JP5617053B1 - 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 154
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 92
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 86
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 14
- YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneantimony Chemical compound [Sb]=S YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- OQRNKLRIQBVZHK-UHFFFAOYSA-N selanylideneantimony Chemical compound [Sb]=[Se] OQRNKLRIQBVZHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 65
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 abstract description 56
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 46
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 44
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 44
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 18
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 gold Chemical class 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate Chemical compound [La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical group N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 3
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N sulfurothioic S-acid Chemical compound OS(O)(=O)=S DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHIITNFQDPFSES-UHFFFAOYSA-N 25,26,27,28-tetrazahexacyclo[16.6.1.13,6.18,11.113,16.019,24]octacosa-1(25),2,4,6,8(27),9,11,13,15,17,19,21,23-tridecaene Chemical group N1C(C=C2C3=CC=CC=C3C(C=C3NC(=C4)C=C3)=N2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 MHIITNFQDPFSES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- NNLOHLDVJGPUFR-UHFFFAOYSA-L calcium;3,4,5,6-tetrahydroxy-2-oxohexanoate Chemical compound [Ca+2].OCC(O)C(O)C(O)C(=O)C([O-])=O.OCC(O)C(O)C(O)C(=O)C([O-])=O NNLOHLDVJGPUFR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N carbamodithioic acid Chemical compound NC(S)=S DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000012990 dithiocarbamate Substances 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N ethoxymethanedithioic acid Chemical compound CCOC(S)=S ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MFUVDXOKPBAHMC-UHFFFAOYSA-N magnesium;dinitrate;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MFUVDXOKPBAHMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical group N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical group 0.000 description 2
- ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M potassium thiocyanate Chemical compound [K+].[S-]C#N ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940116357 potassium thiocyanate Drugs 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IYKVLICPFCEZOF-UHFFFAOYSA-N selenourea Chemical compound NC(N)=[Se] IYKVLICPFCEZOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940013553 strontium chloride Drugs 0.000 description 2
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 2
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N tin(ii) sulfide Chemical compound [Sn]=S AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012991 xanthate Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXEIVSYQEOJLBU-UHFFFAOYSA-N 1-$l^{1}-selanylethanimine Chemical compound CC([Se])=N FXEIVSYQEOJLBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSFSVEDCYBDIGW-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzothiazol-2-yl)-6-chlorophenol Chemical compound OC1=C(Cl)C=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1 GSFSVEDCYBDIGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 3-(3-hydroxypropylamino)propan-1-ol Chemical compound OCCCNCCCO CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000014 Bismuth subcarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZMBDZYQBBCMJL-UHFFFAOYSA-N C(C)(=[Se])N.[Sb] Chemical compound C(C)(=[Se])N.[Sb] WZMBDZYQBBCMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUYCALWXEFWWKA-UHFFFAOYSA-N C(N)(S)=S.[Sb] Chemical compound C(N)(S)=S.[Sb] GUYCALWXEFWWKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYKBYPGFRNXKJW-UHFFFAOYSA-N CNC(NC)=[Se].[Sb] Chemical compound CNC(NC)=[Se].[Sb] AYKBYPGFRNXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N Ethylenethiourea Chemical compound S=C1NCCN1 PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLCDUOXHFNUCKK-UHFFFAOYSA-N N,N'-Dimethylthiourea Chemical compound CNC(=S)NC VLCDUOXHFNUCKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLVIGYVXZHLUHP-UHFFFAOYSA-N N,N'-diethylthiourea Chemical compound CCNC(=S)NCC FLVIGYVXZHLUHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGLCAFRNYJXOQA-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylformamide thiourea Chemical compound NC(=S)N.C(=O)N(C)C KGLCAFRNYJXOQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQJQICVXLJTWQD-UHFFFAOYSA-N N-Methylthiourea Chemical compound CNC(N)=S KQJQICVXLJTWQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPCRBOOJBPETMF-UHFFFAOYSA-N N-acetylthiourea Chemical compound CC(=O)NC(N)=S IPCRBOOJBPETMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N N-methylthiourea Natural products CNC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEFUFOVCKKFFCH-UHFFFAOYSA-N NC(=S)N.[Bi] Chemical compound NC(=S)N.[Bi] VEFUFOVCKKFFCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFODVKYFQDSVPH-UHFFFAOYSA-N NC(=[Se])N.[Sb] Chemical compound NC(=[Se])N.[Sb] VFODVKYFQDSVPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTXOYNAPWFOXOR-UHFFFAOYSA-N O=O.[Sb] Chemical compound O=O.[Sb] WTXOYNAPWFOXOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MNOILHPDHOHILI-UHFFFAOYSA-N Tetramethylthiourea Chemical compound CN(C)C(=S)N(C)C MNOILHPDHOHILI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKTJSFGGXMHCOI-UHFFFAOYSA-K [Sb](Cl)(Cl)Cl.C(=O)N(C)C Chemical compound [Sb](Cl)(Cl)Cl.C(=O)N(C)C XKTJSFGGXMHCOI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- CAAQLIZHFQVUIY-UHFFFAOYSA-N [Sb].NC(N)=S Chemical compound [Sb].NC(N)=S CAAQLIZHFQVUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- SOIFLUNRINLCBN-UHFFFAOYSA-N ammonium thiocyanate Chemical compound [NH4+].