JP5519815B2 - 高周波回路パッケージおよびセンサモジュール - Google Patents
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Description
この発明は、高周波半導体チップが裏面表層に搭載された高周波回路を有し、該裏面表層に前記高周波回路の接地導体と同電位で、かつ前記高周波回路を囲むように第1の接地導体が形成される第1の誘電体基板と、前記高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記高周波回路を駆動する信号を供給する線路が形成され、前記高周波回路に対向する部位に第2の接地導体が形成された第2の誘電体基板と、を備え、前記第1の誘電体基板の第1の接地導体上に前記高周波回路を囲むように複数の第1のランドを設け、前記第2の誘電体基板の表層の前記複数の第1のランドに対向する位置に前記第2の接地導体に電気的に接続される複数の第2のランドを設け、第1のランドおよび第2のランド間を接続する複数の導電性接続部材を備え、前記高周波回路を前記複数の導電性接続部材と第1および第2の接地導体と前記高周波回路の接地導体とによって囲まれた擬似遮蔽キャビティ内に収納することを特徴とする。
この発明は、上記導電性接続部材は、半田ボールであることを特徴とする。
この発明は、裏面表層に高周波回路を形成、配設し、該裏面表層に前記高周波回路の接地導体と同電位で、かつ前記高周波回路を囲むように第1の接地導体を形成した第1の誘電体基板と、前記高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記高周波回路に対向する部位に第2の接地導体を形成した第2の誘電体基板と、前記第1および第2の接地導体の相互に対向する位置で、かつ前記高周波回路を囲むように、高周波回路の動作信号波長の1/4未満の間隔で形成された複数の導体ランドとを接続する半田ボールと、を備え、前記半田ボールにより、前記第1および第2の誘電体基板と相対接続することにより形成される、前記複数の半田ボールと、第1および第2の接地導体と、前記高周波回路の接地導体とから成る擬似遮蔽キャビティ内に前記高周波回路を収納する高周波回路パッケージであって、前記第1の誘電体基板は、前記高周波回路に接続され、裏面表層に形成されたマイクロストリップ線路と、前記マイクロストリップ線路の先端開放部の周囲を取り囲むように、前記第1の接地導体の一部を抜いて形成した導波管開口と、前記導波管開口に電気的に接続され、前記導波管開口から基板積層方向に高周波信号の基板内実効伝搬波長の略1/4の長さを有する先端短絡誘電体導波管と、を備え、前記第2の誘電体基板は、前記導波管開口部に対向する位置に基板積層方向に形成された導波管、を備え、前記第1および第2の接地導体に、各々互いに対向する位置に、前記導波管開口および前記導波管を囲むように、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列された複数の導波管用導体ランドを、半田ボールによって相互に接続することにより、前記高周波回路の入出力信号を、前記第2の誘電体基板の導波管から取り出すことを特徴とする。
この発明は、前記第1の誘電体基板は、裏面表層に、前記高周波回路に接続され、高周波回路を駆動するためのDCバイアス、制御信号を伝送する第1の配線パターンと、前記配線パターンに接続される第1の信号用ランドと、を備え、前記第2の誘電体基板は、前記高周波回路を駆動するためのDC電源および制御回路を搭載し、前記第1の誘電体基板搭載面に、前記DC電源および制御回路からの信号を伝送する第2の配線パターンと、前記第2の配線パターンに接続され、前記第1の信号ランドに対向する位置に配置された複数の第2の信号用ランドと、を備え、対向する前記第1および第2の信号用ランドを半田ボールによって、相互に接続することにより、前記第2の誘電体基板上のDC電源および制御回路によって、前記第1の誘電体基板上の高周波回路を駆動することを特徴とする。
この発明は、高周波回路を収納する高周波回路パッケージにおいて、裏面表層に形成された前記高周波回路に接続され、裏面表層に形成されたマイクロストリップ線路と、前記マイクロストリップ線路の先端開放部の周囲を取り囲むように形成された導波管開口であって、裏面表層に形成された第1の接地導体の抜きとしての導波管開口と、前記導波管開口から基板積層方向に高周波信号の基板内実効伝搬波長の略1/4の長さを有する先端短絡誘電体導波管と、前記第1の接地導体上に前記導波管開口を囲むように、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列された第1の半田ボール搭載用導体ランド群と、前記高周波回路の周囲に配置された第2の接地導体と、前記高周波回路および前記マイクロストリップ線路のリターン導体として機能し、かつ基板内層に形成された第3の接地導体と、前記第2の接地導体上に前記高周波回路を囲むように、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列された第2の半田ボール搭載用導体ランド群と、前記高周波回路を駆動するDCバイアス、制御信号を伝送するための第3の半田ボール搭載用導体ランド群と、を有する第1の誘電体基板としての高周波回路搭載基板と、前記高周波回路搭載基板の高周波回路に対向する部位に形成された第4の接地導体と、該第3の接地導体と電気的に接続され、前記第1、第2の半田ボール搭載用導体ランド群の対向位置に形成される複数の第4の導体ランド群と、前記高周波回路搭載基板の導波管開口部に対向する位置に基板積層方向に形成された導波管と、前記高周波回路を駆動するDCバイアス、制御信号を伝送するための線路と、を有し、前記高周波回路を挟むように前記高周波回路搭載基板を搭載する第2の誘電体基板としてのマザー制御基板と、前記第1、第2の半田ボール搭載用導体ランド群と、前記複数の第4の導体ランド群とを接続する半田ボール群と、を備え、第2の半田ボール搭載用導体ランド群に接続される半田ボールおよび前記第2〜第4の接地導体によって形成された擬似遮蔽キャビティに前記高周波回路を収納することを特徴とする。
この発明は、前記第2の誘電体基板に形成された第2の接地導体は、前記高周波回路を囲むように、高周波回路の動作信号の1/4未満の間隔で形成された複数の導体ランドに電気的に接続され、かつ前記第2の誘電体基板の表層または内層に形成されることを特徴とする。
