JP5588338B2

JP5588338B2 - 電気化学デバイス

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Publication number: JP5588338B2
Application number: JP2010505606A
Authority: JP
Inventors: 直人萩原; 克英石田; 和志八幡; 元輝小林
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2008-03-18
Filing date: 2009-03-16
Publication date: 2014-09-10
Anticipated expiration: 2029-03-16
Also published as: CN102037529A; EP2276043A1; CN102037529B; EP2276043B1; JPWO2009119465A1; US20110056737A1; KR101146343B1; EP2276043A4; KR20110021731A; US8536465B2; WO2009119465A1

Description

本発明は、蓄電素子を封入したパッケージを備える電気化学デバイスに関する。

電気化学デバイス、例えば電気二重層キャパシタやリチウムイオンキャパシタやレドックスキャパシタやリチウムイオン電池等には、フィルムが重なり合う部分をシールして形成された封止部を有するパッケージを備えたものが存在する。
例えば、前記に該当する電気二重層キャパシタは、正極側電極と負極側電極とをセパレータを介して順次積層して構成された蓄電素子と、蓄電素子の正極側電極に電気的に接続された正極端子の一端部と、蓄電素子の負極側電極に電気的に接続された負極端子の一端部と、電解液とを、フィルムから成るパッケージに封入すると共に、正極端子の他端部と負極端子の他端部をパッケージから導出した構造を備えている。前記パッケージには、例えばプラスチック製の保護層と金属製のバリア層とプラスチック製のシール層を順に有するラミネートフィルムが用いられており、該パッケージは、例えば所定サイズの１枚の矩形フィルムをその中央で折り曲げてからフィルムが重なり合う３辺部分をシールして封止することにより形成されている。
先に例示した電気二重層キャパシタを含む電気化学デバイスの近年における小型化に伴い、該電気化学デバイスを一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望、換言すれば、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応可能な電気化学デバイスの要求が高まっている。
しかし、従前の電気化学デバイスは鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応するものではないため、該電気化学デバイスを一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に答えることができない。
即ち、鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けに用いられるリフロー炉の炉内温度は最大で例えば２５０℃前後に達するため、従前の電気化学デバイスをリフロー炉に投入してリフロー半田付けを行うと、リフロー半田付け時の熱によって前記パッケージの封止部が変形を生じて封止力が低減し、該熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液が該封止部から漏出する等の不具合を生じ得る。
特開２００６−２１０２０１

本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気化学デバイスを提供することを目的とする。

前記目的を達成するため、本発明は、半田付けにより実装して用いられる電気化学デバイスであって、フィルムで構成され、フィルムが重なり合う部分をシールして形成された封止部を有するパッケージと、該パッケージ内に封入された蓄電素子と、前記フィルムよりも高い剛性を有し、且つ、前記パッケージの少なくとも封止部の全体を覆う支持体と、を備えている。
この電気化学デバイスによれば、前記パッケージの少なくとも封止部の全体が前記フィルムよりも高い剛性を有する支持体によって覆われているので、リフロー半田付け時の熱による封止部の変形及び封止力の低減を該支持体によって抑止することができると共に、該熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液が該封止部から漏出する等の不具合を確実に回避することができる。
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気化学デバイスを提供することができ、該電気化学デバイスを一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。

本発明によれば、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気化学デバイスを提供することができる。
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。

図１は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第１実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
図２は図１のａ１−ａ１線に沿う縦断面図である。
図３は図１のａ２−ａ２線に沿う縦断面図である。
図４は図２のＡ部の詳細図である。
図５は第１実施形態における封止部の第１の形状変形例及び第２の形状変形例をそれぞれ示す部分縦断面図と、支持体の第１の形状変形例及び第２の形状変形例をそれぞれ示す部分縦断面図である。
図６は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第２実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
図７は図６のｂ１−ｂ１線に沿う縦断面図である。
図８は図６のｂ２−ｂ２線に沿う縦断面図である。
図９は第２実施形態における支持体の第１の形状変形例及び第２の形状変形例をそれぞれ示す部分縦断面図である。
図１０は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第３実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
図１１は図１０のｃ１−ｃ１線に沿う縦断面図である。
図１２は図１０のｃ２−ｃ２線に沿う縦断面図である。
図１３は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第４実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
図１４は図１３のｄ１−ｄ１線に沿う縦断面図である。
図１５は図１３のｄ２−ｄ２線に沿う縦断面図である。
