JP2012056246A - 微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤、およびそれを用いたNi複盤の製造方法 - Google Patents
微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤、およびそれを用いたNi複盤の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012056246A JP2012056246A JP2010203278A JP2010203278A JP2012056246A JP 2012056246 A JP2012056246 A JP 2012056246A JP 2010203278 A JP2010203278 A JP 2010203278A JP 2010203278 A JP2010203278 A JP 2010203278A JP 2012056246 A JP2012056246 A JP 2012056246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- structural formula
- master
- ocf
- represented
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Polyethers (AREA)
Abstract
【解決手段】微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤12において、凹凸パターンに沿って上記表面に、フッ素化合物を含有した離型層14を備える。フッ素化合物はパーフルオロポリエーテルが好ましい。
【選択図】なし
Description
微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤において、
凹凸パターンに沿って上記表面に、フッ素化合物を含有した離型層を備えたことを特徴とするものである。
離型層は、官能基によってNi原盤の上記表面と結合したフッ素化合物の分子膜を含有するものであることが好ましい。
構造式(1):
Zは、フッ素またはトリフルオロメチル基を表し、
a〜eは、それぞれ0以上の整数を表し、a+b+c+d+eは、少なくとも1であり、a〜eが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は構造式(1)において任意であり、
Xは、Niと化学的に結合可能な官能基を表す。
構造式(2):
C3F7(OCF2CF2CF2)pOC2F4C2H4−Si(OCH3)3
構造式(2)において、pは1以上の整数を表す。
構造式(3):
PnRm-nM-Z-Y-X-(OC3F6)a-(OC2F4)b-(OCF2)c-O-X-Y-Z-MPnRm-n
構造式(3)において、a〜cはそれぞれ0以上の整数を表し、a+b+cは少なくとも1であり、a〜cが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は構造式(3)において任意であり、
Xは、構造式(3−1):-(O)d-(CF2)e-(CH2)f-(ここで、d、e及びfはそれぞれ0以上の整数を表し、e及びfの和は少なくとも1であり、d、e及びfが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は、構造式(3−1)において任意であるが、Oは連続しない。)で示される基を表し、
Yは、二価の極性基または単結合を表し、
Zは、構造式(3−2):-(CH2)g-(ここで、gは0以上の整数を表す。)で示される基を表し、
-MPnRm-nは、Niと化学的に結合可能な官能基を表し、
Mは、ケイ素原子、チタン原子またはアルミニウム原子を表し、
Pは、水酸基または加水分解可能な極性基を表し、
Rは、水素または炭化水素基を表し、
mは、(Mで表される原子の価数-1)の整数を表し、
nは、1〜mの整数を表し、
-OC3F6-は、-OCF2CF2CF2-、または-OCF(CF3)CF2-を表し、
-OC2F4-は、-OCF2CF2-、または-OCF(CF3)-を表す。
構造式(4):
(CH3O)3Si−CH2CH2CH2−O−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−O−CH2CH2CH2−Si(OCH3)3
構造式(4)において、j及びkは重合度を表す。
微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤であって、凹凸パターンに沿って上記表面に、フッ素化合物を含有した離型層が設けられたNi原盤を用意し、
離型層付きのNi原盤をNi含有の電鋳液に浸漬して、Ni原盤の上記表面に離型層の上からNi電鋳物を電鋳により形成し、
このNi電鋳物を剥離して、凹凸パターンの形状に対して反転した形状の凹凸パターンを表面に有するNi複盤を得ることを特徴とするものである。
離型層が、官能基によってNi原盤の上記表面と結合したフッ素化合物の分子膜を含有するものであることが好ましい。
(Ni原盤)
図1は、本実施形態のNi原盤の一部分を模式的に示す断面拡大図である。本実施形態のNi原盤12は、図1に示すように、微細な凹凸パターンPを表面に有するNi原盤において、凹凸パターンPに沿って上記表面に、フッ素化合物を含有した離型層14を備えたものである。Ni原盤12は表面に転写情報に対応した微細な凹凸パターンPを有しており、この凹凸面に離型層14が被覆形成されている。
本願発明において、離型層14はフッ素化合物を含有した層である。さらに、Ni原盤との密着性を向上させる観点から、フッ素化合物は、Niと化学的に結合可能な官能基を有し、離型層は、当該官能基によってNi原盤の上記表面と結合したフッ素化合物の分子膜を含有するものであることが好ましい。さらに、フッ素化合物はパーフルオロポリエーテルであることが好ましい。
構造式(1):
構造式(1−1):
構造式(1−2):
構造式(1−3):
構造式(2):
C3F7(OCF2CF2CF2)pOC2F4C2H4−Si(OCH3)3
構造式(2)において、pは1以上の整数を表す。
構造式(3):
PnRm-nM-Z-Y-X-(OC3F6)a-(OC2F4)b-(OCF2)c-O-X-Y-Z-MPnRm-n
Q−Z−M−PnRm−n
構造式(3−3)中、Z、M、P、R、m及びnは、構造式(3)の説明において前述した意味と同義であり、Qは極性基を表す。
