JP5974956B2 - 高周波パッケージ - Google Patents
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Description
この発明に係る実施の形態1による高周波パッケージについて図を用いて説明する。図1は、実施の形態1による高周波パッケージの構成を示す図である。図1において、実施の形態1による高周波パッケージ4は、誘電体多層基板1と、誘電体多層基板2と、導電性接続部材であるBGAボール3から構成される。誘電体多層基板1及び誘電体多層基板2の間には、2次元面内に複数配列されたはんだボールまたは金バンプからなるBGAボール3が配置される。誘電体多層基板1及び誘電体多層基板2は、BGAボール3を間に挟み所定の距離を空けて配置され、BGAボール3により接合される。
実施の形態1による高周波パッケージ4は、MMIC5、チップ抵抗6等の回路の実装面に形成されたRF回路、DC回路等から、半導体素子の処理する所望信号とは周波数帯の異なる不要放射信号が発生する。この不要放射信号は、誘電体多層基板1と誘電体多層基板2を接続するBGAボール3の最外周に配列された不要放射抑圧用のBGAボール列9により、外側に漏洩し難くなるようになされている。
Claims (2)
- 裏面に高周波回路が搭載された第1の誘電体多層基板と、
上記第1の誘電体多層基板の裏面と対向して、複数の導電性接続部材の介在により上記第1の誘電体多層基板に接合され、当該導電性接続部材とともに上記高周波回路を囲む第2の誘電体多層基板と、
を備え、
上記第2の誘電体多層基板は、上記第1の誘電体多層基板の対向面に形成される接地導体の除去された第1の誘電体開口部と、内層接地導体層及びビアに囲まれて形成される、一端部が上記第1の誘電体開口部に接続された誘電体導波管と、上記誘電体導波管の他端部に接続されて薄膜抵抗の形成される第2の誘電体開口部と、内層接地導体層及びビアに囲まれて形成される、一端部が上記第2の誘電体開口部に接続され、他端部が複数のビア列に短絡した先端短絡誘電体導波管とを有し、
上記導電性接続部材は、上記第1の誘電体多層基板の外周に沿う上記高周波回路を囲んで誘電体多層基板内の高周波信号の伝搬波長の4分の1よりも短い長さの間隔で配置される複数個の不要放射抑制用の導電性接続部材の列と、当該複数個の不要放射抑制用の導電性接続部材の列よりも外側に、更に少なくとも1列配置された誘電体多層基板内の高周波信号の伝搬波長の4分の1よりも短い長さの間隔で配置される複数個の不要放射抑制用の導電性接続部材の他の列を有し、
上記第1の誘電体開口部は、上記高周波回路を囲んで配置した複数個の不要放射抑制用の導電性接続部材の列と上記複数個の不要放射抑制用の導電性接続部材の他の列の間に配置した
高周波パッケージ。 - 上記第1の誘電体多層基板、第2の誘電体多層基板は、樹脂基板であることを特徴とする請求項1記載の高周波パッケージ。
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