JP5488998B2 - 電解コンデンサの駆動用電解液及びそれを用いた電解コンデンサ - Google Patents
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従来、高圧用の電解コンデンサには、エチレングリコールを主成分とする溶媒に、高級二塩基酸またはその塩を溶解してなる電解液が用いられてきた(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。このような電解液では、耐電圧を高めるための手法として、電解質濃度を下げる方法が採られている。
したがって、耐電圧を高めながら電解質濃度も高めることができる電解コンデンサの駆動用電解液の開発が望まれている。
電解質濃度を高めることにより、長期高温放置時に熱劣化に伴う電解質の減少を遅延させることができるため、電解液の化成性を長期にわたり維持することが可能になる。さらに、上記電解質を含む電解液は、高温で放置しても比抵抗が上昇しにくい。
式II〜式IVにおいて、R1は炭素数5〜8のアルキル基(C 5 H 11 〜C 8 H 17 )を示す。すなわち、本発明に係る電解質はR1が炭素数5〜8のアルキル基である式II〜式IVの化合物またはその塩であり、特に好ましい電解質はR1が炭素数6のアルキル基である式II〜式IVの化合物またはその塩である。
R1が炭素数1〜3のアルキル基の場合、嵩高さが小さくなり、電解液中の他の成分と反応し易くなるので好ましくない。例えば、本発明に係る好適な溶媒であるエチレングリコールとの間でエステル化反応が生じるおそれがあり、さらにこのエステル化合物と、アンモニアとの間でアミド化反応が生じるおそれがある。一方、R1が炭素数11以上のアルキル基の場合、溶媒への溶解性が著しく低下するため、好ましくない。
式II〜IVの化合物において、R1は、一方のカルボキシ末端から数えて12位の炭素に位置する。
特に好ましい本発明の化合物は、主鎖の炭素数が14、すなわちテトラデカン二酸不飽和誘導体であり、この場合R1は一方のカルボキシ末端から起算して12位、他方のカルボキシ末端から起算して3位の炭素に配位される。
特に好ましいのは2アンモニウム塩である。
従来の電解質は、電解質濃度を高めると耐電圧が低下しやすく、電解質濃度を低くする必要があったが、電解質濃度を下げると、比抵抗が上昇するという問題や、長期高温放置時に電解液の化成性を長期間維持できないという問題があった。
本発明に係る電解質は、電解質濃度を高めても耐電圧が低下しにくく、高い耐電圧及び化成性の長期維持を実現することが可能である。
電解液中のエチレングリコールの濃度は80〜97重量%が好ましく、83〜95重量%がより好ましい。水が併用される場合、電解液中の水の濃度は0.5〜10.0重量%が好ましく、1.0〜3.0重量%がより好ましい。
その他、使用可能な溶媒として、アルコール類、エーテル類、アミド類、オキサゾリジノン類、ラクトン類、ニトリル類、カーボネート類、スルホン類からなる群より選ばれる1種以上が挙げられる。溶媒の具体例は以下のとおりである。
添加剤としては、オルトリン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、リン酸メチル、リン酸エチル、リン酸ブチル、リン酸イソプロピル、リン酸ジブチル、リン酸ジオクチルなどのリン酸化合物、ホウ酸及びその錯化合物などのホウ酸化合物、マンニトール、ソルビトール、キシリトール、ペンタエリスリトール、ポリビニルアルコールなどの多価アルコール類、p−ニトロ安息香酸、m−ニトロアセトフェノンなどのニトロ化合物類、コロイダルシリカ、アルミノシリケートやシリコーン化合物(例えば、反応性シリコーンであるヒドロキシ変性シリコーン、アミノ変性シリコーン、カルボキシル変性シリコーン、アルコール変性シリコーン、エポキシ変性シリコーンなど)やシランカップリング剤(例えば、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシランなど)などのケイ素化合物などが挙げられる。
