JP2010021456A - 高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】高周波集積回路チップの製造コスト増加を招くことなく共振による電気特性の劣化を抑えるとともに高周波集積回路チップを小型化する。
【解決手段】ユニプレーナ型MMICチップ12はパッケージ基板14にフリップチップ実装され、MMICチップ12のグランドパターンとパッケージ基板14の実装面14aのグランドパターン53とがグランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43を介して電気的に接続されている。パッケージ基板14には、グランドパターン53とグランドパターン63とを電気的に接続するグランドビア73がMMICチップ12の回路形成面12aの外周部より内側の領域と対向して設けられ、複数のグランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43がMMICチップ12の回路形成面12aの外周部より内側の領域に不規則に配置されている。
【選択図】図1
【解決手段】ユニプレーナ型MMICチップ12はパッケージ基板14にフリップチップ実装され、MMICチップ12のグランドパターンとパッケージ基板14の実装面14aのグランドパターン53とがグランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43を介して電気的に接続されている。パッケージ基板14には、グランドパターン53とグランドパターン63とを電気的に接続するグランドビア73がMMICチップ12の回路形成面12aの外周部より内側の領域と対向して設けられ、複数のグランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43がMMICチップ12の回路形成面12aの外周部より内側の領域に不規則に配置されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、高周波集積回路チップがパッケージ基板に実装された高周波モジュールに関する。
ユニプレーナ型の高周波集積回路(MMIC)チップをパッケージ基板に実装する場合には、一般的には図8に示すように、ユニプレーナ型MMICチップ112の入出力信号端子131,132及びグランド端子(図8では図示を省略)を回路形成面112aの外周部に設け、ボンディングワイヤ141,142によりパッケージ基板114の入出力信号端子151,152及びグランド端子(図8では図示を省略)との電気的接続をそれぞれとっている。しかし、ユニプレーナ型MMICチップ112の回路形成面112aに形成されたグランドパターン123を、パッケージ基板114の裏面114bのグランドパターン163上に置かれる「幅の広い導体」と考えると、電気的な共振が発生することになる。この共振モードは多様ではあるが、代表的には両端開放または短絡されたグランドパターン123では、その長さが1/2波長の整数倍となる周波数で共振が発生する。図9は、両端短絡されたグランドパターン123の電圧分布を示す。MMICチップ112のサイズ(数ミリ程度)でも、高い周波数領域においては、共振モードが使用周波数帯域に発生することになり、伝送特性や反射特性等の電気特性を劣化させる結果となりうる。増幅を伴う回路の場合においては発振の可能性もある。
この共振による電気特性の劣化を避けるために、図10に示すように、MMICチップ112のグランドパターン123と電気的に接続されるグランドビア143をMMICチップ112の中央部に設けるとともに、このグランドビア143及びパッケージ基板114のグランドパターン163と電気的に接続されるグランドビア173をパッケージ基板114に設けることで、共振モードの周波数を高くして使用周波数帯域外に追いやる技術が用いられている。この場合におけるグランドパターン123の電圧分布は図11に示すようになり、共振モード発生の周波数は約2倍となる。
図10に示す構成では、ユニプレーナ型MMICチップ112の中央部にグランドビア143を設けるために、MMICチップ112製造の後工程においてチップ裏面側からのビアホール加工及びめっき加工の工程が必要となる。さらに、ビアホール加工にも基板厚の限界があるため、ウェハの薄化工程も必須となる。その結果、MMICチップ112の製造コスト増加を招くことになる。また、図10に示す構成では、ユニプレーナ型MMICチップ112のグランド端子とパッケージ基板114のグランド端子との電気的接続をボンディングワイヤによりとっているため、MMICチップ112の回路形成面112aの外周部にグランド端子を設ける必要がある分、MMICチップ112が大型化する。