図１６は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第５実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
図１７は図１６のｅ１−ｅ１線に沿う縦断面図である。
図１８は図１６のｅ２−ｅ２線に沿う縦断面図である。
図１９は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第６実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
図２０は図２２のｆ１−ｆ１線に沿う縦断面図である。
図２１は図２２のｆ２−ｆ２線に沿う縦断面図である。
図２２は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第７実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
図２３は図２４のｇ１−ｇ１線に沿う縦断面図である。
図２４は図２４のｇ２−ｇ２線に沿う縦断面図である。

１０−１，１０−２，１０−３，１０−４，１０−５，１０−６，１０−７電気二重層キャパシタ
１１蓄電素子
１２正極端子
１３負極端子
１４パッケージ
１４ａ１〜１４ａ３，１４ｂ，１４ｃ封止部
１５電解液
１６，１６−１，１６−２支持体
１７，１７−１，１７−２支持体
１８パッケージ
１８ａ１〜１８ａ３封止部
１９支持体
２０支持体
２１パッケージ
２１ａ１〜２１ａ３封止部
２２支持体
２３パッケージ
２３ａ１〜２３ａ４封止部
２４支持体
２５支持体

［第１実施形態］
図１〜図４は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第１実施形態を示す。図１は電気二重層キャパシタの上面図、図２は図１のａ１−ａ１線に沿う縦断面図、図３は図１のａ２−ａ２線に沿う縦断面図、図４は図２のＡ部の詳細図である。
本第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１は、蓄電素子１１と、１対の端子（正極端子１２及び負極端子１３）と、パッケージ１４と、電解液１５と、支持体１６と、を備えている。
蓄電素子１１は、正極側電極（符号無し）と負極側電極（符号無し）とをセパレータ１１ｅを介して交互に積層して構成されている。正極側電極は、正極用分極性電極１１ａと正極用分極性電極１１ａに重ねられた正極用集電体１１ｂとから成る。また、負極側電極（符号無し）は、負極用分極性電極１１ｃと負極用分極性電極１１ｃに重ねられた負極用集電体１１ｄとから成る。また、各正極用集電体１１ｂの端にはそれぞれ接続片１１ｂ１（図示省略）が設けられており、同様に、各負極用集電体１１ｄの端にはそれぞれ接続片１１ｄ１が設けられている。
図２には図示の便宜上、正極側電極と負極側電極とセパレータ１１ｅとから成るユニットを実質的に３つ重ねたものを示してあるが、重ねられるユニットの数は４つ以上、或いは、１つであっても良い。また、蓄電素子１１の最上層及び最下層にそれぞれ集電体１１ｂ，１１ｄを配置したものを示してあるが、製造プロセス等の関係から最上層及び最下層の外側に分極性電極やセパレータが付加されても良い。
正極端子１２と負極端子１３は、アルミニウム等の金属から短冊状に形成されている。正極端子１２はその一端部が蓄電素子１１の接続片１１ｂ１に電気的に接続されている。また、負極端子１３はその一端部が蓄電素子１１の接続片１１ｄ１に電気的に接続されている。
パッケージ１４は、後述のフィルムから輪郭が矩形になるように形成されており、その３辺（図１中の右辺と上辺と下辺）に帯状の封止部１４ａ１〜１４ａ３を連続して有している。図２から分かるように、蓄電素子１１と正極端子１２の一端部と負極端子１３の一端部と電解液１５はパッケージ１４に封入されており、正極端子１２の他端部と負極端子１３の他端部はパッケージ１４の封止部１４ａ１から導出されている。電解液１５の封入に関しては、パッケージ１４を形成する前に蓄電素子１１に電解液１５を予め含浸させる方法の他、パッケージ１４を形成した後に、パッケージ１４に予め形成した孔を通じてその内側に電解液１５を充填してから孔を塞ぐ方法等が採用できる。
パッケージ１４を形成するためのフィルムには、例えば（Ｅ１）ナイロン等のプラスチックから成る保護層Ｌ１と、アルミニウム等の金属またはＡｌ_２Ｏ_３等の金属酸化物から成るバリア層Ｌ２と、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックから成る絶縁層Ｌ３と、ポリプロピレン等のプラスチックから成るシール層Ｌ４とを順に有するラミネートフィルム（図４参照）、（Ｅ２）前記Ｅ１のラミネートフィルムにおけるシール層Ｌ４を外周縁のみに設けたラミネートフィルム、等が好ましく使用できる。勿論、（Ｅ３）前記Ｅ１のラミネートフィルムから絶縁層Ｌ３を除外してシール層Ｌ４を十分に厚くしたラミネートフィルムや、（Ｅ４）十分な厚さを有するシール層Ｌ４のみとした非ラミネートフィルム、等を用いることも可能である。
因みに、前記Ｅ１，Ｅ２のラミネートフィルムにおけるバリア層Ｌ２は、パッケージ１４からの電解液１５の漏出を防止したり、パッケージ１４への水分の浸入を防止する等の役目を果たす。また、絶縁層Ｌ３は、例えばヒートシール等によってシール層Ｌ４が溶融した場合でもバリア層Ｌ２が蓄電素子１１に接触することを防止する役目を果たす。
また、パッケージ１４を前記Ｅ１〜Ｅ３のラミネートフィルム及び前記Ｅ４の非ラミネートフィルムから形成する方法には、例えば（Ｅ１１）所定サイズの１枚の矩形フィルムを用意し、矩形のフィルムのシール層側に蓄電素子１１等を配置した後、矩形のフィルムをその中央で折り曲げてからシール層が重なり合う３辺部分をヒートシール等によりシールして封止する方法、等が好ましく採用できる。シールとしては、ヒートシール、機械的圧着によるシール、電子線照射により硬化させるシール、その他各種方法を用いることができる。また、シールをするためのエネルギーとしては、光、電磁波、熱、機械的圧縮等が挙げられる。また、シールのメカニズムとしては、硬化性、可塑性、粘着性等が挙げられる。
支持体１６は、後述の材料から前記パッケージ１４の封止部１４ａ１〜１４ａ３と封止部が存しない１辺と片面（下面）とを連続して覆うように形成されている。この支持体１６はパッケージ１４を構成するフィルムよりも高い剛性を有する。図１〜図３から分かるように、支持体１６の上面形状は矩形枠状であり、パッケージ１４の上面の４辺を除いた部分は露出している。また、図２及び図３から分かるように、パッケージ１４の封止部１４ａ１〜１４ａ３は各々の全体が支持体１６により密着状態で覆われている。さらに、図２から分かるように、パッケージ１４の封止部１４ａ１から導出された正極端子１２及び負極端子１３の基端部も支持体１６によって密着状態で覆われており、正極端子１２及び負極端子１３の先端部は支持体１６から外部に突出している。
支持体１６を形成するための材料には、例えば（Ｅ２１）アルミナ等のセラミックス、（Ｅ２２）表面を絶縁処理した金属、特に合金や冷間圧延したアルミニウム等の金属、（Ｅ２３）エポキシ樹脂やアラミド樹脂やポリイミド樹脂等のプラスチック、等が好ましく使用できる。勿論、先に述べた剛性を有するものであれば、これら以外の材料を用いることも可能である。剛性の測定方法としては、例えばＪＩＳＫ７１０６が挙げられる。