この発明は、前記第1および第2の接地導体の相互に対向する位置で、かつ前記高周波回路を囲むように、所定の(高周波回路の動作信号波長の1/4未満の)間隔で形成された複数の導体ランドとを接続する半田ボールによって囲まれた領域の縦横寸法は、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/2未満であるか、あるいは1/2となる長さを避けたことを特徴とする。
この発明は、複数の高周波回路が裏面表層に設けられ、該裏面表層に前記複数の高周波回路の接地導体と同電位で、かつ前記複数の高周波回路を囲むように第1の接地導体が形成される第1の誘電体基板と、前記複数の高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記複数の高周波回路を駆動する信号を供給する線路が形成され、前記複数の高周波回路に対向する部位に第2の接地導体が形成された第2の誘電体基板と、を備え、前記第1の誘電体基板の第1の接地導体上に前記複数の高周波回路をそれぞれ別個に囲むように複数の第1のランドを設け、前記第2の誘電体基板の表層の前記複数の第1のランドに対向する位置に前記第2の接地導体に電気的に接続される複数の第2のランドを設け、第1のランドおよび第2のランド間を接続する複数の導電性接続部材を備え、前記複数の高周波回路を前記複数の導電性接続部材と第1および第2の接地導体と前記複数の高周波回路の接地導体とによって別個に区画された擬似遮蔽キャビティ内に収納することを特徴とする。
この発明は、前記第1の誘電体基板の裏面表層には、複数の前記高周波回路が形成、配設され、前記第1の誘電体基板は、前記複数の高周波回路に各々接続される複数の前記マイクロストリップ線路と、複数の前記導波管開口と、複数の前記先端短絡導波管とを備え、前記第2の誘電体基板は、前記複数の導波管開口部に対向する位置に基板積層方向に形成された複数の前記導波管を備え、前記第1および第2の接地導体に、各々互いに対向する位置に、前記複数の導波管開口および前記複数の導波管を囲むように、各々、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列された複数の導波管用導体ランドを、各々、半田ボールによって相互に接続することにより、前記複数の各々の高周波回路の入出力信号を、前記第2の誘電体基板の複数の各々の導波管から取り出すことを特徴とする。
この発明は、前記高周波回路は、前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板の間で非気密に収容されたことを特徴とする。
この発明は、高周波回路パッケージと、前記第2の誘電体基板の前記第1の誘電体基板の搭載面と反対側に配置され、前記導波管に接続されたアンテナを備えたことを特徴とする。
この発明は、前記高周波半導体チップは、前記第1の誘電体基板の裏面表層にバンプを介して実装されたことを特徴とする特徴とする。
この発明は、前記高周波回路搭載基板は、裏面表層に、前記高周波回路と前記第3の半田ボール搭載用導体ランドに接続され、高周波回路を駆動するためのDCバイアス、制御信号を伝送する第1の配線パターンを備え、前記マザー制御基板は、前記高周波回路を駆動するためのDC電源および制御回路を搭載し、前記高周波回路搭載基板搭載面に、前記DC電源および制御回路に接続される、前記DCバイアス、制御信号を伝送するための前記線路と、前記線路に接続され、前記複数の第4の導体ランド群のうちで、前記第3の半田ボール搭載用導体ランド群の対向位置に形成される第5の導体ランドと、を備え、対向する前記第3の半田ボール搭載用導体ランドおよび第5の導体ランドを前記半田ボールによって、相互に接続することにより、前記マザー制御基板上のDC電源および制御回路によって、前記高周波回路搭載基板上の高周波回路を駆動することを特徴とする。
この発明は、前記第1の誘電体基板は、裏面表層に、前記複数の高周波回路に接続され、複数の高周波回路を駆動するためのDCバイアス、制御信号を伝送する第1の配線パターンと、前記配線パターンに接続される第1の信号用ランドと、を備え、前記第2の誘電体基板は、前記複数の高周波回路を駆動するためのDC電源および制御回路を搭載し、前記第1の誘電体基板搭載面に、前記DC電源および制御回路からの信号を伝送する第2の配線パターンと、前記第2の配線パターンに接続され、前記第1の信号ランドに対向する位置に配置された複数の第2の信号用ランドと、を備え、対向する前記第1および第2の信号用ランドを半田ボールによって、相互に接続することにより、前記第2の誘電体基板上のDC電源および制御回路によって、前記第1の誘電体基板上の複数の高周波回路を駆動することを特徴とする。
この発明は、高周波回路が裏面表層に設けられ、該裏面表層に前記高周波回路の接地導体と同電位で、かつ前記高周波回路を囲むように第1の接地導体が形成される、樹脂基板としての第1の誘電体基板と、前記高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記高周波回路を駆動する信号を供給する線路が形成され、前記高周波回路に対向する部位に第2の接地導体が形成される、樹脂基板としての第2の誘電体基板と、を備え、前記第1の誘電体基板の第1の接地導体上に前記高周波回路を囲むように複数の第1のランドを設け、前記第2の誘電体基板の表層の前記複数の第1のランドに対向する位置に前記第2の接地導体に電気的に接続される複数の第2のランドを設け、第1のランドおよび第2のランド間を接続する複数の導電性接続部材を備え、前記高周波回路を前記複数の導電性接続部材と第1および第2の接地導体と前記高周波回路の接地導体とによって囲まれた擬似遮蔽キャビティ内に収納することを特徴とする。
この発明は、前記第1の誘電体基板の裏面表層には、複数の前記高周波回路が形成、配設され、前記複数の第1のランドおよび複数の導電性接続部材は、複数の高周波回路をそれぞれ別個に囲むように配設され、複数の高周波回路を各々、別個に区画された擬似遮蔽キャビティに収納したことを特徴とする。
