JPH07326782A

JPH07326782A - 有機光起電力素子

Info

Publication number: JPH07326782A
Application number: JP6127488A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ikuno; 弘生野; Shigeto Kojima; 成人小島; Hiroshi Nagame; 宏永目
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1993-08-24
Filing date: 1994-06-09
Publication date: 1995-12-12

Abstract

(57)【要約】表面保護層を設けることにより長寿命の有機光起電力素
子を提供する。【構成】少なくとも一方が透光性である２つの電極の
間に、整流接合を形成する電子受容性有機物層と電子供
与性有機物層の積層した構成を持ち、さらに透光性であ
る電極を設けた基板表面に、気相成長法により作成され
た炭素又は炭素を主成分とした膜を表面保護層として設
けた有機光起電力素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は有機太陽電池、光セン
サ、フォトカプラー等として有用な光起電力素子に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】有機物を能動材料として用いた光起電力
素子が多く研究されている。その目的は、無機物の光起
電材料である単結晶、多結晶、アモルファスのＳｉやII
I−Ｖ族化合物では達成が困難とされている、安価で生
産性に優れ低毒性の光起電力素子を開発するためであ
る。光起電力素子は、光エネルギーを電気エネルギー
（電圧×電流）に変換する素子であるため、変換効率が
その主要な評価対象となる。光電流の生成には内部電界
の存在が必要であるが、内部電界を生成する方法として
いくつかの素子構成が知られている。能動材料として有
機物を用いた場合の、各々の既知の構成での変換効率の
ベストデータは以下の通りである。

【０００３】１）ショットキー接合またはＭＩＳ型接合金属／半導体接合で生じる内部電界を利用したもので、
有機半導体材料としてメロシアニン染料、フタロシアニ
ン顔料等が報告されている。Ａｌ／メロシアニン／Ａｇ
素子に対する７８ｍＷ／ｃｍ²の白色光照射で変換効率
０．７％（Ｖ_oc＝１．２Ｖ，Ｊ_sc＝１．８ｍＡ／ｃ
ｍ²，ｆｆ＝０．２５）が報告されている。〔Ａ．Ｋ．
ＧｈｏｓｈらＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４９，５９８２
（１９７８）〕このタイプの素子に用いられている有
機半導体で変換効率が高いものはｐ型に限定されてい
る。従って、電極材料もＡｌ，Ｉｎ，Ｍｇ等の仕事関数
が低いものが使用されるが、これらは容易に酸化され
る。２）ｎ型無機半導体／ｐ型有機半導体接合を利用したヘ
テロｐｎ接合ｎ型無機半導体／ｐ型有機半導体を接合したときに生じ
る内部電界を利用したもので、ｎ型材料としてＣｄＳ，
ＺｎＯ等が用いられる。ｐ型有機半導体材料としてメロ
シアニン染料、フタロシアニン等が報告されている。

【０００４】ＩＴＯ／電着ＣｄＳ／塩素化アルミニウム
クロロフタロシアニン／Ａｕ素子に対する７５ｍＷ／ｃ
ｍ²のＡＭ−２光照射で変換効率０．２２（Ｖｏｃ＝
０．６９Ｖ，Ｊｓｃ＝０．８９ｍＡ／ｃｍ²，ｆｆ＝
０．２９）がベストである〔Ａ．ＨｏｒらＡｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４２，１５（１９８３）〕。３）有機／有機ヘテロ接合を利用したもの電子受容性の有機物と電子供与性の有機物を接合したと
きに生じる整流接合による電界を利用したもので、前者
の有機物としてマラカイトグリーン、メチルバイオレッ
ト、ピリリウム等の染料、フラバンスロン、ペリレン顔
料等の縮合多環芳香族化合物が報告されており、後者の
例として、フタロシアニン顔料、メロシアニン染料等が
報告されている。