また、支持体１６を前記Ｅ２１〜Ｅ２３の材料から形成する方法には、例えば（Ｅ３１）支持体１６に対応した形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端部が突出するようにパッケージ１４を挿入した後、該キャビティ内に流動性材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出す方法、（Ｅ３２）図１〜図３に示した支持体１６を封止部１４ａ１〜１４ａ３を境にして上下に２分割したようなブロックを予め形成し、これら２つのブロックでパッケージ１４を挟み込んで互いを結合させる方法、等が好ましく採用できる。
ここで、電気二重層キャパシタ１０−１を、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板に実装する方法例について説明する。
電気二重層キャパシタ１０−１を回路基板（図示省略）に実装するに際しては、支持体１６から突出する正極端子１２及び負極端子１３の先端部を各々に対応した回路基板のランド（図示省略）それぞれに半田ペーストを介して配置すると共に支持体１６を回路基板に配置する。
支持体１６を回路基板に配置した状態で正極端子１２及び負極端子１３の先端部の下面高さが各ランドの上面高さと食い違う場合には、正極端子１２及び負極端子１３の先端部を配置前に適宜折り曲げて高さ調整を行っておく。
そして、電気二重層キャパシタ１０−１が配置された回路基板をリフロー炉に投入する。半田付け箇所（正極端子１２及び負極端子１３の先端部）はリフロー炉を通過する過程でリフロー炉の炉内雰囲気に直接晒されて所定温度（例えば２５０℃前後）に加熱され、正極端子１２及び負極端子１３の先端部が半田を介して各ランドに接続される。
パッケージ１４の封止部１４ａ１〜１４ａ３は各々の全体が、パッケージ１４を構成するフィルムよりも高い剛性を有する支持体１６によって密着状態で覆われているので、リフロー半田付け時の熱による封止部１４ａ１〜１４ａ３の変形及び封止力の低減を支持体１６によって抑止することができると共に、熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５が封止部１４ａ１〜１４ａ３から漏出する等の不具合を確実に回避することができる。
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０−１を提供することができ、電気二重層キャパシタ１０−１を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。
また、支持体１６はパッケージ１４の封止部１４ａ１〜１４ａ３と封止部が存しない１辺と片面（下面）とを連続して覆うように形成されており、しかも、支持体１６は、パッケージ１４を構成するフィルムよりも高い剛性を有するため、支持体１６によって電気二重層キャパシタ１０−１のハンドリング等を容易に行うことができる。
図５（Ａ）は封止部１４ａ１〜１４ａ３の第１の形状変形例を示す。同図に示した封止部１４ｂは、フィルムの例えばヒートシール層が重なり合う３辺部分を例えばヒートシール等によりシールした後にその端部を上下一方側（図では下側）に折り畳んだ形状を有する。この折り畳み部分の内側にはヒートシール層が部分的に設けられ、ヒートシール層が向き合う箇所にもヒートシール層が部分的に設けられており、折り畳み部分と、ヒートシール層が向き合う箇所とは両ヒートシール層を利用してヒートシール等によりシールされている。この封止部１４ｂの形状にあっては、折り畳み部分によって封止部１４ｂの強度補助が施されている。
また、図５（Ｂ）は封止部１４ａ１〜１４ａ３の第２の形状変形例を示す。同図に示した封止部１４ｃは、フィルムの例えばヒートシール層が重なり合う３辺部分を例えばヒートシール等によりシールした後にその一方側（図では上側）の延長端を上下一方側（図では下側）に折り畳んで封止部を包み込んだ形状を有する。この折り畳み部分の内側には例えばヒートシール層が存し、該ヒートシール層が向き合う箇所にヒートシール層が部分的に設けられており、折り畳み部分とヒートシール層が向き合う箇所とは両ヒートシール層を利用して例えばヒートシール等によりシールされている。この封止部１４ｃの形状にあっては、折り畳み部分によって封止部１４ｃの強度補助が施されている。
さらに、図５（Ｃ）は図５（Ａ）の封止部１４ｂの形状を採用した場合における支持体１６の第１の形状変形例を示す。同図に示した支持体１６−１は封止部１４ｂの折り畳み部分（ほぼ中央から下側の部分）を主に覆っており、封止部１４ｂの上面側は支持体１６−１から露出している。この支持体１６−１は支持体１６のように封止部全体を覆うものではないが、図５（Ａ）の封止部１４ｂの形状にあってはこのような被覆形態を支持体に採用しても同様の効果を得ることができる。
さらに、図５（Ｄ）は図５（Ｂ）の封止部１４ｄの形状を採用した場合における支持体１６の第２の形状変形例を示す。同図に示した支持体１６−２は封止部１４ｃの折り畳み部分（ほぼ中央から下側の部分）を主に覆っており、封止部１４ｃの上面側は支持体１６−２から露出している。この支持体１６−２は支持体１６のように封止部全体を覆うものではないが、図５（Ｂ）の封止部１４ｃの形状にあってはこのような被覆形態を支持体に採用しても同様の効果を得ることができる。
［第２実施形態］
図６〜図８は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第２実施形態を示す。図６は電気二重層キャパシタの上面図、図７は図６のｂ１−ｂ１線に沿う縦断面図、図８は図６のｂ２−ｂ２線に沿う縦断面図である。
本第２実施形態の電気二重層キャパシタ１０−２が、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１と構成を異にするところは、支持体１７の全体形状にある。他の構成は第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１と同じであるので、同一符号を引用してその説明を省略する。
支持体１７は、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１の支持体１６と同様の材料からパッケージ１４の封止部１４ａ１〜１４ａ３のみを連続して覆うように形成されている。この支持体１７はパッケージ１４を構成するフィルムよりも高い剛性を有する。図６〜図８から分かるように、支持体１６の上面形状はコ形状であり、パッケージ１４の封止部が存しない１辺と、下面及び上面の３辺を除いた部分は露出している。また、図７及び図８から分かるように、パッケージ１４の封止部１４ａ１〜１４ａ３は各々の全体が支持体１７により密着状態で覆われている。さらに、図７から分かるように、パッケージ１４の封止部１４ａ１から導出された正極端子１２及び負極端子１３の基端部も支持体１７によって密着状態で覆われており、正極端子１２及び負極端子１３の先端部は支持体１７から外部に突出している。
