JP5724214B2 - 通信モジュール - Google Patents

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本発明は通信モジュールにするものであり、特に光ファイバ通信に使用される通信モジュールに関する。
近年、インターネットの普及による通信需要の増大に伴い、光通信システムは大容量かつ高速でデータを伝送する技術が求められている。
光通信技術は、光送信モジュールおよび光受信モジュール間を光ファイバで接続し、光信号をデータとして伝送する技術である。光ネットワークシステムのキーデバイスである光送信モジュールおよび光受信モジュールは、システムの高速化・大容量化に伴い、モジュール自体の小型化・高速化が求められている。
特許文献1には、高周波配線を備えるモジュールの小型化を目的とした技術が記載されている。特許文献1のマイクロ波モジュールは、RF回路と制御回路とを立体的に配置され、両者の電源配線や信号配線を共通化されて接続している。
特開平3−64218
RF回路における高周波配線は、周囲からのノイズの影響などを受けやすいという特徴がある。しかし特許文献1の構造は、制御回路とRF回路の電源配線が共通化されているため、RF回路や制御回路に電源を供給する配線と、高周波配線が近接して設けられる。その結果、電源を供給する配線から発生されるノイズの影響を高周波配線が受けてしまい誤差動を起してしまうという問題があった。
本発明の目的は、上述した課題を解決する通信モジュールを提供することにある。
本発明は、基板キャリアと、基板キャリア上に設けられた高周波配線基板と、高周波配線基板を挟んで、高周波配線基板の配線方向に対向して設けられている一対の側面部材と、一対の側面部材上に、少なくとも一部が高周波配線基板と重なって設けられている直流配線基板とを備えていることを特徴とする通信モジュールである。
本発明によれば、通信モジュールの高周波配線が周囲からのノイズに影響されることを防止できる。
第1の実施形態における高周波配線基板と直流配線基板と基板キャリアとの接続関係を示す図である 第2の実施形態における通信モジュールの上面図である。 第2の実施形態における通信モジュールの側面図である。 第3の実施形態における高周波配線基板と直流配線基板と基板キャリアとの接続関係を示す図である。 第4の実施形態における高周波配線基板と直流配線基板と基板キャリアとの接続関係を示す図である。
〔第1の実施形態〕以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい限定がされているが、発明の範囲を以下に限定するものではない。
〔構造の説明〕図1は、通信モジュール1における基板キャリア2と高周波配線基板3と側面部材4と直流配線基板5との接続関係を示す斜視図である。
高周波配線基板3は、通信モジュール1に設けられる高周波配線を備える基板である。また直流配線基板5は、通信モジュール1内の素子に電源供給を行う直流配線5aを備える基板である。
高周波配線基板3は、基板キャリア2上に配置されている。基板キャリア2は、Fe-Ni合金、Cu、CuW、Al、あるいはSiで構成されている。高周波配線基板3は、上記に記載した材料の基板キャリア2上に直接配置されることにより、基板キャリア2を介して放熱することができる。
基板キャリア2における高周波配線基板3の両端部(両脇)には、一対の側面部材4が高周波配線基板3と対向して設けられている。側面部材4の材質は、基板キャリア2と同様にFe-Ni合金、Cu、CuW、AlあるいはSiで構成されている。
側面部材4は、基板キャリア2を削りだすことで、基板キャリア2と一体化して形成してもよいし、別々に設けて基板キャリア2に接着により接続してもよい。基板キャリア2と側面部材4とは、電位が一定となるように設けられている。なお、基板キャリア2と側面部材4の電位としては、グランド電位であることがより好ましい。
側面部材4は、高周波配線基板3を挟んで配線方向に延在して設けられている。
直流配線基板5は、一対の側面部材4上に接着して設けられている。また直流配線基板5の少なくとも一部は、基板上方から見て(平面視において)高周波配線基板3と重なる位置に設けられている。つまり、高周波配線基板3と直流配線基板5とは、少なくとも一部が対向して設けられている。
直流配線基板5は、直流配線5aより下層に一定電位層であるグランド層5bを設けており、グランド層5bは側面部材4と電気的に接続している。なおグランド層5bは、少なくとも高周波配線と対向する位置に設けていればよいが、直流配線基板5の全面に設けられているほうが好ましい。なお図1は、直流配線基板5の全面に設けた場合を示しており、