【０００５】ＩＴＯ／銅フタロシアニン／ペリレン顔料
／Ａｇ素子に対する７５ｍＷ／ｃｍ²のＡＭ−２光照射
で変換効率０．９５％（Ｖ_oc＝０．４５Ｖ，Ｊ_sc＝２．
３ｍＡ／ｃｍ²，ｆｆ＝０．６５）が報告されている
〔Ｃ．ＴａｎｇＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４
８，１８３（１９８６）〕。この値は有機物を用いた光
起電力素子では最高のものである。また、同じ発明者に
よる特公昭６２−４８７１には、この素子構成で別種の
ペリレン顔料に対して変換効率１％（Ｖ_oc＝０．４４
Ｖ，Ｊ_sc＝３．０ｍＡ／ｃｍ²，ｆｆ＝０．６）が報告
されている。有機物を用いた光起電力素子は、無機半導
体を用いたものと比較して、短絡光電流（Ｊ_sc）が低
く、ｆｆが小さい。そして素子の長期的寿命に問題があ
るものが多い。

【０００６】素子の寿命に関しては、４００ｎｍ以下の
短波長光による化学的劣化などが考えられる。短波長光
による劣化を防止する方法として特開平１−２０９７６
８に報告されている。しかし、膜を均一に大面積で製膜
できる気相成長法で製膜された表面保護層を用いるもの
はこれまでに報告されていない。また素子自体の硬度は
低いものが多く、機械的な負荷が加わった場合、局部的
な傷がつきやすいという問題もあった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は表面保護層を
用いることにより長寿命の有機光起電力素子を提供する
ことを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するため、鋭意検討した結果、素子の保護層とし
て、気相成長法により作製された炭素及び炭素を主成分
とする膜を保護層として設けることにより、上記目的が
達成されるとの知見を得た。つまり少なくとも一方が透
光性である２つの電極の間に、整流接合を形成する電子
受容性有機物層と電子供与性有機物層の積層した構成を
持ち、さらに素子の表面に表面保護層を積層した構成を
含む光起電力素子において、該表面保護層は炭素または
炭素を主成分とする膜を設ける事により、上記目的を達
成することが判明した。さらに炭素以外に酸素、水素だ
けを含有する膜にすることにより、より接着性の高い表
面保護層を製膜できることが判明した。

【０００９】更に本発明者は、透光性である電極を設け
た基板表面に樹脂層を積層し、その上に表面保護層を設
けることにより、長期的な使用による膜の剥離に対して
充分な抵抗力を有し、上記の気相成長法により作成され
た炭素又は炭素を主成分とした膜より成る表面保護層の
接着性を向上させることができるとの知見を得た。つま
り少なくとも一方が透光性である２つの電極の間に、整
流接合を形成する電子受容性有機物層と電子供与性有機
物層の積層した構成を持ち、さらに透光性である電極を
設けた基板表面上に、樹脂層及び該樹脂層上に気相成長
法により作成された炭素又は炭素を主成分とした表面保
護層とすることにより、より接着性の高い表面保護層を
製膜できることが判明した。以下本発明の素子の構成、
作製法、使用材料等について説明する。

【００１０】本発明の請求項１に適用される電子受容性
層と電子供与性層の整流接合を有し、表面に保護層を持
つ光起電力素子の構成としては図１〜８に例示されるも
のがある。図１において支持体は背面電極側にあっても
よい。この場合は、透明電極上に表面保護層を設ける。
また、電子受容性層と電子供与性層の順が逆であっても
よい。さらに異なる構成として図２のものが挙げられ
る。ここで支持体は背面電極側にあってもよい。この場
合は、透明電極上に表面保護層を設ける。また、電子受
容性層と電子供与性層の順が逆であってもよく、その場
合は電子供与性有機物層（２）、電子供与性有機物層
（１）、電子受容性有機物層の順となる。

【００１１】さらに異なる構成として図３のものが挙げ
られる。ここで支持体は背面電極側にあってもよい。こ
の場合は、透明電極上に表面保護層を設ける。また、電
子受容性層と電子供与性層の順が逆であってもよく、そ
の場合は、透光性ｎ型無機半導体層、電子供与性有機物
層、電子受容性有機物層の順となる。さらに異なる構成
として図４のものが挙げられる。ここで支持体は背面電
極側にあってもよい。この場合は、透明電極上に表面保
護層を設ける。また、電子受容性層と電子供与性層の順
が逆であってもよく、その場合は電子供与性有機物層
（２）、電子供与性有機物層（１）、電子受容性有機物
層、透光性ｎ型無機半導体層の順となる。