支持体１７を前記Ｅ２１〜Ｅ２３の材料から形成する方法には、例えば（Ｅ４１）支持体１７に対応した形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端部が突出するようにパッケージ１４を挿入した後、キャビティ内に流動性材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出す方法、（Ｅ４２）図６〜図８に示した支持体１７を封止部１４ａ１〜１４ａ３を境にして上下に２分割したようなブロックを予め形成し、これら２つのブロックでパッケージ１４を挟み込んで互いを結合させる方法、等が好ましく採用できる。
ここで、前記電気二重層キャパシタ１０−２を、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板に実装する方法例について説明する。
電気二重層キャパシタ１０−２を回路基板（図示省略）に実装するに際しては、支持体１７から突出する正極端子１２及び負極端子１３の先端部を各々に対応した回路基板のランド（図示省略）それぞれに半田ペーストを介して配置すると共にパッケージ１４を回路基板に配置する。
パッケージ１４を回路基板に配置した状態で正極端子１２及び負極端子１３の先端部の下面高さが各ランドの上面高さと食い違う場合には、正極端子１２及び負極端子１３の先端部を配置前に適宜折り曲げて高さ調整を行っておく。
そして、電気二重層キャパシタ１０−２が配置された回路基板をリフロー炉に投入する。半田付け箇所（正極端子１２及び負極端子１３の先端部）はリフロー炉を通過する過程でリフロー炉の炉内雰囲気に直接晒されて所定温度（例えば２５０℃前後）に加熱され、正極端子１２及び負極端子１３の先端部が半田を介して各ランドに接続される。
パッケージ１４の封止部１４ａ１〜１４ａ３は各々の全体が、パッケージ１４を構成するフィルムよりも高い剛性を有する支持体１７によって密着状態で覆われているので、リフロー半田付け時の熱による封止部１４ａ１〜１４ａ３の変形及び封止力の低減を該支持体１７によって抑止することができると共に、熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５が封止部１４ａ１〜１４ａ３から漏出する等の不具合を確実に回避することができる。
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０−２を提供することができ、電気二重層キャパシタ１０−２を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。
また、支持体１７はパッケージ１４の封止部１４ａ１〜１４ａ３のみを連続して覆うように形成されており、しかも、支持体１７はパッケージ１４を構成するフィルムよりも高い剛性を有するため、支持体１７によって電気二重層キャパシタ１０−２のハンドリング等を容易に行うことができる。
尚、パッケージ１４の封止部１４ａ１〜１４ａ３には、第１実施形態の欄の最後に説明した、図５（Ａ）に示した封止部１４ｂの形状と、図５（Ｂ）に示した封止部１４ｃの形状が適宜採用できる。
図９（Ａ）は図５（Ａ）の封止部１４ｂの形状を採用した場合における支持体１７の第１の形状変形例を示す。同図に示した支持体１７−１は封止部１４ｂの折り畳み部分（ほぼ中央から下側の部分）を主に覆っており、封止部１４ｂの上面側は支持体１７−１から露出している。この支持体１７−１は支持体１７のように封止部全体を覆うものではないが、図５（Ａ）の封止部１４ｂの形状にあってはこのような被覆形態を支持体に採用しても同様の効果を得ることができる。
また、図９（Ｂ）は図５（Ｂ）の封止部１４ｄの形状を採用した場合における支持体１７の第２の形状変形例を示す。同図に示した支持体１７−２は封止部１４ｃの折り畳み部分（ほぼ中央から下側の部分）を主に覆っており、封止部１４ｃの上面側は支持体１７−２から露出している。この支持体１７−２は支持体１７のように封止部全体を覆うものではないが、図５（Ｂ）の封止部１４ｃの形状にあってはこのような被覆形態を支持体に採用しても同様の効果を得ることができる。
［第３実施形態］
図１０〜図１２は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第３実施形態を示す。図１０は電気二重層キャパシタの上面図、図１１は図１０のｃ１−ｃ１線に沿う縦断面図、図１２は図１０のｃ２−ｃ２線に沿う縦断面図である。
本第２実施形態の電気二重層キャパシタ１０−３が、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１と構成を異にするところは、パッケージ１８の全体形状と、支持体１９の全体形状にある。他の構成は第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１と同じであるので、同一符号を引用してその説明を省略する。
パッケージ１８は、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１のパッケージ１４と同様のフィルムから輪郭が矩形になるように形成されており、その３辺（図１０の右辺と上辺と左辺）に帯状の封止部１８ａ１〜１８ａ３を連続して有している。蓄電素子１１と正極端子１２の一端部と負極端子１３の一端部と電解液１５はパッケージ１８に封入されており、正極端子１２の他端部と負極端子１３の他端部はパッケージ１８の封止部１８ａ１から導出されている。電解液１５の封入に関しては、パッケージ１８を形成する前に蓄電素子１１に電解液１５を予め含浸させる方法の他、パッケージ１８を形成した後に、パッケージ１８に予め形成した孔を通じてその内側に電解液１５を充填してから孔を塞ぐ方法等が採用できる。
パッケージ１８を前記Ｅ１〜Ｅ３のラミネートフィルム及び前記Ｅ４の非ラミネートフィルムから形成する方法には、例えば（Ｅ５１）所定サイズの１枚の矩形のフィルムを用意し、矩形のフィルムのシール層側に蓄電素子１１等を配置した後、矩形のフィルムをその中央で折り曲げてからフィルムの例えばヒートシール層が重なり合う３辺部分をヒートシール等によりシールして封止する方法、等が好ましく採用できる。
支持体１９は、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１の支持体１６と同様の材料からパッケージ１８の封止部１８ａ１〜１８ａ３と封止部が存しない１辺と片面（下面）とを連続して覆うように形成されている。この支持体１９はパッケージ１８を構成するフィルムよりも高い剛性を有する。図１０〜図１２から分かるように、支持体１９の上面形状は矩形枠状であり、パッケージ１８の上面の４辺を除いた部分は露出している。また、図１１及び図１２から分かるように、パッケージ１８の封止部１８ａ１〜１８ａ３は各々の全体が支持体１９により密着状態で覆われている。さらに、図１１から分かるように、パッケージ１８の封止部１８ａ１から導出された正極端子１２及び負極端子１３の基端部も支持体１９によって密着状態で覆われており、正極端子１２及び負極端子１３の先端部は支持体１９から外部に突出している。