この発明は、裏面表層に複数の高周波回路を形成、配設し、該裏面表層に前記複数の高周波回路の接地導体と同電位で、かつ前複数の記高周波回路を囲むように第1の接地導体を形成した第1の誘電体基板と、前記複数の高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記複数の高周波回路にそれぞれ対向する部位に第2の接地導体を形成した第2の誘電体基板と、前記第1および第2の接地導体の相互に対向する位置で、かつ前記複数の高周波回路を囲むように複数の導体ランドとを接続する導電性接続部材と、を備え、前記導電性接続部材により、前記第1および第2の誘電体基板と相対接続することにより形成される、前記複数の導電性接続部材と、第1および第2の接地導体と、前記複数の高周波回路の接地導体とから成る擬似遮蔽キャビティ内に前記複数の高周波回路を収納する高周波回路パッケージであって、前記第1の誘電体基板は、前記複数の高周波回路にそれぞれ接続され、裏面表層に形成された複数のマイクロストリップ線路と、前記複数のマイクロストリップ線路をそれぞれ取り囲むように、前記第1の接地導体の一部を抜いて形成した複数の導波管開口と、を備え、前記第2の誘電体基板は、前記複数の導波管開口部にそれぞれ対向する位置に基板積層方向に形成された複数の導波管、を備え、前記第1および第2の接地導体に、各々互いに対向する位置に、前記各導波管開口および前記各導波管をそれぞれ囲むように、複数の導波管用導体ランドを、導電性接続部材によって相互に接続することにより、前記複数の高周波回路の入出力信号を、前記第2の誘電体基板の複数の導波管から取り出すことを特徴とする。
この発明は、前記複数の導体ランドおよび複数の導電性接続部材は、前記複数の高周波回路を別個に囲むように配設され、各高周波回路は、各々、別個に区画された擬似遮蔽キャビティに収納されたことを特徴とする。
この発明は、前記高周波回路は、前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板の間で非気密に収容されたことを特徴とする。
この発明は、高周波回路パッケージと、前記第2の誘電体基板の前記第1の誘電体基板の搭載面と反対側に配置され、前記導波管に接続されたアンテナを備えたことを特徴とする。
また、この発明は、高周波回路が裏面表層に設けられ、該裏面表層に前記高周波回路を囲むように第1の接地導体が形成される、樹脂基板としての第1の誘電体基板と、前記高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記高周波回路に対向する部位に第2の接地導体が形成される、樹脂基板としての第2の誘電体基板と、を備え、前記第1の誘電体基板の第1の接地導体上に前記高周波回路を囲むように複数の第1のランドを形成し、前記第2の誘電体基板の表層の前記複数の第1のランドに対向する位置に前記第2の接地導体に電気的に接続される複数の第2のランドを設け、第1のランドおよび第2のランド間を接続する複数の導電性接続部材を備えることを特徴とする。
この発明は、前記第1の誘電体基板の裏面表層には、複数の前記高周波回路が形成、配設され、前記複数の第1のランドおよび複数の導電性接続部材は、複数の高周波回路をそれぞれ別個に囲むように配設され、複数の高周波回路を各々、別個に区画された擬似遮蔽キャビティに収納したことを特徴とする。
この発明は、裏面表層に複数の高周波回路を形成、配設し、前記複数の記高周波回路を囲むように第1の接地導体を形成した第1の誘電体基板と、前記複数の高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記複数の高周波回路にそれぞれ対向する部位に第2の接地導体を形成した第2の誘電体基板と、前記第1および第2の接地導体に形成した第1および第2のランドの相互に対向する位置で、かつ前記複数の高周波回路を囲むように複数の導体ランドとを接続する導電性接続部材と、を備え、複数の導電性接続部材は、前記第1のランドと第2のランド間を接続するよう配される高周波回路パッケージであって、前記第1の誘電体基板は、前記複数の高周波回路にそれぞれ接続され、裏面表層に形成された複数のマイクロストリップ線路と、前記複数のマイクロストリップ線路の1つが中に形成された前記第1の接地導体を取り囲む複数の導波管開口と、を備え、前記第2の誘電体基板は、前記複数の導波管開口部にそれぞれ対向する位置に基板積層方向に形成された複数の導波管、を備え、前記第1および第2の接地導体に、各々互いに対向する位置に、前記各導波管開口および前記各導波管をそれぞれ囲むように、複数の導波管用導体ランドを、導電性接続部材によって相互に接続することを特徴とする。
この発明は、前記複数の導体ランドおよび複数の導電性接続部材は、前記複数の高周波回路を別個に囲むように配設され、各高周波回路は、各々、別個に区画された擬似遮蔽キャビティに収納されたことを特徴とする。
この発明は、前記高周波回路は、前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板の間で非気密に収容されたことを特徴とする。
この発明は、高周波回路パッケージと、前記第2の誘電体基板の前記第1の誘電体基板の搭載面と反対側に配置され、前記導波管に接続されたアンテナを備えたことを特徴とする。
1)高周波半導体チップ22と制御アンテナ基板1に搭載された制御回路とのDCバイアス、信号接続のためのインタフェース
2)制御アンテナ基板1に形成されたトリプレート線路6との高周波信号(LOCAL信号)の接続
3)個別回路(ミキサ、電力分配器など)の動作安定のためのキャビティ形成
4)複数のチャネル間の空間アイソレーションの確保
5)受信回路全体の電磁シールド(蓋体の代わり)
6)不要波の漏洩防止
Claims (10)
- 裏面表層に高周波回路を形成、配設し、該裏面表層に前記高周波回路の接地導体と同電位で、かつ前記高周波回路を囲むように第1の接地導体を形成した第1の誘電体基板と、
前記高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記高周波回路に対向する部位に第2の接地導体を形成した第2の誘電体基板と、
前記第1および第2の接地導体の相互に対向する位置で、かつ前記高周波回路を囲むように、高周波回路の動作信号波長の1/4未満の間隔で形成された複数の導体ランドとを接続する半田ボールと、
を備え、
前記半田ボールにより、前記第1および第2の誘電体基板と相対接続することにより形成される、前記複数の半田ボールと、第1および第2の接地導体と、前記高周波回路の接地導体とから成る擬似遮蔽キャビティ内に前記高周波回路を収納する高周波回路パッケージであって、
前記第1の誘電体基板は、
前記高周波回路に接続され、裏面表層に形成されたマイクロストリップ線路と、
前記マイクロストリップ線路の先端開放部の周囲を取り囲むように、前記第1の接地導体の一部を抜いて形成した導波管開口と、
前記導波管開口に電気的に接続され、前記導波管開口から基板積層方向に高周波信号の基板内実効伝搬波長の略1/4の長さを有する先端短絡誘電体導波管と、
を備え、
前記第2の誘電体基板は、
前記導波管開口部に対向する位置に基板積層方向に形成された導波管、
を備え、