[S-]C#N SOIFLUNRINLCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N ammonium thiosulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S([O-])(=O)=S XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K antimony trifluoride Chemical compound F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- CQOXUSHAXLMSEN-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);propan-1-olate Chemical compound CCCO[Sb](OCCC)OCCC CQOXUSHAXLMSEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPJGYLSSECYURW-UHFFFAOYSA-K antimony(3+);tribromide Chemical compound Br[Sb](Br)Br RPJGYLSSECYURW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZAYSUZKWSFEDME-UHFFFAOYSA-N antimony;thiocyanic acid Chemical compound [Sb].SC#N ZAYSUZKWSFEDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKIBSPLDJGAHPX-UHFFFAOYSA-N arsenic triiodide Chemical compound I[As](I)I IKIBSPLDJGAHPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WDODWFPDZYSKIA-UHFFFAOYSA-N benzeneselenol Chemical compound [SeH]C1=CC=CC=C1 WDODWFPDZYSKIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940036348 bismuth carbonate Drugs 0.000 description 1
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940049676 bismuth hydroxide Drugs 0.000 description 1
- TXKAQZRUJUNDHI-UHFFFAOYSA-K bismuth tribromide Chemical compound Br[Bi](Br)Br TXKAQZRUJUNDHI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SFOQXWSZZPWNCL-UHFFFAOYSA-K bismuth;phosphate Chemical compound [Bi+3].[O-]P([O-])([O-])=O SFOQXWSZZPWNCL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K bismuth;trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Bi+3] TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- VIEXQFHKRAHTQS-UHFFFAOYSA-N chloroselanyl selenohypochlorite Chemical compound Cl[Se][Se]Cl VIEXQFHKRAHTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- JVLRYPRBKSMEBF-UHFFFAOYSA-K diacetyloxystibanyl acetate Chemical compound [Sb+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O JVLRYPRBKSMEBF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LQQMGWKYFSXQOO-UHFFFAOYSA-H dibismuth;dioxido-oxo-sulfanylidene-$l^{6}-sulfane Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-]S([O-])(=O)=S.[O-]S([O-])(=O)=S.[O-]S([O-])(=O)=S LQQMGWKYFSXQOO-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- FWIZHMQARNODNX-UHFFFAOYSA-L dibismuth;oxygen(2-);carbonate Chemical compound [O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3].[O-]C([O-])=O FWIZHMQARNODNX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GMZOPRQQINFLPQ-UHFFFAOYSA-H dibismuth;tricarbonate Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O GMZOPRQQINFLPQ-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N dichloridooxygen Chemical compound ClOCl RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N diethyldithiocarbamic acid Chemical compound CCN(CC)C(S)=S LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- FGRVOLIFQGXPCT-UHFFFAOYSA-L dipotassium;dioxido-oxo-sulfanylidene-$l^{6}-sulfane Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=S FGRVOLIFQGXPCT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- TZORKUFREWXCEX-UHFFFAOYSA-K dithiocyanatobismuthanyl thiocyanate Chemical compound N#CS[Bi](SC#N)SC#N TZORKUFREWXCEX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229950004394 ditiocarb Drugs 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYJBTSSKSKRUBH-UHFFFAOYSA-N iodo selenohypoiodite Chemical compound I[Se]I HYJBTSSKSKRUBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- GJKFIJKSBFYMQK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GJKFIJKSBFYMQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 125000005582 pentacene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCBJVAJGLKENNC-UHFFFAOYSA-M potassium ethyl xanthate Chemical compound [K+].CCOC([S-])=S JCBJVAJGLKENNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OFZRVUCVOAUMDT-UHFFFAOYSA-M potassium;n,n-diethylcarbamodithioate Chemical compound [K+].CCN(CC)C([S-])=S OFZRVUCVOAUMDT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- TVPFLPJBESCUKI-UHFFFAOYSA-M potassium;n,n-dimethylcarbamodithioate Chemical compound [K+].CN(C)C([S-])=S TVPFLPJBESCUKI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZMWBGRXFDPJFGC-UHFFFAOYSA-M potassium;propan-2-yloxymethanedithioate Chemical compound [K+].CC(C)OC([S-])=S ZMWBGRXFDPJFGC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBFBORAIBRIYGM-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole-5,6-dione;thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1.C1=CN=C2C(=O)C(=O)N=C21 NBFBORAIBRIYGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940000207 selenious acid Drugs 0.000 description 1
- MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-N selenous acid Chemical compound O[Se](O)=O MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- RZFBEFUNINJXRQ-UHFFFAOYSA-M sodium ethyl xanthate Chemical compound [Na+].CCOC([S-])=S RZFBEFUNINJXRQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- IRZFQKXEKAODTJ-UHFFFAOYSA-M sodium;propan-2-yloxymethanedithioate Chemical compound [Na+].CC(C)OC([S-])=S IRZFQKXEKAODTJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229940047908 strontium chloride hexahydrate Drugs 0.000 description 1
