JP5516584B2 - 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気センサ、回転角度検出装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気センサ、回転角度検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5516584B2 JP5516584B2 JP2011522809A JP2011522809A JP5516584B2 JP 5516584 B2 JP5516584 B2 JP 5516584B2 JP 2011522809 A JP2011522809 A JP 2011522809A JP 2011522809 A JP2011522809 A JP 2011522809A JP 5516584 B2 JP5516584 B2 JP 5516584B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetoresistive
- forming step
- film
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/30—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る磁気抵抗効果素子の製造方法を示すフローチャートである。図1のフローチャートは、基板側から順に、強磁性固定層/非磁性中間層/強磁性自由層を積層してGMR膜を成膜する手順を示す。以下、図1の各ステップについて説明する。
基板上の特定の部位(第1部位)に、基板の基準方向に対して0°の向き(第1方向)で直線状の第1テクスチャー(第1パターン)を形成する。実際のテクスチャーは、基板の基準方向に対して0°の向きと180°の向きを結ぶ方向に、直線状に形成されることになる。
基板上の特定の部位(第1部位とは異なる第2部位)に、基板の基準方向に対して90°の向き(第2方向)で直線状の第2テクスチャー(第2パターン)を形成する。実際のテクスチャーは、基板の基準方向に対して90°の向きと270°の向きを結ぶ方向に、直線状に形成されることになる。なお、本ステップを実行している様子は、後述の図6(1)で改めて図示する。
上記第1パターンと第2パターンを形成した部位上に、GMR膜を成膜する。このとき少なくとも、強磁性固定層を成膜する過程において、第1パターンと第2パターンがなす角度の間の角度、好ましくは45°の角度θで磁界を印加しながら、成膜を行う。磁界の大きさは、通常GMR膜の強磁性層としてよく用いられるCo−Feが飽和する程度の大きさとする。具体的には、数kA/mから数十kA/m程度が適切である。
ステップS101〜S103で得られた、磁化方向が0°の向きと90°の向きに設定されたGMR膜を、後述の図6(3)で改めて説明するパターニング等の手法により、所望の形状に加工する。
Al2O3膜などの分離絶縁膜を成膜する。
基板上の特定の部位(第1部位、第2部位とは異なる第3部位)に、基板の基準方向に対して180°の向きで直線状の第3テクスチャー(第3パターン)を形成する。実際のテクスチャーは、基板の基準方向に対して0°の向きと180°の向きを結ぶ方向に、直線状に形成されることになる。なお、本ステップを実行している様子は、後述の図6(4)で改めて図示する。
基板上の特定の部位(第1部位〜第3部位とは異なる第4部位)に、基板の基準方向に対して270°の向きで直線状の第4テクスチャー(第4パターン)を形成する。実際のテクスチャーは、基板の基準方向に対して90°の向きと270°の向きを結ぶ方向に、直線状に形成されることになる。なお、本ステップを実行している様子は、後述の図6(4)で改めて図示する。
上記第3パターンと第4パターンを形成した部位上に、GMR膜を成膜する。このとき少なくとも、強磁性固定層を成膜する過程において、第3パターンと第4パターンがなす角度の間の角度、好ましくは225°の角度θで磁界を印加しながら、成膜を行う。磁界の大きさについては、ステップS103と同様でよい。
ステップS106〜S108で得られた、磁化方向が180°の向きと270°の向きに設定されたGMR膜を、後述の図6(6)で改めて説明するパターニング等の手法により、所望の形状に加工する。
Al2O3膜などの分離絶縁膜を成膜する。
フォトレジスト工程→イオンミリング工程→電極膜形成工程を通して、磁気抵抗効果素子に一対の電極を接続する。
ガラス基板に、スパッタ法によりAl2O3膜を30nm成膜する。
ガラス基板の法線方向に対して、イオンビームの入射方向が例えば60°となるように、イオンガンとガラス基板を配置する。
イオンガンを用いてイオンビームエッチングを30秒間実行する。
ガラス基板を180°自転させ、イオンガンを用いてイオンビームエッチングを30秒間実行する。
手順3〜4を、所定回数繰り返し実行する。この結果、図2(b)に示すような、線状の指向性を持ったテクスチャーが形成される。
(強磁性固定層)Co75Fe25(2.4)/Ru(0.35)/Co90Fe10(2.5)
(非磁性中間層)Cu(2.1)
(強磁性自由層)Co90Fe10(1)/Ni85Fe15(2)
(保護層)Cu(0.6)/Ta(2)
A−A’断面には、Al2O3膜表面に、周期的な凹凸が観察された。周期は10nm程度であり、振幅は1nm程度であった。図示した部位以外にも全面に渡って、比較的周期と振幅の揃った凹凸を確認することができた。B−B’断面はほぼ平坦で、明確な凹凸構造は認められなかった。
Al2O3膜を成膜したガラス基板の表面に、フォトレジスト工程によって、所望の部位のみにテクスチャーが形成されるように、レジストパターンを形成する。次いで、前述したような手法により、指向性を有するテクスチャーを形成する。このフロー・セットを、テクスチャーの指向性が直交する2方向となるように、2度行う。
GMR膜を成膜する時、特に、少なくとも下地層に接する側の強磁性固定層(ここでは、Co75Fe25(2.4)層)を成膜する際に、0°<θ<90°、好ましい一例としては、θ=45°の方向に磁界を印加しながら、GMR膜の成膜を行う。
フォトレジスト工程によってレジストパターンを形成する。次いで、イオンミリング法によって、磁気抵抗効果素子を所望の形状に加工し、レジストを剥離する。本工程によって、GMR膜の強磁性固定層の磁化方向が、ガラス基板の基準方向に対して0°の方向と90°の方向を向いた2つの磁気抵抗効果素子が得られる。
工程(1)と同様に、ガラス基板の表面にテクスチャーを形成する手順を2回実行する。