前記第1および第2の接地導体に、各々互いに対向する位置に、前記導波管開口および前記導波管を囲むように、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列された複数の導波管用導体ランドを、半田ボールによって相互に接続することにより、前記高周波回路の入出力信号を、前記第2の誘電体基板の導波管から取り出すことを特徴とする高周波回路パッケージ。 - 高周波回路を収納する高周波回路パッケージにおいて、
裏面表層に形成された前記高周波回路に接続され、裏面表層に形成されたマイクロストリップ線路と、
前記マイクロストリップ線路の先端開放部の周囲を取り囲むように形成された導波管開口であって、裏面表層に形成された第1の接地導体の抜きとしての導波管開口と、
前記導波管開口から基板積層方向に高周波信号の基板内実効伝搬波長の略1/4の長さを有する先端短絡誘電体導波管と、
前記第1の接地導体上に前記導波管開口を囲むように、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列された第1の半田ボール搭載用導体ランド群と、
前記高周波回路の周囲に配置された第2の接地導体と、
前記高周波回路および前記マイクロストリップ線路のリターン導体として機能し、かつ基板内層に形成された第3の接地導体と、
前記第2の接地導体上に前記高周波回路を囲むように、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列された第2の半田ボール搭載用導体ランド群と、
前記高周波回路を駆動するDCバイアス、制御信号を伝送するための第3の半田ボール搭載用導体ランド群と、
を有する第1の誘電体基板としての高周波回路搭載基板と、
前記高周波回路搭載基板の高周波回路に対向する部位に形成された第4の接地導体と、
該第3の接地導体と電気的に接続され、前記第1、第2の半田ボール搭載用導体ランド群の対向位置に形成される複数の第4の導体ランド群と、
前記高周波回路搭載基板の導波管開口部に対向する位置に基板積層方向に形成された導波管と、
前記高周波回路を駆動するDCバイアス、制御信号を伝送するための線路と、
を有し、前記高周波回路を挟むように前記高周波回路搭載基板を搭載する第2の誘電体基板としてのマザー制御基板と、
前記第1、第2の半田ボール搭載用導体ランド群と、前記複数の第4の導体ランド群とを接続する半田ボール群と、
を備え、第2の半田ボール搭載用導体ランド群に接続される半田ボールおよび前記第2〜第4の接地導体によって形成された擬似遮蔽キャビティに前記高周波回路を収納することを特徴とする高周波回路パッケージ。 - 裏面表層に複数の高周波回路を形成、配設し、該裏面表層に前記複数の高周波回路の接地導体と同電位で、かつ前記複数の高周波回路を囲むように第1の接地導体を形成した第1の誘電体基板と、
前記複数の高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記複数の高周波回路にそれぞれ対向する部位に第2の接地導体を形成した第2の誘電体基板と、
前記第1および第2の接地導体の相互に対向する位置で、かつ前記複数の高周波回路を囲むように、高周波回路の動作信号波長の1/4未満の間隔で形成された複数の導体ランドとを接続する半田ボールとしての導電性接続部材と、
を備え、
前記導電性接続部材により、前記第1および第2の誘電体基板と相対接続することにより形成される、前記複数の導電性接続部材と、第1および第2の接地導体と、前記複数の高周波回路の接地導体とから成る擬似遮蔽キャビティ内に前記複数の高周波回路を収納する高周波回路パッケージであって、
前記第1の誘電体基板は、
前記複数の高周波回路にそれぞれ接続され、裏面表層に形成された複数のマイクロストリップ線路と、
前記複数のマイクロストリップ線路をそれぞれ取り囲むように、前記第1の接地導体の一部を抜いて形成した複数の導波管開口と、
前記導波管開口に電気的に接続され、前記導波管開口から基板積層方向に高周波信号の基板内実効伝搬波長の略1/4の長さを有する先端短絡誘電体導波管と、
を備え、
前記第2の誘電体基板は、
前記複数の導波管開口部にそれぞれ対向する位置に基板積層方向に形成された複数の導波管、
を備え、
前記第1および第2の接地導体に、各々互いに対向する位置に、前記複数の導波管開口および前記複数の導波管を囲むように、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列された複数の導波管用導体ランドを、導電性接続部材によって相互に接続することにより、前記複数の高周波回路の入出力信号を、前記第2の誘電体基板の複数の導波管から取り出すことを特徴とする高周波回路パッケージ。 - 前記第1の誘電体基板の裏面表層には、複数の前記高周波回路が形成、配設され、
前記第1の誘電体基板は、前記複数の高周波回路に各々接続される複数の前記マイクロストリップ線路と、複数の前記導波管開口と、複数の前記先端短絡誘電体導波管とを備え、
前記第2の誘電体基板は、
前記複数の導波管開口部に対向する位置に基板積層方向に形成された複数の前記導波管を備え、
前記第1および第2の接地導体に、各々互いに対向する位置に、前記複数の導波管開口および前記複数の導波管を囲むように、各々、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列された複数の導波管用導体ランドを、各々、半田ボールによって相互に接続することにより、前記複数の各々の高周波回路の入出力信号を、前記第2の誘電体基板の複数の各々の導波管から取り出すことを特徴とする、請求項1に記載の高周波回路パッケージ。 - 前記複数の導波管開口から基板積層方向に高周波信号の基板内実効伝搬波長の略1/4の長さを有する複数の先端短絡誘電体導波管を備えたことを特徴とする請求項3に記載の高周波回路パッケージ。
- 前記第1の誘電体基板は、裏面表層に、
前記高周波回路に接続され、高周波回路を駆動するためのDCバイアス、制御信号を伝送する第1の配線パターンと、
前記第1の配線パターンに接続される第1の信号用ランドと、
を備え、
前記第2の誘電体基板は、
前記高周波回路を駆動するためのDC電源および制御回路を搭載し、
前記第1の誘電体基板の高周波回路搭載面に、
前記DC電源および制御回路からの信号を伝送する第2の配線パターンと、
前記第2の配線パターンに接続され、前記第1の信号ランドに対向する位置に配置された複数の第2の信号用ランドと、
を備え、
対向する前記第1および第2の信号用ランドを半田ボールによって、相互に接続することにより、前記第2の誘電体基板上のDC電源および制御回路によって、前記第1の誘電体基板上の高周波回路を駆動することを特徴とする請求項1、3、5の何れか一つに記載の高周波回路パッケージ。 - 前記高周波回路搭載基板は、裏面表層に、