グランド層5bは、基板上方からみて(平面視において)高周波配線基板3より大きく、高周波配線基板3を覆うように設けられている。
上記構成により、高周波配線基板3は、下部方向に基板キャリア2、配線方向の両脇(両端部)に一対の側面部材4、上部方向にグランド層5bを備えた直流配線基板5が設けられている。そのため高周波配線基板3は、基板キャリア2と側面部材4と直流配線基板5におけるグランド層5bとにより、実質的に一定電位(グランド電位)で囲まれて配置されている。
なお、直流配線基板5は、側面部材4の外側から、モジュール内の素子などに電源の供給を行っている。そのため、直流配線基板5と高周波配線基板4とは、両者が対向する面からは電気的に接続はしてない。
[作用・効果の説明]基板キャリア2上における高周波配線基板3の両端部(両脇)には、一対の側面部材4が高周波配線基板3と対向して設けられている。側面部材4は、高周波配線基板3の配線方向に延在して設けられている。また、側面部材4上には、直流配線基板5が設けられており、直流配線基板5の少なくとも一部は、基板上方からみて(平面視において)高周波配線基板3と重なって設けられている。
高周波配線基板3は、周囲からのノイズの影響を受けやすい。しかし、本実施形態による通信モジュール1の高周波配線基板3は、一定電位(グランド電位)である基板キャリア2と側面部材4と、直流配線基板5のグランド層5bとにより、実質的に一定電位(グランド電位)で囲まれて配置されている。上記構成により、高周波配線基板3は、直流配線5aなど周囲からのノイズなどによる影響を防ぐことができる。
また本実施形態による通信モジュール1は、上記構成により直流配線基板5と高周波配線基板3とが重なっているための実装面積を小型することができる。そのため通信モジュール1は、高周波配線基板3が直流配線5aなど外部から受けるノイズの影響を防ぐとともに、通信モジュール1の小型化を実現することができる。
〔第2の実施形態〕次に図2を用いて、第2の実施形態について説明する。
〔構造の説明〕図2は、本実施形態におけるは通信モジュール1の全体を示す上面図であり、図3は側面図である。
図2と図3に示すように、本実施形態は、第1の実施形態における高周波配線基板3、側面部4、直流配線基板5を備えた通信モジュール1である。
本実施形態における通信モジュール1は、第1の実施形態に加えて少なくとも2つの開口部8が設けられた筐体7と、開口部8、レンズ9、第1ビームスプリッタ10、第2ビームスプリッタ11、位相変調部12、フォトダイオード13、増幅回路14とを設けている。
筐体7は、箱型の形状である。筐体7は、内部に少なくとも、レンズ9、第1ビームスプリッタ10、第2ビームスプリッタ11、位相変調部12、フォトダイオード13、増幅回路14、基板キャリア2、高周波配線基板3、側面部4、直流配線基板5を設けている。また筐体7内部は、性能保持のため、窒素ガス封入後に溶接によって気密封止を行っている。
筐体7の材質はセラミック、形状は箱型であり内部に空間を有している。しかし、本発明と同様の効果を示す材質、形状であればこれに限定されない。筐体7は、側面部に開口部8を設けており、開口部8において光ファイバ6と接続している。
本実施形態における筐体7は、開口部8を少なくとも2つ設けている。一方の開口部8は、通信用の光ファイバ6と接続しており、他方の開口部8は、局発光用の光ファイバ6と接続している。なお、開口部8の数、形状、配置に関しては、本発明と同様の効果を示すものであれば、これに限定されない。
レンズ9は、2つの開口部8にそれぞれ対向して設けられている。一方のレンズ9は開口部8を介して信号用の光ファイバ6から伝播された通信用のシグナル光を、第1ビームスプリッタ10に伝播させる。同様に他方のレンズ9は、開口部8を介して局発光用の光ファイバ6から伝播された局発光を、第2ビームスプリッタ11に伝播させる。
第1ビームスプリッタ10は、レンズ9と対向して、開口部8と反対側に設けられており、偏光型のビームスプリッタである。第1ビームスプリッタ10は、レンズ9から伝播してきたシグナル光を水平偏波と垂直偏波(TE、TM成分)に分岐を行う。
第2ビームスプリッタ11は、レンズ9と対向して開口部8と反対側に設けられている。第2ビームスプリッタ11は、局発光用の光ファイバ6から伝播してきた局発光をTE、TM成分に分岐させる。なお、局発光は、位相がシグナル光より90度ずれた信号(遅延信号)である。
位相変調部12は、90度ハイブリッドミキサーであり、垂直成分のシグナル光と局発光とを復調(ミキシング)することで、2つの差動線路(位相が45度と225度、225度と45度)を形成する。同様に、位相変調部12は水平成分のシグナル光と局発光とを復調することで、2つの差動線路(位相が135度と315度、315度と135度)を形成する。すなわち位相変調部12が形成する4つの差動線路は、8ポート分の出力を備えている。
