JP5566403B2 - 位相差フィルム、並びに、それを用いた有機ｅｌ表示装置及び液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、位相差フィルム、並びに、それを用いた有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置に関し、より詳しくは、１／２λ板、１／４λ板、保護フィルム、反射防止フィルム等に好適に利用することが可能な位相差フィルム、並びに、それを用いた有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置に関する。

有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイ等の有機ＥＬ表示装置や、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の液晶表示装置には、光学補償を目的として光学異方性が制御された位相差フィルムが利用されており、主にポリカーボネートや環状ポリオレフィンといった材料が用いられてきた。近年では、このような環状ポリオレフィンの中でも、反応性の高いノルボルネン誘導体を前駆体とするノルボルネン系開環共重合体が注目を集めており、種々のノルボルネン系開環共重合体を利用した位相差フィルムが開発されてきた。

例えば、特開２００８−５２１１９号公報（特許文献１）においては、ｅｎｄｏ／ｅｘｏ比が調整された特定のノルボルネン誘導体から得られるノルボルネン系開環重合体を含有する逆分散性の位相差フィルムが開示されている。しかしながら、特許文献１に記載のような従来のノルボルネン系開環重合体からなる逆分散性の位相差フィルムは、耐熱性の点で必ずしも十分なものではなかった。また、特開２００５−２９００４８号公報（特許文献２）及び特開２００８−７７３３号公報（特許文献３）においては、特定のスピロ環を含有するノルボルネン誘導体を用いて得られるノルボルネン系開環共重合体が開示されている。しかしながら、特許文献２〜３に記載のような従来のノルボルネン系開環共重合体を用いてフィルムを形成した場合には、逆分散性やネガティブＡ性といった光学特性を有する位相差フィルムを必ずしも得ることができなかった。なお、逆分散性ではなく低複屈折性を示すフィルムを位相差フィルムに利用する場合にはフィルムの厚みを十分に厚くする必要がある。そのため、特許文献２〜３に記載のような従来のノルボルネン系開環共重合体は、フィルム製造時のコスト面やフィルムの薄型化という点においても必ずしも十分なものではなかった。このように、従来のノルボルネン系開環共重合体を利用した位相差フィルムは、耐熱性と光学特性の両立という点で未だ十分なものではなかった。

特開２００８−５２１１９号公報 特開２００５−２９００４８号公報 特開２００８−７７３３号公報

本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、複屈折の波長分散特性を逆分散とすることが可能であるとともに、負の複屈折性の中でも特異的なネガティブＡとしての光学特性を達成させることも可能であり、優れた光学特性と高度な耐熱性とを発揮することが可能な位相差フィルムを提供すること、並びに、それを用いた有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（１）で表される構造単位（Ａ）及び下記一般式（２）で表される構造単位（Ｂ）を含有し、且つ、前記構造単位（Ａ）及び（Ｂ）の総量に対する前記構造単位（Ａ）の含有量が５モル％以上９５モル％以下であるノルボルネン系開環共重合体からなるフィルムを延伸することにより、複屈折の波長分散特性を逆分散とすることが可能であるとともに負の複屈折性の中でも特異的なネガティブＡとしての光学特性を達成させることも可能であり、優れた光学特性と高度な耐熱性とを発揮することが可能な位相差フィルムが得られることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の位相差フィルムは、下記一般式（１）：

［式（１）中、ｎは０又は１の整数を示し、
Ｒ^１は、水素原子；ハロゲン原子；酸素原子、窒素原子、イオウ原子及びケイ素原子からなる群から選択される少なくとも１種の連結基を有していてもよい置換若しくは非置換の炭素原子数１〜３０の炭化水素基；及び極性基からなる群から選択される原子若しくは基を示し、
Ｘ^１は、式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基及び式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基からなる群から選択される基を示し、
ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜６の整数を示し、
Ｙは、一構造単位中に複数存在する場合は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ、メチレン基、カルボニル基、オキシ基及び炭素数１〜５のアルキルイミノ基からなる群から選択される基を示し、
Ｚは、一構造単位中に複数存在する場合は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ、メチレン基、カルボニル基、オキシ基及び炭素数１〜５のアルキルイミノ基からなる群から選択される基を示す。］
で表される構造単位（Ａ）及び下記一般式（２）：

［式（２）中、ｍは０又は１の整数を示し、
Ｘ^２は、式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基及び式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基からなる群から選択される基を示し、
Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は、同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数１〜２０のアルキルカルボニル基、及び、炭素原子数１〜２０の炭化水素基を有するエステル基からなる群から選択される原子又は基を示し、Ｒ^２〜Ｒ^５のうちの２つ以上が互いに結合して、不飽和結合を有していてもよいスピロ環以外の炭素原子数３〜２０の単環式炭化水素、又は、不飽和結合を有していてもよいスピロ環以外の炭素原子数４〜２０の多環式炭化水素を形成していてもよく、Ｒ^２及びＲ^３、又は、Ｒ^４及びＲ^５が一緒になって炭素原子数１〜２０のアルキリデン基を形成していてもよい。］
で表される構造単位（Ｂ）を含有し、且つ、前記構造単位（Ａ）及び（Ｂ）の総量に対する前記構造単位（Ａ）の含有量が６０モル％以上９５モル％以下であるノルボルネン系開環共重合体からなるフィルムを延伸してなるネガティブＡ位相差フィルムである、位相差フィルムである。上記本発明の位相差フィルムにおいては、そのフィルムの光学特性をネガティブＡ性とすることができる。

上記本発明の位相差フィルムにおいては、前記一般式（１）中のｎが０であり且つＲ^１が水素原子であることが好ましい。

さらに、上記本発明の位相差フィルムにおいては、前記構造単位（Ａ）のうちの前記Ｘ^１が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である構造単位と、前記構造単位（Ｂ）のうちの前記Ｘ^２が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である構造単位との総量が、前記ノルボルネン系開環共重合体中の前記構造単位（Ａ）及び（Ｂ）の総量に対して９０モル％以上であることが好ましい。

また、上記本発明の位相差フィルムにおいては、前記ノルボルネン系開環共重合体において、重量平均分子量がポリスチレン換算で１００００〜１００００００であり且つ分子量分布が１．０〜１０であることが好ましい。

本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記本発明の位相差フィルムを備えるものである。
本発明の液晶表示装置は、上記本発明の位相差フィルムを備えるものである。

本発明によれば、複屈折の波長分散特性を逆分散とすることが可能であるとともに負の複屈折性の中でも特異的なネガティブＡとしての光学特性を達成させることも可能であり、優れた光学特性と高度な耐熱性とを発揮することが可能な位相差フィルムを提供すること、並びに、それを用いた有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置を提供することが可能となる。

ジシクロペンタジエン／スピロ［３，４−ジヒドロナフタレン−１−オン−２，５’−２’−ノルボルネン］の開環共重合体の水素添加物のＮＭＲチャートを示すグラフである。

以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。

先ず、本発明の位相差フィルムについて説明する。すなわち、本発明の位相差フィルムは、下記一般式（１）：

［式（１）中、ｎは０又は１の整数を示し、
Ｒ^１は、水素原子；ハロゲン原子；酸素原子、窒素原子、イオウ原子及びケイ素原子からなる群から選択される少なくとも１種の連結基を有していてもよい置換若しくは非置換の炭素原子数１〜３０の炭化水素基；及び極性基からなる群から選択される原子若しくは基を示し、
Ｘ^１は、式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基及び式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基からなる群から選択される基を示し、
ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜６の整数を示し、
Ｙは、一構造単位中に複数存在する場合は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ、メチレン基、カルボニル基、オキシ基及び炭素数１〜５のアルキルイミノ基からなる群から選択される基を示し、
Ｚは、一構造単位中に複数存在する場合は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ、メチレン基、カルボニル基、オキシ基及び炭素数１〜５のアルキルイミノ基からなる群から選択される基を示す。］
で表される構造単位（Ａ）及び下記一般式（２）：

［式（２）中、ｍは０又は１の整数を示し、
Ｘ^２は、式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基及び式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基からなる群から選択される基を示し、
Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は、同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数１〜２０のアルキルカルボニル基、及び、炭素原子数１〜２０の炭化水素基を有するエステル基からなる群から選択される原子又は基を示し、Ｒ^２〜Ｒ^５のうちの２つ以上が互いに結合して、不飽和結合を有していてもよいスピロ環以外の炭素原子数３〜２０の単環式炭化水素、又は、不飽和結合を有していてもよいスピロ環以外の炭素原子数４〜２０の多環式炭化水素を形成していてもよく、Ｒ^２及びＲ^３、又は、Ｒ^４及びＲ^５が一緒になって炭素原子数１〜２０のアルキリデン基を形成していてもよい。］
で表される構造単位（Ｂ）を含有し、且つ、
前記構造単位（Ａ）及び（Ｂ）の総量に対する前記構造単位（Ａ）の含有量が５モル％以上９５モル％以下であるノルボルネン系開環共重合体からなるフィルムを延伸してなるものである。