支持体１９を前記Ｅ２１〜Ｅ２３の材料から形成する方法には、例えば（Ｅ６１）支持体１９に対応した形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端部が突出するようにパッケージ１８を挿入した後、キャビティ内に流動性材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出す方法、（Ｅ６２）図１０〜図１２に示した支持体１９を封止部１８ａ１〜１８ａ３を境にして上下に２分割したようなブロックを予め形成し、これら２つのブロックでパッケージ１８を挟み込んで互いを結合させる方法、等が好ましく採用できる。
ここで、電気二重層キャパシタ１０−３を、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板に実装する方法例について説明する。
電気二重層キャパシタ１０−３を回路基板（図示省略）に実装するに際しては、支持体１９から突出する正極端子１２及び負極端子１３の先端部を各々に対応した回路基板のランド（図示省略）それぞれに半田ペーストを介して配置すると共に支持体１９を回路基板に配置する。
支持体１９を回路基板に配置した状態で正極端子１２及び負極端子１３の先端部の下面高さが各ランドの上面高さと食い違う場合には、正極端子１２及び負極端子１３の先端部を配置前に適宜折り曲げて高さ調整を行っておく。
そして、電気二重層キャパシタ１０−３が配置された回路基板をリフロー炉に投入する。半田付け箇所（正極端子１２及び負極端子１３の先端部）はリフロー炉を通過する過程でリフロー炉の炉内雰囲気に直接晒されて所定温度（例えば２５０℃前後）に加熱され、正極端子１２及び負極端子１３の先端部が半田を介して各ランドに接続される。
パッケージ１８の封止部１８ａ１〜１８ａ３は各々の全体がパッケージ１８を構成するフィルムよりも高い剛性を有する支持体１９によって密着状態で覆われているので、リフロー半田付け時の熱による封止部１８ａ１〜１８ａ３の変形及び封止力の低減を該支持体１９によって抑止することができると共に、熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５が封止部１８ａ１〜１８ａ３から漏出する等の不具合を確実に回避することができる。
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０−３を提供することができ、電気二重層キャパシタ１０−３を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。
また、支持体１９はパッケージ１８の封止部１８ａ１〜１８ａ３と封止部が存しない１辺と片面（下面）とを連続して覆うように形成されており、しかも、支持体１９は、パッケージ１８を構成するフィルムよりも高い剛性を有するため、支持体１９によって電気二重層キャパシタ１０−３のハンドリング等を容易に行うことができる。
尚、パッケージ１８の封止部１８ａ１〜１８ａ３には、第１実施形態の欄の最後に説明した、図５（Ａ）に示した封止部１４ｂの形状と、図５（Ｂ）に示した封止部１４ｃの形状が適宜採用できる。
また、図５（Ａ）の封止部１４ｂの形状を採用した場合における支持体１９には、第１実施形態の欄の最後に説明した、図５（Ｃ）に示した支持体１６−１の形状及び被覆形態が適宜採用でき、また、図５（Ｂ）の封止部１４ｃの形状を採用した場合における支持体１９には、第１実施形態の欄の最後に説明した、図５（Ｄ）に示した支持体１６−２の形状及び被覆形態が適宜採用できる。
［第４実施形態］
図１３〜図１５は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第４実施形態を示す。図１３は電気二重層キャパシタの上面図、図１４は図１３のｄ１−ｄ１線に沿う縦断面図、図１５は図１３のｄ２−ｄ２線に沿う縦断面図である。
本第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０−４が、第３実施形態の電気二重層キャパシタ１０−３と構成を異にするところは、支持体２０の全体形状にある。他の構成は第３実施形態の電気二重層キャパシタ１０−３と同じであるので、同一符号を引用してその説明を省略する。
支持体２０は、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１の支持体１６と同様の材料からパッケージ１８の封止部１８ａ１〜１８ａ３のみを連続して覆うように形成されている。この支持体２０はパッケージ１８を構成するフィルムよりも高い剛性を有する。図１３〜図１５から分かるように、支持体２０の上面形状はコ形状であり、パッケージ１８の封止部が存しない１辺と、下面及び上面の３辺を除いた部分は露出している。また、図１４及び図１５から分かるように、パッケージ１８の封止部１８ａ１〜１８ａ３は各々の全体が支持体２０により密着状態で覆われている。さらに、図１４から分かるように、パッケージ１８の封止部１８ａ１から導出された正極端子１２及び負極端子１３の基端部も支持体２０によって密着状態で覆われており、正極端子１２及び負極端子１３の先端部は支持体２０から外部に突出している。
支持体２０を前記Ｅ２１〜Ｅ２３の材料から形成する方法には、例えば（Ｅ７１）支持体２０に対応した形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端部が突出するようにパッケージ１８を挿入した後、キャビティ内に流動性材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出す方法、（Ｅ７２）図１３〜図１５に示した支持体２０を封止部１８ａ１〜１８ａ３を境にして上下に２分割したようなブロックを予め形成し、これら２つのブロックでパッケージ１８を挟み込んで互いを結合させる方法、等が好ましく採用できる。
ここで、電気二重層キャパシタ１０−４を、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板に実装する方法例について説明する。
電気二重層キャパシタ１０−４を回路基板（図示省略）に実装するに際しては、支持体２０から突出する正極端子１２及び負極端子１３の先端部を各々に対応した回路基板のランド（図示省略）それぞれに半田ペーストを介して配置すると共にパッケージ１８を回路基板に配置する。
パッケージ１８を回路基板に配置した状態で正極端子１２及び負極端子１３の先端部の下面高さが各ランドの上面高さと食い違う場合には、正極端子１２及び負極端子１３の先端部を配置前に適宜折り曲げて高さ調整を行っておく。
そして、電気二重層キャパシタ１０−４が配置された回路基板をリフロー炉に投入する。半田付け箇所（正極端子１２及び負極端子１３の先端部）はリフロー炉を通過する過程でリフロー炉の炉内雰囲気に直接晒されて所定温度（例えば２５０℃前後）に加熱され、正極端子１２及び負極端子１３の先端部が半田を介して各ランドに接続される。
パッケージ１８の封止部１８ａ１〜１８ａ３は各々の全体が、パッケージ１８を構成するフィルムよりも高い剛性を有する支持体２０によって密着状態で覆われているので、リフロー半田付け時の熱による封止部１８ａ１〜１８ａ３の変形及び封止力の低減を支持体２０によって抑止することができると共に、熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５が封止部１８ａ１〜１８ａ３から漏出する等の不具合を確実に回避することができる。