- AMGRXJSJSONEEG-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.Cl[Sr]Cl AMGRXJSJSONEEG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneindium Chemical compound [In]=S GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSANLGASBHUYGD-UHFFFAOYSA-N sulfidophosphanium Chemical class S=[PH3] WSANLGASBHUYGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- MYXUYXMJVQWRPU-UHFFFAOYSA-N triethoxybismuthane Chemical compound [Bi+3].CC[O-].CC[O-].CC[O-] MYXUYXMJVQWRPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZKVHDUZDJKHI-UHFFFAOYSA-N triethyl arsorite Chemical compound CCO[As](OCC)OCC BUZKVHDUZDJKHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGOJQVLHSPGMOC-UHFFFAOYSA-N triethyl stiborite Chemical compound [Sb+3].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JGOJQVLHSPGMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYPTXUAFIRUIRD-UHFFFAOYSA-N tripropan-2-yl stiborite Chemical compound [Sb+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] HYPTXUAFIRUIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFWRGMGLLNCHIA-UHFFFAOYSA-N tris(2-methoxyphenyl)bismuthane Chemical compound COC1=CC=CC=C1[Bi](C=1C(=CC=CC=1)OC)C1=CC=CC=C1OC VFWRGMGLLNCHIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【課題】光電変換効率が高く、なかでも特に開放電圧が高い薄膜太陽電池を提供する。また、該薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された光電変換層と、前記陰極と前記光電変換層との間に配置された電子輸送層とを有し、前記光電変換層が、有機半導体を含有する部位と、周期表15族元素の硫化物及び/又はセレン化物を含有する部位とを有し、前記光電変換層と前記電子輸送層との間に、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層が配置されている薄膜太陽電池。【選択図】図2
Description
本発明は、光電変換効率が高く、なかでも特に開放電圧が高い薄膜太陽電池に関する。また、本発明は、該薄膜太陽電池の製造方法に関する。
従来から、有機半導体層と無機半導体層とを積層し、この積層体の両側に電極を設けた光電変換素子が開発されている。このような構造の光電変換素子では、光励起により有機半導体層又は無機半導体層で光キャリア(電子−ホール対)が生成し、電子が無機半導体層を、ホールが有機半導体層を移動することで、電界が生じる。更に、電子又はホールが効率的に移動するよう、無機半導体層と電極との間に電子輸送層を設けたり、有機半導体層と電極との間にホール輸送層を設けたりすることも検討されている。
しかしながら、光キャリア生成に活性な領域は有機半導体層と無機半導体層との接合界面付近の数十nm程度と非常に狭く、この活性な領域以外は光キャリア生成に寄与できないため、光電変換効率が低くなってしまうという欠点があった。
しかしながら、光キャリア生成に活性な領域は有機半導体層と無機半導体層との接合界面付近の数十nm程度と非常に狭く、この活性な領域以外は光キャリア生成に寄与できないため、光電変換効率が低くなってしまうという欠点があった。
この問題を解決する目的で、有機半導体と、無機半導体とを混合して複合化した複合膜を用いることが検討されている。
例えば、特許文献1には、有機半導体と無機半導体を共蒸着によって複合化した共蒸着薄膜と、この薄膜を挟んでその両面に設けられ、この複合薄膜に内蔵電界を与えるための半導体もしくは金属、又はそれら双方からなる電極部とを備えた有機・無機複合薄膜太陽電池が記載されている。特許文献1には、同文献に記載の有機・無機複合薄膜においては、pn接合(有機/無機半導体接合)が膜全体に張り巡らされた構造のため、膜全体が光キャリア生成に対して活性に働き、膜で吸収された光すべてがキャリア生成に寄与するため、大きな光電流が得られる効果がある旨が記載されている。
例えば、特許文献1には、有機半導体と無機半導体を共蒸着によって複合化した共蒸着薄膜と、この薄膜を挟んでその両面に設けられ、この複合薄膜に内蔵電界を与えるための半導体もしくは金属、又はそれら双方からなる電極部とを備えた有機・無機複合薄膜太陽電池が記載されている。特許文献1には、同文献に記載の有機・無機複合薄膜においては、pn接合(有機/無機半導体接合)が膜全体に張り巡らされた構造のため、膜全体が光キャリア生成に対して活性に働き、膜で吸収された光すべてがキャリア生成に寄与するため、大きな光電流が得られる効果がある旨が記載されている。
また、有機半導体に対して無機半導体を密充填させて、光電変換効率を向上させる試みもなされている。
例えば、特許文献2には、有機電子供与体と化合物半導体結晶とを含有する活性層を二つの電極の間に設けた有機太陽電池において、前記活性層は有機電子供与体と化合物半導体結晶とを混合して分散してなり、且つ、化合物半導体結晶が平均粒径が異なる二種類のロッド状の結晶を含み、この二種類のロッド状結晶の平均粒径及び含有比率を所定範囲内とする有機太陽電池が記載されている。特許文献2には、活性層中における化合物半導体結晶の充填率を増大することができ、これにより変換効率の高い太陽電池を得ることができる旨が記載されている。
例えば、特許文献2には、有機電子供与体と化合物半導体結晶とを含有する活性層を二つの電極の間に設けた有機太陽電池において、前記活性層は有機電子供与体と化合物半導体結晶とを混合して分散してなり、且つ、化合物半導体結晶が平均粒径が異なる二種類のロッド状の結晶を含み、この二種類のロッド状結晶の平均粒径及び含有比率を所定範囲内とする有機太陽電池が記載されている。特許文献2には、活性層中における化合物半導体結晶の充填率を増大することができ、これにより変換効率の高い太陽電池を得ることができる旨が記載されている。
しかしながら、特許文献1又は2に記載の光電変換素子であっても未だ光電変換効率はかなり低く、実用化に耐えうる有機太陽電池の開発のためには更なる光電変換効率の改善が不可欠である。
本発明は、光電変換効率が高く、なかでも特に開放電圧が高い薄膜太陽電池を提供することを目的とする。また、本発明は、該薄膜太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された光電変換層と、前記陰極と前記光電変換層との間に配置された電子輸送層とを有し、前記光電変換層が、有機半導体を含有する部位と、周期表15族元素の硫化物及び/又はセレン化物を含有する部位とを有し、前記光電変換層と前記電子輸送層との間に、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層が配置されている薄膜太陽電池である。
以下、本発明を詳述する。
以下、本発明を詳述する。
本発明者は、陰極と、陽極と、上記陰極と上記陽極との間に配置された光電変換層と、上記陰極と上記光電変換層との間に配置された電子輸送層とを有し、上記光電変換層が、有機半導体を含有する部位と、周期表15族元素の硫化物及び/又はセレン化物を含有する部位とを有する薄膜太陽電池に対して、更に、上記光電変換層と上記電子輸送層との間に希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を設けることにより、上記光電変換層と上記電子輸送層との間の抵抗を低下させ、薄膜太陽電池の光電変換効率、なかでも特に開放電圧を向上できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
なお、光電変換効率は、短絡電流の大きさ、開放電圧の高さ等に依存するものである。従って、開放電圧が高くなると、光電変換効率も高くなる。また、開放電圧が高くなると、実際に得られる電圧も大きくなるため、薄膜太陽電池セル同士を並列に接続することが可能となり、太陽電池モジュール(透明保護材と裏面保護材との間に薄膜太陽電池セルを封止したもの)の施工面での簡便性及び自由度が向上するという利点もある。
なお、光電変換効率は、短絡電流の大きさ、開放電圧の高さ等に依存するものである。従って、開放電圧が高くなると、光電変換効率も高くなる。また、開放電圧が高くなると、実際に得られる電圧も大きくなるため、薄膜太陽電池セル同士を並列に接続することが可能となり、太陽電池モジュール(透明保護材と裏面保護材との間に薄膜太陽電池セルを封止したもの)の施工面での簡便性及び自由度が向上するという利点もある。
本発明の薄膜太陽電池は、陰極と、陽極と、上記陰極と上記陽極との間に配置された光電変換層と、前記陰極と前記光電変換層との間に配置された電子輸送層とを有する。
なお、本明細書中、層とは、明確な境界を有する層だけではなく、含有元素が徐々に変化する濃度勾配のある層をも意味する。なお、層の元素分析は、例えば、薄膜太陽電池の断面のFE−TEM/EDS線分析測定を行い、特定元素の元素分布を確認する等によって行うことができる。また、本明細書中、層とは、平坦な薄膜状の層だけではなく、他の層と一緒になって複雑に入り組んだ構造を形成しうる層をも意味する。
なお、本明細書中、層とは、明確な境界を有する層だけではなく、含有元素が徐々に変化する濃度勾配のある層をも意味する。なお、層の元素分析は、例えば、薄膜太陽電池の断面のFE−TEM/EDS線分析測定を行い、特定元素の元素分布を確認する等によって行うことができる。また、本明細書中、層とは、平坦な薄膜状の層だけではなく、他の層と一緒になって複雑に入り組んだ構造を形成しうる層をも意味する。
上記陰極及び上記陽極の材料は特に限定されず、従来公知の材料を用いることができる。陰極材料として、例えば、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Al/Al2O3混合物、Al/LiF混合物等が挙げられる。陽極材料として、例えば、金等の金属、CuI、ITO(インジウムスズ酸化物)、SnO2、AZO、IZO、GZO等の導電性透明材料、導電性透明ポリマー等が挙げられる。これらの材料は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記光電変換層は、有機半導体を含有する部位(本明細書中、有機半導体部位ともいう)と、周期表15族元素の硫化物及び/又はセレン化物を含有する部位(本明細書中、硫化物及び/又はセレン化物半導体部位ともいう)とを有する。
上記有機半導体部位は、主にP型半導体として、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位は、主にN型半導体として働くと推測され、光励起によりP型半導体又はN型半導体で光キャリア(電子−ホール対)が生成し、電子がN型半導体を、ホールがP型半導体を移動することで、電界が生じる。ただし、上記有機半導体部位は、部分的にはN型半導体として働いていてもよし、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位は、部分的にはP型半導体として働いていてもよい。
上記有機半導体部位と上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とを有することにより、本発明の薄膜太陽電池は、電荷分離効率が極めて高くなり、光電変換効率が高くなる。また、P型半導体とN型半導体とがいずれも無機半導体である場合はこれらの固溶体が界面で析出する可能性があるのに対し、本発明の薄膜太陽電池においては固溶体の析出がなく、高温時においても高い安定性を得ることができる。
上記有機半導体部位は、主にP型半導体として、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位は、主にN型半導体として働くと推測され、光励起によりP型半導体又はN型半導体で光キャリア(電子−ホール対)が生成し、電子がN型半導体を、ホールがP型半導体を移動することで、電界が生じる。ただし、上記有機半導体部位は、部分的にはN型半導体として働いていてもよし、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位は、部分的にはP型半導体として働いていてもよい。
上記有機半導体部位と上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とを有することにより、本発明の薄膜太陽電池は、電荷分離効率が極めて高くなり、光電変換効率が高くなる。また、P型半導体とN型半導体とがいずれも無機半導体である場合はこれらの固溶体が界面で析出する可能性があるのに対し、本発明の薄膜太陽電池においては固溶体の析出がなく、高温時においても高い安定性を得ることができる。
上記光電変換層は、薄膜状の上記有機半導体部位と薄膜状の上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とを積層した積層体であってもよいし、上記有機半導体部位と上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とを複合化した複合膜であってもよい。製法が簡便である点では積層体が好ましく、上記有機半導体部位の電荷分離効率を向上させることができる点では複合膜が好ましい。