このように、本発明にかかるノルボルネン系開環共重合体は、前記一般式（１）で表される構造単位（Ａ）と、前記一般式（２）で表される構造単位（Ｂ）とを含有してなる。

このような構造単位（Ａ）は、前記一般式（１）で表されるようにスピロ骨格を有するものである。また、このような構造単位（Ａ）は、ノルボルネン単量体の開環重合によって得られたシクロペンタン環と、（Ｙ）ａ、（Ｚ）ｂ及び芳香環を含有する環状体とがスピロ原子を介して結合したものである。また、このような構造単位（Ａ）においては、前記一般式（１）中のｎは０又は１の整数を示す。つまり、このような構造単位（Ａ）においては、前記ノルボルネン系開環共重合体中に、ｎの値が０又は１の単一の構造単位を含有させてもよく、あるいは、ｎの値が０の構造単位とｎの値が１の構造単位とを共存させてもよい。このようなｎの値は、光学特性、耐熱性、フィルム加工性等の諸物性をバランスよくコントロールするために、目的とする設計に応じて適宜調整することができ、ノルボルネン単量体の合成のし易さの観点からは、その値を０とすることが好ましい。

前記一般式（１）中のＹは、メチレン基（−ＣＨ_２−）、カルボニル基（＞ＣＯ）、オキシ基（−Ｏ−）及び炭素数１〜５のアルキルイミノ基（＞ＮＲ［Ｒは炭素数１〜５のアルキル基を示す］）からなる群から選択される少なくとも一つの基である。また、前記一般式（１）中のＺは、メチレン基（−ＣＨ_２−）、カルボニル基（＞ＣＯ）、オキシ基（−Ｏ−）及び炭素数１〜５のアルキルイミノ基（＞ＮＲ［Ｒは炭素数１〜５のアルキル基を示す］）からなる群から選択される少なくとも一つの基である。このようなＹ又はＺとしては、原料モノマーの入手性及び合成のし易さの観点から、メチレン基、カルボニル基、オキシ基が好ましく、中でも、メチレン基、カルボニル基がより好ましい。

また、前記Ｙの個数を示すａは０〜６（より好ましくは１〜５）の整数である。更に、このようなＺの個数を示すｂは０〜６（より好ましくは１〜５）の整数である。そのため、前記構造単位（Ａ）においては、前記Ｙ、前記Ｚがそれぞれ複数存在し得る。このように前記一般式（１）で表される一つの構造単位中にＹが複数存在する場合、すなわち、前記ａが２以上の場合は、一構造単位中に存在するＹは同一でも又は異なっていてもよい。また、前記一般式（１）で表される一つの構造単位中にＺが複数存在する場合、すなわち、前記ｂが２以上の場合は、一構造単位中に存在するＺは同一でも又は異なっていてもよい。また、このような複数のＹからなる基又は複数のＺからなる基としては、カルボニル基及びオキシ基からなる群から選択される少なくとも１種と、メチレン基とを含む基が好ましく、一つのカルボニル基及び／又は一つのオキシ基と、メチレン基とを含む基がより好ましい。

また、前記一般式（１）中のＸ^１は、式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基、又は、式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である。また、前記構造単位（Ａ）は、前記Ｘ^１が前述の一方の基のみからなる単一の構造単位からなるものであってもよく、前記Ｘ^１が式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基である構造単位と前記Ｘ^１が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である構造単位とが共存してなるものであってもよい。

さらに、前記一般式（１）中のＲ^１は、水素原子；ハロゲン原子；酸素原子、窒素原子、イオウ原子及びケイ素原子からなる群から選択される少なくとも１種の連結基を有していてもよい置換若しくは非置換の炭素原子数１〜３０（より好ましくは１〜１０、更に好ましくは１〜６）の炭化水素基；及び極性基からなる群から選択される原子若しくは基である。このような極性基としては、例えば、水酸基、メルカプト基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基等が挙げられる。更に、このような一般式（１）中のＲ^１で表される置換基としては、原料モノマーの入手のし易さの観点から、水素原子及び炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、水素原子が特に好ましい。なお、前記ノルボルネン系開環共重合体中の前記構造単位（Ａ）としては、前記構造単位（Ａ）の１種を単独であるいは２種以上を組み合わせて含有させてもよい。

また、前記構造単位（Ａ）としては、モノマーの製造や入手の容易性等の観点から、前記一般式（１）中のｎが０であり且つＲ^１が水素原子であることが特に好ましい。

また、前記構造単位（Ｂ）は、上記一般式（２）で表される構造単位である。このような一般式（２）中のｍは０又は１の整数を示す。つまり、このような構造単位（Ｂ）においては、前記ノルボルネン系開環共重合体中に、ｍの値が０又は１の単一の構造単位を含有させてもよく、あるいは、ｍの値が０の構造単位とｍの値が１の構造単位とを共存させてもよい。このようなｍの値は、光学特性、耐熱性、フィルム加工性等の諸物性をバランスよくコントロールするために、目的とする設計に応じて適宜調整することができ、ノルボルネン単量体の合成のし易さの観点からは、その値を０とすることが好ましい。また、上記一般式（２）中のＸ^２は、上記一般式（１）中のＸ^１と同義である。

上記一般式（２）中のＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５で表される置換基は、同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数１〜２０のアルキルカルボニル基、及び、炭素原子数１〜２０の炭化水素基を有するエステル基の中から選択されるいずれか１つの原子又は基である。なお、Ｒ^２〜Ｒ^５のうちの２つ以上が互いに結合して、不飽和結合を有していてもよいスピロ環以外の炭素原子数３〜２０の単環式炭化水素、又は、不飽和結合を有していてもよいスピロ環以外の炭素原子数４〜２０の多環式炭化水素を形成していてもよく、Ｒ^２及びＲ^３が一緒になって炭素原子数１〜２０のアルキリデン基を形成していてもよく、或いは、Ｒ^４及びＲ^５が一緒になって炭素原子数１〜２０のアルキリデン基を形成していてもよい。

このような炭素原子数１〜２０（より好ましくは１〜１０）のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状のものであってもよく、特に制限されないが、透明性や耐候性の観点から、メチル基やエチル基等が好ましい。また、このようなアルキル基の炭素原子数が前記上限を超えると、蒸留、再結晶等の手法による精製が困難となる。

また、前記炭素原子数１〜２０（より好ましくは１〜１０）のアルケニル基としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状のものであってもよく、特に制限されないが、透明性や耐候性の観点から、エチリデン基等が好ましい。また、このようなアルケニル基の炭素原子数が前記上限を超えると、蒸留、再結晶等の手法による精製が困難となる。

また、前記炭素原子数１〜２０（より好ましくは１〜１０）のアルキルカルボニル基としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状のものであってもよく、特に制限されないが、透明性や耐候性の観点から、メチルカルボニル基やエチルカルボニル基などが好ましい。また、このようなアルキルカルボニル基の炭素原子数が前記上限を超えると、蒸留、再結晶等の手法による精製が困難となる。

さらに、前記炭素原子数１〜２０（より好ましくは１〜１０）の炭化水素基を有するエステル基としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状のものであってもよく、特に制限されないが、透明性や耐候性の観点から、メトキシカルボニル基やエトキシカルボニル基等が好ましい。なお、このようなエステルの炭素原子数が前記上限を超えると、蒸留、再結晶等の手法による精製が困難となる。

また、前記不飽和結合を有していてもよいスピロ環以外の炭素原子数３〜２０（より好ましくは３〜１０）の単環式炭化水素としては、特に制限されず、他の置換基を更に有していてもよい。このような単環式炭化水素としては、透明性や耐候性の観点から、シクロペンテンやシクロヘキセン等が好ましい。また、このような単環式炭化水素の炭素原子数が前記上限を超えると、蒸留、再結晶等の手法による精製が困難となる。

また、前記不飽和結合を有していてもよいスピロ環以外の炭素原子数４〜２０（より好ましくは４〜１２）の多環式炭化水素としては、特に制限されず、他の置換基を更に有していてもよい。このような多環式炭化水素としては、透明性や耐候性の観点から、ナフタレンやビフェニル等が好ましい。また、このような多環式炭化水素の炭素原子数が前記上限を超えると、蒸留、再結晶等の手法による精製が困難となる。

さらに、前記炭素原子数１〜２０（より好ましくは１〜１０）のアルキリデン基としては、特に制限されないが、透明性や耐候性の観点から、インダン、テトラリンなどが好ましい。また、このようなアルキリデン基の炭素原子数が前記上限を超えると、蒸留、再結晶等の手法による精製が困難となる。