本発明は、高周波集積回路チップがパッケージ基板に実装された高周波モジュールにおいて、高周波集積回路チップの製造コスト増加を招くことなく共振による電気特性の劣化を抑えるとともに高周波集積回路チップを小型化することを目的とする。
本発明に係る高周波モジュールは、上述した目的を達成するために以下の手段を採った。
本発明に係る高周波モジュールは、高周波集積回路チップがパッケージ基板に実装された高周波モジュールであって、高周波集積回路チップの一主面には、信号線路を含む高周波回路パターンと、第1のグランドパターンとが形成され、高周波集積回路チップは、その一主面がパッケージ基板の実装面と対向する状態でパッケージ基板にフリップチップ実装され、パッケージ基板の実装面には、第2のグランドパターンが第1のグランドパターンと対向して形成され、第1のグランドパターンと第2のグランドパターンとがグランド端子を介して電気的に接続され、パッケージ基板の実装面の裏面には、第3のグランドパターンが第2のグランドパターンのほぼ裏側に形成され、パッケージ基板には、第2のグランドパターンと第3のグランドパターンとを電気的に接続するグランドビアが高周波集積回路チップの一主面の外周部より内側の領域と対向して設けられ、複数のグランド端子が高周波集積回路チップの一主面の外周部より内側の領域に不規則に配置されていることを要旨とする。
本発明においては、高周波集積回路チップにグランドビアを設けることなく共振モードの周波数を高くすることができるので、高周波集積回路チップ製造の後工程においてチップ裏面側からのビアホール加工及びめっき加工の工程が不要となる。さらに、高周波集積回路チップの一主面の外周部等の特定の位置にグランド端子のための領域を特別確保する必要がなくなる。その結果、高周波集積回路チップの製造コスト増加を招くことなく共振による電気特性の劣化を抑えるとともに高周波集積回路チップを小型化することができる。
以下、本発明を実施するための形態(以下実施形態という)を図面に従って説明する。
図1〜4は、本発明の実施形態に係る高周波モジュールの構成の概略を示す図である。図1は全体構成の概略を示し、図2は高周波集積回路チップ12の構成の概略を示し、図3,4はパッケージ基板14の構成の概略を示す。本実施形態に係る高周波モジュールにおいては、高周波集積回路チップ(MMICチップ)12がパッケージ基板14に実装されている。
図2に示すように、高周波集積回路チップ12は、その一主面(回路形成面)12a上に、信号線路21aを含む高周波回路パターン21と、グランドパターン23とが形成されたユニプレーナ型MMICチップである。図2に示す例では、高周波回路パターン21は回路形成面12aの中心に対して非対称に形成されている。グランドパターン23は、信号線路21aと所定の電気的ギャップを空けて近接して配置されており、回路形成面12aにおける高周波回路パターン21以外の残りの領域がグランドパターン23として用いられる。図1,2に示すように、ユニプレーナ型MMICチップ12の回路形成面12a上には、高周波回路パターン21の信号入力端子となる入力端子用パッド31と、高周波回路パターン21の信号出力端子となる出力端子用パッド32と、グランドパターン23に電気的に接続された複数のグランド端子用パッド33と、が形成されている。そして、入力端子用パッド31上に入力端子用バンプ41が形成され、出力端子用パッド32上に出力端子用バンプ42が形成され、各グランド端子用パッド33上にグランド端子用バンプ43が形成されている。MMICチップ12は、その回路形成面12aがパッケージ基板14の実装面14aと対向する状態でパッケージ基板14にフリップチップ実装されている。図3の破線は、パッケージ基板14の実装面14aにおけるMMICチップ12が実装される領域を示している。なお、図2に示す例では、高周波回路パターン21は信号線路21aとキャパシタCとトランジスタTrとを含んで構成されるが、高周波回路パターン21の構成は図2に示す構成に限られるものではなく任意に設計することが可能である。
図1,3に示すように、パッケージ基板14の実装面14aには、入力端子用パッド51が入力端子用バンプ41と対向する位置に形成され、出力端子用パッド52が出力端子用バンプ42と対向する位置に形成され、グランドパターン53がグランドパターン23上の複数のグランド端子用バンプ43と対向する位置に形成されている。図1,4に示すように、パッケージ基板14の実装面14aの裏面14bには、入力端子用電極61が入力端子用パッド51の形成位置とほぼ裏側の位置に形成され、出力端子用電極62が出力端子用パッド52の形成位置とほぼ裏側の位置に形成され、グランドパターン63がグランドパターン53の形成位置とほぼ裏側の位置に形成されている。図1に示すように、パッケージ基板14には、実装面14aの入力端子用パッド51と裏面14bの入力端子用電極61とを電気的に接続する入力端子用ビア71と、実装面14aの出力端子用パッド52と裏面14bの出力端子用電極62とを電気的に接続する出力端子用ビア72と、実装面14aのグランドパターン53と裏面14bのグランドパターン63とを電気的に接続する複数のグランドビア73と、が設けられている。パッケージ基板14の裏面14bのグランドパターン63は、2次実装されるプリント基板に設けられたグランドパターンに接合される。