上記有機半導体部位を有することにより、本発明の薄膜太陽電池は、耐衝撃性、フレキシビリティ等が優れたものとなる。上記有機半導体は特に限定されず、例えば、ポリ(3−アルキルチオフェン)等のチオフェン骨格を有する化合物等が挙げられる。また、例えば、ポリパラフェニレンビニレン骨格、ポリビニルカルバゾール骨格、ポリアニリン骨格、ポリアセチレン骨格等を有する導電性高分子等も挙げられる。更に、例えば、フタロシアニン骨格、ナフタロシアニン骨格、ペンタセン骨格、ベンゾポルフィリン骨格等のポルフィリン骨格等を有する化合物も挙げられる。なかでも、比較的耐久性が高いことから、チオフェン骨格、フタロシアニン骨格、ナフタロシアニン骨格、ベンゾポルフィリン骨格を有する化合物が好ましい。
上記有機半導体は、長波長領域の光を吸収できることから、ドナー−アクセプター型であることも好ましい。なかでも、チオフェン骨格を有するドナー−アクセプター型の化合物がより好ましく、チオフェン骨格を有するドナー−アクセプター型の化合物のなかでも、光吸収波長の観点から、チオフェン−ジケトピロロピロール重合体が特に好ましい。
上記周期表15族元素の硫化物及び/又はセレン化物は耐久性が高いことから、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位を有することにより、本発明の薄膜太陽電池は、耐久性に優れたものとなる。上記周期表15族元素の硫化物及び/又はセレン化物は特に限定されず、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよく、周期表15族元素の2種以上の元素を同一の分子に含有する複合硫化物及び/又はセレン化物であってもよい。なかでも、硫化アンチモン、硫化ビスマス、セレン化アンチモンが好ましく、硫化アンチモン及び/又はセレン化アンチモンがより好ましい。
硫化アンチモンは、有機半導体とのエネルギー準位の相性がよく、かつ、従来の酸化亜鉛、酸化チタン等より可視光に対する吸収が大きい。このため、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位に硫化アンチモンが含まれることにより、薄膜太陽電池の電荷分離効率が極めて高くなり、光電変換効率が高くなる。
更に、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位に硫化アンチモンが含まれることにより、他の周期表15族元素の硫化物及び/又はセレン化物が含まれる場合よりも、薄膜太陽電池の光電変換効率の再現性が高くなる。この理由ははっきりとは判っていないが、硫化アンチモンは結晶構造が安定であることから、アンチモン金属が硫化アンチモン中に析出しにくいためと推測される。一方、周期表15族元素のなかでも、例えばビスマスは結晶構造が不安定であり、ビスマス金属が硫化ビスマス中に析出しやすく、薄膜太陽電池の光電変換効率の再現性が低下しやすいと推測される。
なお、光電変換効率の再現性とは、同一の方法で薄膜太陽電池を複数個作製したときの各薄膜太陽電池間での光電変換効率の再現性を意味する。
更に、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位に硫化アンチモンが含まれることにより、他の周期表15族元素の硫化物及び/又はセレン化物が含まれる場合よりも、薄膜太陽電池の光電変換効率の再現性が高くなる。この理由ははっきりとは判っていないが、硫化アンチモンは結晶構造が安定であることから、アンチモン金属が硫化アンチモン中に析出しにくいためと推測される。一方、周期表15族元素のなかでも、例えばビスマスは結晶構造が不安定であり、ビスマス金属が硫化ビスマス中に析出しやすく、薄膜太陽電池の光電変換効率の再現性が低下しやすいと推測される。
なお、光電変換効率の再現性とは、同一の方法で薄膜太陽電池を複数個作製したときの各薄膜太陽電池間での光電変換効率の再現性を意味する。
上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位は、結晶性半導体であることが好ましい。上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位が結晶性半導体であることにより、電子の移動度が高くなり、光電変換効率が向上する。
なお、結晶性半導体とは、X線回折測定等で測定し、散乱ピークが検出できる半導体を意味する。
なお、結晶性半導体とは、X線回折測定等で測定し、散乱ピークが検出できる半導体を意味する。
また、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位の結晶性の指標として、結晶化度を用いることもできる。上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位の結晶化度は、好ましい下限が30%である。上記結晶化度が30%以上であれば、電子の移動度が高くなり、光電変換効率が向上する。上記結晶化度のより好ましい下限は50%、更に好ましい下限は70%である。
なお、結晶化度は、X線回折測定等により検出された結晶質由来の散乱ピークと、非晶質部由来のハローとをフィッティングにより分離し、それぞれの強度積分を求めて、全体のうちの結晶質部分の比を算出することにより求めることができる。
なお、結晶化度は、X線回折測定等により検出された結晶質由来の散乱ピークと、非晶質部由来のハローとをフィッティングにより分離し、それぞれの強度積分を求めて、全体のうちの結晶質部分の比を算出することにより求めることができる。
上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位の硫化物及び/又はセレン化物の結晶化度を高める方法として、例えば、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位に対して、焼成、レーザー又はフラッシュランプ等の強度の強い光の照射、エキシマ光照射、プラズマ照射等を行う方法が挙げられる。なかでも、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位の酸化を低減できることから、強度の強い光の照射、プラズマ照射等を行う方法が好ましい。
上記光電変換層が薄膜状の上記有機半導体部位と薄膜状の上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とを積層した積層体である場合、上記薄膜状の有機半導体部位の厚みは、好ましい下限が5nm、好ましい上限が5000nmである。上記厚みが5nm以上であれば、充分に光を吸収することができるようになり、光電変換効率が高くなる。上記厚みが5000nm以下であれば、電荷分離できない領域が発生することを抑制できるため、光電変換効率の向上につながる。上記厚みのより好ましい下限は10nm、より好ましい上限は2000nmであり、更に好ましい下限は20nm、更に好ましい上限は1000nmである。
また、上記薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位の厚みは、好ましい下限が5nm、好ましい上限が5000nmである。上記厚みが5nm以上であれば、充分に光を吸収することができるようになり、光電変換効率が高くなる。上記厚みが5000nm以下であれば、電荷分離できない領域が発生することを抑制できるため、光電変換効率の向上につながる。上記厚みのより好ましい下限は10nm、より好ましい上限は1000nmであり、更に好ましい下限は20nm、更に好ましい上限は500nmである。
上記光電変換層が上記有機半導体部位と上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とを複合化した複合膜である場合、上記複合膜の厚みの好ましい下限は30nm、好ましい上限は3000nmである。上記厚みが30nm以上であれば、充分に光を吸収することができるようになり、光電変換効率が高くなる。上記厚みが3000nm以下であれば、電荷が電極に到達しやすくなるため、光電変換効率が高くなる。上記厚みのより好ましい下限は40nm、より好ましい上限は2000nmであり、更に好ましい下限は50nm、更に好ましい上限は1000nmである。
また、上記複合膜においては、上記有機半導体部位と上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位との比率が非常に重要である。上記有機半導体部位と上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位との比率は、1:9〜9:1(体積比)であることが好ましい。上記比率が上記範囲内であれば、ホール又は電子が電極まで到達しやすくなり、そのため光電変換効率の向上につながる。上記比率は、2:8〜8:2(体積比)であることがより好ましい。
上記電子輸送層の材料は特に限定されず、例えば、N型導電性高分子、N型低分子有機半導体、N型金属酸化物、N型金属硫化物、ハロゲン化アルカリ金属、アルカリ金属、間活性剤等が挙げられ、具体的には例えば、シアノ基含有ポリフェニレンビニレン、ホウ素含有ポリマー、バソキュプロイン、バソフェナントレン、ヒドロキシキノリナトアルミニウム、オキサジアゾール化合物、ベンゾイミダゾール化合物、ナフタレンテトラカルボン酸化合物、ペリレン誘導体、ホスフィンオキサイド化合物、ホスフィンスルフィド化合物、フルオロ基含有フタロシアニン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ガリウム、硫化スズ、硫化インジウム、硫化亜鉛等が挙げられる。
上記電子輸送層は、薄膜状の電子輸送層のみからなっていてもよいが、多孔質状の電子輸送層を含むことが好ましい。特に、上記光電変換層が上記有機半導体部位と上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とを複合化した複合膜である場合、より複雑な複合膜(より複雑に入り組んだ構造)が得られ、光電変換効率が高くなることから、多孔質状の電子輸送層上に後述する希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層が成膜されていることが好ましい。
上記電子輸送層の厚みは、好ましい下限が1nm、好ましい上限が2000nmである。上記厚みが1nm以上であれば、充分にホールをブロックできるようになる。上記厚みが2000nm以下であれば、電子輸送の際の抵抗になり難く、光電変換効率が高くなる。上記電子輸送層の厚みのより好ましい下限は3nm、より好ましい上限は1000nmであり、更に好ましい下限は5nm、更に好ましい上限は500nmである。
本発明の薄膜太陽電池においては、上記光電変換層と上記電子輸送層との間に、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層が配置されている。
上記光電変換層と上記電子輸送層との間に希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を設けることにより、上記光電変換層と上記電子輸送層との間の抵抗を低下させることができる。これにより、本発明の薄膜太陽電池は、光電変換効率、なかでも特に開放電圧が高いものとなる。
なかでも、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層は、希土類元素を含有することが好ましい。上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層に希土類元素を含有させることにより、上記光電変換層と上記電子輸送層との間に配置される上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層自体の抵抗も低下させることができるので、薄膜太陽電池全体の内部抵抗を小さくすることができる。
上記光電変換層と上記電子輸送層との間に希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を設けることにより、上記光電変換層と上記電子輸送層との間の抵抗を低下させることができる。これにより、本発明の薄膜太陽電池は、光電変換効率、なかでも特に開放電圧が高いものとなる。
なかでも、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層は、希土類元素を含有することが好ましい。上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層に希土類元素を含有させることにより、上記光電変換層と上記電子輸送層との間に配置される上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層自体の抵抗も低下させることができるので、薄膜太陽電池全体の内部抵抗を小さくすることができる。
上記希土類元素には、イットリウム(Y)、スカンジウム(Sc)、及び、一般にランタノイドと呼ばれる元素が含まれる。
上記希土類元素として、具体的には例えば、イットリウム(Y)、スカンジウム(Sc)に加えて、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)等のランタノイドが挙げられる。これらの希土類元素は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なかでも、アンチモン(Sb)と同じく3価が安定で放射性同位元素でないことから、イットリウム(Y)、スカンジウム(Sc)、ランタン(La)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、ルテチウム(Lu)が好ましい。