GMR膜を成膜する時、特に、少なくとも下地層に接する側の強磁性固定層(ここでは、Co75Fe25(2.4)層)を成膜する際に、180°<θ<270°、好ましい一例としては、θ=225°の方向に磁界を印加しながら、GMR膜の成膜を行う。
工程(3)と同様に、磁気抵抗効果素子を2つ形成する。本工程によって、GMR膜の強磁性固定層の磁化方向が、ガラス基板の基準方向に対して180°の方向と270°の方向を向いた2つの磁気抵抗効果素子が得られる。本工程は、図1のステップS109に相当する。
本発明の実施の形態2では、実施の形態1で説明した磁気抵抗効果素子を用いて構成された磁気センサについて説明する。
図11は、本発明の実施の形態3に係る磁気センサの模式図である。同図では、記載の簡易のため、同一基板上に4つのテクスチャーが形成されている例を示した。
本発明の実施の形態4では、GMR膜の他構成例について説明する。
本発明の実施の形態5では、テクスチャー形態の好適例について詳述する。その他の構成や手法は、実施の形態1〜4と同様である。
00nm以下の範囲が好適であることが分かった。
本発明の実施の形態6では、強磁性固定層の他構成例について説明する。その他の構成や手法は、実施の形態1〜5と同様である。
本発明の実施の形態7では、強磁性自由層の他構成例について説明する。その他の構成や手法は、実施の形態1〜6と同様である。
本発明の実施の形態8では、実施の形態1で説明した磁気抵抗効果素子の製造方法とは異なる手順で磁気抵抗効果素子を製造する手法を説明する。
少なくとも、強磁性固定層を成膜する過程において、所定の基準方向(第1方向)とその基準方向に直行する方向(第2方向)の間の角度、好ましくは両者の中間の角度θで磁界を印加しながら、GMR膜を成膜する。磁界の大きさは、実施の形態1のステップS103と同様に設定する。以下では、説明の簡易のため、実施の形態1と同様に、第1方向を基準方向に対して0°の向きとし、第2方向を90°の向きとする。
GMR膜上の特定の部位(第1部位)に、上記基準方向に対して0°の向きで直線状の第1テクスチャー(第1パターン)を形成する。実際のテクスチャーは、上記基準方向に対して0°の向きと180°の向きを結ぶ方向に、直線状に形成されることになる。テクスチャーを形成する手法としては、例えば図2と同様にイオンビームエッチング法を用いればよい。
GMR膜上の特定の部位(第1部位とは異なる第2部位)に、上記基準方向に対して90°の向きで直線状の第2テクスチャー(第2パターン)を形成する。実際のテクスチャーは、上記基準方向に対して90°の向きと270°の向きを結ぶ方向に、直線状に形成されることになる。
これらのステップは、図1のステップS104〜S105と同様である。
少なくとも、強磁性固定層を成膜する過程において、上記基準方向に対する180°の向きと270°の向きの間の角度、好ましくは225°の角度θで磁界を印加しながら、GMR膜を成膜する。磁界の大きさは、実施の形態1のステップS103と同様に設定する。
GMR膜上の特定の部位(第1部位、第2部位とは異なる第3部位)に、上記基準方向に対して180°の向きで直線状の第3テクスチャー(第3パターン)を形成する。実際のテクスチャーは、上記基準方向に対して0°の向きと180°の向きを結ぶ方向に、直線状に形成されることになる。
GMR上の特定の部位(第1部位〜第3部位とは異なる第4部位)に、上記基準方向に対して270°の向きで直線状の第4テクスチャー(第4パターン)を形成する。実際のテクスチャーは、上記基準方向に対して90°の向きと270°の向きを結ぶ方向に、直線状に形成されることになる。
これらのステップは、図1のステップS109〜S111と同様である。
本発明では、上記実施の形態1〜8で説明した、イオンビームエッチング法、スパッタ法などの各層を形成するための手法に代えて、同様の作用を発揮する他の手法を用いることもできることを付言しておく。
1ブリッジ回路、300:第2ブリッジ回路。
Claims (11)
- 基板側から順に、セルフピン型の強磁性固定層、非磁性中間層、強磁性自由層を積層してなる磁気抵抗効果膜を用いて磁気抵抗効果素子を製造する方法であって、
前記基板上の第1部位に、線状の第1パターンを第1方向に形成する第1パターン形成工程と、
前記基板上の第2部位に、線状の第2パターンを第2方向に形成する第2パターン形成工程と、
前記基板上の前記第1パターンおよび前記第2パターンを形成した部位上に、所定の磁界印加角度をもって磁界を印加しながら磁気抵抗効果膜を形成する磁気抵抗効果膜形成工程と、
前記第1パターンおよび前記第2パターンを形成した部位上の前記磁気抵抗効果膜を所定形状に加工して、1対の電極を有する磁気抵抗効果素子を形成する素子形成工程と、
を有し、
前記磁界印加角度は、
前記第1方向と前記第2方向の間の角度に設定されており、
前記第1パターン形成工程、前記第2パターン形成工程、前記磁気抵抗効果膜形成工程、および前記素子形成工程を、
前記第1方向、前記第2方向、前記第1部位、および前記第2部位を各回で変更して複数回実行する
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 基板側から順に、強磁性自由層、非磁性中間層、セルフピン型の強磁性固定層を積層してなる磁気抵抗効果膜を用いて磁気抵抗効果素子を製造する方法であって、
前記基板上に、所定の磁界印加角度をもって磁界を印加しながら磁気抵抗効果膜を形成する磁気抵抗効果膜形成工程と、
前記磁気抵抗効果膜上の第1部位に、線状の第1パターンを第1方向に形成する第1パターン形成工程と、
前記磁気抵抗効果膜上の第2部位に、線状の第2パターンを第2方向に形成する第2パターン形成工程と、
前記磁気抵抗効果膜の前記第1パターンおよび前記第2パターンを形成した部位を所定形状に加工して、1対の電極を有する磁気抵抗効果素子を形成する素子形成工程と、
を有し、
前記磁界印加角度は、
前記第1方向と前記第2方向の間の角度に設定されており、
前記磁気抵抗効果膜形成工程、前記第1パターン形成工程、前記第2パターン形成工程、および前記素子形成工程を、
前記第1方向、前記第2方向、前記第1部位、および前記第2部位を各回で変更して複数回実行する
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記第2方向は、前記第1方向に対して90度の方向に設定されており、
前記第1パターン形成工程、前記第2パターン形成工程、前記磁気抵抗効果膜形成工程、および前記素子形成工程をそれぞれ2回実行し、
2回目に前記第1パターン形成工程を実行する際の前記第1部位は、
1回目に前記第1パターン形成工程を実行する際の前記第1部位と正対する位置に設定されており、
2回目に前記第2パターン形成工程を実行する際の前記第2部位は、