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０−４を提供することができ、電気二重層キャパシタ１０−４を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。
また、支持体２０はパッケージ１８の封止部１８ａ１〜１８ａ３のみを連続して覆うように形成されており、しかも、支持体２０はパッケージ１８を構成するフィルムよりも高い剛性を有するため、支持体２０によって電気二重層キャパシタ１０−４のハンドリング等を容易に行うことができる。
尚、パッケージ１８の封止部１８ａ１〜１８ａ３には、第１実施形態の欄の最後に説明した、図５（Ａ）に示した封止部１４ｂの形状と、図５（Ｂ）に示した封止部１４ｃの形状が適宜採用できる。
また、図５（Ａ）の封止部１４ｂの形状を採用した場合における支持体２０には、第２実施形態の欄の最後に説明した、図９（Ａ）に示した支持体１７−１の形状及び被覆形態が適宜採用でき、また、図５（Ｂ）の封止部１４ｃの形状を採用した場合における支持体２０には、第２実施形態の欄の最後に説明した、図９（Ｂ）に示した支持体１７−２の形状及び被覆形態が適宜採用できる。
［第５実施形態］
図１６〜図１８は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第５実施形態を示す。図１６は電気二重層キャパシタの上面図、図１７は図１６のｅ１−ｅ１線に沿う縦断面図、図１８は図１６のｅ２−ｅ２線に沿う縦断面図である。
本第５実施形態の電気二重層キャパシタ１０−５が、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１と構成を異にするところは、パッケージ２１の全体形状と、支持体２２の全体形状にある。他の構成は第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１と同じであるので、同一符号を引用してその説明を省略する。
パッケージ２１は、後述のフィルムから輪郭が矩形になるように形成されており、その相対する２辺（図１６の右辺と左辺）と片面（下面）に帯状の封止部２１ａ１〜２１ａ３を連続して有している。蓄電素子１１と正極端子１２の一端部と負極端子１３の一端部と電解液１５はパッケージ２１に封入されており、正極端子１２の他端部と負極端子１３の他端部はパッケージ２１の封止部２１ａ１から導出されている。電解液１５の封入に関しては、パッケージ２１を形成する前に蓄電素子１１に電解液１５を予め含浸させる方法の他、パッケージ２１を形成した後に、パッケージ２１に予め形成した孔を通じてその内側に電解液１５を充填してから孔を塞ぐ方法等が採用できる。
パッケージ２１を形成するためのフィルムには、例えば（Ｅ８１）前記Ｅ１のラミネートフィルムの保護層Ｌ１の１辺部分に封止部２１ａ３に対応する別のシール層を部分的に形成したラミネートフィルム、（Ｅ８２）前記Ｅ８１のラミネートフィルムにおけるシール層Ｌ４を外周縁のみに設けたラミネートフィルム、等が好ましく使用できる。勿論、（Ｅ８３）前記Ｅ８１のラミネートフィルムから絶縁層Ｌ３を除外してシール層Ｌ４を十分に厚くしたラミネートフィルムや、（Ｅ８４）十分な厚さを有するシール層Ｌ４のみとした非ラミネートフィルム、等を用いることも可能である。
また、パッケージ２１を前記Ｅ８１〜Ｅ８３のラミネートフィルム及び前記Ｅ８４の非ラミネートフィルムから形成する方法には、例えば（Ｅ９１）所定サイズの１枚の矩形のフィルムを用意し、矩形のフィルムのシール層側に蓄電素子１１等を配置した後、矩形のフィルムの両側部分を折り曲げてから片面側（下面側）でフィルムの例えばヒートシール層が重なり合う部分をヒートシール等によりシールし、そして、シール層が重なり合う２辺部分を例えばヒートシール等によりシールして封止する方法、等が好ましく採用できる。
支持体２２は、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１の支持体１６と同様の材料からパッケージ２１の封止部２１ａ１，２１ａ２と封止部が存しない２辺と片面（下面）と片面（下面）に存する封止部２１ａ３とを連続して覆うように形成されている。この支持体２２はパッケージ２１を構成するフィルムよりも高い剛性を有する。図１６〜図１８から分かるように、支持体２２の上面形状は矩形枠状であり、パッケージ２１の上面の４辺を除いた部分は露出している。また、図１７及び図１８から分かるように、パッケージ２１の封止部２１ａ１〜２１ａ３は各々の全体が支持体２２により密着状態で覆われている。さらに、図１７から分かるように、パッケージ２１の封止部２１ａ１から導出された正極端子１２及び負極端子１３の基端部も支持体２２によって密着状態で覆われており、正極端子１２及び負極端子１３の先端部は支持体２２から外部に突出している。
支持体２２を前記Ｅ２１〜Ｅ２３の材料から形成する方法には、例えば（Ｅ１０１）支持体２２に対応した形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端部が突出するようにパッケージ２１を挿入した後、キャビティ内に流動性材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出す方法、（Ｅ１０２）図１６〜図１８に示した支持体２２を封止部２１ａ１，２１ａ２を境にして上下に２分割したようなブロックを予め形成し、これら２つのブロックでパッケージ２１を挟み込んで互いを結合させる方法、等が好ましく採用できる。
ここで、電気二重層キャパシタ１０−５を、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板に実装する方法例について説明する。
電気二重層キャパシタ１０−５を回路基板（図示省略）に実装するに際しては、支持体２２から突出する正極端子１２及び負極端子１３の先端部を各々に対応した回路基板のランド（図示省略）それぞれに半田ペーストを介して配置すると共に支持体２２を回路基板に配置する。
支持体２２を回路基板に配置した状態で正極端子１２及び負極端子１３の先端部の下面高さが各ランドの上面高さと食い違う場合には、正極端子１２及び負極端子１３の先端部を配置前に適宜折り曲げて高さ調整を行っておく。
そして、電気二重層キャパシタ１０−５が配置された回路基板をリフロー炉に投入する。半田付け箇所（正極端子１２及び負極端子１３の先端部）はリフロー炉を通過する過程でリフロー炉の炉内雰囲気に直接晒されて所定温度（例えば２５０℃前後）に加熱され、正極端子１２及び負極端子１３の先端部が半田を介して各ランドに接続される。
パッケージ２１の封止部２１ａ１〜２１ａ３は各々の全体が、パッケージ２１を構成するフィルムよりも高い剛性を有する支持体２２によって密着状態で覆われているので、リフロー半田付け時の熱による封止部２１ａ１〜２１ａ３の変形及び封止力の低減を支持体２２によって抑止することができると共に、熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５が封止部２１ａ１〜２１ａ３から漏出する等の不具合を確実に回避することができる。
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０−５を提供することができ、電気二重層キャパシタ１０−５を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。