上記希土類元素として、具体的には例えば、イットリウム(Y)、スカンジウム(Sc)に加えて、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)等のランタノイドが挙げられる。これらの希土類元素は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なかでも、アンチモン(Sb)と同じく3価が安定で放射性同位元素でないことから、イットリウム(Y)、スカンジウム(Sc)、ランタン(La)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、ルテチウム(Lu)が好ましい。
上記周期表2族元素には、ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、及び、ラジウム(Ra)が含まれる。これらの周期表2族元素は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なかでも、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)が好ましい。
上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層は、上述したように、上記光電変換層と上記電子輸送層との間の抵抗をより低下させることができることから、希土類元素を含有することが好ましい。更に、希土類元素とマグネシウム(Mg)とを含有すること及び希土類元素とストロンチウム(Sr)とを含有することがより好ましく、ランタン(La)とストロンチウム(Sr)とを含有することが特に好ましい。
上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層は、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位と同様に、電子の移動度が高くなるため、結晶性半導体であることが好ましい。また、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層の結晶化度は、上記硫化物又はセレン化物半導体部位と同様に、好ましい下限が30%、より好ましい下限が50%、更に好ましい下限が70%である。
上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層の結晶化度を高める方法としても、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位の場合と同様に、例えば、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層に対して、焼成、レーザー又はフラッシュランプ等の強度の強い光の照射、エキシマ光照射、プラズマ照射等を行う方法が挙げられる。なかでも、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層の酸化を低減できることから、強度の強い光の照射、プラズマ照射等を行う方法が好ましい。
上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層の厚みは、好ましい下限が0.1nm、好ましい上限が20nmである。上記厚みが0.1nm以上であれば、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層が上記電子輸送層上を充分に覆うことができ、光電変換効率、なかでも特に開放電圧が高くなる。上記厚みが20nm以下であれば、不純物準位の形成による開放電圧の低下、及び、フィルファクターの低下を抑制することができる。上記厚みのより好ましい下限は1nm、より好ましい上限は10nmである。
上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を成膜する方法は特に限定されず、例えば、真空蒸着法、スピンコート法等の印刷法、ディップコーティング法、化学析出法、電解法、その他の真空プロセス(例えば、スパッタリング、CVD等)等が挙げられる。なかでも、高い光電変換効率を発揮できる薄膜太陽電池を大面積で簡易に形成できることから、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液を用いたスピンコート法等の印刷法が好ましい。
また、薄膜太陽電池の光電変換効率の再現性が高くなることから、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液と、上記光電変換層又は上記電子輸送層を形成するために用いられる半導体形成用塗布液とを混合した塗布液を用いてスピンコート法等の印刷法により成膜することも好ましい。
また、薄膜太陽電池の光電変換効率の再現性が高くなることから、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液と、上記光電変換層又は上記電子輸送層を形成するために用いられる半導体形成用塗布液とを混合した塗布液を用いてスピンコート法等の印刷法により成膜することも好ましい。
本発明の薄膜太陽電池においては、上記陽極と上記光電変換層との間に、ホール輸送層が配置されていてもよい。
上記ホール輸送層の材料は特に限定されず、例えば、P型導電性高分子、P型低分子有機半導体、P型金属酸化物、P型金属硫化物、界面活性剤等が挙げられ、具体的には例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンのポリスチレンスルホン酸付加物、カルボキシル基含有ポリチオフェン、フタロシアニン、ポルフィリン、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化銅、酸化スズ、硫化モリブデン、硫化タングステン、硫化銅、硫化スズ等、フルオロ基含有ホスホン酸、カルボニル基含有ホスホン酸等が挙げられる。
上記ホール輸送層の材料は特に限定されず、例えば、P型導電性高分子、P型低分子有機半導体、P型金属酸化物、P型金属硫化物、界面活性剤等が挙げられ、具体的には例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンのポリスチレンスルホン酸付加物、カルボキシル基含有ポリチオフェン、フタロシアニン、ポルフィリン、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化銅、酸化スズ、硫化モリブデン、硫化タングステン、硫化銅、硫化スズ等、フルオロ基含有ホスホン酸、カルボニル基含有ホスホン酸等が挙げられる。
上記ホール輸送層の厚みは、好ましい下限は1nm、好ましい上限は2000nmである。上記厚みが1nm以上であれば、充分に電子をブロックできるようになる。上記厚みが2000nm以下であれば、ホール輸送の際の抵抗になり難く、光電変換効率が高くなる。上記厚みのより好ましい下限は3nm、より好ましい上限は1000nmであり、更に好ましい下限は5nm、更に好ましい上限は500nmである。
本発明の薄膜太陽電池は、更に、基板等を有していてもよい。上記基板は特に限定されず、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス等の透明ガラス基板、セラミック基板、透明プラスチック基板等が挙げられる。
図1に、薄膜状の有機半導体部位と薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とを積層した積層体である光電変換層を有する本発明の薄膜太陽電池の一例を模式的に示す。
図1に示す薄膜太陽電池1においては、基板2、透明電極(陰極)3、電子輸送層4、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層5、光電変換層8(薄膜状の有機半導体部位7と薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位6とを積層した積層体)、ホール輸送層9、電極(陽極)10がこの順で積層されている。
図1に示す薄膜太陽電池1においては、基板2、透明電極(陰極)3、電子輸送層4、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層5、光電変換層8(薄膜状の有機半導体部位7と薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位6とを積層した積層体)、ホール輸送層9、電極(陽極)10がこの順で積層されている。
図2に、有機半導体部位と硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とを複合化した複合膜である光電変換層を有する本発明の薄膜太陽電池の一例を模式的に示す。
図2に示す薄膜太陽電池1’においては、基板2’、透明電極(陰極)3’、電子輸送層4’(薄膜状の電子輸送層4aと多孔質状の電子輸送層4bとを含む)、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層5’、光電変換層8’(有機半導体部位7’と硫化物及び/又はセレン化物半導体部位6’とを複合化した複合膜)、ホール輸送層9’、電極(陽極)10’がこの順で積層されている。
図2に示す薄膜太陽電池1’においては、基板2’、透明電極(陰極)3’、電子輸送層4’(薄膜状の電子輸送層4aと多孔質状の電子輸送層4bとを含む)、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層5’、光電変換層8’(有機半導体部位7’と硫化物及び/又はセレン化物半導体部位6’とを複合化した複合膜)、ホール輸送層9’、電極(陽極)10’がこの順で積層されている。
本発明の薄膜太陽電池を製造する方法は特に限定されず、例えば、基板上に電極(陽極)、光電変換層、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層、電子輸送層、電極(陰極)をこの順で形成する方法が挙げられる。また、基板上に電極(陰極)、電子輸送層、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層、光電変換層、電極(陽極)をこの順で形成してもよい。
本発明の薄膜太陽電池を製造する方法であって、光電変換層又は電子輸送層上に希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を成膜する工程を有する薄膜太陽電池の製造方法もまた、本発明の1つである。
上記光電変換層又は電子輸送層上に希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を成膜する方法は特に限定されず、例えば、真空蒸着法、スピンコート法等の印刷法、ディップコーティング法、化学析出法、電解法、その他の真空プロセス(例えば、スパッタリング、CVD等)等が挙げられる。なかでも、高い光電変換効率を発揮できる薄膜太陽電池を大面積で簡易に形成できることから、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液を用いたスピンコート法等の印刷法が好ましい。
上記光電変換層又は電子輸送層上に希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を成膜する方法は特に限定されず、例えば、真空蒸着法、スピンコート法等の印刷法、ディップコーティング法、化学析出法、電解法、その他の真空プロセス(例えば、スパッタリング、CVD等)等が挙げられる。なかでも、高い光電変換効率を発揮できる薄膜太陽電池を大面積で簡易に形成できることから、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液を用いたスピンコート法等の印刷法が好ましい。
上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液は、上述した希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有していれば特に限定されないが、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含む化合物を含有することが好ましい。
上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含む化合物として、希土類元素及び/又は周期表2族元素の塩化物、硝酸塩、炭酸塩、酢酸塩が好ましい。溶解性が高い点では塩化物、硝酸塩が好ましく、不純物元素が混入しない点では炭酸塩、酢酸塩が好ましい。
上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含む化合物は、塗布液中の含有量が0.1〜50重量%であることが好ましい。
上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含む化合物として、希土類元素及び/又は周期表2族元素の塩化物、硝酸塩、炭酸塩、酢酸塩が好ましい。溶解性が高い点では塩化物、硝酸塩が好ましく、不純物元素が混入しない点では炭酸塩、酢酸塩が好ましい。