前記高周波回路と前記第3の半田ボール搭載用導体ランド群に接続され、高周波回路を駆動するためのDCバイアス、制御信号を伝送する第1の配線パターン、
を備え、
前記マザー制御基板は、
前記高周波回路を駆動するためのDC電源および制御回路を搭載し、
前記高周波回路搭載基板搭載面に、
前記DC電源および制御回路に接続される、前記DCバイアス、制御信号を伝送するための前記線路と、
前記線路に接続され、前記複数の第4の導体ランド群のうちで、前記第3の半田ボール搭載用導体ランド群の対向位置に形成される第5の導体ランドと、
を備え、
対向する前記第3の半田ボール搭載用導体ランド群および第5の導体ランドを前記半田ボールによって、相互に接続することにより、前記マザー制御基板上のDC電源および制御回路によって、前記高周波回路搭載基板上の高周波回路を駆動することを特徴とする請求項2に記載の高周波回路パッケージ。 - 前記高周波回路は、前記第1の誘電体基板の裏面表層にバンプを介して実装され、
前記第2の誘電体基板に形成された第2の接地導体は、前記高周波回路を囲むように、高周波回路の動作信号波長の1/4未満の間隔で形成された複数の導体ランドに電気的に接続され、かつ前記第2の誘電体基板の表層または内層に形成され、前記第1および第2の接地導体の相互に対向する位置で、かつ前記高周波回路を囲むように形成された複数の導体ランドを接続する半田ボールによって囲まれた領域の縦横寸法は、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/2未満であるか、あるいは1/2となる長さを避けていることを特徴とする請求項1、3、5の何れか一つに記載の高周波回路パッケージ。 - 前記複数の導体ランドおよび複数の半田ボールは、複数の高周波回路をそれぞれ別個に囲むように配設され、
複数の高周波回路を各々、別個に区画された擬似遮蔽キャビティに収納したことを特徴とする、請求項1または4に記載の高周波回路パッケージ。 - 請求項1〜9の何れか一つに記載の高周波回路パッケージと、前記第2の誘電体基板の前記第1の誘電体基板の搭載面と反対側に配置され、前記導波管に接続されたアンテナを備えたことを特徴とするセンサモジュール。
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JP5724214B2 (ja) * | 2010-05-24 | 2015-05-27 | 日本電気株式会社 | 通信モジュール |
JP5172925B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2013-03-27 | 株式会社東芝 | 無線装置 |
US9693492B2 (en) | 2011-04-14 | 2017-06-27 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency package |
WO2013080560A1 (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-06 | パナソニック株式会社 | 無線モジュール |
TWI593334B (zh) * | 2011-12-07 | 2017-07-21 | Panasonic Ip Man Co Ltd | Wireless module |
US8866291B2 (en) * | 2012-02-10 | 2014-10-21 | Raytheon Company | Flip-chip mounted microstrip monolithic microwave integrated circuits (MMICs) |
CN103650234A (zh) * | 2012-02-15 | 2014-03-19 | 松下电器产业株式会社 | 无线模块 |
US9577314B2 (en) * | 2012-09-12 | 2017-02-21 | International Business Machines Corporation | Hybrid on-chip and package antenna |
JP6020054B2 (ja) | 2012-11-05 | 2016-11-02 | 株式会社デンソー | 高周波モジュール |
CN105590902B (zh) * | 2013-02-08 | 2019-02-19 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 天线封装模块及其制造方法 |
JP5974956B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-08-23 | 三菱電機株式会社 | 高周波パッケージ |
JP6045436B2 (ja) | 2013-05-02 | 2016-12-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
KR101531098B1 (ko) * | 2013-08-22 | 2015-06-23 | 삼성전기주식회사 | 통신 패키지 모듈 |
US9337522B2 (en) * | 2013-10-30 | 2016-05-10 | Infineon Technologies Ag | Millimeter-wave system including a waveguide transition connected to a transmission line and surrounded by a plurality of vias |
JP6135485B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2017-05-31 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
US9651585B2 (en) * | 2013-12-18 | 2017-05-16 | National Instruments Corporation | Via layout techniques for improved low current measurements |
CN105144481A (zh) * | 2014-03-03 | 2015-12-09 | 株式会社藤仓 | 天线模块及其安装方法 |
WO2015136629A1 (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | 三菱電機株式会社 | 高周波パッケージ |
