成する材料と化学的に結合可能な官能基を表し、
Mは、ケイ素原子、チタン原子またはアルミニウム原子を表し、
Pは、水酸基または加水分解可能な極性基を表し、
Rは、水素または炭化水素基を表し、
mは、(Mで表される原子の価数−1)の整数を表し、
nは、1〜mの整数を表し、
−OC3F6−は、−OCF2CF2CF2−、または−OCF(CF3)CF2−を表し、
−OC2F4−は、−OCF2CF2−、または−OCF(CF3)−を表す。
(CH3O)3Si−CH2CH2CH2−O−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−O−CH2CH2CH2−Si(OCH3)3
なお、構造式(4)において、j及びkは重合度(1以上の整数)を表す。
本実施形態のモールドの洗浄方法は、図1Aおよび図1Bに示すようにモールド1がメサ型基板10と離型層14とを備えたものであり、ナノインプリントにおいて使用したレジストの残渣が付着した状態の上記モールド1を洗浄液に浸漬して、超音波洗浄を行うものである。メサ型基板10は、平板状の支持部11と、支持部11の一面(基準面)S1にありかつこの基準面S1から所定の高さD2を有するメサ部12であって、微細な凹凸パターン13が形成された凹凸パターン領域R1を有する上記メサ部12を備える。また、離型層14は、上記凹凸パターン13に沿って上記凹凸パターン領域R1上に形成されたものであり、フッ素化合物を含有する。
C3F7(OCF2CF2CF2)pOC2F4C2H4−Si(OCH3)3
構造式(2)において、pは重合度(1以上の整数)を表す。
PnRm−nM−Z−Y−X−(OC3F6)a−(OC2F4)b−(OCF2)c−O−X−Y−Z−MPnRm−n
Q−Z−M−PnRm−n
構造式(3−3)中、Z、M、P、R、m及びnは、構造式(3)の説明において前述した意味と同義であり、Qは極性基を表す。
T−X−(OC3F6)a−(OC2F4)b−(OCF2)c−X−T
構造式(3−4)中、X、a、b及びcは、構造式(3)の説明において前述した意味と同義であり、Tは極性基を表す。
PnRm−nSi−Z−Y−X−(OC3F6)a−(OC2F4)b−(OCF2)c−O−X−Y−Z−SiPnRm−n
(CH3O)3Si−CH2CH2CH2−O−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−O−CH2CH2CH2−Si(OCH3)3
HO−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−OH
第2の実施形態のモールドの洗浄方法について説明する。本実施形態のモールドの洗浄方法は、第1の実施形態のモールドの洗浄方法とほぼ同様の構成であるが、メサ部の凹凸パターン領域でない領域に洗浄時に生じる凹凸パターンの欠けを防止する欠け防止パターンをメサ部が有する点で第1の実施形態のモールドの洗浄方法と異なる。したがって、その他の第1の実施形態のモールドの洗浄方法と同様の構成要素についての詳細な説明は、特に必要のない限り省略する。
<メサ型基板の製造>
メサ加工した旭硝子製合成石英ガラス6025(以下、Qzと称する。)上にスパッタリング法で膜厚15nmのCr膜を形成した。Cr膜上に更に日本ゼオン製電子線用レジストZEP520Aを塗布し、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。その後、基板を電子線描画装置にて露光描画し、現像装置で現像して、レジスト膜に所望のパターンを形成した。Crのドライエッチング装置で上記所望のパターンの露出するCr膜をエッチングし、更にQzのドライエッチング装置でQz露出部分を200nmエッチングした。その後、レジスト膜、Cr膜を全て剥離した。これにより、500本の微細なラインを有するライン&スペースパターン(ラインの長さ1μm、ラインの幅50nm、ラインの高さ200nm、ラインのアスペクト比4、ライン同士の間隔50nm)を備えたメサ型基板を得た。
上記で製造したメサ型基板を用意し、メサ型基板の表面を有機溶剤(アセトン)で超音波洗浄した後、硫酸/過酸化水素水の混合液で煮沸洗浄し、水洗乾燥後にUVオゾン処理を行い、表面を清浄化した。その後、パーフルオロポリエーテルを0.1重量%の濃度に希釈した希釈溶液にそのメサ型基板を23℃で1分間浸漬した。離型層のフッ素化合物としては、C3F7(OCF2CF2CF2)pOC2F4C2H4−Si(OCH3)3(数平均分子量4000)で表されるパーフルオロポリエーテルを用い、希釈する溶媒としてはフッ素系不活性溶剤(パーフルオロヘキサン)を用いた。そして浸漬後、フッ素系不活性溶剤(パーフルオロヘキサン)で5〜30分間リンスした後、そのメサ型基板を60℃で湿度95%の恒温恒湿槽中で約1時間放置した。その後、再度フッ素系不活性溶剤(パーフルオロヘキサン)で5分間リンスしたのち、エチルアルコールで洗浄した。以上の工程により、パーフルオロポリエーテルの分子膜としてC3F7(OCF2CF2CF2)pOC2F4C2H4−という構造の自己組織化膜を含有する離型層を備えたモールドを得た。なお、一連の工程は大気中で行った。
ナノインプリントにおいて使用するレジストとして、前述したレジストXを用意した。レジストXの具体的な成分は以下の通りである。