上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含む化合物は、塗布液中の含有量が0.1〜50重量%であることが好ましい。
上記光電変換層を形成する方法は特に限定されず、真空蒸着法、スパッタ法、気相反応法(CVD)、電気化学沈積法等であってもよいが、周期表15族元素を含む化合物と、硫黄含有化合物及び/又はセレン含有化合物とを含有する半導体形成用塗布液(本明細書中、単に、半導体形成用塗布液ともいう)を用いた印刷法が好ましい。印刷法を採用することで、高い光電変換効率を発揮できる薄膜太陽電池を大面積で簡易に形成することができる。印刷法として、例えば、スピンコート法、ロールtoロール法等が挙げられる。
より具体的には、例えば、上記光電変換層が薄膜状の上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位と薄膜状の上記有機半導体部位とを積層した積層体である場合には、上記半導体形成用塗布液を用いてスピンコート法等の印刷法により薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位を成膜し、この薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位の上にスピンコート法等の印刷法により薄膜状の有機半導体部位を成膜することが好ましい。また、逆に薄膜状の有機半導体部位の上に薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位を成膜してもよい。
また、例えば、上記光電変換層が上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位と上記有機半導体部位とを複合化した複合膜である場合には、上記半導体形成用塗布液と有機半導体とを混合した混合液を用いてスピンコート法等の印刷法により複合膜を成膜することが好ましい。
より具体的には、例えば、上記光電変換層が薄膜状の上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位と薄膜状の上記有機半導体部位とを積層した積層体である場合には、上記半導体形成用塗布液を用いてスピンコート法等の印刷法により薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位を成膜し、この薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位の上にスピンコート法等の印刷法により薄膜状の有機半導体部位を成膜することが好ましい。また、逆に薄膜状の有機半導体部位の上に薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位を成膜してもよい。
また、例えば、上記光電変換層が上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位と上記有機半導体部位とを複合化した複合膜である場合には、上記半導体形成用塗布液と有機半導体とを混合した混合液を用いてスピンコート法等の印刷法により複合膜を成膜することが好ましい。
なお、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液と、上記半導体形成用塗布液とを混合した混合液を用いてスピンコート法等の印刷法により成膜することで、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層と、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とを同時に成膜することもできる。これにより、薄膜太陽電池の光電変換効率の再現性を高くすることができる。
このような混合液を用いた場合であっても、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層と、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とは別々の層として成膜される。層の元素分析は、例えば、薄膜太陽電池の断面のFE−TEM/EDS線分析測定により行うことができる。
また、このような混合液において、希土類元素及び/又は周期表2族元素と、周期表15族元素とのモル比(希土類元素及び/又は周期表2族元素:周期表15族元素)は特に限定されないが、0.1:10〜10:10が好ましい。上記希土類元素及び/又は周期表2族元素のモル比が0.1以上であれば、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を添加する効果が充分に得られ、光電変換効率が高くなる。上記希土類元素及び/又は周期表2族元素のモル比が10以下であれば、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位の結晶構造が保たれ、光電変換効率が高くなる。上記モル比(希土類元素及び/又は周期表2族元素:周期表15族元素)は0.2:10:〜5:10がより好ましい。
このような混合液を用いた場合であっても、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層と、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位とは別々の層として成膜される。層の元素分析は、例えば、薄膜太陽電池の断面のFE−TEM/EDS線分析測定により行うことができる。
また、このような混合液において、希土類元素及び/又は周期表2族元素と、周期表15族元素とのモル比(希土類元素及び/又は周期表2族元素:周期表15族元素)は特に限定されないが、0.1:10〜10:10が好ましい。上記希土類元素及び/又は周期表2族元素のモル比が0.1以上であれば、上記希土類元素及び/又は周期表2族元素を添加する効果が充分に得られ、光電変換効率が高くなる。上記希土類元素及び/又は周期表2族元素のモル比が10以下であれば、上記硫化物及び/又はセレン化物半導体部位の結晶構造が保たれ、光電変換効率が高くなる。上記モル比(希土類元素及び/又は周期表2族元素:周期表15族元素)は0.2:10:〜5:10がより好ましい。
上記半導体形成用塗布液は、周期表15族元素を含む化合物と、硫黄含有化合物及び/又はセレン含有化合物とを含有することが好ましい。
上記周期表15族元素を含む化合物と、上記硫黄含有化合物及び/又はセレン含有化合物とは、形成される硫化物及び/又はセレン化物半導体部位において、上述したような周期表15族元素の硫化物及び/又はセレン化物を形成するものである。上記周期表15族元素を含む化合物として、周期表15族の金属元素を含む金属含有化合物が好ましく、例えば、周期表15族の金属元素の金属塩、有機金属化合物等が挙げられる。
上記周期表15族元素を含む化合物と、上記硫黄含有化合物及び/又はセレン含有化合物とは、形成される硫化物及び/又はセレン化物半導体部位において、上述したような周期表15族元素の硫化物及び/又はセレン化物を形成するものである。上記周期表15族元素を含む化合物として、周期表15族の金属元素を含む金属含有化合物が好ましく、例えば、周期表15族の金属元素の金属塩、有機金属化合物等が挙げられる。
上記周期表15族の金属元素の金属塩として、例えば、周期表15族の金属元素の塩化物、オキシ塩化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩、アンモニウム塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩、リン酸塩、水酸化物、過酸化物等が挙げられる。また、上記周期表15族の金属元素の金属塩には、その水和物も含まれる。
上記周期表15族の金属元素の有機金属化合物として、例えば、周期表15族の金属元素のカルボン酸、ジカルボン酸、オリゴカルボン酸、ポリカルボン酸の塩化合物が挙げられ、より具体的には、周期表15族の金属元素の酢酸、ギ酸、プロピオン酸、オクチル酸、ステアリン酸、シュウ酸、クエン酸、乳酸等の塩化合物等が挙げられる。
上記周期表15族の金属元素の有機金属化合物として、例えば、周期表15族の金属元素のカルボン酸、ジカルボン酸、オリゴカルボン酸、ポリカルボン酸の塩化合物が挙げられ、より具体的には、周期表15族の金属元素の酢酸、ギ酸、プロピオン酸、オクチル酸、ステアリン酸、シュウ酸、クエン酸、乳酸等の塩化合物等が挙げられる。
上記周期表15族元素を含む化合物として、具体的には例えば、塩化アンチモン、酢酸アンチモン、臭化アンチモン、フッ化アンチモン、オキシ酸化アンチモン、トリエトキシアンチモン、トリプロポキシアンチモン、硝酸ビスマス、塩化ビスマス、硝酸水酸化ビスマス、トリス(2−メトキシフェニル)ビスマス、炭酸ビスマス、オキシ炭酸ビスマス、リン酸ビスマス、臭化ビスマス、トリエトキシビスマス、トリイソプロポキシアンチモン、ヨウ化砒素、トリエトキシ砒素等が挙げられる。これらの周期表15族元素を含む化合物は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記半導体形成用塗布液における上記周期表15族元素を含む化合物の含有量は、好ましい下限が5重量%、好ましい上限が30重量%である。上記含有量が5重量%以上であれば、良質な硫化物及び/又はセレン化物半導体部位を容易に形成することができる。上記含有量が30重量%以下であれば、安定な半導体形成用塗布液を容易に得ることができる。
上記硫黄含有化合物として、例えば、チオ尿素、チオ尿素の誘導体、チオアセトアミド、チオアセトアミドの誘導体、ジチオカルバミン酸塩(Dithiocarbamate)、キサントゲン酸塩(Xanthate)、ジチオリン酸塩(Dithiophosphate)、チオ硫酸塩、チオシアン酸塩等が挙げられる。
上記チオ尿素の誘導体として、例えば、1−アセチル−2−チオ尿素、エチレンチオ尿素、1,3−ジエチルー2−チオ尿素、1,3−ジメチルチオ尿素、テトラメチルチオ尿素、N−メチルチオ尿素、1−フェニルー2−チオ尿素等が挙げられる。上記ジチオカルバミン酸塩として、例えば、ジメチルジチオカルバミン酸ナトリウム、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム、ジメチルジチオカルバミン酸カリウム、ジエチルジチオカルバミン酸カリウム等が挙げられる。上記キサントゲン酸塩として、例えば、エチルキサントゲン酸ナトリウム(sodium ethyl xanthate)、エチルキサントゲン酸カリウム、イソプロピルキサントゲン酸ナトリウム、イソプロピルキサントゲン酸カリウム等が挙げられる。上記チオ硫酸塩として、例えば、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム、チオ硫酸アンモニウム等が挙げられる。上記チオシアン酸塩として、例えば、チオシアン酸カリウム、チオシアン酸カリウム、チオシアン酸アンモニウム等が挙げられる。これらの硫黄含有化合物は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記セレン含有化合物として、例えば、セレン化水素、塩化セレン、臭化セレン、ヨウ化セレン、セレノフェノール、セレノ尿素、亜セレン酸、セレノアセトアミド等が挙げられる。これらのセレン含有化合物は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記半導体形成用塗布液における上記硫黄含有化合物及び/又はセレン含有化合物の含有量は、上記周期表15族元素を含む化合物のモル数に対して、1〜30倍が好ましく、2〜20倍がより好ましい。上記含有量が1倍以上であれば、量論比の硫化物及び/又はセレン化物半導体が得られやすくなる。上記含有量が30倍以下であれば、半導体形成用塗布液の安定性がより向上する。
上記周期表15族元素を含む化合物と、上記硫黄含有化合物及び/又はセレン含有化合物とは、錯体を形成していることが好ましく、該錯体は、上記周期表15族元素と、上記硫黄含有化合物及び/又はセレン含有化合物との間に形成されることがより好ましい。上記硫黄含有化合物中の硫黄元素及び上記セレン含有化合物中のセレン元素は、化学結合に関与していない孤立電子対を有するため、上記周期表15族元素の空の電子軌道(d軌道又はf軌道)との間に配位結合を形成しやすい。
このような錯体が形成されることで、半導体形成用塗布液の安定性が向上し、その結果、均一な良質の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位が形成されるだけではなく、その電気的な特性及び半導体特性も向上する。
なお、周期表15族元素と、硫黄含有化合物及び/又はセレン含有化合物との間に形成された錯体は、赤外吸収スペクトルにて、周期表15族元素−硫黄間の結合に由来する吸収ピーク又は周期表15族元素−セレン間の結合に由来する吸収ピークを測定することで確認することができる。また、溶液の色の変化で確認することもできる。
このような錯体が形成されることで、半導体形成用塗布液の安定性が向上し、その結果、均一な良質の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位が形成されるだけではなく、その電気的な特性及び半導体特性も向上する。