1回目に前記第2パターン形成工程を実行する際の前記第2部位と正対する位置に設定されている
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記磁界印加角度は、前記第1方向と前記第2方向がなす角度の半角に設定されている
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 1回目に前記磁気抵抗効果膜形成工程を実行する際には、
前記磁界印加角度は、前記第1方向および前記第2方向と45度をなす角度に設定されており、
2回目に前記磁気抵抗効果膜形成工程を実行する際には、
前記磁界印加角度は、1回目に前記磁気抵抗効果膜形成工程を実行する際の前記磁界印加角度+180度の角度に設定されている
ことを特徴とする請求項3記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 基板側から順に、セルフピン型の強磁性固定層、非磁性中間層、強磁性自由層を積層してなる磁気抵抗効果膜を用いて構成された複数の磁気抵抗効果素子を備え、
前記基板上の第1部位には、線状の第1パターンが第1方向に形成されており、
前記基板上の第2部位には、線状の第2パターンが第2方向に形成されており、
前記基板上の前記第1パターンおよび前記第2パターンを形成した部位上にはさらに前記磁気抵抗効果膜が形成されており、
各前記磁気抵抗効果素子は、
前記第1パターンおよび前記第2パターンを形成した部位上の前記磁気抵抗効果膜を所定形状に加工してなる1対の電極を有し、
前記強磁性固定層の磁化の向きがそれぞれ異なっている
ことを特徴とする磁気センサ。 - 基板側から順に、強磁性自由層、非磁性中間層、セルフピン型の強磁性固定層を積層してなる磁気抵抗効果膜を用いて構成された磁気抵抗効果素子を備え、
前記基板上には磁気抵抗効果膜が形成されており、
前記磁気抵抗効果膜上の第1部位には、線状の第1パターンが第1方向に形成されており、
前記磁気抵抗効果膜上の第2部位には、線状の第2パターンが第2方向に形成されており、
各前記磁気抵抗効果素子は、
前記磁気抵抗効果膜の前記第1パターンおよび前記第2パターンを形成した部位を所定形状に加工してなる1対の電極を有し、
前記強磁性固定層の磁化方向がそれぞれ異なっている
ことを特徴とする磁気センサ。 - 前記第2方向は、前記第1方向に対して90度の方向に設定されており、
前記磁気抵抗効果膜を有する前記磁気抵抗効果素子を4個備え、
各前記磁気抵抗効果素子の磁化方向は90度ずつ異なっている
ことを特徴とする請求項6または請求項7記載の磁気センサ。 - 外部磁界の絶対角度を算出する演算部と、
磁化方向が180度異なる2つの前記磁気抵抗効果素子を有する2対のブリッジ回路と、
を備え、
前記演算部は、
第1の前記ブリッジ回路の出力電圧と第2の前記ブリッジ回路の出力電圧の逆正接演算により前記絶対角度を算出する
ことを特徴とする請求項8記載の磁気センサ。 - 請求項6または請求項7記載の磁気センサと、
前記基板の法線方向の磁気を検出する磁気検出部と、
を備えたことを特徴とする3次元磁気センサ。 - 請求項8記載の磁気センサと、
角度検知対象物の角度と同期して回転する磁界を発生する永久磁石と、
を備え、
前記磁気センサは、
前記永久磁石から生じる磁界を用いて前記角度検知対象物の絶対角度を検出する
ことを特徴とする回転角度検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011522809A JP5516584B2 (ja) | 2009-07-13 | 2010-07-13 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気センサ、回転角度検出装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009164964 | 2009-07-13 | ||
JP2009164964 | 2009-07-13 | ||
PCT/JP2010/061806 WO2011007767A1 (ja) | 2009-07-13 | 2010-07-13 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気センサ、回転角度検出装置 |
JP2011522809A JP5516584B2 (ja) | 2009-07-13 | 2010-07-13 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気センサ、回転角度検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011007767A1 JPWO2011007767A1 (ja) | 2012-12-27 |
JP5516584B2 true JP5516584B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=43449374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011522809A Active JP5516584B2 (ja) | 2009-07-13 | 2010-07-13 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気センサ、回転角度検出装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8779764B2 (ja) |
JP (1) | JP5516584B2 (ja) |
DE (1) | DE112010002899T5 (ja) |
WO (1) | WO2011007767A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012201384A1 (de) * | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Continental Automotive Gmbh | Magnetoresistiver Sensor |
CN102901940B (zh) | 2012-10-26 | 2015-07-15 | 苏州大学 | 基于磁温差电效应的传感器元件及其实现方法 |
US9529060B2 (en) | 2014-01-09 | 2016-12-27 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields |
EP3300534B1 (en) | 2015-06-05 | 2020-11-11 | Allegro MicroSystems, LLC | Spin valve magnetoresistance element with improved response to magnetic fields |
CN108369260B (zh) * | 2015-12-03 | 2020-07-28 | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 | 磁检测装置 |
CN106871778B (zh) * | 2017-02-23 | 2019-11-22 | 江苏多维科技有限公司 | 一种单芯片双轴磁电阻角度传感器 |
US11022661B2 (en) | 2017-05-19 | 2021-06-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with increased operational range |
US10620279B2 (en) | 2017-05-19 | 2020-04-14 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with increased operational range |
US10050193B1 (en) | 2017-06-05 | 2018-08-14 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance structure patterning |
US10777345B2 (en) | 2018-02-21 | 2020-09-15 | Allegro Microsystems, Llc | Spin valve with bias alignment |
US10840001B2 (en) | 2018-03-06 | 2020-11-17 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with extended linear response to magnetic fields |
US11193989B2 (en) | 2018-07-27 | 2021-12-07 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance assembly having a TMR element disposed over or under a GMR element |
US11217626B2 (en) | 2019-08-30 | 2022-01-04 | Allegro Microsystems, Llc | Dual tunnel magnetoresistance (TMR) element structure |
US11127518B2 (en) | 2019-08-30 | 2021-09-21 | Allegro Microsystems, Llc | Tunnel magnetoresistance (TMR) element having cobalt iron and tantalum layers |
US11187764B2 (en) | 2020-03-20 | 2021-11-30 | Allegro Microsystems, Llc | Layout of magnetoresistance element |
US11782103B2 (en) | 2020-06-12 | 2023-10-10 | Allegro Microsystems, Llc | Dual double-pinned spin valve element having magnet bias with increased linear range |
US11630168B2 (en) | 2021-02-03 | 2023-04-18 | Allegro Microsystems, Llc | Linear sensor with dual spin valve element having reference layers with magnetization directions different from an external magnetic field direction |
US11719771B1 (en) | 2022-06-02 | 2023-08-08 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistive sensor having seed layer hysteresis suppression |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS599987A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
JP2002299728A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-10-11 | Yamaha Corp | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2004193540A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-07-08 | Yamaha Corp | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2006172686A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記憶装置、基板、テクスチャ形成装置 |
JP2006308573A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Yamaha Corp | 三軸磁気センサおよびその製造方法 |
JP2007317734A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Sony Corp | 記憶素子及びメモリ |
JP2008306112A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Hitachi Metals Ltd | 磁気抵抗効果膜、磁気センサ及び回転角度検出装置 |