また、このようなノルボルネン系開環共重合体においては、前記構造単位（Ａ）及び（Ｂ）の総量に対する前記構造単位（Ａ）の含有量が５モル％以上９５モル％以下である。すなわち、このようなノルボルネン系開環共重合体中においては、前記構造単位（Ａ）と前記構造単位（Ｂ）のモル比（［構造単位（Ａ）］：［構造単位（Ｂ）］）は５：９５〜９５：５である。このような構造単位（Ａ）の含有量が前記下限未満では逆分散性又はネガティブＡ性といった特異な光学特性と高度な耐熱性とをバランスよく有する位相差フィルムを得ることができなくなり、他方、前記上限を超えると、フィルム加工性が低下する傾向がある。

また、このようなノルボルネン系開環共重合体においては、本発明の位相差フィルムに逆分散性の光学特性を付与するという観点からは、前記構造単位（Ａ）及び（Ｂ）の総量に対する前記構造単位（Ａ）の含有量が２０モル％以上５０モル％以下（より好ましくは３０モル％以上５０モル％以下）であることが好ましい。すなわち、逆分散性の位相差フィルムを得るという観点からは、前記構造単位（Ａ）と前記構造単位（Ｂ）のモル比（［構造単位（Ａ）］：［構造単位（Ｂ）］）は２０：８０〜５０：５０（より好ましくは３０：７０〜５０：５０）であることが好ましい。このような構造単位（Ａ）の含有量が前記下限未満では得られる位相差フィルムの耐熱性が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると、正の波長分散となり逆分散性の光学特性を有する位相差フィルムを得ることができなくなる傾向にある。

また、このようなノルボルネン系開環共重合体においては、本発明の位相差フィルムに、いわゆるネガティブＡの光学特性を付与するという観点からは、前記構造単位（Ａ）及び（Ｂ）の総量に対する前記構造単位（Ａ）の含有量が５０モル％超９５モル％以下（より好ましくは６０モル％以上９５モル％以下）であることが好ましい。すなわち、ネガティブＡ性の位相差フィルムを得るという観点からは、前記構造単位（Ａ）と前記構造単位（Ｂ）のモル比（［構造単位（Ａ）］：［構造単位（Ｂ）］）は、５０超：５０未満〜９５：５（より好ましくは６０：４０〜９５：５）であることが好ましい。このような構造単位（Ａ）の含有量が前記下限以下では、負の複屈折性の中でも特異的なネガティブＡとしての光学特性を達成できなくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、フィルム加工性が低下する傾向にある。ここで、ネガティブＡ性を有する位相差フィルムとしては、前記フィルムの一軸延伸による延伸方向をＸ軸と定義し、且つ、Ｘ軸と直交する方向をＹ軸及びＺ軸と定義した場合に、Ｘ軸の屈折率（Ｎｘ）、Ｙ軸の屈折率（Ｎｙ）及びＺ軸の屈折率（Ｎｚ）が下記不等式（１）：
Ｎｙ＝Ｎｚ＞Ｎｘ （１）
で表される関係を満たすことが好ましい。なお、前記屈折率（Ｎｘ、Ｎｙ及びＮｚ）の測定方法としては、例えば、偏光・位相差測定装置（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製、商品名：ＡｘｏＳｃａｎ）を用いて屈折率を測定する方法や、屈折率の測定装置としてメトリコン社製の商品名「２０１０プリズムカプラ」を用いて屈折率を測定する方法を採用することができる。

また、このようなノルボルネン系開環共重合体においては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、前記構造単位（Ａ）及び前記構造単位（Ｂ）以外の他の構造単位（例えば、後述の分子量調節剤に由来する構造単位等）を含んでいてもよい。なお、本発明にかかるノルボルネン系開環共重合体においては、前記構造単位（Ａ）及び前記構造単位（Ｂ）の総量が、全構造単位に対して７０〜１００モル％であることが好ましく、９０〜１００モル％であることがより好ましく、１００モル％であることが特に好ましい。

さらに、前記ノルボルネン系開環共重合体は、主鎖に対する水素添加割合が高いほど、すなわち主鎖中の二重結合が少ないほど、より安定な重合体となる。そのため、本発明にかかるノルボルネン系開環共重合体としては、充分に水素が添加され、主鎖中の二重結合が少ない重合体が好ましい。このような観点から、前記構造単位（Ａ）のうちの前記Ｘ^１が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である構造単位と、前記構造単位（Ｂ）のうちの前記Ｘ^２が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である構造単位との総量が、前記ノルボルネン系開環共重合体中の前記構造単位（Ａ）及び（Ｂ）の総量に対して９０モル％以上（より好ましくは９５モル％以上、特に好ましくは９８モル％以上）であることが好ましい。このような比率が９０モル％未満では、重合体の安定性が低下し、熱による着色や劣化を抑制することが困難となる傾向にある。

また、本発明にかかるノルボルネン系開環共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００００〜１００００００であることが好ましく、２００００〜３０００００であることがより好ましい。このようなノルボルネン系開環共重合体の重量平均分子量が前記下限未満では、得られるノルボルネン系開環共重合体の強度が低くなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、得られるノルボルネン系開環共重合体の溶融粘度が高くなり過ぎる傾向にある。

また、本発明にかかるノルボルネン系開環共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は、５０００〜５０００００であることが好ましく、１００００〜２０００００であることがより好ましい。このようなノルボルネン系開環共重合体の数平均分子量が前記下限未満では、得られるノルボルネン系開環共重合体の強度が低くなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、得られるノルボルネン系開環共重合体の溶融粘度が高くなり過ぎる傾向にある。

更に、本発明にかかるノルボルネン系開環共重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０〜１０であることが好ましく、１．０〜５．０であることがより好ましい。このような分子量分布が前記上限を超えると、かかる共重合体を用いて得られる位相差フィルムの波長分散特性の逆分散性が低下する傾向にある。

さらに、前記ノルボルネン系開環共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１１０℃以上であることが好ましく、１１５〜１４０℃であることがより好ましい。このようなガラス転移温度が前記下限未満では、得られる位相差フィルムに十分に高度な耐熱性を付与することができなくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、フィルムの加工性が低下する傾向にある。

このようなノルボルネン系開環共重合体を製造する方法は特に制限されないが、例えば、下記一般式（３）：

［式（３）中、Ｒ^１、Ｙ、Ｚ、ａ、ｂ、ｎは、それぞれ前記一般式（１）中のＲ^１、Ｙ、Ｚ、ａ、ｂ、ｎと同義である。］
で表される第１のノルボルネン単量体（以下、単に「スピロ型ノルボルネン系単量体」という。）と、下記一般式（４）：

［式（４）中、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、ｍは、それぞれ前記一般式（２）中のＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、ｍと同義である。］
で表される第２のノルボルネン単量体とを開環重合せしめて、前記一般式（１）で表される構造単位（Ａ）と前記一般式（２）で表される構造単位（Ｂ）を含有するノルボルネン系開環共重合体を得る方法を好適に採用できる。このようなノルボルネン系開環共重合体を製造する方法においては、前記スピロ型ノルボルネン系単量体と前記第２のノルボルネン単量体とを開環重合せしめた際には、前記一般式（１）中のＸ^１が式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基である構造単位（Ａ）と前記一般式（２）中のＸ^２が式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基である構造単位（Ｂ）とを含有するノルボルネン系開環共重合体が得られるため、開環重合後に更に水素添加処理を施して、前記一般式（１）中のＸ^１が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である構造単位（Ａ）と前記一般式（２）中のＸ^２が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である構造単位（Ｂ）とを含有するノルボルネン系開環共重合体としてもよい。