なお、周期表15族元素と、硫黄含有化合物及び/又はセレン含有化合物との間に形成された錯体は、赤外吸収スペクトルにて、周期表15族元素−硫黄間の結合に由来する吸収ピーク又は周期表15族元素−セレン間の結合に由来する吸収ピークを測定することで確認することができる。また、溶液の色の変化で確認することもできる。
上記周期表15族元素と、上記硫黄含有化合物との間に形成された錯体として、例えば、ビスマス−チオ尿素錯体、ビスマス−チオ硫酸錯体、ビスマス−チオシアン酸錯体、アンチモン−チオ尿素錯体、アンチモン−チオ硫酸錯体、アンチモン−チオシアン酸錯体、アンチモン−ジチオカルバミン酸錯体、アンチモン−キサントゲン酸錯体等が挙げられる。
上記周期表15族元素と、上記セレン含有化合物との間に形成された錯体として、例えば、アンチモン−セレノ尿素錯体、アンチモン−セレノアセトアミド錯体、アンチモン−ジメチルセレノ尿素錯体等が挙げられる。
上記周期表15族元素と、上記セレン含有化合物との間に形成された錯体として、例えば、アンチモン−セレノ尿素錯体、アンチモン−セレノアセトアミド錯体、アンチモン−ジメチルセレノ尿素錯体等が挙げられる。
上記半導体形成用塗布液は、更に、有機溶媒を含有することが好ましい。
上記有機溶媒を適宜選択することで、上述したような錯体を形成させやすくすることができる。上記有機溶媒は特に限定されず、例えば、メタノール、エタノール、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、イソプロパノール、n−プロパノール、クロロホルム、クロロベンゼン、ピリジン、トルエン等が挙げられる。これらの有機溶媒は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なかでも、メタノール、エタノール、アセトン、N,N−ジメチルホルムアミドが好ましく、電気的な特性及び半導体特性のより優れた硫化物及び/又はセレン化物半導体部位が形成されることから、N,N−ジメチルホルムアミドがより好ましい。
上記有機溶媒を適宜選択することで、上述したような錯体を形成させやすくすることができる。上記有機溶媒は特に限定されず、例えば、メタノール、エタノール、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、イソプロパノール、n−プロパノール、クロロホルム、クロロベンゼン、ピリジン、トルエン等が挙げられる。これらの有機溶媒は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なかでも、メタノール、エタノール、アセトン、N,N−ジメチルホルムアミドが好ましく、電気的な特性及び半導体特性のより優れた硫化物及び/又はセレン化物半導体部位が形成されることから、N,N−ジメチルホルムアミドがより好ましい。
また、上記半導体形成用塗布液は、本発明の効果を阻害しない範囲内において、水等の非有機溶媒成分を更に含有してもよい。
本発明によれば、光電変換効率が高く、なかでも特に開放電圧が高い薄膜太陽電池を提供することができる。また、本発明によれば、該薄膜太陽電池の製造方法を提供することができる。
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
(実施例1)
(半導体形成用塗布液の作製)
N,N−ジメチルホルムアミド100重量部に、塩化アンチモン(III)20重量部を添加した後、攪拌することによって溶解した。N,N−ジメチルホルムアミド100重量部に、チオ尿素(CS(NH2)2)20重量部を添加した後、攪拌することによって溶解した。塩化アンチモンのN,N−ジメチルホルムアミド溶液50重量部に、チオ尿素のN,N−ジメチルホルムアミド溶液40重量部を攪拌しながら徐々に添加した。その際、溶液は混合前の無色透明から黄色透明に変わった。添加終了後に更に30分間攪拌することによって、塩化アンチモンとチオ尿素とを含有する半導体形成用塗布液を作製した。
(半導体形成用塗布液の作製)
N,N−ジメチルホルムアミド100重量部に、塩化アンチモン(III)20重量部を添加した後、攪拌することによって溶解した。N,N−ジメチルホルムアミド100重量部に、チオ尿素(CS(NH2)2)20重量部を添加した後、攪拌することによって溶解した。塩化アンチモンのN,N−ジメチルホルムアミド溶液50重量部に、チオ尿素のN,N−ジメチルホルムアミド溶液40重量部を攪拌しながら徐々に添加した。その際、溶液は混合前の無色透明から黄色透明に変わった。添加終了後に更に30分間攪拌することによって、塩化アンチモンとチオ尿素とを含有する半導体形成用塗布液を作製した。
(希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液の作製)
N,N−ジメチルホルムアミド99重量部に、硝酸マグネシウム6水和物を1重量部添加した後、攪拌することによって溶解し、硝酸マグネシウムを含有する塗布液を作製した。
N,N−ジメチルホルムアミド99重量部に、硝酸マグネシウム6水和物を1重量部添加した後、攪拌することによって溶解し、硝酸マグネシウムを含有する塗布液を作製した。
(薄膜太陽電池の作製)
FTOガラス基板上に、二酸化チタン粉末(平均粒子径15nm)の20重量%エタノール分散液を回転数1500rpmの条件でスピンコート法により塗布した。塗布後、大気中で500℃で10分間焼成し、電子輸送層を形成した。
得られた電子輸送層上に、硝酸マグネシウムを含有する塗布液を回転数4000rpmの条件でスピンコート法により塗布した。塗布後、大気中で500℃で10分間焼成し、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を形成した。
得られた希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層上に、半導体形成用塗布液を回転数750rpmの条件でスピンコート法により塗布した。塗布後、サンプルを真空炉に入れ、真空に引きながら260℃で10分間焼成し、硫化物半導体薄膜(薄膜状の硫化物半導体部位)を形成した。真空炉から取出した硫化物半導体薄膜は黒色であった。真空炉から取出した後、得られた硫化物半導体薄膜の上に、有機半導体薄膜(薄膜状の有機半導体部位)としてポリ(3−アルキルチオフェン)(P3HT)をスピンコート法により100nmの厚みに成膜した。その後、有機半導体薄膜の上にホール輸送層としてポリエチレンジオキサイドチオフェン:ポリスチレンスルフォネート(PEDOT:PSS)をスピンコート法により100nmの厚みに成膜した。次いで、ホール輸送層の上に厚み80nmの金電極を真空蒸着法により成膜することによって薄膜太陽電池を作製した。
FTOガラス基板上に、二酸化チタン粉末(平均粒子径15nm)の20重量%エタノール分散液を回転数1500rpmの条件でスピンコート法により塗布した。塗布後、大気中で500℃で10分間焼成し、電子輸送層を形成した。
得られた電子輸送層上に、硝酸マグネシウムを含有する塗布液を回転数4000rpmの条件でスピンコート法により塗布した。塗布後、大気中で500℃で10分間焼成し、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を形成した。
得られた希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層上に、半導体形成用塗布液を回転数750rpmの条件でスピンコート法により塗布した。塗布後、サンプルを真空炉に入れ、真空に引きながら260℃で10分間焼成し、硫化物半導体薄膜(薄膜状の硫化物半導体部位)を形成した。真空炉から取出した硫化物半導体薄膜は黒色であった。真空炉から取出した後、得られた硫化物半導体薄膜の上に、有機半導体薄膜(薄膜状の有機半導体部位)としてポリ(3−アルキルチオフェン)(P3HT)をスピンコート法により100nmの厚みに成膜した。その後、有機半導体薄膜の上にホール輸送層としてポリエチレンジオキサイドチオフェン:ポリスチレンスルフォネート(PEDOT:PSS)をスピンコート法により100nmの厚みに成膜した。次いで、ホール輸送層の上に厚み80nmの金電極を真空蒸着法により成膜することによって薄膜太陽電池を作製した。
(実施例2〜20、比較例1〜14)
希土類元素及び/又は周期表2族元素を含む化合物及びその含有量を表1又は3に示すように変更したこと以外は実施例1と同様にして、薄膜太陽電池を得た。
希土類元素及び/又は周期表2族元素を含む化合物及びその含有量を表1又は3に示すように変更したこと以外は実施例1と同様にして、薄膜太陽電池を得た。
(実施例21)
実施例1の(希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液の作製)において、N,N−ジメチルホルムアミド98重量部に、塩化ストロンチウム6水和物を1重量部、硝酸ランタン6水和物を1重量部添加した後、攪拌することによって溶解し、塩化ストロンチウム及び硝酸ランタンを含有する塗布液を作製した。
得られた塩化ストロンチウム及び硝酸ランタンを含有する塗布液を用いたこと以外は実施例1と同様にして、薄膜太陽電池を得た。
実施例1の(希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液の作製)において、N,N−ジメチルホルムアミド98重量部に、塩化ストロンチウム6水和物を1重量部、硝酸ランタン6水和物を1重量部添加した後、攪拌することによって溶解し、塩化ストロンチウム及び硝酸ランタンを含有する塗布液を作製した。
得られた塩化ストロンチウム及び硝酸ランタンを含有する塗布液を用いたこと以外は実施例1と同様にして、薄膜太陽電池を得た。
(実施例22)
実施例1の(半導体形成用塗布液の作製)において、チオ尿素をセレノ尿素に変更したこと以外は実施例1と同様にして、薄膜太陽電池を得た。
実施例1の(半導体形成用塗布液の作製)において、チオ尿素をセレノ尿素に変更したこと以外は実施例1と同様にして、薄膜太陽電池を得た。
(実施例23)
(希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液と、半導体形成用塗布液とを混合した混合液の作製)
実施例1と同様にして、半導体形成用塗布液を作製した。一方、N,N−ジメチルホルムアミド100重量部に、硝酸ランタン6水和物を20重量部添加した後、攪拌することによって溶解した。添加終了後に更に30分間攪拌することによって、硝酸ランタンを含有する塗布液を作製した。
得られた半導体形成用塗布液95重量部に、硝酸ランタンを含有する塗布液を5重量部添加した後、攪拌することによって溶解し、硝酸ランタンを含有する塗布液と、半導体形成用塗布液とを混合した混合液を作製した。
(希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する塗布液と、半導体形成用塗布液とを混合した混合液の作製)
実施例1と同様にして、半導体形成用塗布液を作製した。一方、N,N−ジメチルホルムアミド100重量部に、硝酸ランタン6水和物を20重量部添加した後、攪拌することによって溶解した。添加終了後に更に30分間攪拌することによって、硝酸ランタンを含有する塗布液を作製した。
得られた半導体形成用塗布液95重量部に、硝酸ランタンを含有する塗布液を5重量部添加した後、攪拌することによって溶解し、硝酸ランタンを含有する塗布液と、半導体形成用塗布液とを混合した混合液を作製した。
(薄膜太陽電池の作製)
FTOガラス基板上に、二酸化チタン粉末(平均粒子径15nm)の20重量%エタノール分散液を回転数1500rpmの条件でスピンコート法により塗布した。塗布後、大気中で500℃で10分間焼成し、電子輸送層を形成した。
得られた電子輸送層上に、上記で得られた混合液(硝酸ランタンを含有する塗布液と、半導体形成用塗布液とを混合した混合液)を回転数750rpmの条件でスピンコート法により塗布した。塗布後、サンプルを真空炉に入れ、真空に引きながら260℃で10分間焼成し、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層と、硫化物半導体薄膜(薄膜状の硫化物半導体部位)とを別々の層として形成した。真空炉から取出した硫化物半導体薄膜は黒色であった。真空炉から取出した後、得られた硫化物半導体薄膜の上に、有機半導体薄膜(薄膜状の有機半導体部位)としてポリ(3−アルキルチオフェン)(P3HT)をスピンコート法により100nmの厚みに成膜した。その後、有機半導体薄膜の上にホール輸送層としてポリエチレンジオキサイドチオフェン:ポリスチレンスルフォネート(PEDOT:PSS)をスピンコート法により100nmの厚みに成膜した。次いで、ホール輸送層の上に厚み80nmの金電極を真空蒸着法により成膜することによって薄膜太陽電池を作製した。
FTOガラス基板上に、二酸化チタン粉末(平均粒子径15nm)の20重量%エタノール分散液を回転数1500rpmの条件でスピンコート法により塗布した。塗布後、大気中で500℃で10分間焼成し、電子輸送層を形成した。