JP2009085953A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Magic Technologies Inc | 磁気デバイスの製造方法および磁場角度センサの製造方法 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4604176A (en) | 1984-03-30 | 1986-08-05 | Sperry Corporation | Method of improving magnetoresistive effect in thin magnetic film |
JPH0333934A (ja) | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Nec Corp | レジスタ退避復帰方式 |
JPH0340750A (ja) | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導回転電機の冷媒給排装置 |
US5583725A (en) | 1994-06-15 | 1996-12-10 | International Business Machines Corporation | Spin valve magnetoresistive sensor with self-pinned laminated layer and magnetic recording system using the sensor |
DE19830344C2 (de) | 1998-07-07 | 2003-04-10 | Ipht Jena Inst Fuer Physikalis | Verfahren zum Einstellen der Magnetisierung der Biasschicht eines magneto-resistiven Sensorelements, demgemäß bearbeitetes Sensorelement sowie zur Durchführung des Verfahrens geeignetes Sensorsubstrat |
JP3623366B2 (ja) * | 1998-07-17 | 2005-02-23 | アルプス電気株式会社 | 巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置 |
KR100334838B1 (ko) | 1998-07-21 | 2002-05-04 | 가타오카 마사타카 | 스핀밸브형 박막소자 및 그를 이용한 박막자기헤드 |
JP3040750B2 (ja) | 1998-07-21 | 2000-05-15 | アルプス電気株式会社 | スピンバルブ型薄膜素子及びこのスピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッド |
US6252796B1 (en) | 1998-08-14 | 2001-06-26 | U.S. Philips Corporation | Device comprising a first and a second ferromagnetic layer separated by a non-magnetic spacer layer |
DE60037790T2 (de) | 1999-06-18 | 2009-01-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetisches messsystem mit irreversibler charakteristik, sowie methode zur erzeugung, reparatur und verwendung eines solchen systems |
DE19949713C2 (de) | 1999-10-15 | 2001-08-16 | Bosch Gmbh Robert | Magnetoresistives Schichtsystem |
JP3872262B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2007-01-24 | セイコーインスツル株式会社 | 電子方位計及び電子方位計付電子時計 |
US6448763B1 (en) * | 2001-01-10 | 2002-09-10 | Siemens Corporation | System for magnetization to produce linear change in field angle |
JP3839697B2 (ja) * | 2001-10-17 | 2006-11-01 | アルプス電気株式会社 | 回転角度センサ |
DE10342260B4 (de) * | 2003-09-11 | 2014-11-20 | Meas Deutschland Gmbh | Magnetoresistiver Sensor in Form einer Halb- oder Vollbrückenschaltung |
US7589939B2 (en) * | 2004-09-28 | 2009-09-15 | Yamaha Corporation | Magnetic sensor using giant magnetoresistive elements and method for manufacturing the same |
DE102005047413B8 (de) * | 2005-02-23 | 2012-06-06 | Infineon Technologies Ag | Magnetfeldsensorelement und Verfahren zum Durchführen eines On-Wafer-Funktionstests, sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen und Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen mit On-Wafer-Funktionstest |
EP1860451B1 (en) * | 2005-03-17 | 2012-06-27 | Yamaha Corporation | 3-axis magnetic sensor and manufacturing method thereof |
WO2006098367A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Yamaha Corporation | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2006276983A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Yamaha Corp | ポインティングデバイス用の磁気センサ |
