JP5528396B2 - 溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置、当該製造装置を用いたSiC単結晶の製造方法及び当該製造装置に用いられる坩堝 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態によるSiC単結晶の製造装置10の構成図である。
図2は、図1中の坩堝14の縦断面図である。図2に示すように、坩堝14は、本体140と、中蓋42と、上蓋44とを備える。要するに、坩堝14は、上下に配置された2つの蓋(中蓋42及び上蓋44)を備える。
本実施の形態によるSiC単結晶の製造方法は、上記製造装置10を利用する。初めに、製造装置10を準備し、シードシャフト30にSiC種結晶36を取り付ける(準備工程)。次に、チャンバ12内に坩堝14を配置し、SiC溶液16を生成する(SiC溶液生成工程)。次に、SiC種結晶36を坩堝14内のSiC溶液16に浸漬する(浸漬工程)。次に、SiC単結晶を育成する(育成工程)。以下、各工程の詳細を説明する。
初めに、製造装置10を準備する。そして、シードシャフト30の下端面34にSiC種結晶36を取り付ける。
次に、坩堝14内に、SiC原料を収容する。このとき、生成されるSiC溶液の液面が、中蓋42の下面461よりも下方に配置されるように、SiC原料の量を調整する。好ましくは、保温空間64が小さくなるように、SiC原料量を調整する。保温空間64がより小さくなるように、SiC原料を、底部40と中蓋42との間だけでなく、中蓋42と上蓋44との間にも収納するのが好ましい。
次に、SiC種結晶36をSiC溶液16に浸漬する。具体的には、駆動源32により、シードシャフト30を降下し、SiC種結晶36をSiC溶液16に浸漬する。このとき、シードシャフト30が貫通孔52及び貫通孔48に挿入されるので、冷却空間62及び保温空間64は、実質的に、閉鎖空間となる。
SiC種結晶36をSiC溶液16に浸漬した後、加熱装置20により、SiC溶液16を結晶成長温度に保持する。さらに、SiC溶液16のうち、SiC種結晶36の近傍領域を過冷却して、SiCを過飽和状態にする。
Claims (7)
- 溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置であって、
SiC種結晶が取り付けられる下端面を有するシードシャフトと、
SiC溶液を収容可能な坩堝とを備え、
前記坩堝は、
第1筒部と、前記第1筒部の下端部に配置される底部とを含む本体と、
前記本体内に前記SiC溶液が収容された状態で、前記SiC溶液の液面の上方であって前記第1筒部内に位置し、前記シードシャフトを通す第1貫通孔を有する中蓋と、
前記中蓋の上方に配置され、前記シードシャフトを通す第2貫通孔を有する上蓋とを備える、製造装置。 - 前記中蓋はさらに、前記中蓋の下面から下方に延び、内部に前記シードシャフトを通し、前記SiC溶液の液面から離れて配置される下端を有する第2筒部を備える、請求項1に記載の製造装置。
- 前記中蓋の上面は、外周側から内周側へ下る、請求項1又は2に記載の製造装置。
- 下端にSiC種結晶を取り付け可能なシードシャフトを備える溶液成長法用SiC単結晶の製造装置に用いられ、SiC溶液を収容可能な坩堝であって、
第1筒部と、前記第1筒部の下端部に配置される底部とを含む本体と、
前記本体内に前記SiC溶液が収容された状態で、前記SiC溶液の液面の上方であって前記第1筒部内に位置し、前記シードシャフトを通す第1貫通孔を有する中蓋と、
前記中蓋の上方に配置され、前記シードシャフトを通す第2貫通孔を有する上蓋とを備える、坩堝。 - 前記中蓋はさらに、前記中蓋の下面から下方に延び、内部に前記シードシャフトを通す第2筒部を備える、請求項4に記載の坩堝。
- 前記中蓋の上面は、外周側から内周側に下る、請求項4又は請求項5に記載の坩堝。
- 溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、
上下方向に延びるシードシャフトを備える製造装置を準備する工程と、
筒部と、前記筒部の下端部に配置される底部とを備える本体と、前記本体内部に配置され、前記シードシャフトを通す第1貫通孔を有する中蓋と、前記中蓋の上方に配置され、前記シードシャフトを通す第2貫通孔を有する上蓋とを備える坩堝を準備する工程と、
前記シードシャフトの下端面にSiC種結晶を取り付ける工程と、
原料が収納された前記坩堝を加熱し、前記SiC溶液を生成する工程と、
前記シードシャフトの前記下端面に取り付けられた前記SiC種結晶を前記SiC溶液に浸漬する工程と、
前記SiC種結晶上にSiC単結晶を育成する工程と、
前記SiC溶液を生成する前に、生成されるSiC溶液の液面が前記中蓋の下方に配置されるように、SiC溶液の原料を前記坩堝に収納する工程とを備える、製造方法。
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