レジストX:
アクリル酸イソボルニル(バルク材料全体の重量に対する重量比47重量%)、
アクリル酸n−ヘキシル(バルク材料全体の重量に対する重量比25重量%)、
ジアクリル酸エチレングリコール(バルク材料全体の重量に対する重量比25重量%)、
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン(バルク材料全体の重量に対する重量比3重量%)、および、
ZONYL(登録商標)(フッ素系界面活性剤。バルク材料全体の重量に対する重量比1重量%未満)。
まず、シリコン基板上に、スピンコートによりレジストXを塗布し、レジスト膜を形成した。続いて、シリコン基板及びレジスト膜を、レジストXのガラス転移温度以上に加熱し、上記で得られたモールド(離型層が形成されたメサ型基板)のメサ部側をレジスト膜に、圧力60MPa、温度170℃で押圧した。そして、紫外線でレジスト膜を硬化させた後、モールドを剥離した。
モールドの表面を構成するフッ素の構成比率が25%となるように、パーフルオロポリエーテル含有希釈溶液中のパーフルオロポリエーテルの濃度、および/またはモールドの希釈溶液への浸漬時間を調整した点以外は、実施例1で示した工程と同様の工程によりモールドを製造した。そして、モールドを用いたナノインプリントについては、実施例1と同様に実施した。
モールドの表面を構成するフッ素の構成比率が20%となるように、パーフルオロポリエーテル含有希釈溶液中のパーフルオロポリエーテルの濃度、および/またはモールドの希釈溶液への浸漬時間を調整した点以外は、実施例1で示した工程と同様の工程によりモールドを製造した。そして、モールドを用いたナノインプリントについては、実施例1と同様に実施した。
実施例1で示した工程と同様の工程によりモールドを製造した。そして、ナノインプリントにおいて使用するレジストとして前述したレジストYを用意した点以外は、実施例1と同様にナノインプリントを実施した。レジストYの具体的な成分は以下の通りである。
レジストY:
化合物A(レジスト全体の重量に対する重量比97重量%)、
IRGACURE(登録商標) 379(レジスト全体の重量に対する重量比2重量%)、および、
化合物B(レジスト全体の重量に対する重量比1重量%)。
実施例1で示した工程において、基板を電子線描画装置にて露光描画し、現像装置で現像して、レジスト膜に所望のパターンを形成する際、欠け防止パターンに対応するパターンを当該所望のパターンに含めた点以外は、実施例1と同様にモールドを製造した。これにより、図2Aおよび図2Bに示すようなライン状の欠け防止パターンを有するモールドを得た。欠け防止パターンのラインの長さ、幅および高さは、それぞれ1μm、1μmおよび200nmであり、欠け防止パターンのラインの側面とこれに最も近い凹凸パターンのラインの側面との距離(これらのラインに挟まれたスペースの幅)は50nmであった。そして、モールドを用いたナノインプリントについては、実施例1と同様に実施した。
実施例5で示した工程と同様の工程により、十字状の欠け防止パターンを有するモールドを得た。具体的には、この十字状の欠け防止パターンは、図4に示すように、長さが300nm、幅が100nmのライン状の2つの凸部が、互いに中心(長さ150nm、幅50nmの地点)で直角に交差したような形状である。そして、上記のアライメントマークは、凹凸パターンの四角のそれぞれから、縦方向(凹凸パターンのラインの長さ方向)に50nm横方向(凹凸パターンのラインの幅方向)に50nm離れた位置で、かつ当該アライメントマークが凹凸パターンから最も遠ざかるような位置に1つずつ(計4つ)配置された。
離型層の形成工程を実施しなかった点以外は、実施例1で示した工程と同様の工程によりモールドを製造した。そして、モールドを用いたナノインプリントについては、実施例1と同様に実施した。
実施例1〜6および比較例1で得られたそれぞれのナノインプリント後のモールドに対して、超音波による洗浄試験を行った。洗浄条件は以下の通りである。
<洗浄条件>
・超音波装置:株式会社カイジョー製、超音波洗浄機(型28101)
・超音波:周波数1MHz、出力30W
・使用水量:1L/min
・基板回転数:150rpm
・洗浄時間:レジストの残渣が走査型電子顕微鏡(SEM)により検出されなくなるまでの時間
上記実施例1〜6および比較例1におけるそれぞれのモールドの構成、レジスト種、並びに洗浄試験を行った結果を表1に示す。この結果、本発明のモールドの洗浄方法を実施することによりモールドの洗浄時間を短縮することができることが確認できた。
10、20 メサ型基板
11、21 支持部
12、22 メサ部
13、23 凹凸パターン
14 離型層
26 欠け防止パターン
C 支持部の基準面S1とメサ部の側面S2とで形成される角
R1 メサ部の凹凸パターン領域
R2 メサ部の凹凸パターン領域以外の領域
S1 支持部の基準面
S2 メサ部の側面
W1 凹凸パターンのラインの幅
W2 凹凸パターンのライン同士の間隔
Claims (10)
- ナノインプリントを連続して繰り返し実施した後のナノインプリント用のモールドに施される洗浄方法において、