本実施形態における通信モジュール1は、4つの光位相(45度、135度、225度、315度)を備えるDP−QPSK方式である。
レンズ9と第1ビームスプッリタ10と第2ビームスプリッタ11と位相変調部12は、PLC15(Planar Light wave Circuit)と呼ばれる光導波回路上に設けられている。PLC15は、基板キャリア2上に設けられている。
フォトダイオード13は、少なくとも8つ設けられている。フォトダイオード13はそれぞれ位相変調部12が復調した4つの差動線路における8つの出力を受光する。フォトダイオード13は、位相変調部12から伝播された光信号を電流に変換する。
増幅回路14は、少なくとも4つ設けられており、フォトダイオード13と接続することで光信号から電流に変換された差動線路を増幅させる。増幅回路14は、増幅させた4つの差動線路を高周波配線基板3に接続する。
高周波配線基板3は、増幅回路14から入力された4つ差動線路を備えている基板である。高周波配線基板3は、筐体7に設けられた端子16により筐体7外部に出力する。
直流配線基板5は、フォトダイオード13と増幅回路14とに電源を供給するための直流配線5aを備えている基板である。直流配線基板5は、筐体7に設けられた端子16により、フォトダイオード13と増幅回路14に電源を供給している。
なお、基板キャリア2と高周波配線基板3と側面部材4と直流配線基板5とは、実施形態1と同様に配置・接続している。
本実施形態において基板キャリア2は、高周波配線基板3が配置されている基板キャリア2aと、PLC15を配置されている基板キャリア2bとを備えている。基板キャリア2aと基板キャリア2bは、別の部材として独立して設けてもよいし、基板キャリア2aと基板キャリア2bとを同一部材で一体化させてもよい。
〔作用・効果の説明〕本実施形態における通信モジュール1は、第1の実施形態と同様に高周波配線基板3が、グランド電位である基板キャリア2と側面部材4と、直流配線基板5のグランド層5bとにより、実質的にグランドに囲まれて配置されている。上記構成により、高周波配線基板3は、フォトダイオード13や増幅回路14に電源供給をおこなう直流配線5aなど周囲からのノイズによる影響を防ぐことができる。
また本実施形態による通信モジュール1は、高周波配線基板3が配置されている基板キャリア2aと、PLC15を配置されている基板キャリア2bとを同一部材として設けることができる。上記構成により、本発明による通信モジュール1はフォトダイオード13と増幅器12とを近接して設けることができ、フォトダイオード13と増幅器12のあいだの通信特性を向上することできる。
〔第3の実施形態〕次に図4を用いて、第3の実施形態について説明する。
〔構成の説明〕図4は、基板キャリア2上の高周波配線基板3と直流配線基板5との接続関係を示す斜視図である。第2の実施形態と異なる点は、側面部材4は高周波配線基板3の配線方向に所定の間隔をあけて設けられている点である。それ以外は、第2の実施形態と同様である。つまり、第3の実施形態に関する通信モジュール1は、少なくとも2つの開口部8が設けられた筐体7と、開口部8、レンズ9、第1ビームスプリッタ10、第2ビームスプリッタ11、位相変調部12、フォトダイオード13、増幅回路14、高周波配線基板3、直流配線基板5、基板キャリア2を設けている。
図4に示すように一対の側面部材4は、キャリア基板2上の高周波配線基板3の両脇(両端部)において配線方向に、所定の間隔をあけて複数設けられている。側面部材4の配置される所定の間隔は、高周波配線基板3が伝播する信号の周波数の1/2以下である。なお通信モジュール1が小型化された場合、基板キャリア2の四隅のみの配置でもよい。
〔作用・効果の説明〕第2の実施形態における、作用・効果について説明する。側面部材4の配置される間隔を高周波配線基板3が伝播する信号の周波数の1/2以下にすることで、外部からのノイズなどによる影響を第1の実施形態と同様に防ぐことができる。
また本実施形態は、側面部材4を所定の間隔をあけて設けることで、第1の実施形態に比べて通信モジュール1の軽量化を実現することができる。
〔第4の実施形態〕次に図5を用いて、第4の実施形態について説明する。
〔構成の説明〕図5は、基板キャリア2上の高周波配線基板3と直流配線基板5との接続関係を示す斜視図である。第2の実施形態と異なる点は、上面部材17を設けている点である。それ以外は、第2の実施形態と同様である。つまり第3の実施形態に関する通信モジュール1は、少なくとも2つの開口部8が設けられた筐体7と、開口部8、レンズ9、第1ビームスプリッタ10、第2ビームスプリッタ11、位相変調部12、フォトダイオード13、増幅回路14、高周波配線基板3、直流配線基板5、基板キャリア2を設けている。
図5に示すように、上面部材17は、側面部材4と直流配線基板5との間に設けられている。つまり、上面部材17は、対向する一対の側面部材4上に設けられており、直流配線基板5は上面部材17上に設けられている。
上面部材17の材質は、基板キャリア2や側面部材4と同様にFe-Ni合金、Cu、CuW、Al、Siなどで構成されている。上面部材17と側面部材4は、基板キャリア2を削りだして一体化して形成してもよい。また基板キャリア2と側面部材4と上面部材17は個別に形成し、基板キャリア2上に一対の側面部材4を高周波基板3と対向するように設けて、さらに側面部材4上に上面部材17を設け、それぞれを接着により接続させてもよい。なお基板キャリア2と側面部材4と上面部材17は、一定の電位(グランド電位)となっている。
本実施形態における高周波配線基板3は、下部方向に基板キャリア2、配線方向の両脇(両端部)に一対の側面部材4、上部方向に上面部材17が設けられている。上記構成により、高周波配線基板3は、基板キャリア2と側面部材4と上面部材17とにより、実質的に一定の電位(グランド電位)に囲まれて配置されている。
〔作用・効果の説明〕第3の実施形態の作用・効果について説明する。本実施形態における高周波配線基板3は、基板キャリア2と側面部材4と上面部材17とにより同一部材で実質的に一定の電位(グランド電位)に囲まれている。上記構成により、高周波配線基板3は、直流配線基板5のグランド層5bを用いる場合に比べて、周囲からのノイズなどによる影響を確実に防ぐことができる。
1 通信モジュール
2 基板キャリア
3 高周波配線基板
4 側面部材
5 直流配線基板
5a 直流配線
5b グランド層
6 ファイバ
7 筐体
8 開口部
9 レンズ
10 第1ビームスプリッタ
11 第2ビームスプリッタ
12 位相変調部
13 フォトダイオード
14 増幅回路
15 PLC
16 端子
17 上面部材

Claims (7)

  1. 基板キャリアと
    前記基板キャリア上に設けられた高周波配線基板と
    前記高周波配線基板を挟んで、前記高周波配線基板の配線方向に対向して設けられている一対の側面部材と
    前記一対の側面部材上に、少なくとも一部が前記高周波配線基板と重なって設けられている直流配線基板とを備えており、
    前記直流配線基板は、直流配線より前記高周波配線側に一定電位層を設けており、前記一定電位層は一対の前記側面部材と電気的に接続しており、
    前記基板キャリアと前記側面部材は一定電位であり、
    前記一定電位層は、平面視において前記高周波配線基板より大きく、前記高周波配線基板は、前記基板キャリアと一対の前記側面部材と前記一定電位層により囲まれていることを特徴とする通信モジュール。
  2. 前記側面部材は、前記高周波配線基板の配線方向に前記高周波配線基板が通信する信号の波長の1/2以下の間隔で配置されていることを特徴とする請求項1に記載の通信モジュール。
  3. 前記一定電位層は前記直流配線基板の下面全体を覆って形成されている請求項1に記載の通信モジュール。
  4. 光信号を分岐するビームスプリッタと、
    前記ビームスプリッタから出力された光信号の位相を変調する位相変調部と、
    前記位相変調部から出力された光信号を電気信号に変換するフォトダイオードと
    前記フォトダイオードから出力された電気信号を増幅させ、前記高周波配線基板に出力する増幅部とを備え、
    前記ビームスプリッタと前記位相変調部と前記フォトダイオードとを備える基板が前記基板キャリア上に設けられていることを特徴とする請求項1乃至3に記載の通信モジュール。
  5. 前記直流配線基板は、前記フォトダイオードと前記増幅回路の電源供給を行う直流配線を有していることを特徴とする請求項4に記載の通信モジュール。
  6. 前記位相変調部は、4組の差動線路を形成することを特徴とする請求項4に記載の通信モジュール。
  7. 筐体は、気密された内部に少なくとも前記基板キャリアと前記高周波基板と前記直流配線と前記側面部材と前記ビームスプリッタと前記位相変調部と前記フォトダイオードと前記増幅部とを設けており、
    前記筐体はセラミックであることを特徴とする請求項4に記載の通信用モジュール。
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