このような一般式（３）で表されるスピロ型ノルボルネン単量体としては、特に制限されるものではないが、合成原料の入手性、合成のしやすさの観点から、１，２−ベンゾシクロペンテン−３−スピロ−５’−ビシクロ［２．２．１］−２’−ヘプテン、１，２−ベンゾシクロペンテン−４−スピロ−５’−ビシクロ［２．２．１］−２’−ヘプテン、スピロ［３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ナフタレン−１，５’−２’−ノルボルネン］、スピロ［３，４−ジヒドロ−１Ｈ−ナフタレン−２，５’−２’−ノルボルネン］、１，２−ベンゾシクロオクテン−３−スピロ−５’−ビシクロ［２．２．１］−２’−ヘプテン、１，２−ベンゾシクロオクテン−４−スピロ−５’−ビシクロ［２．２．１］−２’−ヘプテン、１，２−ベンゾシクロオクテン−５−スピロ−５’−ビシクロ［２．２．１］−２’−ヘプテン、２，３−ベンゾシクロペンテン−１−オン−４−スピロ−５’−ビシクロ［２．２．１］−２’−ヘプテン、２，３−ベンゾシクロペンテン−１−オン−５−スピロ−５’−ビシクロ［２．２．１］−２’−ヘプテン、３，４−ベンゾシクロペンテン−１−オン−２−スピロ−５’−ビシクロ［２．２．１］−２’−ヘプテン、スピロ［３，４−ジヒドロナフタレン−１−オン−２，５’−２’−ノルボルネン］、スピロ［３，４−ジヒドロナフタレン−２−オン−１，５’−２’−ノルボルネン］、スピロ［１，４−ジヒドロナフタレン−２−オン−３，５’−２’−ノルボルネン］、２，３−ベンゾシクロオクテン−１−オン−８−スピロ−５’−ビシクロ［２．２．１］−２’−ヘプテン、３，４−ベンゾシクロオクテン−１−オン−２−スピロ−５’−ビシクロ［２．２．１］−２’−ヘプテン、３，４−ベンゾシクロオクテン−１−オン−８−スピロ−５’−ビシクロ［２．２．１］−２’−ヘプテン、スピロ［３，４−ジヒドロ−２Ｈ−アントラセン−１，５’−２’−ノルボルネン］、スピロ［３，４−ジヒドロ−１Ｈ−アントラセン−２，５’−２’−ノルボルネン］、スピロ［３，４−ジヒドロアントラセン−１−オン−２，５’−２’−ノルボルネン］、スピロ［３，４−ジヒドロアントラセン−２−オン−１，５’−２’−ノルボルネン］、スピロ［１，４−ジヒドロアントラセン−２−オン−３，５’−２’−ノルボルネン］が好ましい。

このようなスピロ型ノルボルネン単量体を得る方法は特に制限されないが、例えば、下記反応式（Ｉ）：

［反応式（Ｉ）中、Ｒ^１、Ｙ、Ｚ、ａ、ｂはそれぞれ前記一般式（１）中のＲ^１、Ｙ、Ｚ、ａ、ｂと同義である。］
で表される反応を利用して、上記一般式（５）で表されるシクロペンタジエンと、上記一般式（６）で表されるｅｘｏ−メチレン化合物とをＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応によって反応させてスピロ型ノルボルネン単量体を得る方法が挙げられる。

このような一般式（６）で表されるｅｘｏ−メチレン化合物は、電子吸引性置換基を有しているため、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応において優れたジエノフィルとして作用する。そのため、このような一般式（６）で表されるｅｘｏ−メチレン化合物を利用することで、工業生産に望ましい反応速度を得ることが可能となる。また、このような一般式（６）で表されるｅｘｏ−メチレン化合物によって、室温、無溶媒という条件下においても、ほぼ定量的に目的とするスピロ型ノルボルネン単量体を得ることができる。また、このような一般式（６）で表されるｅｘｏ−メチレン化合物を得る方法としては特に制限されず、公知の方法を適宜採用でき、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，Ｖｏｌ．６０，ｐ．８８に記載されている方法等が挙げられる。

また、上記一般式（４）で表される第２のノルボルネン単量体としては、例えば、以下に示す単量体を挙げることができる。
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、テトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、５−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−メトキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−メチル−５−メトキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−シアノビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−エトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−ｎ−プロポキシカルボニルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−メチル−８−エトキシカルボニルテトラシクロ［［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−メチル−８−ｎ−プロポキシカルボニルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−メチル−８−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−メチル−８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、５−エチリデンビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、８−エチリデンテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−メチルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−エチルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−プロピルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−イソプロピルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８−ｎ−ブチルテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、５−ｎ−ブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ｎ−ヘキシルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−シクロヘキシルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−（２−シクロヘキセニル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ｎ−オクチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ｎ−デシルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−イソプロピルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−シクロヘキセニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−フルオロビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，５−ジフルオロビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，６−ジフルオロビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，５，６−トリフルオロビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，５，６，６−テトラフルオロビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、８−フルオロテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、８，８−ジフルオロテトラシクロ［４．４．１^２，５．１^７，１０．０］−３−ドデセン、ジシクロペンタジエン、トリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、インデン−シクロペンタジエン付加物（１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン）等。

また、このような一般式（４）で表される第２のノルボルネン単量体の製造方法としては特に制限されず、公知の方法を適宜採用することができる。更に、このような一般式（４）で表される第２のノルボルネン単量体としては、市販のものを用いてもよい。

また、前記一般式（３）で表されるスピロ型ノルボルネン単量体と前記一般式（４）で表される第２のノルボルネン単量体を開環共重合せしめる反応に用いる開環重合用の触媒としては、Ｏｌｅｆｉｎ Ｍｅｔａｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ Ｍｅｔａｔｈｅｓｉｓ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ（Ｋ．Ｊ．ＩＶＩＮ，Ｊ．Ｃ．ＭＯＬ，Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ １９９７）に記載されているメタセシス重合触媒が用いられる。すなわち、（ａ）Ｗ、Ｍｏ、Ｒｅ、ＶおよびＴｉの化合物から選ばれた少なくとも１種と、（ｂ）Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ等の化合物であって、少なくとも１つの元素−炭素結合あるいは当該元素−水素結合を有するものから選ばれた少なくとも１種との組合せからなる触媒である。この場合に触媒の活性を高めるために、後述の添加剤（ｃ）が添加されてもよい。また、その他の触媒として（ｄ）助触媒を用いない周期表第４族〜８族遷移金属−カルベン錯体やメタラシクロブテン錯体等からなるメタセシス触媒が挙げられる。なお、前記の（ａ）成分として適当なＷ、Ｍｏ、Ｒｅ、ＶまたはＴｉの化合物の代表例としては、ＷＣｌ_６、ＭｏＣｌ_５、ＲｅＯＣｌ_３、ＶＯＣｌ_３、ＴｉＣｌ_４等を挙げることができる。また、（ｂ）成分として用いられる化合物の具体例としては、ｎ−Ｃ_４Ｈ_９Ｌｉ、（Ｃ_２Ｈ_５）_３Ａｌ、（Ｃ_２Ｈ_５）_２ＡｌＣｌ、（Ｃ_２Ｈ_５）_１．５ＡｌＣｌ_１．５、（Ｃ_２Ｈ_５）ＡｌＣｌ_２、メチルアルモキサン、ＬｉＨ等の化合物を挙げることができる。さらに、（ｃ）成分である添加剤の代表例としては、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、アミン類等を用いることができる。また、（ｄ）成分の代表例としては、Ｗ（＝Ｎ−２，６−Ｃ_６Ｈ_３ｉＰｒ_２）（＝ＣＨｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）_２、Ｍｏ（＝Ｎ−２，６−Ｃ_６Ｈ_３ｉＰｒ_２）（＝ＣＨｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）_２、Ｒｕ（＝ＣＨＣＨ＝ＣＰｈ_２）（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２、Ｒｕ（＝ＣＨＰｈ）（ＰＣ_６Ｈ_１１）_２Ｃｌ_２（Ｇｒｕｂｂｓ Ｉ（第一世代）触媒）、Ｇｒｕｂｂｓ ＩＩ（第二世代）触媒、Ｈｏｖｅｙｄａ−Ｇｒｕｂｂｓ触媒（第一及び第二世代）等が挙げられる。

このようなメタセシス触媒の使用量としては、上記（ａ）成分と、前記スピロノルボルネン単量体と第２のノルボルネン単量体の総和との割合が、モル比で「（ａ）成分：スピロ型ノルボルネン単量体と第２のノルボルネン単量体の総和」が１：５００〜１：５０００００となる範囲が好ましく、１：１０００〜１：１０００００となる範囲がより好ましい。また、（ａ）成分と（ｂ）成分との割合は、金属原子比で「（ａ）成分：（ｂ）成分」が１：１〜１：１００となる範囲が好ましく、１：２〜１：５０となる範囲がより好ましい。さらに、（ａ）成分と（ｃ）成分との割合は、モル比で「（ｃ）成分：（ａ）成分」が０．００５：１〜１５：１となる範囲が好ましく、０．０５：１〜１０：１となる範囲がより好ましい。また、触媒（ｄ）の使用量は、（ｄ）成分と、スピロ型ノルボルネン単量体と第２のノルボルネン単量体の総和との割合がモル比で「（ｄ）成分：スピロ型ノルボルネン単量体と第２のノルボルネン単量体の総和」が１：３０〜１：１０００００となる範囲が好ましく、１：５０〜１：５００００となる範囲がより好ましい。