得られた電子輸送層上に、上記で得られた混合液(硝酸ランタンを含有する塗布液と、半導体形成用塗布液とを混合した混合液)を回転数750rpmの条件でスピンコート法により塗布した。塗布後、サンプルを真空炉に入れ、真空に引きながら260℃で10分間焼成し、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層と、硫化物半導体薄膜(薄膜状の硫化物半導体部位)とを別々の層として形成した。真空炉から取出した硫化物半導体薄膜は黒色であった。真空炉から取出した後、得られた硫化物半導体薄膜の上に、有機半導体薄膜(薄膜状の有機半導体部位)としてポリ(3−アルキルチオフェン)(P3HT)をスピンコート法により100nmの厚みに成膜した。その後、有機半導体薄膜の上にホール輸送層としてポリエチレンジオキサイドチオフェン:ポリスチレンスルフォネート(PEDOT:PSS)をスピンコート法により100nmの厚みに成膜した。次いで、ホール輸送層の上に厚み80nmの金電極を真空蒸着法により成膜することによって薄膜太陽電池を作製した。
(実施例24〜37)
希土類元素及び/又は周期表2族元素を含む化合物を表2に示すように変更したこと以外は実施例23と同様にして、薄膜太陽電池を得た。
希土類元素及び/又は周期表2族元素を含む化合物を表2に示すように変更したこと以外は実施例23と同様にして、薄膜太陽電池を得た。
<評価>
実施例及び比較例で得られた薄膜太陽電池について、以下の評価を行った。
(太陽電池特性評価)
実施例及び比較例で得られた薄膜太陽電池の電極間に、電源(KEITHLEY社製、236モデル)を接続し、強度100mW/cm2のソーラーシミュレーション(山下電装社製)を用いて薄膜太陽電池の開放電圧及び光電変換効率を測定した。なお、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を形成していない以外は同様の条件で作製した薄膜太陽電池の開放電圧を1.0として規格化し、比較例1で得られた薄膜太陽電池の光電変換効率を1.00として規格化した。結果を表1〜3に示した。
また、実施例23〜37については、薄膜太陽電池の断面のFE−TEM/EDS線分析測定を行い、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層と、硫化物半導体薄膜(薄膜状の硫化物半導体部位)とが別々の層として分離して形成されていることを確認した。
実施例及び比較例で得られた薄膜太陽電池について、以下の評価を行った。
(太陽電池特性評価)
実施例及び比較例で得られた薄膜太陽電池の電極間に、電源(KEITHLEY社製、236モデル)を接続し、強度100mW/cm2のソーラーシミュレーション(山下電装社製)を用いて薄膜太陽電池の開放電圧及び光電変換効率を測定した。なお、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を形成していない以外は同様の条件で作製した薄膜太陽電池の開放電圧を1.0として規格化し、比較例1で得られた薄膜太陽電池の光電変換効率を1.00として規格化した。結果を表1〜3に示した。
また、実施例23〜37については、薄膜太陽電池の断面のFE−TEM/EDS線分析測定を行い、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層と、硫化物半導体薄膜(薄膜状の硫化物半導体部位)とが別々の層として分離して形成されていることを確認した。
(内部抵抗の評価)
実施例1〜22で得られた薄膜太陽電池の電極間に、電源(KEITHLEY社製、236モデル)を接続し、強度100mW/cm2のソーラーシミュレーション(山下電装社製)を用いて薄膜太陽電池の電流電圧特性(I−V特性)を測定し、電圧V=0のときの電流値の傾きより内部抵抗Rsの値を求めた。なお、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を形成していない以外は同様の条件で作製した薄膜太陽電池の内部抵抗に対して、内部抵抗が小さくなっていたものを○、大きくなっていたものを×とした。
実施例1〜22で得られた薄膜太陽電池の電極間に、電源(KEITHLEY社製、236モデル)を接続し、強度100mW/cm2のソーラーシミュレーション(山下電装社製)を用いて薄膜太陽電池の電流電圧特性(I−V特性)を測定し、電圧V=0のときの電流値の傾きより内部抵抗Rsの値を求めた。なお、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を形成していない以外は同様の条件で作製した薄膜太陽電池の内部抵抗に対して、内部抵抗が小さくなっていたものを○、大きくなっていたものを×とした。
(光電変換効率の再現性の評価)
実施例23〜37で得られた薄膜太陽電池の電極間に、電源(KEITHLEY社製、236モデル)を接続し、強度100mW/cm2のソーラーシミュレーション(山下電装社製)を用いて薄膜太陽電池の光電変換効率を測定した。なお、同じ条件で薄膜太陽電池を4個作製し、その4個の薄膜太陽電池の光電変換効率の最大値と最小値との差が、最大値の20%以下であったものを○、20%以上であったものを×とした。
実施例23〜37で得られた薄膜太陽電池の電極間に、電源(KEITHLEY社製、236モデル)を接続し、強度100mW/cm2のソーラーシミュレーション(山下電装社製)を用いて薄膜太陽電池の光電変換効率を測定した。なお、同じ条件で薄膜太陽電池を4個作製し、その4個の薄膜太陽電池の光電変換効率の最大値と最小値との差が、最大値の20%以下であったものを○、20%以上であったものを×とした。
本発明によれば、光電変換効率が高く、なかでも特に開放電圧が高い薄膜太陽電池を提供することができる。また、本発明によれば、該薄膜太陽電池の製造方法を提供することができる。
1 薄膜太陽電池
2 基板
3 透明電極(陰極)
4 電子輸送層
5 希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層
6 薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位
7 薄膜状の有機半導体部位
8 光電変換層(積層体)
9 ホール輸送層
10 電極(陽極)
1’ 薄膜太陽電池
2’ 基板
3’ 透明電極(陰極)
4a 薄膜状の電子輸送層
4b 多孔質状の電子輸送層
4’ 電子輸送層
5’ 希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層
6’ 硫化物及び/又はセレン化物半導体部位
7’ 有機半導体部位
8’ 光電変換層(複合膜)
9’ ホール輸送層
10’ 電極(陽極)
2 基板
3 透明電極(陰極)
4 電子輸送層
5 希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層
6 薄膜状の硫化物及び/又はセレン化物半導体部位
7 薄膜状の有機半導体部位
8 光電変換層(積層体)
9 ホール輸送層
10 電極(陽極)
1’ 薄膜太陽電池
2’ 基板
3’ 透明電極(陰極)
4a 薄膜状の電子輸送層
4b 多孔質状の電子輸送層
4’ 電子輸送層
5’ 希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層
6’ 硫化物及び/又はセレン化物半導体部位
7’ 有機半導体部位
8’ 光電変換層(複合膜)
9’ ホール輸送層
10’ 電極(陽極)
Claims (4)
- 陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された光電変換層と、前記陰極と前記光電変換層との間に配置された電子輸送層とを有し、
前記光電変換層が、有機半導体を含有する部位と、硫化アンチモン及び/又はセレン化アンチモンを含有する部位とを有し、
前記光電変換層と前記電子輸送層との間に、希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層が配置されている
ことを特徴とする薄膜太陽電池。 - 希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層は、希土類元素を含有することを特徴とする請求項1記載の薄膜太陽電池。
- 陽極と光電変換層との間に、ホール輸送層が配置されていることを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜太陽電池。
- 請求項1、2又は3記載の薄膜太陽電池を製造する方法であって、光電変換層又は電子輸送層上に希土類元素及び/又は周期表2族元素を含有する層を成膜する工程を有することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014102143A JP5617053B1 (ja) | 2013-12-11 | 2014-05-16 | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013256376 | 2013-12-11 | ||
JP2013256376 | 2013-12-11 | ||
JP2014102143A JP5617053B1 (ja) | 2013-12-11 | 2014-05-16 | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014097821A Division JP2015133466A (ja) | 2013-12-11 | 2014-05-09 | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5617053B1 true JP5617053B1 (ja) | 2014-10-29 |
JP2015133467A JP2015133467A (ja) | 2015-07-23 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2014102143A Active JP5617053B1 (ja) | 2013-12-11 | 2014-05-16 | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5617053B1 (ja) |
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JP5667714B1 (ja) * | 2014-06-16 | 2015-02-12 | 積水化学工業株式会社 | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 |
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CN113169284A (zh) * | 2018-12-12 | 2021-07-23 | 杰富意钢铁株式会社 | 层叠体、有机薄膜太阳能电池、层叠体的制造方法和有机薄膜太阳能电池的制造方法 |
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---|---|---|---|---|
JP6382781B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2018-08-29 | 株式会社東芝 | 半導体素子の製造方法および製造装置 |
CN110021679A (zh) * | 2018-01-10 | 2019-07-16 | 中国科学院大学 | 用溶液法制备的电子传输层及包括其的晶硅太阳电池 |
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JP5358751B1 (ja) * | 2012-02-07 | 2013-12-04 | 積水化学工業株式会社 | 有機薄膜太陽電池 |
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JP2015231047A (ja) * | 2014-06-16 | 2015-12-21 | 積水化学工業株式会社 | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 |
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CN113169284A (zh) * | 2018-12-12 | 2021-07-23 | 杰富意钢铁株式会社 | 层叠体、有机薄膜太阳能电池、层叠体的制造方法和有机薄膜太阳能电池的制造方法 |
CN113169284B (zh) * | 2018-12-12 | 2024-05-31 | 杰富意钢铁株式会社 | 层叠体、有机薄膜太阳能电池、层叠体的制造方法和有机薄膜太阳能电池的制造方法 |
CN112939483A (zh) * | 2021-01-17 | 2021-06-11 | 桂林理工大学 | Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法 |
CN112939483B (zh) * | 2021-01-17 | 2022-07-01 | 桂林理工大学 | Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法 |
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