T−X−(OC3F6)a−(OC2F4)b−(OCF2)c−X−T
構造式(3−4)中、X、a、b及びcは、構造式(3)の説明において前述した意味と同義であり、Tは極性基を表す。
構造式(3−5):
構造式(3−6):
構造式(3−7):
PnRm−nSi−Z−Y−X−(OC3F6)a−(OC2F4)b−(OCF2)c−O−X−Y−Z−SiPnRm−n
構造式(4):
(CH3O)3Si−CH2CH2CH2−O−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−O−CH2CH2CH2−Si(OCH3)3
構造式(4)中、j及びkは重合度を表す。
構造式(4−1):
HO−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−OH
構造式(4−1)中、j及びkは重合度を表す。数平均分子量は約2000である。
離型層の形成は、Ni原盤をパーフルオロポリエーテルに暴露することにより行うことが好ましい。これにより、パーフルオロポリエーテルの主鎖が平行に配列した分子膜を得ることができる。具体的には以下の通りである。
次に、本発明のNi複盤の製造方法について説明する。
本発明に係るNi複盤の製造方法は、微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤であって、凹凸パターンに沿って上記表面に、フッ素化合物を含有した離型層が設けられたNi原盤を用意し、離型層付きのNi原盤をNi含有の電鋳液に浸漬して、Ni原盤の上記表面に離型層の上からNi電鋳物を電鋳により形成し、このNi電鋳物を剥離して、凹凸パターンの形状に対して反転した形状の凹凸パターンを表面に有するNi複盤を得るものである。
トラックピッチ(TP)が90nm、ライン&スペース(L/S)がそれぞれ50nm/40nm、および凸部の高さ(H)が60nmである凹凸パターンを有するSi原盤の凹凸パターン面上にNi電鋳を行い、Si原盤の上記凹凸パターンに対して反転した形状(TP=90nm、L/S=40nm/50nm、H=60nm)の第1のNi複盤を形成した。そして、この第1のNi複盤を第1のNi原盤として、この第1のNi原盤の凹凸パターン面上にフッ素化合物を含有する離型層を形成した(離型処理)。
離型層のフッ素化合物として、(CH3O)3Si−CH2CH2CH2−O−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−O−CH2CH2CH2−Si(OCH3)3(数平均分子量2000)を用いた点以外は、実施例1と同様にして、第2のNi複盤、および第3のNi複盤を製造した。これらのNi複盤も、実施例1の場合と同様に、Ni原盤から良好に剥離されたことにより欠陥のないものであった。
特許文献1(特開2005−120392)にある4種類のシランカップリング剤(比較例1:3―アミノプロピルトリエトキシシラン、比較例2:2−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、比較例3:3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、および比較例4:3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン。いずれも信越化学工業株式会社製。)それぞれについて、極微小な凹凸パターン(TP=90nm、L/S=40nm/50nm、H=60nm)を有するNi原盤を用い、それ以外は特許文献1に記載されている条件でNi to Ni電鋳を行った。具体的には、それぞれのシランカップリング剤を水溶媒で濃度1g/Lとなるように希釈し、当該希釈水溶液にNi原盤を浸漬して、離型処理を実施した。離型処理後、Ni原盤表面にムラが視認できた。Ni電鋳後、Ni原盤からNi電鋳物を剥離し、このNi電鋳物およびNi原盤表面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察したところ、凹凸パターンに欠陥が発生しており、正確なパターン転写がなされていなかった。
図2は、上記実施例1において製造した第2のNi複盤の凹凸パターンの表面のSEM像を示す図であり、図3は、上記実施例2において製造した第2のNi複盤の凹凸パターンの表面のSEM像を示す図である。また、図4は、上記比較例1において製造したNi複盤の凹凸パターンの表面のSEM像を示す図であり、図5は、上記比較例2において製造したNi複盤の凹凸パターンの表面のSEM像を示す図であり、図6は、上記比較例3において製造したNi複盤の凹凸パターンの表面のSEM像を示す図であり、図7は、上記比較例4において製造したNi複盤の凹凸パターンの表面のSEM像を示す図である。
これらのSEM像より、本発明のNi原盤、およびそれを用いたNi複盤の製造方法は、Ni to Ni電鋳において、再現性よく凹凸パターンの良好なNi複盤の形成を可能とし、かつ100nmを切るスケールの極微細な凹凸パターンを有するNi複盤の形成にまで適用することが可能であることが解る。
14 離型層
P 凹凸パターン
Claims (14)
- 微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤において、
前記凹凸パターンに沿って前記表面に、フッ素化合物を含有した離型層を備えたことを特徴とするNi原盤。 - 前記フッ素化合物が、Niと化学的に結合可能な官能基を有し、
前記離型層が、前記官能基によってNi原盤の前記表面と結合した前記フッ素化合物の分子膜を含有するものであることを特徴とする請求項1に記載のNi原盤。 - 前記フッ素化合物がパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項2に記載のNi原盤。
- 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(1)で表されるものであることを特徴とする請求項3に記載のNi原盤。
構造式(1):
Zは、フッ素またはトリフルオロメチル基を表し、
a〜eは、それぞれ0以上の整数を表し、a+b+c+d+eは、少なくとも1であり、a〜eが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は構造式(1)において任意であり、