また、前記スピロ型ノルボルネン単量体と第２のノルボルネン単量体とを開環重合せしめる反応において、得られるノルボルネン系開環共重合体の分子量を調節する方法は特に制限されず、例えば、重合温度、触媒の種類、溶媒の種類等を変更することによって分子量を適宜調節する方法を採用してもよい。そして、このような分子量を調節する方法としては、分子量調節剤を反応系に共存させる方法を好適に採用することができる。このような分子量調節剤として好適なものとしては、例えば、エチレン、プロペン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン等のα−オレフィン類、並びにスチレンを挙げることができ、中でも１−ヘキセン、１−デセンが特に好ましい。これらの分子量調節剤は、単独であるいは２種以上を混合して用いることができる。このような分子量調節剤の使用量としては、スピロ型ノルボルネン単量体と第２のノルボルネン単量体の総和１モルに対して０．００１〜１．０モル、好ましくは０．００５〜０．１モルの範囲がより好ましい。

また、前記スピロ型ノルボルネン単量体と第２のノルボルネン単量体を開環共重合せしめる反応において用いられる溶媒としては、スピロ型ノルボルネン単量体、第２のノルボルネン単量体、メタセシス触媒及び分子量調節剤を溶解する溶媒が好ましく、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン等のアルカン類；シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素；クロロブタン、ブロムヘキサン、塩化メチレン、ジクロロエタン、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン、クロロホルム、テトラクロロエチレン等のハロゲン化アルカン；アリール等の化合物；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉｓｏ−ブチル、プロピオン酸メチル、ジメトキシエタン、γ−ブチロラクトン等の飽和カルボン酸エステル類；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン等のエーテル類を挙げることができ、中でも芳香族炭化水素が好ましい。これらの溶媒は、単独であるいは２種以上を混合して用いることができる。このような溶媒の使用量としては、質量比で「溶媒：スピロ型ノルボルネン単量体と第２のノルボルネン単量体の総和」が１：１〜３０：１となる量が好ましく、１：１〜２０：１となる量がより好ましい。

また、上記一般式（３）で表されるスピロ型ノルボルネン系単量体と、上記一般式（４）で表される第２のノルボルネン単量体とを開環重合させた状態で得られるノルボルネン系開環共重合体は、前記一般式（１）中のＸ^１が式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基である構造単位（Ａ）と前記一般式（２）中のＸ^２が式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基である構造単位（Ｂ）とを含有するものであり、その構造単位中にビニレン基を有するノルボルネン系開環共重合体（以下、場合により「ビニレン基含有共重合体」という。）である。このようなビニレン基含有共重合体は、そのままでも各種用途の本発明の位相差フィルムに使用することができるが、得られる位相差フィルムの耐熱安定性をより向上させるという観点からは、そのノルボルネン系開環共重合体（ビニレン基含有共重合体）の一部又は全部のビニレン基に対して水素添加して、前記一般式（１）中のＸ^１が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である構造単位（Ａ）と前記一般式（２）中のＸ^２が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である構造単位（Ｂ）とを含有するノルボルネン系開環共重合体（以下、場合により「水素添加物」という。）とすることが好ましい。このような水素添加物は、スピロ型ノルボルネン単量体に由来する構造単位中の側鎖の芳香環は実質的に水素添加されていないものである。また、前記ビニレン基に対する水素添加率は、９０％以上であることが好ましく、より好ましくは９５％以上であることがより好ましく、９８％以上であることが特に好ましい。ビニレン基に対する水素添加率が高いほど、得られるノルボルネン系開環共重合体の耐熱性が向上し、熱による着色や劣化が十分に抑制される傾向にある。

また、前記ビニレン基含有共重合体に対して水素添加する反応は、上述のように、側鎖の芳香環に実質的に水素添加がされない条件で行われる必要があり、通常は、前記ビニレン基含有共重合体の溶液に水素添加触媒を添加し、これに常圧〜３０ＭＰａ、好ましくは３〜２０ＭＰａの水素ガスを０〜２００℃、好ましくは２０〜１８０℃で作用させることによって行われる。

また、このような水素添加反応の際に用いられる水素添加触媒としては、通常のオレフィン性化合物の水素添加反応に用いられるものを使用することができ、不均一系触媒でも均一系触媒でも用いることができる。このような不均一系触媒の具体例としては、パラジウム、白金、ニッケル、ロジウム、ルテニウム等の貴金属触媒物質を、カーボン、シリカ、アルミナ、チタニア等の担体に担持させた固体触媒を挙げることができる。また、均一系触媒の具体例としては、ナフテン酸ニッケル／トリエチルアルミニウム、ニッケルアセチルアセトナート／トリエチルアルミニウム、オクテン酸コバルト／ｎ−ブチルリチウム、チタノセンジクロリド／ジエチルアルミニウムモノクロリド、酢酸ロジウム、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、クロロヒドロカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジクロロカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジクロロカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、トリカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジヒドロカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ヒドロカルボメトキシカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム等を挙げることができる。このような水素添加触媒の形態は粉末でも粒状でもよい。

さらに、このような水素添加触媒は、スピロ型ノルボルネン単量体中の芳香環が実質的に水素添加されないようにするために、その添加量を調整する必要があり、重量比で「開環共重合体：水素添加触媒」が１：１×１０^−６〜１：２となる割合で使用することが好ましい。

また、本発明の位相差フィルムは、前述の本発明にかかるノルボルネン系開環共重合体からなるフィルムを延伸してなるものである。このようなノルボルネン系開環共重合体からなるフィルムを製造する方法は特に制限されず、公知の方法を適宜採用することができる。また、このようなフィルムを製造する際には、本発明の主旨を越えない範囲で、その他の高分子、界面活性剤、高分子電解質、導電性錯体、シリカ、アルミナ、色素材料、熱安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、アンチブロッキング剤、滑剤、可塑剤、オイル等を加えることができる。また、前述のノルボルネン系開環共重合体をフィルム化した後に延伸する方法も特に制限されず、従来公知の延伸方法を適宜採用することができる。

また、このようなノルボルネン系開環共重合体のフィルムを製造するのに好適な方法としては、例えば、キャスティング法（溶液流延法）、溶融押出法、カレンダー法、圧縮成形法等の公知公用の方法が挙げられる。更に、このようなキャスティング法に用いられる成形装置としては、ドラム式キャスティングマシン、バンド式キャスティングマシン、スピンコーター等が使用できる。また、溶融押出法としては、Ｔダイ法、及びインフレーション法が挙げられる。

また、前記キャスティング法に使用する溶媒の具体例としては、例えばシクロヘキサノン、シクロペンタノン等の環状ケトン類；γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラクトン類；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素；塩化メチレン、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、テトラクロロエチレン等のハロゲン化アルカン；アリール等の化合物、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン等のエーテル類、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒を挙げることができ、中でも芳香族炭化水素、ハロゲン化アルカン、アリール類が好ましい。なお、これらの溶媒は単独であるいは２種以上を混合して用いることができる。

さらに、ノルボルネン系開環共重合体をフィルム化した後に延伸する方法としては、二軸延伸法としてテンター法、チューブ法等が挙げられ、更に、一軸延伸法として水槽延伸法、輻射延伸法、熱風加熱法、熱板加熱法、ロール加熱法等が挙げられる。

このようにして得られる本発明の位相差フィルムの厚みは特に制限されないが、１０〜３００μｍであることが望ましく、３０〜２００μｍであることがより好ましい。位相差フィルム厚みが１０μｍ未満の場合は、機械特性および２次加工時におけるハンドリング性が低下する傾向にあり、他方、３００μｍを超える場合には、可撓性に問題が生じる傾向にある。また、本発明の位相差フィルムを得る際における延伸倍率も特に制限されないが１．１〜５．０倍程度であることが好ましい。

本発明の位相差フィルムの位相差値としては、５〜２０００ｎｍの範囲で、目的に応じて選択されるべきものであるが、１／２λ板として用いる場合には、波長５５０ｎｍの可視光における位相差が２００〜４００ｎｍであることが望ましく、１／４λ板として用いる場合には、波長５５０ｎｍの可視光における位相差が９０〜２００ｎｍとすることが望ましい。

また、本発明の位相差フィルムにおいては、ガスバリヤー性、耐傷つき性、耐薬品性、防眩性等の機能を付与する目的にて、更に薄膜を備えていてもよい。このような薄膜を形成する方法としては、例えば、各種の熱可塑性樹脂、アミノ基、イミノ基、エポキシ基、シリル基等を有する熱硬化性樹脂、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基等を有する放射線硬化型樹脂、あるいはこれら樹脂の混合物に重合禁止剤、ワックス類、分散剤、色素材料、溶剤、可塑剤、紫外線吸収剤、無機フィラー等を加え、これを、グラビアロールコーティング法、マイヤーバーコーティング法、リバースロールコーティング法、ディップコーティング法、エアーナイフコーティング法、カレンダーコーティング法、スキーズコーティング法、キスコーティング法、ファンテンコーティング法、スプレーコーティング法、スピンコーティング法等の方法により塗工する方法を採用することができる。さらに、このような薄膜は、塗工後、必要に応じて放射線照射による硬化、または加熱による熱硬化を行わせて硬化薄膜層としてもよい。また、このような薄膜を形成する際に印刷を行う場合には、グラビア方式、オフセット方式、フレキソ方式、シルクスクリーン方式等の方法を用いることができる。また、本発明の位相差フィルムにおいては、ガスシール性等を付与する目的から、アルミニウム、ケイ素、マグネシウム、亜鉛等を主成分とする金属酸化物層を更に備えてもよい。このような金属酸化物層は真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等により形成される。