DE102005037036B4 (de) | 2005-08-06 | 2007-07-12 | Sensitec Gmbh | Magnetoresistiver Sensor mit Offsetkorrektur und dafür geeignetes Verfahren |
US7564659B2 (en) | 2005-08-09 | 2009-07-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive sensor having an anisotropic pinned layer for pinning improvement |
US7525775B2 (en) | 2005-11-17 | 2009-04-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Oblique angle etched underlayers for improved exchange biased structures in a magnetoresitive sensor |
US7446984B2 (en) | 2005-12-14 | 2008-11-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic random access memory (MRAM) having increased reference layer anisotropy through ion beam etch of magnetic layers |
JP2007299880A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子,および磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP4991322B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2012-08-01 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Gmr素子を用いた変位センサ,gmr素子を用いた角度検出センサ及びそれらに用いる半導体装置 |
US7900342B2 (en) | 2007-02-23 | 2011-03-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Methods of fabricating magnetoresistance sensors pinned by an etch induced magnetic anisotropy |
DE102007032867B4 (de) * | 2007-07-13 | 2009-12-24 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive Magnetfeldsensorstrukturen und Herstellungsverfahren |
US20090059444A1 (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Methods and structures for an integrated two-axis magnetic field sensor |
US8015694B2 (en) | 2007-12-18 | 2011-09-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for making a scissoring-type current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor |
JP5170679B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-03-27 | 日立金属株式会社 | 磁気センサおよび回転角度検出装置 |
US8242776B2 (en) * | 2008-03-26 | 2012-08-14 | Everspin Technologies, Inc. | Magnetic sensor design for suppression of barkhausen noise |
US7965077B2 (en) * | 2008-05-08 | 2011-06-21 | Everspin Technologies, Inc. | Two-axis magnetic field sensor with multiple pinning directions |
US9007055B2 (en) * | 2008-09-12 | 2015-04-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Self-pinned spin valve magnetoresistance effect film and magnetic sensor using the same, and rotation angle detection device |
JP4807535B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-11-02 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
-
2010
- 2010-07-13 JP JP2011522809A patent/JP5516584B2/ja active Active
- 2010-07-13 DE DE112010002899T patent/DE112010002899T5/de not_active Withdrawn
- 2010-07-13 WO PCT/JP2010/061806 patent/WO2011007767A1/ja active Application Filing
- 2010-07-13 US US13/321,896 patent/US8779764B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-07-14 US US14/330,059 patent/US9488702B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS599987A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
