JP5489003B2 - 評価装置および評価方法 - Google Patents
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- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 56
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 49
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 41
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 36
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 88
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 88
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 101001061788 Homo sapiens Ras-related protein Rab-35 Proteins 0.000 description 1
- 102100029568 Ras-related protein Rab-35 Human genes 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J4/00—Measuring polarisation of light
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
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Description
また、前記設定部は、前記基板の表面における前記直線偏光の振動方向と、前記繰り返しパターンの繰り返し方向とのなす角度を、第1の角度および該第1の角度とは90度異なる第2の角度である、2つの角度条件となるように設定してもよい。
また、前記設定部は、前記基板の表面における直線偏光の振動方向と前記繰り返しパターンの繰り返し方向とのなす角度を、第1の角度および該第1の角度とは90度異なる第2の角度である、2つの角度条件となるように設定してもよい。
ドーズ輝度変化=(−αの画像の輝度)−(+αの画像の輝度)…(2)
/2−f(線幅変化) …(5)
Edge Roughness)と、SEMにより計測したLERとの相関を示すデータの一例を示す。この図13から、フォーカスの変化に対するLERの変化について、本実施形態による算出値とSEMによる計測値との間で高い相関が得られたことがわかる。ここで、LERとは、パターンの壁面に出来た凹凸の大きさを表す値である。
10 ウェハ(基板) 12 繰り返しパターン
30 照明系(照明部)
40 受光系 42 検光子
43 回転駆動装置(設定部) 44 撮像カメラ(撮像部)
50 画像処理部(評価部)
L1 第1の直線偏光 L2 楕円偏光
L3 第2の直線偏光(偏光成分)
Claims (12)
- 露光装置による露光を経て形成された所定の繰り返しパターンを有する基板の表面に偏光光を照射する照明部と、
前記偏光光が照射された前記基板の表面からの反射光のうち、所定の振動方向の偏光成分を抽出する検光子と、
前記検光子により抽出された前記偏光成分に基づく前記基板の像を撮像する撮像部と、
前記撮像部により撮像された相異なる偏光成分に基づく複数の前記基板の画像に基づいて、露光装置における露光量とフォーカスとを判別して評価する評価部とを備える評価装置。 - 前記偏光光は直線偏光であり、
前記直線偏光の振動方向と、前記検光子で抽出する偏光成分の振動方向との間の角度条件を設定する設定部を備え、
前記撮像部は、前記設定部により設定された、前記直線偏光の振動方向と前記偏光成分の振動方向との間の複数の角度条件における複数の前記基板の像を撮像し、
前記評価部は、前記撮像部により撮像された複数の前記基板の画像に基づいて、前記繰り返しパターンを露光した露光装置の露光量とフォーカスとを判別して評価する請求項1に記載の評価装置。 - 前記偏光光は直線偏光であり、
前記直線偏光の振動方向と、前記繰り返しパターンの繰り返し方向との間の角度条件を設定する設定部を備え、
前記撮像部は、前記設定部により設定された、前記直線偏光の振動方向と前記繰り返しパターンの繰り返し方向との間の複数の角度条件における複数の前記基板の像を撮像し、
前記評価部は、前記撮像部により撮像された複数の前記基板の画像に基づいて、前記繰り返しパターンを露光した露光装置の露光量とフォーカスとを判別して評価する請求項1または2に記載の評価装置。 - 前記設定部は、前記直線偏光の進行方向と垂直な面内における振動方向と、前記基板の表面からの反射光の進行方向と垂直な面内における前記偏光成分の振動方向とのなす角度を、90度+第1の角度および90度−第2の角度である、2つの角度条件となるように設定する請求項2に記載の評価装置。
- 前記設定部は、前記基板の表面における前記直線偏光の振動方向と、前記繰り返しパターンの繰り返し方向とのなす角度を、第1の角度および該第1の角度とは90度異なる第2の角度である、2つの角度条件となるように設定する請求項3に記載の評価装置。
- 前記撮像部は、前記設定部により設定された前記2つの角度条件において得られる相異なる偏光成分に基づく前記基板の像をそれぞれ撮像し、
前記評価部は、前記撮像部により撮像された2つの前記基板の画像における信号強度の差分に基づいて前記露光装置における露光量を検出し、前記撮像部により撮像された2つの前記基板の画像における信号強度の平均に基づいて前記露光装置におけるフォーカスを検出する請求項4または5に記載の評価装置。 - 露光装置による露光を経て形成された所定の繰り返しパターンを有する基板の表面に偏光光を照射する照明部と、
前記偏光光が照射された前記基板の表面からの反射光のうち、所定の振動方向の偏光成分を抽出する検光子と、
前記検光子により抽出された前記偏光成分に基づく前記基板の像を撮像する撮像部と、
前記撮像部により撮像された相異なる偏光成分に基づく複数の前記基板の画像に基づいて、露光装置の露光量に起因する前記繰り返しパターンの形状と、露光装置のフォーカスに起因する前記繰り返しパターンの形状とを判別して評価する評価部とを備える評価装置。 - 前記偏光光は直線偏光であり、
前記直線偏光の振動方向と、前記検光子で抽出する偏光成分の振動方向との間の角度条件を設定する設定部を備え、
前記撮像部は、前記設定部により設定された、前記直線偏光の振動方向と前記偏光成分の振動方向との間の複数の角度条件における複数の前記基板の像を撮像し、
前記評価部は、前記撮像部により撮像された複数の前記基板の画像に基づいて、露光装置の露光量に起因する前記繰り返しパターンの形状と、露光装置のフォーカスに起因する前記繰り返しパターンの形状とを判別して評価する請求項7に記載の評価装置。 - 前記偏光光は直線偏光であり、
前記直線偏光の振動方向と、前記繰り返しパターンの繰り返し方向との間の角度条件を設定する設定部を備え、
前記撮像部は、前記設定部により設定された、前記直線偏光の振動方向と前記繰り返しパターンの繰り返し方向との間の複数の角度条件における複数の前記基板の像を撮像し、