また、本発明の位相差フィルムと他のフィルムとを積層化させてもよい。このように積層化させる方法としては、従来公知の方法が適宜採用でき、例えば、ヒートシール法、インパルスシール法、超音波接合法、高周波接合法等の熱接合方法、押出ラミネート法、ホットメルトラミネート法、ドライラミネート法、ウェットラミネート法、無溶剤接着ラミネート法、サーマルラミネート法、共押出法等のラミネート加工方法等が挙げられる。また、積層化させるフィルムとしては、例えば、ポリエステル系樹脂フィルム、ポリビニルアルコール系樹脂フィルム、セルロース系樹脂フィルム、ポリフッ化ビニル樹脂フィルム、ポリ塩化ビニリデン樹脂フィルム、ポリアクリロニトリル樹脂フィルム、ナイロン系樹脂フィルム、ポリエチレン系樹脂フィルム、ポリプロピレン系樹脂フィルム、アセテート樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、ポリカーボネート樹脂フィルム、ポリアクリレート系樹脂フィルム等が挙げられる。

次に、本発明の液晶表示装置について説明する。すなわち、本発明の液晶表示装置は上記本発明の位相差フィルムを備えるものである。

上記本発明の位相差フィルムは、単層であっても、高い透明性と優れた波長分散性を有していて広帯域の光に対して特定の位相差を与えることができる位相差フィルムであり、負の複屈折性の中でも特異的なネガティブＡとしての光学特性を達成できるとともに、複屈折の波長分散特性を逆分散とすることも達成できるため、反射型液晶表示装置における１／４λ板、液晶プロジェクタ装置における１／２λ板および１／４λ板、透過型液晶表示装置における１／２λ板および１／４λ板、液晶表示装置において使用される偏光フィルムの保護フィルム、反射防止フィルム等として有用である。

従って、本発明の液晶表示装置は、上記本発明の位相差フィルムを１／２λ板、１／４λ板、保護フィルム、反射防止フィルム等として備えていればよく、その他の構成は従来公知の液晶表示装置と同様のものでよい。

次いで、本発明の有機ＥＬ表示装置（有機エレクトロルミネセンス装置）について説明する。すなわち、本発明の有機ＥＬ表示装置は上記本発明の位相差フィルムを備えるものである。

このような本発明の有機ＥＬ表示装置においても、上記本発明の液晶表示装置と同様に、上記本発明の位相差フィルムを１／２λ板、１／４λ板、保護フィルム、反射防止フィルム等として備えていればよく、その他の構成は従来公知の有機ＥＬ表示装置と同様のものとすることができる。

以下、このような有機ＥＬ表示装置における本発明の位相差フィルムの好適な使用例を説明する。ここで、有機ＥＬ表示装置を、透明基板上に透明電極と有機発光層と金属電極とを順に積層して発光体（有機エレクトロルミネセンス発光体）を備えるものとする場合について検討すると、一般に、前記有機エレクトロルミネセンス発光体は、透明基板の表面から入射した光が、透明電極と有機発光層とを透過し、金属電極で反射され、再び透明基板の表面側から外部へと出射され、外部から視認すると有機ＥＬ表示装置の表示面が鏡面のように見えてしまうといった問題を有する。そこで、このような有機エレクトロルミネセンス発光体を利用する場合には、例えば、上記本発明の位相差フィルムを用いて反射防止フィルムを形成し、これを前記有機エレクトロルミネセンス発光体の透明基板側（発光側）に配置して使用することが挙げられる。このように、上記本発明の位相差フィルムを備えることで、得られる有機ＥＬ表示装置において大幅な外光反射防止効果が得られ、視認性が十分に優れたものとすることができる。

なお、本発明の位相差フィルムを利用して１／２λ板、１／４λ板、偏光フィルムの保護フィルム、反射防止フィルム等を製造する方法は、位相差フィルムとして上記本発明の位相差フィルムを用いる以外は特に制限されず、公知の方法を適宜利用することができる。例えば、上述のように、反射防止フィルムとして用いる場合には、公知の偏光板の一方の面に上記本発明の位相差フィルムを張り合わせて円偏光板としてもよい。

また、本発明の位相差フィルムは、その面上にインジウムスズオキサイドやインジウムジンクオキサイド等のセラミック薄膜をＤＣあるいはグロー放電を用いたプラズマプロセスにより成膜し、タッチパネルや液晶表示装置等における透明電極フィルムとして使用することも可能である。

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

先ず、各合成例で得られた化合物並びに各実施例及び各参考例で得られた位相差フィルムの特性の評価方法について説明する。

＜ガラス転移温度：Ｔｇ＞
示差走査熱量計（Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ社製、商品名：ＤＳＣ７）を用い、昇温速度を毎分１０℃として窒素気流下において、各実施例及び各参考例で得られた開環共重合体の水素化物のガラス転移温度の測定を行った。

＜分子量および分子量分布＞
測定装置としてゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ、東ソー株式会社製、商品名：ＨＬＣ−８０２０／カラム４本：東ソー株式会社製、商品名：ＴＳＫ ｇｅｌ ＧＭＨ_ＨＲ）を用い、溶媒としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用い、各合成例で得られた重合体並びに各実施例及び各参考例で得られた開環共重合体の水素化物のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。なお、Ｍｎは数平均分子量を表す。

＜単量体及び重合体分子構造＞
超伝導核磁気共鳴吸収装置（ＮＭＲ、ＶＡＲＩＡＮ社製、商品名：ＵＮＩＴＹ ＩＮＯＶＡ−６００）を用い、重水素化クロロホルム中で、各合成例で得られた重合体の^１Ｈ、^１３Ｃ−ＮＭＲを測定した。得られたデータから、単量体及び重合体の水素添加率（ノルボルネン系開環共重合体中の前記一般式（１）及び（２）で表される構造単位中のＸ^１及びＸ^２が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基に変換されている割合）の算出及び分子構造の同定を行なった。

＜位相差、複屈折評価、複屈折の波長分散値評価＞
各実施例及び各参考例で得られた位相差フィルムに対して、偏光・位相差測定装置（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製、商品名：ＡｘｏＳｃａｎ）を用いて、屈折率、下記式により定義されるレターデーション（Ｒｅ）及び複屈折の波長分散値（Ｄ）を測定した。
レターデーション（Ｒｅ）：Ｒｅ＝（Ｎｘ−Ｎｙ）×ｄ
Ｎｘ：延伸方向（Ｘ方向）の屈折率
Ｎｙ：延伸方向に対して垂直方向（Ｙ方向）の屈折率
Ｎｚ：Ｘ方向及びＹ方向と垂直な方向（Ｚ方向：厚み方向）の屈折率
ｄ：フィルムの厚み（ｎｍ）
複屈折の波長分散値（Ｄ）：Ｄ＝Δｎ（λ＝４５０ｎｍ）／Δｎ（λ＝５５０ｎｍ）。

次に、各実施例で用いたモノマーについて説明する。

（合成例１）
先ず、「Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，Ｖｏｌ．６０」の８８頁に記載された方法に従って、α-テトラロン、パラホルムアルデヒド、Ｎ−メチルアニリニウムトリフロオロ酢酸を反応させることにより、２−メチレン−１−オキソ−１，２，３，４−テトラハイドロナフタレンを合成した（収率５４％）。

次に、２−メチレン−１−オキソ−１，２，３，４−テトラハイドロナフタレン（１５．８２ｇ，０．１０ｍｏｌ）と、シクロペンタジエン（１３．２２ｇ，０．２０ｍｏｌ）とを混合して混合物を得た。次いで、窒素雰囲気、室温（２５℃）の条件下において、前記混合物を２０時間攪拌し、ロータリーエバポレーターで過剰のシクロペンタジエンを除去してオイル状物質を得た。次に、このようにして得られたオイル状物質をクーゲルロアで蒸留精製（１５０℃／１ｍｍＨｇ）し、淡黄色の液状物質を２２．００ｇ（収率９８％）得た。このようにして得られた液状物質に対してＮＭＲ分析を行った結果、生成物はスピロ［３，４−ジヒドロナフタレン−１−オン−２，５’−２’−ノルボルネン］であることが確認された。