【００１２】さらに異なる構成として図５の様に素子全
体を覆う保護層も挙げられる。ここで支持体は背面電極
側にあってもよい。この場合は、透明電極上に表面保護
層を設ける。また、電子受容性層と電子供与性層の順が
逆であってもよいる。さらに異なる構成として図６のも
のが挙げられる。ここで支持体は背面電極側にあっても
よい。この場合は、透明電極上に表面保護層を設ける。
また、電子受容性層と電子供与性層の順が逆であっても
よく、その場合は電子供与性有機物層（２）、電子供与
性有機物層（１）、電子受容性有機物層の順となる。

【００１３】さらに異なる構成として図７のものが挙げ
られる。ここで支持体は背面電極側にあってもよい。こ
の場合は、透明電極上に表面保護層を設ける。また、電
子受容性層と電子供与性層の順が逆であってもよく、そ
の場合は、透光性ｎ型無機半導体層、電子供与性有機物
層、電子受容性有機物層の順となる。さらに異なる構成
として図８のものが挙げられる。ここで支持体は背面電
極側にあってもよい。この場合は、透明電極上に表面保
護層を設ける。また、電子受容性層と電子供与性層の順
が逆であってもよく、その場合は電子供与性有機物層
（２）、電子供与性有機物層（１）、電子受容性有機物
層、透光性ｎ型無機半導体層の順となる。本発明の請求
項２に適用される電子受容性有機物層と電子供与性有機
物層の整流接合を有し、表面に樹脂層及び保護層をもつ
光起電力素子の構成の例には図９〜１２に例示されるも
のがある。

【００１４】図９において支持体は背面電極側にあって
もよい。その場合は透明電極上に樹脂層を設ける。また
電子受容性有機物層と電子供与性有機物層の順が逆であ
ってもよい。さらに異なる構成として図１０のものが挙
げられる。ここで支持体は背面電極側にあってもよい。
その場合は透明電極上に樹脂層を設ける。また電子受容
性有機物層と電子供与性有機物層の順が逆であってもよ
く、その場合は透明電極側から電子供与性有機物層
（２）、電子供与性有機物層（１）、電子受容性有機物
層の順となる。さらに異なる構成として図１１のものが
挙げられる。ここで支持体は背面電極側にあってもよ
い。その場合は透明電極上に樹脂層を設ける。また電子
受容性有機物層と電子供与性有機物層の順が逆であって
もよく、その場合は透明電極側から透光性ｎ型無機半導
体層、電子供与性有機物層、電子受容性有機物層の順と
なる。

【００１５】さらに異なる構成として図１２のものが挙
げられる。ここで支持体は背面電極側にあってもよい。
その場合は透明電極上に樹脂層を設ける。また電子受容
性有機物層と電子供与性有機物層の順が逆であってもよ
く、その場合は透明電極側から電子供与性有機物層
（２）、電子供与性有機物層（１）、電子受容性有機物
層、透光性ｎ型無機半導体層の順となる。更に、図５〜
８において、素子全体を覆う保護層を用いたように、図
９〜１２においても、保護層を素子全体を覆う様にする
こともできる。

【００１６】なお、本発明において素子の構成は上記し
た構成に限定されるものではない。本発明において、有
機光起電力素子に設けられる炭素または炭素を主成分と
した膜とは、好ましくは、ＳＰ³軌道を有するダイヤモ
ンドと類似のＣ−Ｃ結合を有する膜で形成され、膜厚が
４０ｎｍ以上である方が望ましい。しかし、ＳＰ²軌道
を有するグラファイトと類似の構造を持つ膜でもかまわ
ないし、さらに非晶質性のものでもかまわない。膜組成
は炭素を主成分とし、それ以外に酸素、水素だけを含有
する方が望ましい。

【００１７】この様な膜の分光透過率を図１３に示す。
これで示すように４００ｎｍ以下の短波長光の大部分
は、表面保護層で吸収され、有機物層には到達しない。
有機物層内の電荷移動物質は大部分が短波長光以下に光
吸収端があることが多く、従って４００ｎｍ以下の短波
長光を遮光することにより、電荷移動物質の短波長光吸
収を防止でき、有機物層の連続使用による光劣化を抑制
できる。この様な膜は、一般的にスパッタリング、熱フ
ィラメントＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、グロー放電分
解法、光ＣＶＤ法、電子衝撃ＣＶＤ法等により形成され
るが、特にその製膜方法は限定されるものではない。