本発明に係る電解液を用いたコンデンサは、通常の方法で製造することができ、例えば、エッチング処理及び酸化皮膜形成処理をした陽極箔と、エッチング処理をした陰極箔とをセパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成し、該コンデンサ素子を電解液に含浸した後、有底筒状の外装ケースに収納する方法によって製造することができる。
式IVに係る化合物(R1=C6H13、R2=R3=H)のアンモニウム塩である、3−ヘキシル−テトラデカン−2,4−ジエン二酸2アンモニウム(以下、電解質Aと称する)または式IIIに係る化合物(R1=C6H13、R2=R3=H)のアンモニウム塩である、3−ヘキシル−テトラデカン−2,5−ジエン二酸2アンモニウム(以下、電解質Bと称する)を電解質として用いた本発明の実施例による電解液、及び、1,6−デカンジカルボン酸2アンモニウム(以下、電解質Cと称する)またはセバシン酸2アンモニウム(以下、電解質Dと称する)を用いた比較例による電解液を調合した。
実施例、比較例の電解液組成は表1の通りである。
実施例及び比較例の各電解液について、600Vの耐電圧を有する陽極酸化皮膜を形成した電極箔を105℃電解液に浸漬し、0.1mA/cm2での定電流にて電圧を上昇させ、火花発生電圧(電解液の耐電圧)を測定した。
その結果を表1に示す。
一方、実施例に係る電解液は、電解質濃度が0.096〜0.097mol/kg(3.5重量%)の場合(実施例1及び実施例5)、火花電圧が480Vを超えた。特に、電解質Bは、490Vを超える高い火花電圧を示した。
同程度の重量モル濃度を基準に比較した場合、比較例2(0.141mol/kg)及び比較例4(0.140mol/kg)では、火花電圧がそれぞれ、461V、470Vであるのに対し、実施例2(0.140mol/kg)及び実施例6(0.141mol/kg)では、火花電圧がそれぞれ、482V、490Vであり、比較例に対し、火花電圧が高い。
また、電解質Aを用いた場合、電解質濃度を0.295mol/kg(実施例3)、0.469mol/kg(実施例4)まで上昇させても、電解質濃度が0.140〜0.141mol/kg(3重量%台)の比較例2、4と同程度の火花電圧を示した。
また、電解質Bを用いた場合、電解質濃度を0.298mol/kg(実施例7)まで上昇させても480Vを超える高い火花電圧を示し、0.474mol/kg(実施例8)まで上昇させても、電解質濃度が0.140mol/kgの比較例4と同程度の火花電圧を保った。
例えば、電解質Cは濃度を0.093→0.141mol/kgに上昇すると、火花電圧は480→461Vに低下し、電解質Dは、濃度を0.086→0.140mol/kgに上昇すると、火花電圧は485→470Vに低下するが、本発明の電解質A、Bは、電解質濃度を0.096→0.140mol/kgまたは0.097→0.141mol/kgに上昇させても耐電圧はほとんど低下せず、電解質の濃度上昇が耐電圧低下に与える影響が比較例に比べて顕著に小さい、優れた電解質であることが分かる。
次に、ほぼ同じ重量モル濃度(約0.140mol/kg)を有する比較例2、比較例4、実施例2、実施例6の電解液をアンプル管に封入して、105℃の雰囲気中に放置し、1000時間後の比抵抗変化率を測定した。
その結果を表2に示す。
この理由として、次のことが考えられる。一般的に、高級二塩基酸は両端のカルボキシル基距離が離れるほど耐電圧が高くなる傾向を示すが、解離度が低下するため比抵抗が上昇していく。しかし、本実施例では3位(他方のカルボキシ末端からは12位)にアルキル側鎖を配位させることにより当該化合物の構造が非対称となり、分子の電気的偏りが生ずることによって解離度の低下が抑制され、カルボキシル基距離が長くなっても比抵抗の上昇を抑制できると考えられる。
さらに、重量%で比べると、実施例の電解液は比較例の電解液に比べて高い電解質濃度を有するため、長期高温放置時に熱劣化に伴う電解質の減少が遅延され、これも比抵抗の変化率低下の要因となっていると考えられる。
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