図1に示すように、MMICチップ12がパッケージ基板14にフリップチップ実装された状態では、MMICチップ12の入力端子用パッド31が入力端子用バンプ41を介してパッケージ基板14の入力端子用パッド51に電気的に接続され、MMICチップ12の出力端子用パッド32が出力端子用バンプ42を介してパッケージ基板14の出力端子用パッド52に電気的に接続されている。そして、MMICチップ12のグランド端子用パッド33(グランドパターン23)がグランド端子用バンプ43を介してパッケージ基板14のグランドパターン53に電気的に接続されている。
図1,2に示すように、入力端子用パッド31及び入力端子用バンプ41と、出力端子用パッド32及び出力端子用バンプ42は、MMICチップ12の回路形成面12aの外周部に配置されている。そして、入力端子用ビア71と出力端子用ビア72は、回路形成面12aの外周部とほぼ対向する位置、あるいは回路形成面12aの外周部より外側へ張り出す位置に配置されている。一方、複数のグランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43は、MMICチップ12の回路形成面12aの外周部より内側の領域に不規則に(ランダムに)配置されている。つまり、複数のグランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43は、回路形成面12aの中心に対して非対称に配置されており、回路形成面12aにおけるグランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43より外側の領域にはグランドパターン23が存在している。そして、複数のグランドビア73は、MMICチップ12の回路形成面12aの外周部より内側の領域と対向配置されている。ただし、グランドビア73は、必ずしもグランド端子用バンプ43(グランド端子用パッド33)と対向配置される必要はない。
前述のように、ユニプレーナ型MMICチップ12の回路形成面12aに形成されたグランドパターン23を、パッケージ基板14の裏面14bのグランドパターン63上に置かれる「幅の広い導体」と考えると、電気的な共振が発生することになる。共振モードの周波数がMMICチップ12の使用周波数帯域内にあると、伝送特性や反射特性等の電気特性の劣化を招くことになる。図5に、MMICチップ12の使用周波数帯域内に共振モードが発生することで電気特性(伝送特性)が劣化した例を示す。図5では、使用周波数帯域の中心周波数を1として横軸の周波数を正規化している。
これに対して本実施形態では、MMICチップ12のグランドパターン23とパッケージ基板14の実装面14aのグランドパターン53とをフリップチップ実装により多数のグランド端子用バンプ43を介して電気的に接続するとともに、パッケージ基板14の実装面14aのグランドパターン53とパッケージ基板14の裏面14bのグランドパターン63とを多数のグランドビア73を介して電気的に接続することで、共振モードの周波数を高くしてMMICチップ12の使用周波数帯域外に追いやることができる。その際には、グランドビア73同士の間隔を狭くするほど共振モードの周波数をより高くすることができる。その結果、共振による電気特性の劣化を抑えることができる。図6に、MMICチップ12の使用周波数帯域外に共振モードの周波数を追いやることで電気特性(伝送特性)の劣化を改善した例を示す。図6でも、使用周波数帯域の中心周波数を1として横軸の周波数を正規化している。
さらに、本実施形態では、MMICチップ12にグランドビアを設けることなく共振モードの周波数を高くすることができるので、MMICチップ12の製造の後工程においてチップ裏面側からのビアホール加工及びめっき加工の工程が不要となる。さらに、ウェハの薄化工程も不要となる。その結果、MMICチップ12の製造コスト増加を招くことなく共振による電気特性の劣化を抑えることができる。