【００１８】本発明において使用する樹脂層とは、ポリ
エステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリブタジエン、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体、アクリル樹脂、ポリカーボ
ネート、イオン交換オレフィン共重合体、スチレンブタ
ジエンブロック共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合
体、セルロースエステル、ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂、ウレタン樹脂、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、フ
ェノール樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、キシレン
樹脂、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂等が用いられる。こ
のような膜は蒸着、スピンコート、ディッピング、スプ
レー塗工などの方法で製膜されるが、特にその製膜方法
は限定されるものではない。本発明において使用する透
明絶縁支持体としては、ガラス、プラスチックフィルム
等公知のものが用いられる。

【００１９】本発明において使用する透明電極として
は、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化イ
ンジウム等が用いられる。その好ましい厚さは１０〜１
０００ｎｍである。本発明において使用するｎ型無機半
導体層としては、酸化亜鉛、３価の金属がドープされた
酸化亜鉛、ＣｄＳ、酸化チタン、リンをドープしたアモ
ルファスシリコン等が挙げられる。この中で酸化亜鉛、
ＣｄＳ等が好ましい。厚さは１０〜１０００ｎｍが好ま
しい。本発明に使用する電子供与性有機物層または電子
供与性有機物層（１）としては、・フタロシアニン系顔料（中心金属がＣｕ，Ｚｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｍｇ等の２価のもの、無
金属フタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシアニ
ン、インジウムクロロフタロシアニン、ガリウムクロロ
フタロシアニン等のハロゲン原子が配位した３価金属の
フタロシアニン、その他バナジルフタロシアニン、チタ
ニルフタロシアニン等の酸素が配位したフタロシアニ
ン）が使用される。

【００２０】本発明に使用する電子供与性有機物層
（２）としては、電子供与性有機物層（１）に使用され
るものと異なり、・フタロシアニン系顔料（中心金属がＣｕ，Ｚｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｍｇ等の２価のもの、無
金属フタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシアニ
ン、インジウムクロロフタロシアニン、ガリウムクロロ
フタロシアニン等のハロゲン原子が配位した３価金属の
フタロシアニン、その他バナジルフタロシアニン、チタ
ニルフタロシアニン等の酸素が配位したフタロシアニ
ン）・インジゴ、チオインジゴ系顔料（ＰｉｇｍｅｎｔＢ
ｌｕｅ６６，ＰｉｇｍｅｎｔＶｉｏｌｅｔ３６
等）、キナクリドン系顔料（ＰｉｇｍｅｎｔＶｉｏｌ
ｅｔ１９，ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１２２等）、メ
ロシアニン化合物、シアニン化合物、スクアリウム化合
物等の染料、・有機電子写真感光体で用いられる電荷移動剤（ヒドラ
ゾン化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニルメタン化
合物、トリフェニルアミン化合物等）、・電気伝導性有機電荷移動錯体で用いられる電子供与性
化合物（テトラチオフルバレン、テトラフェニルテトラ
チオフラバレン等）、・導電性高分子（ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ
アニリン等）から選択される。

【００２１】これらの層は蒸着、スピンコート、ディッ
ピング、電界重合等での方法で製膜される。この中で薄
膜化、均一化には蒸着が好ましい。膜厚は電子供与性有
機物層（１）では３〜３０ｎｍが適当である。厚くなる
とＪｓｃの増大がみられず、また、薄くなるとその層自
体の光吸収効率が落ち、Ｊｓｃが低下する。電子供与性
有機物層（２）では適当な膜厚は５〜３００ｎｍであ
る。電子供与性有機物層が一層の場合は適当な膜厚は５
〜３００ｎｍである。また、本発明で用いられる背面電
極としては、Ａｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａ
ｇ等が用いられ、特にＡｕは安定で好ましい。膜厚は５
〜３００ｎｍが適当である。