Xは、Niと化学的に結合可能な官能基を表す。) - 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(2)で表されるものであることを特徴とする請求項4に記載のNi原盤。
構造式(2):
C3F7(OCF2CF2CF2)pOC2F4C2H4−Si(OCH3)3
(構造式(2)において、pは1以上の整数を表す。) - 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(3)で表されるものであることを特徴とする請求項3に記載のNi原盤。
構造式(3):
PnRm-nM-Z-Y-X-(OC3F6)a-(OC2F4)b-(OCF2)c-O-X-Y-Z-MPnRm-n
(構造式(3)において、a〜cはそれぞれ0以上の整数を表し、a+b+cは少なくとも1であり、a〜cが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は構造式(3)において任意であり、
Xは、構造式(3−1):-(O)d-(CF2)e-(CH2)f-(ここで、d、e及びfはそれぞれ0以上の整数を表し、e及びfの和は少なくとも1であり、d、e及びfが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は、構造式(3−1)において任意であるが、Oは連続しない。)で示される基を表し、
Yは、二価の極性基または単結合を表し、
Zは、構造式(3−2):-(CH2)g-(ここで、gは0以上の整数を表す。)で示される基を表し、
-MPnRm-nは、Niと化学的に結合可能な官能基を表し、
Mは、ケイ素原子、チタン原子またはアルミニウム原子を表し、
Pは、水酸基または加水分解可能な極性基を表し、
Rは、水素または炭化水素基を表し、
mは、(Mで表される原子の価数-1)の整数を表し、
nは、1〜mの整数を表し、
-OC3F6-は、-OCF2CF2CF2-、または-OCF(CF3)CF2-を表し、
-OC2F4-は、-OCF2CF2-、または-OCF(CF3)-を表す。) - 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(4)で表されるものであることを特徴とする請求項6に記載のNi原盤。
構造式(4):
(CH3O)3Si−CH2CH2CH2−O−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−O−CH2CH2CH2−Si(OCH3)3
(構造式(4)中、j及びkは重合度を表す。) - 微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤であって、前記凹凸パターンに沿って前記表面に、フッ素化合物を含有した離型層が設けられたNi原盤を用意し、
前記離型層付きの前記Ni原盤をNi含有の電鋳液に浸漬して、該Ni原盤の前記表面に前記離型層の上からNi電鋳物を電鋳により形成し、
該Ni電鋳物を剥離して、前記凹凸パターンの形状に対して反転した形状の凹凸パターンを表面に有するNi複盤を得ることを特徴とするNi複盤の製造方法。 - 前記フッ素化合物が、Niと化学的に結合可能な官能基を有し、
前記離型層が、前記官能基によってNi原盤の前記表面と結合した前記フッ素化合物の分子膜を含有するものであることを特徴とする請求項8に記載のNi複盤の製造方法。 - 前記フッ素化合物がパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項9に記載のNi複盤の製造方法。
- 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(1)で表されるものであることを特徴とする請求項10に記載のNi複盤の製造方法。
構造式(1):
Zは、フッ素またはトリフルオロメチル基を表し、
a〜eは、それぞれ0以上の整数を表し、a+b+c+d+eは、少なくとも1であり、a〜eが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は構造式(1)において任意であり、
Xは、Niと化学的に結合可能な官能基を表す。) - 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(2)で表されるものであることを特徴とする請求項11に記載のNi複盤の製造方法。
構造式(2):
C3F7(OCF2CF2CF2)pOC2F4C2H4−Si(OCH3)3
(構造式(2)において、pは1以上の整数を表す。) - 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(3)で表されるものであることを特徴とする請求項10に記載のNi複盤の製造方法。
構造式(3):
PnRm-nM-Z-Y-X-(OC3F6)a-(OC2F4)b-(OCF2)c-O-X-Y-Z-MPnRm-n
(構造式(3)において、a〜cはそれぞれ0以上の整数を表し、a+b+cは少なくとも1であり、a〜cが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は構造式(3)において任意であり、
Xは、構造式(3−1):-(O)d-(CF2)e-(CH2)f-(ここで、d、e及びfはそれぞれ0以上の整数を表し、e及びfの和は少なくとも1であり、d、e及びfが付された括弧でくくられたそれぞれの繰返し単位の存在順序は、構造式(3−1)において任意であるが、Oは連続しない。)で示される基を表し、
Yは、二価の極性基または単結合を表し、
Zは、構造式(3−2):-(CH2)g-(ここで、gは0以上の整数を表す。)で示される基を表し、
-MPnRm-nは、Niと化学的に結合可能な官能基を表し、
Mは、ケイ素原子、チタン原子またはアルミニウム原子を表し、
Pは、水酸基または加水分解可能な極性基を表し、
Rは、水素または炭化水素基を表し、
mは、(Mで表される原子の価数-1)の整数を表し、
nは、1〜mの整数を表し、
-OC3F6-は、-OCF2CF2CF2-、または-OCF(CF3)CF2-を表し、
-OC2F4-は、-OCF2CF2-、または-OCF(CF3)-を表す。) - 前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造式(4)で表されるものであることを特徴とする請求項13に記載のNi複盤の製造方法。
構造式(4):
(CH3O)3Si−CH2CH2CH2−O−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−O−CH2CH2CH2−Si(OCH3)3