（参考例１）
〈重合工程〉
窒素雰囲気下、１００ｍｌの三口フラスコに、合成例１で得られたスピロ［３，４−ジヒドロナフタレン−１−オン−２，５’−２’−ノルボルネン］（３．５８９ｇ、１６ｍｍｏｌ：以下、場合により単に「モノマーＡ」と示す。）と、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ、丸善石油化学社製の商品名「高純度ジシクロペンタジエン ＨＤＣＰ」、３．１７３ｇ、２４ｍｍｏｌ：以下、場合により単に「モノマーＢ」と示す。）と、無水トルエン溶液（５８ｍｌ）と、１−デセン（７５．８μｌ：１．０ｍｏｌ％）と、トリエチルアルミニウムの１５質量％トルエン溶液（８．７μｌ：０．０２５ｍｏｌ％）と、Ｇｒｕｂｂｓ ＩＩ（０．８６ｍｇ：０．００２５ｍｏｌ％）の無水トルエン溶液（１０ｍｌ）とを添加し、１００℃で４時間攪拌して粘調な重合液を得た。次いで、前記重合液を２００ｍｌのトルエンで希釈して希釈液を得た後、前記希釈液を２０００ｍｌのメタノール中に投入して沈殿を生成し、これを濾過して沈殿を得た。次いで、このようにして得られた沈殿を真空乾燥機により乾燥し、ジシクロペンタジエン／スピロ［３，４−ジヒドロナフタレン−１−オン−２，５’−２’−ノルボルネン］の開環共重合体（ノルボルネン系開環共重合体（Ｉ））を６．２２ｇ（収率９２％、モノマーＡとモノマーＢのモル比（Ａ：Ｂ）が４０：６０）得た。このようにして得られたノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）をＧＰＣによって確認したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は６０，０００、Ｍｗ／Ｍｎは４．０であった。

〈水素化工程〉
次に、前記ノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化を行った。このような水素化に際しては、先ず、前記ノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）６．０ｇと、トルエン６０ｍｌと、ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ_３）_３１２．０ｍｇとを容量０．２Ｌのオートクレーブに仕込んで混合物を得た後、オートクレーブ内を窒素置換した。次いで、前記オートクレーブ内において、水素ガス圧１０ＭＰａ、温度１６５℃の条件下で前記混合物を４時間加熱して、前記ノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化反応を行い、反応溶液を得た。次に、前記反応溶液を３０℃となるまで自然冷却した後、オートクレーブ内の水素ガスを放圧した。次いで、反応溶液を２００ｍｌのトルエンで希釈した後、２０００ｍｌのメタノール中に注ぎ、生じた沈殿を分離回収した。その後、得られた沈殿を乾燥し、ジシクロペンタジエン／スピロ［３，４−ジヒドロナフタレン−１−オン−２，５’−２’−ノルボルネン］の開環共重合体の水素添加物（ノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化物）を５．５ｇ（収率９２％）得た。

〈水素化物の特性の評価〉
このようにして得られたノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化物についてＮＭＲを用いてオレフィン性不飽和結合の水素添加率を測定した。得られたＮＭＲチャートを図１に示す。このようなＮＭＲの測定結果から、ノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化物においては、前述の水素添加率が９９．０％であることが確認された。また、このような測定により得られたＮＭＲチャートから、前記ノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化物においては、芳香環は実質的に水素化されていないことも確認された。更に、前記ノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化物をＧＰＣ及びＤＳＣによって確認したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は６４，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは３．４であり、Ｔｇは１２０℃であることが確認された。

〈フィルム化〉
次に、前記ノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化物を用い、位相差フィルムを製造した。すなわち、先ず、ノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化物を１０ｗｔ％濃度で含有するクロロベンゼン溶液を調製し、０．２μｍのフィルターでろ過した。次に、前記クロロベンゼン溶液を、乾燥後のフィルムの膜厚が５０μｍ〜１００μｍになるように、ガラス板上にキャスト法によってフィルム状に流延し、自然乾燥を７２時間行ってフィルムを得た。次いで、前記フィルムをガラス板上から剥離した後、フィルムの材料となったノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化物のＴｇよりも１０℃低い温度（Ｔｇ−１０℃）に保った真空乾燥機を用いて、残溶剤濃度が１．０重量％以下になるまで乾燥し、乾燥フィルムを得た。次に、得られた乾燥フィルムを短冊状（大きさ：５．０×４．０ｃｍ）に切断し、二軸延伸装置（柴山科学製：ＳＳ−６０型）を用いて、フィルムの材料となったノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化物のＴｇよりも１０℃高い温度（Ｔｇ＋１０℃）の条件下、５０ｍｍ／ｍｉｎ．の引張り速度で延伸倍率が２００％（２．０倍）となるように一軸延伸を行って、位相差フィルムを得た。

このようにして得られた位相差フィルムに関して、上述の評価方法に記載の方法を利用して測定されたレターデーション、波長分散値や屈折率（Ｎｘ、Ｎｙ、Ｎｚ）の値を表１に示す。また、得られた共重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）も併せて表１に示す。

（実施例１〜２及び参考例２〜５）
モノマーＡ及びモノマーＢの含有比率が下記表１に記載のモノマー比となるように、モノマーＡ及びモノマーＢの添加量を変更した以外は参考例１と同様にして、ノルボルネン系開環共重合体及びそれを用いた位相差フィルムを製造した。

このようにして得られた各実施例及び各参考例の位相差フィルムに関して、上述の評価方法に記載の方法を利用して測定されたレターデーション、波長分散値や屈折率（Ｎｘ、Ｎｙ、Ｎｚ）の値を表１に示す。また、各実施例及び各参考例で得られた共重合体のポリスチレン換算のＴｇ、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）も併せて表１に示す。

表１に示した結果から明らかなように、前記位相差フィルム（実施例１〜２及び参考例１〜５）は、十分に高度な耐熱性（いずれの共重合体のＴｇも１２０℃以上）を有する位相差フィルムであることが確認された。また、各実施例及び各参考例で得られたノルボルネン系開環共重合体は加工性が十分に高いものであることも分かった。

また、表１に示した結果からも明らかなように、各位相差フィルムの複屈折の波長分散値｛Ｄ＝（Δｎ：λ４５０ｎｍ）／（Δｎ：λ５５０ｎｍ）｝は、用いるモノマーの比率によって異なることが確認され、参考例１〜５で得られた位相差フィルムにおいては、逆分散の位相差フィルムとなっていることが確認された。更に、実施例１〜２で得られた位相差フィルムにおいては不等式（１）：
Ｎｙ＝Ｎｚ＞Ｎｘ （１）
で表される関係を満たしていることから、ネガティブＡ性を有する位相差フィルムであることが確認された。このように、前記位相差フィルム（実施例１〜２及び参考例１〜５）は、優れた光学特性を示し、位相差フィルムとして十分に機能するものであることが確認された。

（比較例１）
前記ノルボルネン系開環共重合体（Ｉ）の水素化物の代わりに、スピロ［ノルカンファー−３，３’−ビシクロ［２．２．１．］ヘプタ−５−エン］（一般式（３）とは異なるスピロ型ノルボルネン単量体）の重合体の水素化物を用いた以外は、参考例１で採用しているフィルム化の工程と同様の工程を採用して、比較のための位相差フィルムを得た。

このようにして得られた比較のための位相差フィルム（比較例１）の波長５９０ｎｍにおける屈折率（Ｎｘ、Ｎｙ、Ｎｚ）の値及び複屈折（Δｎ：λ５９０ｎｍ）を、偏光・位相差測定装置（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製、商品名：ＡｘｏＳｃａｎ）を用いて測定した。また、同様にして、実施例２で得られた位相差フィルムの複屈折も測定した。

このような測定の結果、比較例１で得られた位相差フィルムの屈折率は、Ｎｘが１．５９２３であり、Ｎｙが１．５９１９であり且つＮｚが１．５９１９であった。また、比較例１で得られた位相差フィルムの複屈折Δｎは０．０００３７であった。一方、実施例２で得られた位相差フィルムの複屈折Δｎは０．００２９６であった。

このような測定結果から、比較例１で得られた位相差フィルムは、屈折率（Ｎｘ、Ｎｙ、Ｎｚ）が下記不等式（２）：
Ｎｘ＞Ｎｙ＝Ｎｚ （２）
で表される関係を満たすものであることが分かった。なお、このような不等式（２）に示す関係を満たす位相差フィルムは、いわゆるポジティブＡ性を有するものである。そのため、比較例１で得られた位相差フィルムはポジティブＡ性を有するものとなることが確認された。