【００２２】本発明において使用する電子受容性有機物
層としては、ペリレン系顔料ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ（以下ＰＲ）
１７９，ＰＲ１９０，ＰＲ１４９，ＰＲ１８９，ＰＲ１
２３，ＰｉｇｍｅｎｔＢｒｏｗｎ２６等ペリノン系顔料ＰｉｇｍｅｎｔＯｒａｎｇｅ４
３，ＰＲ１９４等アントラキノン系顔料ＰＲ１６８，ＰＲ１７７，Ｖａ
ｔＹｅｌｌｏｗ４等フラバンスロン等の含キノン黄色顔料クリスタルバイオレット、メチルバイオレット、マラカ
イトグリーン等の染料を挙げることができる。これらは
蒸着、スピンコート、ディッピングにて製膜される。薄
膜化、均一化には蒸着が好ましい。膜厚は１０〜３００
ｎｍが好ましい。表面保護層の膜組成の分析する方法
は、ＸＰＳ、ＡＥＳ、ＳＩＭＳ等の測定法を用いる。

【００２３】

【実施例】以下に実施例を示し、本発明に更に詳細に説
明する。実施例１よく洗浄したＩＴＯガラス（松崎真空製、３０Ω／□）
上に基板温度約３００℃で、導入ガスとしてアルゴンを
用い、ＤＣマグネトロンスパッタ法で、酸化亜鉛を約１
３０ｎｍの厚さで設けた。その上に、真空蒸着法で電子
受容性物質であるペリレンテトラカルボン酸ビスメチル
イミド（ＰＬ−ＭＥ）を約４０ｎｍの厚さで、次いで電
子供与性物質である銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を約
１５ｎｍの厚さで設け、更に２，９−ジメチルキナクリ
ドン（ＱＡ−ＭＥ）を約３０ｎｍの厚さで設けた。その
上に金を真空蒸着し、更に表面保護層として、プラズマ
ＣＶＤ法により製膜し、素子とした。プラズマＣＶＤ法
の製膜条件は、次に示す。

【００２４】反応ガス：Ｃ₂Ｈ₄／Ｈ₂／ＮＦ₃ ガス流量：９０ｓｃｃｍ／２００ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃ
ｍ反応圧：０．０１ＴｏｒｒＲＦ出力：１００Ｗこの膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、酸素、水素以外に窒素、フッ素を含有してい
た。

【００２５】この素子のＩＴＯ側に７５ｍＷ／ｃｍ²の
白色光を照射しながら、６ｍＶ／ｓで掃印される電圧を
印加して変換効率を測定した。そして擬似太陽光照射下
（Ａ．Ｍ．１．５、７５ｍＷ／ｃｍ²）で５日間放置
後、同様の測定を行った。結果を表１に示す。また、こ
の素子を（４０℃、９０％）で光を照射せずに放置し、
テープ剥離試験を行った結果、表面層の局部的な剥離が
起こるまで、５日間かかった。

【００２６】実施例２よく洗浄したＩＴＯガラス（松崎真空製、３０Ω／□）
上に基板温度約３００℃で、導入ガスとしてアルゴンを
用い、ＤＣマグネトロンスパッタ法で、酸化亜鉛を約１
３０Ａの厚さで設けた。その上に、真空蒸着法で電子受
容性物質であるペリレンテトラカルボン酸ビスメチルイ
ミド（ＰＬ−ＭＥ）を約４０ｎｍの厚さで、次いで電子
供与性物質であるインジウムクロロフタロシアニン（Ｉ
ｎＣｌＰｃ）を約５０ｎｍの厚さで設けた。その上に金
を真空蒸着し、更に表面保護層として、プラズマＣＶＤ
法により製膜し、素子とした。プラズマＣＶＤ法の製膜
条件は、次に示す。反応ガス：Ｃ₂Ｈ₄ ガス流量：１００ｓｃｃｍ反応圧：０．０１ＴｏｒｒＲＦ出力：７０Ｗこの膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、酸素、水素だけであった。高温高湿状態（４
０℃、９０％）で光を照射せずに放置し、テープ剥離試
験を行った結果、表面層の局部的な剥離が起こるまで、
１５日間かかった。