(構造式(4)において、j及びkは重合度を表す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010203278A JP2012056246A (ja) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | 微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤、およびそれを用いたNi複盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010203278A JP2012056246A (ja) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | 微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤、およびそれを用いたNi複盤の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012056246A true JP2012056246A (ja) | 2012-03-22 |
Family
ID=46053913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010203278A Abandoned JP2012056246A (ja) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | 微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤、およびそれを用いたNi複盤の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012056246A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015151825A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 出光興産株式会社 | 圧縮成形金型、圧縮成形金型の製造方法、及び圧縮成形体の製造方法 |
TWI627044B (zh) * | 2013-08-30 | 2018-06-21 | 富士軟片股份有限公司 | 金屬零件的製造方法 |
WO2018179948A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 電鋳用の原盤およびその原盤を用いた金型の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0215170A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-18 | Tdk Corp | スタンパーの表面処理方法 |
JP2004351693A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Daikin Ind Ltd | インプリント加工用金型およびその製造方法 |
WO2006070857A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Nippon Soda Co., Ltd. | 剥離層を有する成形用金型又は電鋳用母型 |
JP2007313886A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-12-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 凹凸形状を有するフィルムの製造方法、凹凸形状を有するフィルム、及び凹凸形状を有する支持体の製造方法、凹凸形状を有する支持体 |
JP2007326367A (ja) * | 2007-06-18 | 2007-12-20 | Daikin Ind Ltd | インプリント加工用モールド及びその製造方法 |
JP2008238502A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Asahi Glass Co Ltd | インプリント用モールドの製造方法 |
JP2009043324A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Toshiba Corp | 複製スタンパ、その製造方法、そのスタンパを用いて製造された磁気記録媒体が搭載される磁気記録装置、およびそのスタンパを用いて製造された光ディスク |
JP2009087431A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | スタンパ原版の製造方法及びスタンパ原版 |
JP2009292089A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Nitto Denko Corp | 成形型及びそれを用いて成形したマイクロレンズ |
JP2010049745A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | ナノインプリント用モールドおよびこれを用いて作製された磁気記録媒体 |
-
2010
- 2010-09-10 JP JP2010203278A patent/JP2012056246A/ja not_active Abandoned
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0215170A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-18 | Tdk Corp | スタンパーの表面処理方法 |
JP2004351693A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Daikin Ind Ltd | インプリント加工用金型およびその製造方法 |
WO2006070857A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Nippon Soda Co., Ltd. | 剥離層を有する成形用金型又は電鋳用母型 |