US9652649B2 (en) * | 2014-07-02 | 2017-05-16 | Auden Techno Corp. | Chip-type antenna device and chip structure |
JP6385740B2 (ja) | 2014-07-04 | 2018-09-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置およびその製造方法 |
JP6364315B2 (ja) | 2014-07-04 | 2018-07-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
WO2016006676A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
JP2016036124A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-17 | 新日本無線株式会社 | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 |
DE102014218339A1 (de) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | Robert Bosch Gmbh | Einrichtung zur Übertragung von Millimeterwellensignalen |
KR20160098016A (ko) | 2015-02-09 | 2016-08-18 | 한국전자통신연구원 | 미세 임피던스 변화량 감지를 위한 마이크로스트립, 슬롯 센서 장치 |
US9691694B2 (en) * | 2015-02-18 | 2017-06-27 | Qualcomm Incorporated | Substrate comprising stacks of interconnects, interconnect on solder resist layer and interconnect on side portion of substrate |
KR101551145B1 (ko) | 2015-02-26 | 2015-09-07 | 삼성전기주식회사 | 통신 패키지 모듈 |
US9443810B1 (en) | 2015-09-14 | 2016-09-13 | Qualcomm Incorporated | Flip-chip employing integrated cavity filter, and related components, systems, and methods |
US10033076B2 (en) * | 2016-01-07 | 2018-07-24 | Raytheon Company | Stacked filters |
WO2017138121A1 (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2018065059A1 (en) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A waveguide feed |
US10782388B2 (en) * | 2017-02-16 | 2020-09-22 | Magna Electronics Inc. | Vehicle radar system with copper PCB |
KR102639101B1 (ko) * | 2017-02-24 | 2024-02-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자기간섭 차폐 구조를 갖는 반도체 패키지 |
EP3370487A1 (en) * | 2017-03-02 | 2018-09-05 | Nxp B.V. | Packaged rf circuits and radio unit |
JP6311822B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2018-04-18 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
JP2019016716A (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-31 | 国立大学法人 鹿児島大学 | 積層基板及び金属ボールの実装方法 |
US10867938B2 (en) * | 2017-09-25 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Package structure |
KR102540353B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2023-06-07 | 삼성전자주식회사 | 인쇄 회로 기판 및 상기 인쇄 회로 기판을 포함하는 장치 |
KR102362243B1 (ko) * | 2017-10-18 | 2022-02-11 | 삼성전자주식회사 | Rf 패키지 모듈 및 rf 패키지 모듈을 포함하는 전자 장치 |
DE102017223689A1 (de) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtungen mit Hochfrequenzleitungselementen und zugehörige Herstellungsverfahren |
JP7076347B2 (ja) * | 2018-09-18 | 2022-05-27 | 日本特殊陶業株式会社 | 導波管 |
EP3860325A4 (en) * | 2018-09-28 | 2022-06-22 | Sony Interactive Entertainment Inc. | ELECTRONIC DEVICE |
DE102019200902A1 (de) | 2019-01-24 | 2020-07-30 | Audi Ag | Radarsensor, Kraftfahrzeug und Verfahren zum Herstellen eines Radarsensors |
US20200243484A1 (en) * | 2019-01-30 | 2020-07-30 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Radio frequency (rf) switch device including rf switch integrated circuit (ic) divided between sides of pcb |