また、支持体２２はパッケージ２１の封止部２１ａ１，２１ａ２と封止部が存しない２辺と片面（下面）と該片面（下面）に存する封止部２１ａ３とを連続して覆うように形成されており、しかも、支持体２２はパッケージ２１を構成するフィルムよりも高い剛性を有するため、支持体２２によって電気二重層キャパシタ１０−５のハンドリング等を容易に行うことができる。
尚、パッケージ２１の封止部２１ａ１，２１ａ２には、第１実施形態の欄の最後に説明した、図５（Ａ）に示した封止部１４ｂの形状と、図５（Ｂ）に示した封止部１４ｃの形状が適宜採用できる。
また、図５（Ａ）の封止部１４ｂの形状を採用した場合における支持体２２には、第１実施形態の欄の最後に説明した、図５（Ｃ）に示した支持体１６−１の形状及び被覆形態が適宜採用でき、また、図５（Ｂ）の封止部１４ｃの形状を採用した場合における支持体２２には、第１実施形態の欄の最後に説明した、図５（Ｄ）に示した支持体１６−２の形状及び被覆形態が適宜採用できる。
［第６実施形態］
図１９〜図２１は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第６実施形態を示す。図１９は電気二重層キャパシタの上面図、図２０は図２２のｆ１−ｆ１線に沿う縦断面図、図２１は図２２のｆ２−ｆ２線に沿う縦断面図である。
本第６実施形態の電気二重層キャパシタ１０−６が、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１と構成を異にするところは、パッケージ２３の全体形状と、支持体２４の全体形状にある。他の構成は第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１と同じであるので、同一符号を引用してその説明を省略する。
パッケージ２３は、後述のフィルムから輪郭が矩形になるように形成されており、その４辺（図１９の右辺と左辺と上辺と下辺）に帯状の封止部２３ａ１〜２３ａ４を連続して有している。蓄電素子１１と正極端子１２の一端部と負極端子１３の一端部と電解液１５はパッケージ２３に封入されており、正極端子１２の他端部と負極端子１３の他端部はパッケージ２３の封止部２３ａ１から導出されている。電解液１５の封入に関しては、パッケージ２３を形成する前に蓄電素子１１に電解液１５を予め含浸させる方法の他、パッケージ２３を形成した後に、パッケージ２３に予め形成した孔を通じてその内側に電解液１５を充填してから孔を塞ぐ方法等が採用できる。
パッケージ２３を形成するためのフィルムには、例えば（Ｅ１１１）前記Ｅ１のラミネートフィルム（上側用）と、前記Ｅ１のラミネートフィルムの保護層Ｌ１の４辺部分に封止部２３ａ１〜２３ａ４に対応する別のシール層を部分的に形成したラミネートフィルム（下側用）との組み合わせ、（Ｅ１１２）前記Ｅ１１１の上側用ラミネートフィルムと下側用ラミネートフィルムにおけるシール層Ｌ４を外周縁のみに設けたラミネートフィルムの組み合わせ、等が好ましく使用できる。勿論、（Ｅ１１３）前記Ｅ１１１の上側用ラミネートフィルムと下側用ラミネートフィルムから絶縁層Ｌ３を除外してシール層Ｌ４を十分に厚くしたラミネートフィルムの組み合わせや、（Ｅ１１４）十分な厚さを有するシール層Ｌ４のみとした非ラミネートフィルム（上側及び下側兼用）、等を用いることも可能である。
また、パッケージ２３を前記Ｅ１１１〜Ｅ１１３のラミネートフィルム及び前記Ｅ１１４の非ラミネートフィルムから形成する方法には、例えば（Ｅ１２１）所定サイズの上側用の１枚の矩形のフィルムとこれよりもサイズが小さい下側用の１枚の矩形のフィルムを用意し、下側の矩形のフィルムのシール層側に蓄電素子１１等を配置した後、これを上側の矩形フィルムで覆い、上側の矩形フィルムの４辺を折り曲げてシール層が重なり合う部分を順次ヒートシール等によりシールして封止する方法、等が好ましく採用できる。因みに、上側の矩形のフィルムの４辺のうち封止部２３ａ１に対応する１辺を折り曲げるときには正極端子１２及び負極端子１３との干渉を避けるための切欠きを、矩形のフィルムの１辺に予め形成しておくと良い。
支持体２４は、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１の支持体１６と同様の材料からパッケージ２３の封止部２３ａ１〜２３ａ４と片面（下面）とを連続して覆うように形成されている。この支持体２４はパッケージ２３を構成するフィルムよりも高い剛性を有する。図１９〜図２１から分かるように、支持体２４の上面形状は矩形枠状であり、パッケージ２３の上面の４辺を除いた部分は露出している。また、図２０及び図２１から分かるように、パッケージ２３の封止部２３ａ１〜２３ａ４は各々の全体が支持体２４により密着状態で覆われている。さらに、図２０から分かるように、パッケージ２３の封止部２３ａ１から導出された正極端子１２及び負極端子１３の基端部も支持体２４によって密着状態で覆われており、正極端子１２及び負極端子１３の先端部は支持体２４から外部に突出している。
支持体２４を前記Ｅ２３〜Ｅ２３の材料から形成する方法には、例えば（Ｅ１３１）支持体２４に対応した形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端部が突出するようにパッケージ２３を挿入した後、キャビティ内に流動性材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出す方法、（Ｅ１３２）図１９〜図２１に示した支持体２４を封止部２３ａ１〜２３ａ４を境にして上下に２分割したようなブロックを予め形成し、これら２つのブロックでパッケージ２３を挟み込んで互いを結合させる方法、等が好ましく採用できる。
ここで、電気二重層キャパシタ１０−６を、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板に実装する方法例について説明する。
電気二重層キャパシタ１０−６を回路基板（図示省略）に実装するに際しては、支持体２４から突出する正極端子１２及び負極端子１３の先端部を各々に対応した回路基板のランド（図示省略）それぞれに半田ペーストを介して配置すると共に支持体２４を回路基板に配置する。
支持体２４を回路基板に配置した状態で正極端子１２及び負極端子１３の先端部の下面高さが各ランドの上面高さと食い違う場合には、正極端子１２及び負極端子１３の先端部を配置前に適宜折り曲げて高さ調整を行っておく。
そして、電気二重層キャパシタ１０−６が配置された回路基板をリフロー炉に投入する。半田付け箇所（正極端子１２及び負極端子１３の先端部）はリフロー炉を通過する過程でリフロー炉の炉内雰囲気に直接晒されて所定温度（例えば２５０℃前後）に加熱され、正極端子１２及び負極端子１３の先端部が半田を介して各ランドに接続される。
パッケージ２３の封止部２３ａ１〜２３ａ４は各々の全体が、パッケージ２３を構成するフィルムよりも高い剛性を有する支持体２４によって密着状態で覆われているので、リフロー半田付け時の熱による封止部２３ａ１〜２３ａ４の変形及び封止力の低減を支持体２４によって抑止することができると共に、熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５が封止部２３ａ１〜２３ａ４から漏出する等の不具合を確実に回避することができる。