前記モールドが、平板状の支持部と、該支持部の一面にありかつ該一面から所定の高さを有するメサ部であって、微細な凹凸パターンが形成された凹凸パターン領域を有する前記メサ部と、前記凹凸パターンに沿って前記凹凸パターン領域上に形成されたフッ素化合物を含有する離型層とを備えたものであり、
ナノインプリントにおいて使用したレジストの残渣が付着した状態の前記モールドの前記凹凸パターン領域における前記モールドの表面を構成する元素の構成比率のうちフッ素の構成比率が10〜50%の範囲に属する状態で、ナノインプリントの連続した繰り返し実施をやめ、前記モールドを洗浄液に浸漬して、超音波洗浄を行うことを特徴とするモールドの洗浄方法。 - ナノインプリントにおいて使用したレジストの残渣が付着した状態の前記モールドの前記凹凸パターン領域における前記モールドの表面を構成する元素の構成比率のうちフッ素の構成比率が20〜35%の範囲に属する状態で、ナノインプリントの連続した繰り返し実施をやめ、前記モールドを洗浄液に浸漬して、超音波洗浄を行う、請求項1に記載のモールドの洗浄方法。
- 前記フッ素化合物がパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項1または2に記載のモールドの洗浄方法。
- 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(1)で表されるものであることを特徴とする請求項3に記載のモールドの洗浄方法。
構造式(1):
Zは、フッ素またはトリフルオロメチル基を表し、
a〜eは、それぞれ0以上の整数を表し、a+b+c+d+eは、少なくとも1であり、a〜eが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は構造式(1)において任意であり、
Xは、前記メサ部を構成する材料と化学的に結合可能な官能基を表す。) - 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(2)で表されるものであることを特徴とする請求項4に記載のモールドの洗浄方法。
構造式(2):
C3F7(OCF2CF2CF2)pOC2F4C2H4−Si(OCH3)3
(構造式(2)において、pは重合度(1以上の整数)を表す。) - 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(3)で表されるものであることを特徴とする請求項3に記載のモールドの洗浄方法。
構造式(3):
PnRm−nM−Z−Y−X−(OC3F6)a−(OC2F4)b−(OCF2)c−O−X−Y−Z−MPnRm−n
(構造式(3)において、a〜cはそれぞれ0以上の整数を表し、a+b+cは少なくとも1であり、a〜cが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は構造式(3)において任意であり、
Xは、構造式(3−1):−(O)d−(CF2)e−(CH2)f−(ここで、d、e及びfはそれぞれ0以上の整数を表し、e及びfの和は少なくとも1であり、d、e及びfが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は、構造式(3−1)において任意であるが、Oは連続しない。)で示される基を表し、
Yは、二価の極性基または単結合を表し、
Zは、構造式(3−2):−(CH2)g−(ここで、gは0以上の整数を表す。)で示される基を表し、
−MPnRm−nは、前記メサ部を構成する材料と化学的に結合可能な官能基を表し、
Mは、ケイ素原子、チタン原子またはアルミニウム原子を表し、
Pは、水酸基または加水分解可能な極性基を表し、
Rは、水素または炭化水素基を表し、
mは、(Mで表される原子の価数−1)の整数を表し、
nは、1〜mの整数を表し、
−OC3F6−は、−OCF2CF2CF2−、または−OCF(CF3)CF2−を表し、
−OC2F4−は、−OCF2CF2−、または−OCF(CF3)−を表す。) - 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(4)で表されるものであることを特徴とする請求項6に記載のモールドの洗浄方法。
構造式(4):
(CH3O)3Si−CH2CH2CH2−O−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−O−CH2CH2CH2−Si(OCH3)3
(構造式(4)において、j及びkは重合度(1以上の整数)を表す。) - 前記レジストが、イソボロニルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、シリコーンモノマー系化合物およびフッ素化合物のいずれかを含有するものであることを特徴とする請求項1から7いずれかに記載のモールドの洗浄方法。
- 前記メサ部が、前記メサ部の前記凹凸パターン領域でない領域に、洗浄時に生じる前記凹凸パターンの欠けを防止する欠け防止パターンを備えたものであることを特徴とする請求項1から8いずれかに記載のモールドの洗浄方法。
- 前記欠け防止パターンが、アライメントマークとして用いられる形状であることを特徴とする請求項1から9いずれかに記載のモールドの洗浄方法。
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