DE102019102784A1 (de) * | 2019-02-05 | 2020-08-06 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtungen mit Radar-Halbleiterchip und zugehörige Herstellungsverfahren |
US11128023B2 (en) * | 2019-02-22 | 2021-09-21 | Texas Instruments Incorporated | Substrate design for efficient coupling between a package and a dielectric waveguide |
CN111613862B (zh) * | 2019-02-22 | 2023-01-10 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 基板和通信系统 |
KR102031203B1 (ko) * | 2019-03-20 | 2019-10-11 | 동우 화인켐 주식회사 | 안테나 적층체 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 |
US11605603B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-03-14 | Intel Corporation | Microelectronic package with radio frequency (RF) chiplet |
US11527808B2 (en) * | 2019-04-29 | 2022-12-13 | Aptiv Technologies Limited | Waveguide launcher |
US11196146B2 (en) * | 2019-05-14 | 2021-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Grounded BGA wave-guiding interface between an on-package signal launch and an external waveguide |
EP3979308A4 (en) | 2019-05-31 | 2023-08-16 | Kyocera Corporation | PRINTED CARD AND METHOD OF MAKING A PRINTED CARD |
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WO2021054197A1 (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 積水化学工業株式会社 | 接着剤及びアンテナ装置 |
WO2021054196A1 (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 積水化学工業株式会社 | 接着剤及びアンテナ装置 |
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WO2021054194A1 (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 積水化学工業株式会社 | 接着剤及びアンテナ装置 |
WO2021094506A1 (en) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | Uhland Goebel | Microwave system and apparatus |
DE102020101293A1 (de) | 2020-01-21 | 2021-07-22 | Infineon Technologies Ag | Hochfrequenz-vorrichtung mit halbleitervorrichtung und wellenleiter-bauteil |
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US11212912B1 (en) * | 2020-06-30 | 2021-12-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Printed circuit board mesh routing to reduce solder ball joint failure during reflow |
CN112131817B (zh) * | 2020-09-28 | 2023-10-31 | 北京国联万众半导体科技有限公司 | 毫米波单片一体化设计方法 |
US20220406737A1 (en) * | 2021-06-16 | 2022-12-22 | Intel Corporation | Die to die high-speed communication without discrete amplifiers between a mixer and transmission line |
US11869858B2 (en) * | 2022-01-05 | 2024-01-09 | Marki Microwave, Inc. | Packaging high-frequency microwave circuits using hot via die attach with interposer |
US20240022001A1 (en) * | 2022-07-15 | 2024-01-18 | Aptiv Technologies Limited | Solderable Waveguide Antenna |
WO2024023870A1 (ja) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | 三菱電機株式会社 | 導波管-マイクロストリップ線路変換器、アンテナ装置、及びレーダ装置 |
US20240121897A1 (en) * | 2022-10-05 | 2024-04-11 | Nxp B.V. | Vertical launcher for a printed circuit board |
WO2024084556A1 (ja) * | 2022-10-18 | 2024-04-25 | 三菱電機株式会社 | 高周波半導体パッケージ |