前記評価部は、前記撮像部により撮像された複数の前記基板の画像に基づいて、露光装置の露光量に起因する前記繰り返しパターンの形状と、露光装置のフォーカスに起因する前記繰り返しパターンの形状とを判別して評価する請求項7または8に記載の評価装置。 - 前記設定部は、前記直線偏光の進行方向と垂直な面内における振動方向と、前記基板の表面からの反射光の進行方向と垂直な面内における前記偏光成分の振動方向とのなす角度を、90度+第1の角度および90度−第2の角度である、2つの角度条件となるように設定する請求項8に記載の評価装置。
- 前記設定部は、前記基板の表面における直線偏光の振動方向と前記繰り返しパターンの繰り返し方向とのなす角度を、第1の角度および該第1の角度とは90度異なる第2の角度である、2つの角度条件となるように設定する請求項9に記載の評価装置。
- 露光装置による露光を経て形成された所定の繰り返しパターンを有する基板の表面に直線偏光を照射するとともに、前記直線偏光が照射された前記基板の表面からの反射光のうち前記直線偏光と振動方向が異なる偏光成分を抽出し、前記抽出した偏光成分に基づく前記基板の像を撮像して露光装置の露光量とフォーカスとを評価する評価方法であって、
前記直線偏光の振動方向と前記偏光成分の振動方向との間の角度条件、もしくは、前記直線偏光の振動方向と前記繰り返しパターンの繰り返し方向との間の角度条件を設定する第1のステップと、
前記第1のステップで設定した、前記直線偏光の振動方向と前記偏光成分の振動方向との間の複数の角度条件、もしくは、前記直線偏光の振動方向と前記繰り返しパターンの繰り返し方向との間の複数の角度条件において、前記基板の表面に前記直線偏光を照射する第2のステップと、
前記複数の角度条件において、前記直線偏光が照射された前記基板の表面からの反射光のうち前記直線偏光と振動方向が異なる偏光成分を抽出する第3のステップと、
前記複数の角度条件において、前記第3のステップで抽出した前記偏光成分に基づく前記基板の像を撮像する第4のステップと、
前記複数の角度条件において前記第4のステップでそれぞれ撮像した複数の前記基板の画像に基づいて、露光装置の露光量とフォーカスとを、もしくは露光装置における露光量に起因する前記繰り返しパターンの形状と露光装置におけるフォーカスに起因する前記繰り返しパターンの形状とを判別して評価する第5のステップとを含む評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010536704A JP5489003B2 (ja) | 2008-11-10 | 2009-11-09 | 評価装置および評価方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008287503 | 2008-11-10 | ||
JP2008287503 | 2008-11-10 | ||
JP2010536704A JP5489003B2 (ja) | 2008-11-10 | 2009-11-09 | 評価装置および評価方法 |
PCT/JP2009/005964 WO2010052934A1 (ja) | 2008-11-10 | 2009-11-09 | 評価装置および評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010052934A1 JPWO2010052934A1 (ja) | 2012-04-05 |
JP5489003B2 true JP5489003B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=42152747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010536704A Active JP5489003B2 (ja) | 2008-11-10 | 2009-11-09 | 評価装置および評価方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8334977B2 (ja) |
JP (1) | JP5489003B2 (ja) |
KR (1) | KR101787765B1 (ja) |
CN (1) | CN102203589B (ja) |
TW (1) | TWI499772B (ja) |
WO (1) | WO2010052934A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2450944A4 (en) * | 2009-07-01 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Exposure condition setting method and surface inspection apparatus |
WO2012081587A1 (ja) | 2010-12-14 | 2012-06-21 | 株式会社ニコン | 検査方法、検査装置、露光管理方法、露光システムおよび半導体デバイス |
US9518936B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-12-13 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for determining lithographic quality of a structure |
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-
2009
- 2009-11-09 KR KR1020117013199A patent/KR101787765B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-09 JP JP2010536704A patent/JP5489003B2/ja active Active
- 2009-11-09 WO PCT/JP2009/005964 patent/WO2010052934A1/ja active Application Filing
- 2009-11-09 CN CN200980143039.6A patent/CN102203589B/zh active Active
- 2009-11-10 TW TW098137997A patent/TWI499772B/zh active
-
2011
- 2011-05-09 US US13/067,101 patent/US8334977B2/en active Active
-
2012
- 2012-11-14 US US13/676,686 patent/US8705034B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI499772B (zh) | 2015-09-11 |
CN102203589B (zh) | 2013-06-19 |
KR101787765B1 (ko) | 2017-11-15 |
US8705034B2 (en) | 2014-04-22 |
US20110235038A1 (en) | 2011-09-29 |
TW201022663A (en) | 2010-06-16 |
CN102203589A (zh) | 2011-09-28 |
US20130070244A1 (en) | 2013-03-21 |
US8334977B2 (en) | 2012-12-18 |
KR20110086727A (ko) | 2011-07-29 |
JPWO2010052934A1 (ja) | 2012-04-05 |
WO2010052934A1 (ja) | 2010-05-14 |
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