【００２７】比較例１表面保護層を設けないこと以外は全て実施例１と同様に
して測定を行った。測定結果を表１に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】実施例３よく洗浄したＩＴＯガラス（松崎真空製、３０Ω／□）
上に基板温度約３００℃で、導入ガスとしてアルゴンを
用い、ＤＣマグネトロンスパッタ法で、酸化亜鉛を約１
３０ｎｍの厚さで設けた。その上に、真空蒸着法で電子
受容性物質であるペリレンテトラカルボン酸ビスメチル
イミド（ＰＬ−ＭＥ）を約４０ｎｍの厚さで、次いで電
子供与性物質である銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を約
１５ｎｍの厚さで設け、更に２，９−ジメチルキナクリ
ドン（ＱＡ−ＭＥ）を約３０ｎｍの厚さで設けた。その
上に金を真空蒸着し、樹脂層として塩素化ポリプロピレ
ン（ハードレン、東洋化成工業社製）をＴＨＦ溶媒を用
いスプレー塗工し、さらに表面保護層として、プラズマ
ＣＶＤ法により炭素を主成分とする膜を製膜し、素子と
した。プラズマＣＶＤ法の製膜条件は、次に示す。反応ガス：Ｃ₂Ｈ₄／Ｈ₂／ＮＦ₃ ガス流量：９０ｓｃｃｍ／２００ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃ
ｍ反応圧：０．０１ＴｏｒｒＲＦ出力：１００Ｗこの素子のＩＴＯ側に７５ｍＷ／ｃｍ²の白色光を照射
しながら、６ｍＶ／ｓで掃印される電圧を印加して変換
効率を測定した。そして擬似太陽光照射下（Ａ．Ｍ．
１．５、７５ｍＷ／ｃｍ²）で５日間放置後、同様の測
定を行った。結果を表２に示す。また、この素子を（５
０℃、９０％）で放置し、テープ剥離試験を行った結
果、表面保護層の剥離が起こるまで、２０日間かかっ
た。

【００３０】実施例４樹脂層を塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重
合体（エスレックＭ、積水化学社製）をスピンコートで
製膜する以外は全て実施例３と同じにして素子を作成
し、同様な測定及び剥離試験を行った。測定結果を表２
に示す。剥離試験においては表面保護層が剥離するまで
に、２５日間かかった。

【００３１】比較例２表面保護層を設けないこと以外は全て実施例３と同様に
して測定を行った。測定結果を表２に示す。

【００３２】

【表２】

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、有機光起電力素子の透
光性の電極を設けた基板表面に気相成長法により作成し
た炭素または炭素を主成分とする表面保護層を設けるこ
とにより、耐環境性に優れた長寿命の素子を提供でき
る。又、炭素または炭素を主成分とする表面保護層の膜
組成を炭素を主成分とし、それ以外に酸素、水素だけを
含有する膜とすることにより、さらに基板表面と表面保
護層の間に樹脂層を設けることにより、長期的な使用に
よる膜の剥離に対して充分な抵抗力を有し、表面保護層
の接着性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例の説明図である。

【図２】本発明の他の実施例の説明図である。

【図３】本発明の他の実施例の説明図である。

【図４】本発明の他の実施例の説明図である。

【図５】本発明の他の実施例の説明図である。

【図６】本発明の他の実施例の説明図である。

【図７】本発明の他の実施例の説明図である。

【図８】本発明の他の実施例の説明図である。

【図９】本発明の他の実施例の説明図である。

【図１０】本発明の他の実施例の説明図である。

【図１１】本発明の他の実施例の説明図である。

【図１２】本発明の他の実施例の説明図である。

【図１３】本発明の表面保護層の分光透過率を示すグラ
フである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方が透光性である２つの電
極の間に、整流接合を形成する電子受容性有機物層と電
子供与性有機物層の積層した構成を持ち、さらに透光性
である電極を設けた基板表面に表面保護層を積層した構
成を含む光起電力素子において、該表面保護層は気相成
長法により作成された炭素又は炭素を主成分とした膜よ
り成ることを特徴とする有機光起電力素子。
【請求項２】少なくとも一方が透光性である２つの電
極の間に、整流接合を形成する電子受容性有機物層と電
子供与性有機物層の積層した構成を持ち、さらに透光性
である電極を設けた基板表面に樹脂層及び表面保護層を
積層した構成を含む光起電力素子において、該表面保護
層は気相成長法により作成された炭素又は炭素を主成分
とした膜より成ることを特徴とする有機光起電力素子。
【請求項３】上記表面保護層の膜組成は、炭素を主成
分とし、それ以外に酸素、水素だけを含有する膜からな
る事を特徴とする請求項１又は２記載の有機光起電力素
子。