CN115692350B (zh) * | 2023-01-03 | 2023-03-21 | 成都天成电科科技有限公司 | 一种抑制高次模的芯片封装结构 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2674417B2 (ja) | 1992-04-01 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | 超高周波用パッケージ |
JPH08250913A (ja) | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Honda Motor Co Ltd | Mmicパッケージ組立 |
JPH08330696A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-13 | Japan Radio Co Ltd | 高放熱効果のコプレーナ型mmic回路 |
JPH10308478A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-11-17 | Toshiba Corp | 半導体モジュール |
US6130483A (en) | 1997-03-05 | 2000-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MMIC module using flip-chip mounting |
JP3462062B2 (ja) * | 1997-12-22 | 2003-11-05 | 京セラ株式会社 | 高周波用伝送線路の接続構造および配線基板 |
TW473882B (en) * | 1998-07-06 | 2002-01-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
US6297551B1 (en) | 1999-09-22 | 2001-10-02 | Agere Systems Guardian Corp. | Integrated circuit packages with improved EMI characteristics |
JP3617633B2 (ja) | 2000-10-06 | 2005-02-09 | 三菱電機株式会社 | 導波管接続部 |
JP4008004B2 (ja) * | 2000-10-06 | 2007-11-14 | 三菱電機株式会社 | 導波管接続部 |
JP2002164465A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Kyocera Corp | 配線基板、配線ボード、それらの実装構造、ならびにマルチチップモジュール |
US6754407B2 (en) * | 2001-06-26 | 2004-06-22 | Intel Corporation | Flip-chip package integrating optical and electrical devices and coupling to a waveguide on a board |
US7276987B2 (en) | 2002-10-29 | 2007-10-02 | Kyocera Corporation | High frequency line-to-waveguide converter and high frequency package |
JP3969321B2 (ja) | 2003-02-20 | 2007-09-05 | 三菱電機株式会社 | 高周波送受信モジュール |
DE602004027622D1 (de) | 2003-05-26 | 2010-07-22 | Omron Tateisi Electronics Co | Informationsträger, informationsaufzeichnungsmedium, sensor, güterverwaltungsverfahren |
EP1729340B1 (en) | 2004-03-26 | 2017-09-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency package, transmitting and receiving module and wireless equipment |
JP4634836B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-02-16 | 三菱電機株式会社 | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
JP4448461B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-04-07 | 富士通株式会社 | 半導体パッケージの作製方法 |
US20060226928A1 (en) * | 2005-04-08 | 2006-10-12 | Henning Larry C | Ball coax interconnect |
US7405477B1 (en) | 2005-12-01 | 2008-07-29 | Altera Corporation | Ball grid array package-to-board interconnect co-design apparatus |
JP2006287962A (ja) * | 2006-05-19 | 2006-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波送受信モジュール |
EP2178151B1 (en) * | 2007-08-02 | 2015-03-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Waveguide connection structure |
EP2333828B1 (en) * | 2008-09-05 | 2019-11-20 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency circuit package, and sensor module |
JP2011151367A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Sony Corp | 回路基板積層モジュール及び電子機器 |
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