上記のように比較例１で用いたスピロ型ノルボルネン単量体の重合体はポジティブＡ性を有することから、このような単量体を本発明の一般式（４）に示すような単量体と共重合しても、得られる共重合体はネガティブＡ性や逆分散性を示さないことが分かる。

また、実施例２で得られた位相差フィルムと比較して、比較例１で得られた位相差フィルムは、複屈折Δｎが非常に小さな値であることが分かる。また、比較例１で得られた位相差フィルムの複屈折Δｎの値（０．０００３７）に基いて、位相差フィルム（比較例１）を１／４λ板に使用することを検討すると、１／４λ板として機能させるためにはフィルムの厚みを３７８μｍにする必要があることが分かった。このように、比較例１で得られた位相差フィルムは、１／４λ板に使用するために、３７８μｍという非常に厚いフィルムにする必要があることから、コスト面やフィルムの薄型化という面で問題があり、実用上、十分なものとはならないことが分かった。

（製造例１：円偏光板の作製）
先ず、延伸したポリビニルアルコールに沃素を吸着させてなる偏光板（住友化学社製）を準備した。次に、参考例１で得られた位相差フィルムを前記偏光板の一方の面に、位相差フィルムの遅相軸と前記偏光板の吸収軸とが４５度の角度で交わるようにして、アクリル系接着剤を用いて貼り合わせた。次いで、前記偏光板の他方の面には、鹸化した三酢酸セルロースフィルム（富士フィルム社製）をアクリル系接着剤を用いて貼り合わせ、円偏光板を製造した。

製造例１で得られた円偏光板をエリプソメーター（株式会社溝尻光学工業所製の商品名「ＤＶＡ−３６ＶＷＬＤ」）で偏光解析したところ、波長５５０ｎｍにおける楕円率は０．９４であった。このような結果から、参考例１の位相差フィルムを用いることで、良好な円偏光特性を持つ円偏光板が得られることが確認された。また、参考例１の位相差フィルムを備える製造例１で得られた円偏光板を光学検査したところ、位相差フィルムにシミや傷などの損傷は確認されなかった。

次に、参考例１の位相差フィルムを備える製造例１で得られた円偏光板を用い、前記円偏光板の位相差フィルム側を、アクリル系粘着剤を介してガラス板に貼り付けた積層体を形成した。次いで、前記積層体を、温度が６０℃であり且つ相対湿度ＲＨが９０％である恒温恒湿槽に入れ、５００時間経過後に取り出して観察した。その結果、前記積層体においては、剥がれや泡の発生などの異常は一切認められなかった。このような結果から、参考例１の位相差フィルムは長期間使用しても剥がれや泡の発生を十分に抑制できるものであることが分かった。

（参考例６）
参考例１の位相差フィルムを備える製造例１で得られた円偏光板を、市販の有機ＥＬディスプレイの発光面の視認側に配置されている透明基板上に、アクリル系粘着剤を介して貼着して、参考例１の位相差フィルムを備える有機ＥＬ表示装置を得た。

（比較例２）
製造例１で得られた円偏光板の代わりに、市販の光学フィルム（日本ゼオン株式会社製の商品名「ゼオノアフィルム」）を用いた以外は参考例６と同様にして、比較のための有機ＥＬ表示装置を得た。

［有機ＥＬ表示装置の特性の評価］
参考例６及び比較例２で得られた有機ＥＬ表示装置に電圧を印加して、発光せしめて、その視認性を目視により評価した。その結果、参考例１の位相差フィルムを備える参考例６で得られた有機ＥＬ表示装置においては、発光面において反射光による白みが確認されず、その画像が鮮明に表示されていたことから、非常に高度な外光反射防止効果が得られ、視認性が十分に優れたものとなっていることが分かった。一方、市販の光学フィルムを用いた比較例２で得られた有機ＥＬ表示装置においては、発光面が白くぼやけていたことから、発光面において外光の反射を十分に抑制できず、視認性が十分なものとはならないことが確認された。

（参考例７）
参考例１の位相差フィルムを備える製造例１で得られた円偏光板を、市販の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）セルの発光面の視認側に配置されている透明基板上に、アクリル系粘着剤を介して貼着して、参考例１の位相差フィルムを備える液晶表示装置を得た。

（比較例３）
製造例１で得られた円偏光板の代わりに、市販の光学フィルム（日本ゼオン株式会社製の商品名「ゼオノアフィルム」）を用いた以外は参考例７と同様にして、比較のための液晶表示装置を得た。

［液晶表示装置の特性の評価］
参考例７及び比較例３で得られた液晶表示装置を発光せしめて、その視認性を目視により評価した。その結果、参考例１の位相差フィルムを備える参考例７で得られた液晶表示装置においては、発光面において反射光による白みが確認されず、その画像が鮮明に表示されていることから、非常に高度な外光反射防止効果が得られ、視認性が十分に優れたものとなっていることが分かった。なお、市販の光学フィルムを用いた比較例３で得られた液晶表示装置においては、表示部が白くぼやけていたことから、発光面において外光の反射を十分に抑制できず、視認性が十分なものとはならないことが確認された。

このような有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置の特性評価の結果から、逆分散性を有する参考例１の位相差フィルムを反射防止フィルムとして利用した場合には、非常に高度な外光反射防止効果が得られ、各装置が十分に視認性に優れたものとなることが確認された。

以上説明したように、本発明によれば、複屈折の波長分散特性を逆分散とすることが可能であるとともに、負の複屈折性の中でも特異的なネガティブＡとしての光学特性を達成させることも可能であり、優れた光学特性と高度な耐熱性とを発揮することが可能な位相差フィルムを提供すること、並びに、それを用いた有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置を提供することが可能となる。従って、本発明の位相差フィルムは、有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置等に用いる１／２λ板、１／４λ板、保護フィルム、反射防止フィルム等として特に有用である。

Claims (6)

1. 下記一般式（１）：
   ［式（１）中、ｎは０又は１の整数を示し、
   Ｒ^１は、水素原子；ハロゲン原子；酸素原子、窒素原子、イオウ原子及びケイ素原子からなる群から選択される少なくとも１種の連結基を有していてもよい置換若しくは非置換の炭素原子数１〜３０の炭化水素基；及び極性基からなる群から選択される原子若しくは基を示し、
   Ｘ^１は、式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基及び式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基からなる群から選択される基を示し、
   ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜６の整数を示し、
   Ｙは、一構造単位中に複数存在する場合は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ、メチレン基、カルボニル基、オキシ基及び炭素数１〜５のアルキルイミノ基からなる群から選択される基を示し、
   Ｚは、一構造単位中に複数存在する場合は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ、メチレン基、カルボニル基、オキシ基及び炭素数１〜５のアルキルイミノ基からなる群から選択される基を示す。］
   で表される構造単位（Ａ）及び下記一般式（２）：
   ［式（２）中、ｍは０又は１の整数を示し、
   Ｘ^２は、式：−ＣＨ＝ＣＨ−で表される基及び式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基からなる群から選択される基を示し、
   Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は、同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数１〜２０のアルキルカルボニル基、及び、炭素原子数１〜２０の炭化水素基を有するエステル基からなる群から選択される原子又は基を示し、Ｒ^２〜Ｒ^５のうちの２つ以上が互いに結合して、不飽和結合を有していてもよいスピロ環以外の炭素原子数３〜２０の単環式炭化水素、又は、不飽和結合を有していてもよいスピロ環以外の炭素原子数４〜２０の多環式炭化水素を形成していてもよく、Ｒ^２及びＲ^３、又は、Ｒ^４及びＲ^５が一緒になって炭素原子数１〜２０のアルキリデン基を形成していてもよい。］
   で表される構造単位（Ｂ）を含有し、且つ、前記構造単位（Ａ）及び（Ｂ）の総量に対する前記構造単位（Ａ）の含有量が６０モル％以上９５モル％以下であるノルボルネン系開環共重合体からなるフィルムを延伸してなるネガティブＡ位相差フィルムである、位相差フィルム。
2. 前記一般式（１）中のｎが０であり且つＲ^１が水素原子である請求項１に記載の位相差フィルム。
3. 前記構造単位（Ａ）のうちの前記Ｘ^１が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である構造単位と、前記構造単位（Ｂ）のうちの前記Ｘ^２が式：−ＣＨ_２ＣＨ_２−で表される基である構造単位との総量が、前記ノルボルネン系開環共重合体中の前記構造単位（Ａ）及び（Ｂ）の総量に対して９０モル％以上である請求項１又は２に記載の位相差フィルム。
4. 前記ノルボルネン系開環共重合体において、重量平均分子量がポリスチレン換算で１００００〜１００００００であり且つ分子量分布が１．０〜１０である請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の位相差フィルム。
5. 請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の位相差フィルムを備える有機ＥＬ表示装置。
6. 請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の位相差フィルムを備える液晶表示装置。