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０−６を提供することができ、電気二重層キャパシタ１０−６を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。
また、支持体２４はパッケージ２３の封止部２３ａ１〜２３ａ４と片面（下面）とを連続して覆うように形成されており、しかも、支持体２４は、パッケージ２３を構成するフィルムよりも高い剛性を有するため、支持体２４によって電気二重層キャパシタ１０−６のハンドリング等を容易に行うことができる。
尚、支持体２４には、第１実施形態の欄の最後に説明した、図５（Ｄ）に示した支持体１６−２の形状及び被覆形態が適宜採用できる。
［第７実施形態］
図２２〜図２４は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第７実施形態を示す。図２２は電気二重層キャパシタの上面図、図２３は図２２のｇ１−ｇ１線に沿う縦断面図、図２４は図２２のｇ２−ｇ２線に沿う縦断面図である。
本第７実施形態の電気二重層キャパシタ１０−７が、第６実施形態の電気二重層キャパシタ１０−６と構成を異にするところは、支持体２５の全体形状にある。他の構成は第６実施形態の電気二重層キャパシタ１０−６と同じであるので、同一符号を引用してその説明を省略する。
支持体２５は、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０−１の支持体１６と同様の材料からパッケージ２３の封止部２３ａ１〜２３ａ４のみを連続して覆うように形成されている。この支持体２５は、パッケージ２３を構成するフィルムよりも高い剛性を有する。図２２〜図２４から分かるように、支持体２４の上面形状は矩形枠状であり、パッケージ２３の下面及び上面の４辺を除いた部分は露出している。また、図２３及び図２４から分かるように、パッケージ２３の封止部２３ａ１〜２３ａ４は各々の全体が、支持体２４により密着状態で覆われている。さらに、図２３から分かるように、パッケージ２３の封止部２３ａ１から導出された正極端子１２及び負極端子１３の基端部も支持体２５によって密着状態で覆われており、正極端子１２及び負極端子１３の先端部は支持体２５から外部に突出している。
支持体２５を前記Ｅ２１〜Ｅ２３の材料から形成する方法には、例えば（Ｅ１４１）支持体２５に対応した形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端部が突出するようにパッケージ２３を挿入した後、キャビティ内に流動性材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出す方法、（Ｅ１４２）図２２〜図２４に示した支持体２５を封止部２３ａ１〜２３ａ４を境にして上下に２分割したようなブロックを予め形成し、これら２つのブロックでパッケージ２３を挟み込んで互いを結合させる方法、等が好ましく採用できる。
ここで、電気二重層キャパシタ１０−７を、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板に実装する方法例について説明する。
電気二重層キャパシタ１０−７を回路基板（図示省略）に実装するに際しては、支持体２５から突出する正極端子１２及び負極端子１３の先端部を各々に対応した回路基板のランド（図示省略）それぞれに半田ペーストを介して配置すると共にパッケージ２３を回路基板に配置する。
パッケージ２３を回路基板に配置した状態で正極端子１２及び負極端子１３の先端部の下面高さが各ランドの上面高さと食い違う場合には、正極端子１２及び負極端子１３の先端部を配置前に適宜折り曲げて高さ調整を行っておく。
そして、電気二重層キャパシタ１０−７が配置された回路基板をリフロー炉に投入する。半田付け箇所（正極端子１２及び負極端子１３の先端部）はリフロー炉を通過する過程でリフロー炉の炉内雰囲気に直接晒されて所定温度（例えば２５０℃前後）に加熱され、正極端子１２及び負極端子１３の先端部が半田を介して各ランドに接続される。
パッケージ２３の封止部２３ａ１〜２３ａ４は各々の全体が、パッケージ２３を構成するフィルムよりも高い剛性を有する支持体２５によって密着状態で覆われているので、リフロー半田付け時の熱による封止部２３ａ１〜２３ａ４の変形及び封止力の低減を支持体２５によって抑止することができると共に、熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５が封止部２３ａ１〜２３ａ４から漏出する等の不具合を確実に回避することができる。
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０−７を提供することができ、電気二重層キャパシタ１０−７を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。
また、支持体２５はパッケージ２３の封止部２３ａ１〜２３ａ４のみを連続して覆うように形成されており、しかも、支持体２５は、パッケージ２３を構成するフィルムよりも高い剛性を有するため、支持体２５によって電気二重層キャパシタ１０−７のハンドリング等を容易に行うことができる。
尚、支持体２４には、第２実施形態の欄の最後に説明した、図９（Ｂ）に示した支持体１７−２の形状及び被覆形態が適宜採用できる。
［他の実施形態］
（１）第１〜第７実施形態では、電気二重層キャパシタ１０−１〜１０−７に本発明を適用したものを例示したが、同様のパッケージを備えた他の電気化学デバイス、例えばリチウムイオンキャパシタやレドックスキャパシタやリチウムイオン電池等であっても本発明を適用して同様の作用効果を得ることができる。

Claims

半田付けにより実装して用いられる電気化学デバイスであって、フィルムで構成され、フィルムが重なり合う部分をシールして形成された封止部を有するパッケージと、該パッケージ内に封入された蓄電素子及び電解液と、前記フィルムよりも高い剛性を有し、且つ、封止部から電解液の漏出を回避するように前記パッケージの少なくとも封止部の全体を覆う支持体と、を備え、前記支持体が表面を絶縁処理した金属から形成されていることを特徴とする電気化学デバイス。
前記支持体は前記パッケージの封止部の全体及び前記パッケージの片面を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学デバイス。
前記支持体は前記パッケージの封止部の全体のみを覆っていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学デバイス。
前記パッケージは輪郭が矩形を成し、前記パッケージの封止部は該矩形のパッケージの少なくとも３辺に設けられていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の電気化学デバイス。
前記パッケージは輪郭が矩形を成し、前記パッケージの封止部は該矩形のパッケージの相対する２辺および片面に設けられていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の電気化学デバイス。