JP2002299728A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-10-11 | Yamaha Corp | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2004193540A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-07-08 | Yamaha Corp | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2006172686A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記憶装置、基板、テクスチャ形成装置 |
JP2006308573A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Yamaha Corp | 三軸磁気センサおよびその製造方法 |
JP2007317734A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Sony Corp | 記憶素子及びメモリ |
JP2008306112A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Hitachi Metals Ltd | 磁気抵抗効果膜、磁気センサ及び回転角度検出装置 |
JP2009085953A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Magic Technologies Inc | 磁気デバイスの製造方法および磁場角度センサの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9488702B2 (en) | 2016-11-08 |
DE112010002899T5 (de) | 2012-06-14 |
US8779764B2 (en) | 2014-07-15 |
WO2011007767A1 (ja) | 2011-01-20 |
US20120112741A1 (en) | 2012-05-10 |
JPWO2011007767A1 (ja) | 2012-12-27 |
US20140320117A1 (en) | 2014-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5516584B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気センサ、回転角度検出装置 | |
JP5734657B2 (ja) | セルフピン型スピンバルブ磁気抵抗効果膜とそれを用いた磁気センサおよび回転角度検出装置 | |
TWI244785B (en) | Magnetic sensor, production process of the magnetic sensor and magnetic array suitable for the production process | |
US20020142490A1 (en) | Magnetic sensor and method of producing the same | |
JP5295163B2 (ja) | 磁界検出装置およびそれを調整する方法 | |
JP2008286739A (ja) | 磁界検出器及び回転角度検出装置 | |
WO2012090631A1 (ja) | 磁気比例式電流センサ | |
JP6233722B2 (ja) | 磁界発生体、磁気センサシステムおよび磁気センサ | |
JP2008306112A (ja) | 磁気抵抗効果膜、磁気センサ及び回転角度検出装置 | |
JP7022764B2 (ja) | 磁界印加バイアス膜ならびにこれを用いた磁気検出素子および磁気検出装置 | |
JP2013105825A (ja) | 生体磁気センサー及びその製造方法 | |
JP4985522B2 (ja) | 磁界測定方法及び磁気センサ | |
JP2012119613A (ja) | 磁気検出素子及びそれを用いた磁気センサ | |
JP2011027633A (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
JP2012063232A (ja) | 磁界検出装置の製造方法および磁界検出装置 | |
JP2019086290A (ja) | 磁気センサ | |
US10998131B2 (en) | Multilayer device having an improved antiferromagnetic pinning layer and a corresponding manufacturing method | |
JP6116694B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子を備えた磁界検出器、および電流検出器 | |
WO2015008718A1 (ja) | 磁気センサー及びその製造方法 | |
JP5660826B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、それを用いた磁界検出器、位置検出器、回転検出器および電流検出器 | |
CN113383243A (zh) | 用于磁阻磁场传感器的相邻层结构的布置、磁阻磁场传感器及其生产方法 | |
JP2016157818A (ja) | 磁気センサおよび電流センサ | |
JP3835445B2 (ja) | 磁気センサ | |
US20240142549A1 (en) | Magnetic sensor element, magnetic sensor, and magnetic sensor device | |
JP6350841B2 (ja) | 磁界発生体および磁気センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130910 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140317 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5516584 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |