JPH08330696A - 高放熱効果のコプレーナ型ｍｍｉｃ回路 - Google Patents
高放熱効果のコプレーナ型ｍｍｉｃ回路Info
- Publication number
- JPH08330696A JPH08330696A JP7152575A JP15257595A JPH08330696A JP H08330696 A JPH08330696 A JP H08330696A JP 7152575 A JP7152575 A JP 7152575A JP 15257595 A JP15257595 A JP 15257595A JP H08330696 A JPH08330696 A JP H08330696A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coplanar
- circuit
- substrate
- mmic circuit
- mmic
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱効果の高いコプレーナ型ＭＭＩＣ回路を
提供すること。 【構成】 信号パターンとグランドパターンとが同一平
面上に存在するコプレーナ型ＭＭＩＣ回路において、該
コプレナー型ＭＭＩＣ回路７と基板１７との間を多数の
箇所１８でバンプ接合することにより、該コプレナー型
ＭＭＩＣ回路７と該基板１７との間に放熱のための間隙
を形成し、かつ金属板１９に張付けられる該基板１７に
放熱のための多数のスルーホール２０を設けた構成とし
た。
提供すること。 【構成】 信号パターンとグランドパターンとが同一平
面上に存在するコプレーナ型ＭＭＩＣ回路において、該
コプレナー型ＭＭＩＣ回路７と基板１７との間を多数の
箇所１８でバンプ接合することにより、該コプレナー型
ＭＭＩＣ回路７と該基板１７との間に放熱のための間隙
を形成し、かつ金属板１９に張付けられる該基板１７に
放熱のための多数のスルーホール２０を設けた構成とし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、信号パターンとグラン
ドパターンとが同一平面上に存在するコプレーナ型ＭＭ
ＩＣ（モノリシック・マイクロウエーブ・ＩＣ）回路に
関し、特に放熱効果の高いコプレーナ型ＭＭＩＣ回路に
関する。
ドパターンとが同一平面上に存在するコプレーナ型ＭＭ
ＩＣ（モノリシック・マイクロウエーブ・ＩＣ）回路に
関し、特に放熱効果の高いコプレーナ型ＭＭＩＣ回路に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置においては、図３に
その原理的構成を示すようなマイクロストリップ型ＭＭ
ＩＣ回路が知られている。即ち、基板１の表面に信号ラ
イン２が形成されて、ＭＭＩＣ回路がマイクロストリッ
プ線路で構成され、基板の裏面がグラウンド３となって
いる。
その原理的構成を示すようなマイクロストリップ型ＭＭ
ＩＣ回路が知られている。即ち、基板１の表面に信号ラ
イン２が形成されて、ＭＭＩＣ回路がマイクロストリッ
プ線路で構成され、基板の裏面がグラウンド３となって
いる。
【０００３】ＭＭＩＣ回路の放熱を考慮して、チップ厚
ｔ１を出来るだけ薄くして、グラウンド３を（図示しな
い）金属板に張付ける手法が取られている。一方、図４
において原理的概略構成を示すコプレナー型ＭＭＩＣ回
路（基板４の同一表面に信号パターン５とグラウンドパ
ターン６とが存在するようなコプレーナ型ＭＭＩＣ回
路）が知られている。
ｔ１を出来るだけ薄くして、グラウンド３を（図示しな
い）金属板に張付ける手法が取られている。一方、図４
において原理的概略構成を示すコプレナー型ＭＭＩＣ回
路（基板４の同一表面に信号パターン５とグラウンドパ
ターン６とが存在するようなコプレーナ型ＭＭＩＣ回
路）が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上述べた従来のマイ
クロストリップ型ＭＭＩＣ回路においては、基板を金属
面に張付けるために、該グラウンド面を高精度に研磨す
る必要があった。一方、コプレーナ型ＭＭＩＣ回路にお
いては、基板チップの厚さＴ２を薄くすることが困難で
あり、そのためチップからの放熱が不十分となり、回路
動作の不安定、回路性能の劣化、及び回路寿命の短命化
等の不都合があつた。
クロストリップ型ＭＭＩＣ回路においては、基板を金属
面に張付けるために、該グラウンド面を高精度に研磨す
る必要があった。一方、コプレーナ型ＭＭＩＣ回路にお
いては、基板チップの厚さＴ２を薄くすることが困難で
あり、そのためチップからの放熱が不十分となり、回路
動作の不安定、回路性能の劣化、及び回路寿命の短命化
等の不都合があつた。
【０００５】本発明は上記従来技術の課題を解決するよ
うにした高い放熱効果を備えたコプレーナ型ＭＭＩＣ回
路を提供することを目的とする。
うにした高い放熱効果を備えたコプレーナ型ＭＭＩＣ回
路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような従
来技術の問題点を解決するために、信号パターンとグラ
ンドパターンとが同一平面上に存在するコプレーナ型Ｍ
ＭＩＣ回路において、該コプレナー型ＭＭＩＣ回路と基
板との間を多数の箇所でバンプ接合することにより、該
コプレナー型ＭＭＩＣ回路と該基板との間に放熱のため
の間隙を形成し、かつ金属板に張付けられる該基板に放
熱のための多数のスルーホールを設けた構成とする。
来技術の問題点を解決するために、信号パターンとグラ
ンドパターンとが同一平面上に存在するコプレーナ型Ｍ
ＭＩＣ回路において、該コプレナー型ＭＭＩＣ回路と基
板との間を多数の箇所でバンプ接合することにより、該
コプレナー型ＭＭＩＣ回路と該基板との間に放熱のため
の間隙を形成し、かつ金属板に張付けられる該基板に放
熱のための多数のスルーホールを設けた構成とする。
【０００７】
【作用】以上述べたように、本発明によればフリップチ
ップ実装において、コプレナー型ＭＭＩＣ回路のチップ
グラウンドと基板のグラウンドとの間のバンプ接合を多
数の箇所で行うことにより、両者間に間隙を形成し、そ
れによってコプレナー型ＭＭＩＣ回路の放熱を有効に行
うことが可能となる。
ップ実装において、コプレナー型ＭＭＩＣ回路のチップ
グラウンドと基板のグラウンドとの間のバンプ接合を多
数の箇所で行うことにより、両者間に間隙を形成し、そ
れによってコプレナー型ＭＭＩＣ回路の放熱を有効に行
うことが可能となる。
【０００８】また、更に金属板に接合される該基板に多
数のスルーホールを形成して、該基板の放熱をより有効
に達成する。
数のスルーホールを形成して、該基板の放熱をより有効
に達成する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図１及び図２
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００１０】図１及び図２において、コプレナー型ＭＭ
ＩＣ回路７を基板１７上にフリップチップ実装すると
き、コプレナー型ＭＭＩＣ回路７のチップグラウンド７
Ａとその基板１７のグラウンド１７Ａとの間のバンプ接
合は、通常図面上小さな黒丸で示す箇所、即ち入力端子
としての入力パッド８、出力端子としての出力パッド
９、及びＤＣ端子としてのＤＣパッド１０、１１のみに
用いられていた。
ＩＣ回路７を基板１７上にフリップチップ実装すると
き、コプレナー型ＭＭＩＣ回路７のチップグラウンド７
Ａとその基板１７のグラウンド１７Ａとの間のバンプ接
合は、通常図面上小さな黒丸で示す箇所、即ち入力端子
としての入力パッド８、出力端子としての出力パッド
９、及びＤＣ端子としてのＤＣパッド１０、１１のみに
用いられていた。
【００１１】図２において、参照符号１２はＦＥＴトラ
ンジスタであり、１３から１６まではキャパシタであ
る。本発明においては、このバンプ接合を更に小さな三
角形で示す多数の箇所１８にも用いるものである。
ンジスタであり、１３から１６まではキャパシタであ
る。本発明においては、このバンプ接合を更に小さな三
角形で示す多数の箇所１８にも用いるものである。
【００１２】即ち、図１から明らかなように、コプレナ
ー型ＭＭＩＣ７と基板１７との間には僅かな間隙が形成
されるので、コプレナー型ＭＭＩＣ７の放熱が有効に行
われ得るようになる。
ー型ＭＭＩＣ７と基板１７との間には僅かな間隙が形成
されるので、コプレナー型ＭＭＩＣ７の放熱が有効に行
われ得るようになる。
【００１３】尚、図１においては、図面作成上の便宜の
ため、バンプ接合の箇所を５箇所のみとしたが、実際は
図２に示す通り多数箇所である。
ため、バンプ接合の箇所を５箇所のみとしたが、実際は
図２に示す通り多数箇所である。
【００１４】図１から明らかなとうり、金属板１９の上
に張付けられる基板１７には、多数のスルーホール２０
が形成されているので、基板１７自体の放熱も有効に行
われ得ることになる。以上述べたように、金属板１９に
基板１７を張付ける場合には、該基板１７を高精度に研
磨する必要が解消される。
に張付けられる基板１７には、多数のスルーホール２０
が形成されているので、基板１７自体の放熱も有効に行
われ得ることになる。以上述べたように、金属板１９に
基板１７を張付ける場合には、該基板１７を高精度に研
磨する必要が解消される。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によればコプ
レナー型ＭＭＩＣ回路と基板との間のバンプ接合を多数
の箇所で行うことにより、両者間に間隙が形成されそれ
によってコプレナー型ＭＭＩＣ回路の放熱が有効に達成
され得る。
レナー型ＭＭＩＣ回路と基板との間のバンプ接合を多数
の箇所で行うことにより、両者間に間隙が形成されそれ
によってコプレナー型ＭＭＩＣ回路の放熱が有効に達成
され得る。
【００１６】また、金属板に接合される該基板に多数の
スルーホール２０を形成するので、該基板の放熱がより
有効に達成され得る。
スルーホール２０を形成するので、該基板の放熱がより
有効に達成され得る。
【００１７】従って、チップの厚さを薄くすることの困
難なコプレナー型ＭＭＩＣ回路においても、薄くするこ
となく高い放熱効果が達成され、かつ金属板に基板を張
付ける場合にも基板を高精度に研磨する必要等が解消さ
れ得る。
難なコプレナー型ＭＭＩＣ回路においても、薄くするこ
となく高い放熱効果が達成され、かつ金属板に基板を張
付ける場合にも基板を高精度に研磨する必要等が解消さ
れ得る。
【００１８】
【図１】図１は、本発明の一実施例構成を示すための概
略側断面図である。
略側断面図である。
【図２】図２は、図１におけるコプレナー型ＭＭＩＣ回
路の構成を示す概略平面図である。
路の構成を示す概略平面図である。
【図３】図３は、従来のマイクロストリップ型ＭＭＩＣ
回路の原理的構成を示す概略斜視図である。
回路の原理的構成を示す概略斜視図である。
【図４】図４は、従来のコプレナー型ＭＭＩＣ回路の原
理的構成を示す概略斜視図である。
理的構成を示す概略斜視図である。
１ 基板 ４ 基板 ２ 信号ライン ３ グラウンド ５ 信号パターン ６ グラウンドパターン ７ コプレナー型ＭＭＩＣ回路 ７Ａ チップグラウンド ８ 入力パッド ９ 出力パッド １０ ＤＣパッド １１ ＤＣパッド １２ ＦＥＴトランジスタ １３ キャパシタ １４ キャパシタ １５ キャパシタ １６ キャパシタ １７ 基板 １７Ａ グラウンド １８ バンプ接合箇所 １９ 金属板 ２０ スルーホール
Claims (1)
- 【請求項１】 信号パターンとグランドパターンとが同
一平面上に存在するコプレーナ型ＭＭＩＣ回路におい
て、該コプレナー型ＭＭＩＣ回路と基板との間を多数の
箇所でバンプ接合することにより、該コプレナー型ＭＭ
ＩＣ回路と該基板との間に放熱のための間隙を形成し、
かつ金属板に張付けられる該基板に放熱のための多数の
スルーホールを設けたことを特徴とする高放熱効果のコ
プレーナ型ＭＭＩＣ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7152575A JPH08330696A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 高放熱効果のコプレーナ型ｍｍｉｃ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7152575A JPH08330696A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 高放熱効果のコプレーナ型ｍｍｉｃ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330696A true JPH08330696A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15543477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7152575A Pending JPH08330696A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 高放熱効果のコプレーナ型ｍｍｉｃ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330696A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10308478A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-11-17 | Toshiba Corp | 半導体モジュール |
| EP1365448A1 (en) * | 2002-05-23 | 2003-11-26 | Tektronix, Inc. | Transmission structure on dies of a wafer and sawing method of the same |
| JP2010021456A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Japan Radio Co Ltd | 高周波モジュール |
| DE112008000985T5 (de) | 2007-04-13 | 2010-02-04 | Kyocera Corp. | Hochfrequenz-Leiterplatte, Hochfrequenz-Schaltmodul und Radargerät |
| WO2010026990A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 三菱電機株式会社 | 高周波回路パッケージおよびセンサモジュール |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP7152575A patent/JPH08330696A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10308478A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-11-17 | Toshiba Corp | 半導体モジュール |
| EP1365448A1 (en) * | 2002-05-23 | 2003-11-26 | Tektronix, Inc. | Transmission structure on dies of a wafer and sawing method of the same |
| DE112008000985T5 (de) | 2007-04-13 | 2010-02-04 | Kyocera Corp. | Hochfrequenz-Leiterplatte, Hochfrequenz-Schaltmodul und Radargerät |
| US8179306B2 (en) | 2007-04-13 | 2012-05-15 | Kyocera Corporation | High-frequency circuit board, high-frequency circuit module, and radar apparatus |
| JP2010021456A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Japan Radio Co Ltd | 高周波モジュール |
| WO2010026990A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 三菱電機株式会社 | 高周波回路パッケージおよびセンサモジュール |
| CN102144289A (zh) * | 2008-09-05 | 2011-08-03 | 三菱电机株式会社 | 高频电路封装件及传感器模块 |
| JP2013165273A (ja) * | 2008-09-05 | 2013-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路パッケージおよびセンサモジュール |
| JP5371997B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2013-12-18 | 三菱電機株式会社 | 高周波回路パッケージおよびセンサモジュール |
| US9070961B2 (en) | 2008-09-05 | 2015-06-30 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency circuit package and sensor module |
| US9433080B2 (en) | 2008-09-05 | 2016-08-30 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency circuit package and sensor module |
| US9648725B2 (en) | 2008-09-05 | 2017-05-09 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency circuit package and sensor module |
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