さらに、本実施形態では、グランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43を回路形成面12aの外周部より内側の領域(高周波回路パターン21以外の領域)に不規則に多数配置することで、回路形成面12aの外周部等の特定の位置にグランド端子用パッド33(グランド端子用バンプ43)のための領域を特別確保する必要がなくなる。その結果、MMICチップ12の小型化を図ることができるとともに、グランド端子用パッド33(グランド端子用バンプ43)のレイアウト上の制約が緩和され、設計の自由度が向上する。さらに、共振周波数も不規則(ランダム)となり、共振エネルギーが分散される。さらに、回路のグランド接続効果が高まるばかりでなく、信号線路等の回路間アイソレーションも向上させることができる。なお、入力端子用バンプ41と出力端子用バンプ42については、回路形成面12aの外周部に配置されるため、配線がパッケージ基板14の実装面14aのグランドパターン53と干渉(交差)することはない。
また、本実施形態では、パッケージ基板14の実装面14aにグランドパターン53を回路形成面12aの外周部より内側の領域と対向させて形成することで、MMICチップ12の高周波回路パターン21が変わり、グランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43の位置が変わっても、パッケージ基板14については共通のものを使用することができ、専用のパッケージ基板14が不要となる。
また、本実施形態では、MMICチップ12をパッケージ基板14にフリップチップ実装することで、ボンディングワイヤ接続のためのスペースが不要となり高周波モジュールの小型化を図ることができる。そして、MMICチップ12とパッケージ基板14との電気的接続がバンプにより行われるため、ボンディングワイヤによる高周波特性の劣化を防ぐことができる。
次に、本実施形態における高周波集積回路チップ(MMICチップ)12の設計方法について説明する。MMICチップ12を設計する場合には、図7のフローチャートに示す手順をコンピュータに実行させる。まず高周波回路パターン設計工程S101では、MMICチップ12の回路形成面12aに高周波回路パターン21をレイアウトする。高周波回路パターン21のレイアウトの一例を図2に示す。次にグランド端子設計工程S102では、MMICチップ12の回路形成面12aにグランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43をレイアウトする。グランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43のレイアウトの一例を図2に示す。グランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43のレイアウトの際には、回路形成面12aにおける高周波回路パターン21以外の残りの領域にグランドパターン23をレイアウトし、回路形成面12aの外周部より内側の領域(グランドパターン23内の領域)にグランド端子用パッド33及びグランド端子用バンプ43を不規則に多数レイアウトする。これによって、回路形成面12aの外周部等の特定の位置にグランド端子用パッド33(グランド端子用バンプ43)のための領域を特別確保する必要がなくなり、MMICチップ12の小型化を図ることができる。さらに、グランド端子用パッド33(グランド端子用バンプ43)のレイアウト上の制約が緩和され、設計の自由度が向上する。
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。
12 高周波集積回路チップ(MMICチップ)、12a 回路形成面、14 パッケージ基板、14a 実装面、14b 裏面、21 高周波回路パターン、23,53,63 グランドパターン、33 グランド端子用パッド、43 グランド端子用バンプ、73 グランドビア。
Claims (1)
- 高周波集積回路チップがパッケージ基板に実装された高周波モジュールであって、
高周波集積回路チップの一主面には、信号線路を含む高周波回路パターンと、第1のグランドパターンとが形成され、
高周波集積回路チップは、その一主面がパッケージ基板の実装面と対向する状態でパッケージ基板にフリップチップ実装され、
パッケージ基板の実装面には、第2のグランドパターンが第1のグランドパターンと対向して形成され、
第1のグランドパターンと第2のグランドパターンとがグランド端子を介して電気的に接続され、
パッケージ基板の実装面の裏面には、第3のグランドパターンが第2のグランドパターンのほぼ裏側に形成され、
パッケージ基板には、第2のグランドパターンと第3のグランドパターンとを電気的に接続するグランドビアが高周波集積回路チップの一主面の外周部より内側の領域と対向して設けられ、
複数のグランド端子が高周波集積回路チップの一主面の外周部より内側の領域に不規則に配置されている、高周波モジュール。
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