JP2007313886A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-12-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 凹凸形状を有するフィルムの製造方法、凹凸形状を有するフィルム、及び凹凸形状を有する支持体の製造方法、凹凸形状を有する支持体 |
JP2008238502A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Asahi Glass Co Ltd | インプリント用モールドの製造方法 |
JP2007326367A (ja) * | 2007-06-18 | 2007-12-20 | Daikin Ind Ltd | インプリント加工用モールド及びその製造方法 |
JP2009043324A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Toshiba Corp | 複製スタンパ、その製造方法、そのスタンパを用いて製造された磁気記録媒体が搭載される磁気記録装置、およびそのスタンパを用いて製造された光ディスク |
JP2009087431A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | スタンパ原版の製造方法及びスタンパ原版 |
JP2009292089A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Nitto Denko Corp | 成形型及びそれを用いて成形したマイクロレンズ |
JP2010049745A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | ナノインプリント用モールドおよびこれを用いて作製された磁気記録媒体 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI627044B (zh) * | 2013-08-30 | 2018-06-21 | 富士軟片股份有限公司 | 金屬零件的製造方法 |
WO2015151825A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 出光興産株式会社 | 圧縮成形金型、圧縮成形金型の製造方法、及び圧縮成形体の製造方法 |
JP2015193175A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 出光興産株式会社 | 圧縮成形金型、圧縮成形金型の製造方法、及び圧縮成形体の製造方法 |
WO2018179948A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 電鋳用の原盤およびその原盤を用いた金型の製造方法 |
CN110392624A (zh) * | 2017-03-28 | 2019-10-29 | 富士胶片株式会社 | 电铸用原盘及使用该原盘的模具的制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4154595B2 (ja) | インプリント加工用金型およびその製造方法 | |
TWI576226B (zh) | 奈米壓模模具的清潔方法 | |
JP4524943B2 (ja) | 半導体素子のパターン形成方法及びインプリント加工用モールドの製造方法 | |
JP5889388B2 (ja) | インプリント・リソグラフィーにおける離型剤分離制御 | |
JP4605187B2 (ja) | インプリント加工用モールド及びその製造方法 | |
ES2317246T3 (es) | Moldes metalicos modificados para su uso en procesos de impresion. | |
US7678426B2 (en) | Perfluoropolyether amide-linked phosphonates, phosphates, and derivatives thereof | |
US8282381B1 (en) | Nanoimprint resist, nanoimprint mold and nanoimprint lithography | |
TW200811601A (en) | Composite composition for micropatterned layers | |
WO2005024520A2 (en) | Phototool coating | |
JP2012056246A (ja) | 微細な凹凸パターンを表面に有するNi原盤、およびそれを用いたNi複盤の製造方法 | |
JP5653769B2 (ja) | ナノインプリント方法 | |
JP5195372B2 (ja) | 含フッ素重合体薄膜を有する基材及びその製造方法 | |
JP2006032423A (ja) | インプリント加工用スタンパーおよびその製造方法 | |
JPH04255307A (ja) | 成形用部材およびその製造方法 | |
JP5194244B2 (ja) | ナノインプリント用金型の製造方法 | |
TW201239538A (en) | Nanoimprinting method | |
JP5180019B2 (ja) | 原盤及びそれから作製されたモールド構造体 | |
CN1357881A (zh) | 磁性复制方法、磁性复制用主盘载体的清洗方法及装置 | |
JP2014172316A (ja) | テンプレートの製造方法 | |
WO2012157073A1 (ja) | 表面処理金型及び金型の表面処理方法 | |
JP2006117846A (ja) | パターン形成用樹脂組成物及びパターン形成方法 | |
JP5798349B2 (ja) | 離型層付きモールドおよびその製造方法ならびにモールドの製造方法 | |
JP2012248641A (ja) | ナノインプリント用離型処理方法および離型膜 | |
JPWO2009096420A1 (ja) | 凹凸パターン形成方法、およびそれを利用した磁気記録媒体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130123 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140916 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20141114 |