JP5478663B2 - 蓄電装置 - Google Patents
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- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 87
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 111
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 38
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 nickel metal hydride Chemical class 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
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Description
本発明は、商用電力から電力の供給を受けることなく充電をすることのできる蓄電装置に
関する。
関する。
携帯電話、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーなど
電子機器の小型化が進み、多種多様な製品が市場に出荷されている。このような携帯型の
電子機器は駆動用の電源として二次電池を内蔵している。二次電池としては、リチウムイ
オン電池やニッケル水素電池などが使われている。二次電池の充電は、商用電力から電力
の供給を受けて行われている。例えば、利用者は各家庭に配設されているコンセントにＡ
Ｃアダプターを接続し、二次電池の充電を行っている。
電子機器の小型化が進み、多種多様な製品が市場に出荷されている。このような携帯型の
電子機器は駆動用の電源として二次電池を内蔵している。二次電池としては、リチウムイ
オン電池やニッケル水素電池などが使われている。二次電池の充電は、商用電力から電力
の供給を受けて行われている。例えば、利用者は各家庭に配設されているコンセントにＡ
Ｃアダプターを接続し、二次電池の充電を行っている。
携帯型の電子機器は便利なものであるが、その使用時間は二次電池の容量によって制限を
受けている。当該電子機器の使用者は二次電池の残量に注意を払わなければならず、充電
時間を常に気にしなければならない状況にある。また、電子機器の充電プラグは機器ごと
又は機種ごとに異なっているので、多くのＡＣアダプターを所持することを強いられてい
る。
受けている。当該電子機器の使用者は二次電池の残量に注意を払わなければならず、充電
時間を常に気にしなければならない状況にある。また、電子機器の充電プラグは機器ごと
又は機種ごとに異なっているので、多くのＡＣアダプターを所持することを強いられてい
る。
これに対し、コイルが巻かれたスライド内で永久磁石を往復運動させて電磁誘導起電力を
発生させることにより充電する蓄電装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
この蓄電池によれば、商用電源から電力の供給を受けずに充電することができるとされて
いる。
発生させることにより充電する蓄電装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
この蓄電池によれば、商用電源から電力の供給を受けずに充電することができるとされて
いる。
しかしながら、コイルと永久磁石による電磁誘導起電力を利用するものは可動部が必要で
あり、構造的に小型化することは不向きである。また、そのような蓄電装置では磁石が所
持されて運動しなければならないが、永久磁石を使用するため重量が増えてしまう。その
ため、従来の蓄電装置は体積及び重量が増加して携帯性を損なうという問題がある。
あり、構造的に小型化することは不向きである。また、そのような蓄電装置では磁石が所
持されて運動しなければならないが、永久磁石を使用するため重量が増えてしまう。その
ため、従来の蓄電装置は体積及び重量が増加して携帯性を損なうという問題がある。
ところで、携帯電話など移動体を対象とした地上デジタル放送のワンセグメント部分受信
サービス「ワンセグ」が提供されるなど、携帯型の電子機器の分野では今後、より小型軽
量であって、１回の充電で長時間使用することのできるものが求められている。そのため
、小型軽量であって、商用電力から電力の供給を受けることなく充電をすることのできる
蓄電装置のニーズは高まっている。
サービス「ワンセグ」が提供されるなど、携帯型の電子機器の分野では今後、より小型軽
量であって、１回の充電で長時間使用することのできるものが求められている。そのため
、小型軽量であって、商用電力から電力の供給を受けることなく充電をすることのできる
蓄電装置のニーズは高まっている。
そこで本発明は、小型軽量化若しくは軽量薄型化を図りつつ充電を簡便にし、商用電力か
ら電力の供給を受けることなく充電をすることのできる蓄電装置を提供することを目的と
する。また、そのような蓄電装置を小型軽量化した場合にも、丈夫さを保ち要求される機
能を維持することを目的とする。
ら電力の供給を受けることなく充電をすることのできる蓄電装置を提供することを目的と
する。また、そのような蓄電装置を小型軽量化した場合にも、丈夫さを保ち要求される機
能を維持することを目的とする。
本発明は、電磁波を受信するアンテナと、電力を貯蔵するキャパシターと、電力の貯蔵及
び供給を制御する回路を備えた蓄電装置である。そして、アンテナ、キャパシター、制御
回路を一体構造にすると共に薄型化する場合に、セラミックス等で形成される構造体を一
部に用いることを要旨とする。
び供給を制御する回路を備えた蓄電装置である。そして、アンテナ、キャパシター、制御
回路を一体構造にすると共に薄型化する場合に、セラミックス等で形成される構造体を一
部に用いることを要旨とする。
セラミックス等で形成される構造体は、外部から加えられる押圧や曲げ応力に対し耐性を
有するので、アンテナや制御回路を薄型化した場合に、保護体として機能する。また、こ
の構造体にキャパシターとしての機能を持たせることもできる。
有するので、アンテナや制御回路を薄型化した場合に、保護体として機能する。また、こ
の構造体にキャパシターとしての機能を持たせることもできる。
本発明によれば、アンテナにより電磁波を受信して、その電力をキャパシターに充電する
回路及び任意に放電する制御回路を備えることにより、蓄電装置の寿命を延ばすことがで
きる。
回路及び任意に放電する制御回路を備えることにより、蓄電装置の寿命を延ばすことがで
きる。
セラミックス等で形成される構造体を蓄電装置の一部に用いることで、剛性を高めること
ができる。それにより、蓄電装置を薄型化した場合にも、丈夫さを保ち要求される機能を
維持することができる。
ができる。それにより、蓄電装置を薄型化した場合にも、丈夫さを保ち要求される機能を
維持することができる。
例えば、ペン先など尖頭物による押圧が加えられたときにも、キャパシターや制御回路に
応力が加わって動作不良となってしまうのを防止することができる。曲げ応力に対しても
耐性を持たせることができる。また、セラミックス等で形成される構造体に接続用の配線
を形成して、アンテナと制御回路を接続することで、曲げ応力が加わっても接続部がはず
れて動作不良を起こすことを防止できる。
応力が加わって動作不良となってしまうのを防止することができる。曲げ応力に対しても
耐性を持たせることができる。また、セラミックス等で形成される構造体に接続用の配線
を形成して、アンテナと制御回路を接続することで、曲げ応力が加わっても接続部がはず
れて動作不良を起こすことを防止できる。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構
成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構
成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。
本発明に係る蓄電装置は、アンテナが形成された第１の構造体と、上層及び下層が絶縁層
で挟まれた半導体層を有し該半導体層で形成された電力供給制御回路と、第１の構造体よ
りも高い剛性を有しキャパシターが形成された第２の構造体を有している。この第２の構
造体は、少なくとも内部に誘電体層を有し、その誘電体層と使ってキャパシターが形成さ
れていることが好ましい。第２の構造体をセラミックス等、剛性の高いもので形成するこ
とにより、電力供給制御回路を薄型化しても蓄電装置の機械的強度を保つことができる。
で挟まれた半導体層を有し該半導体層で形成された電力供給制御回路と、第１の構造体よ
りも高い剛性を有しキャパシターが形成された第２の構造体を有している。この第２の構
造体は、少なくとも内部に誘電体層を有し、その誘電体層と使ってキャパシターが形成さ
れていることが好ましい。第２の構造体をセラミックス等、剛性の高いもので形成するこ
とにより、電力供給制御回路を薄型化しても蓄電装置の機械的強度を保つことができる。
図１にこのような蓄電装置の一態様を示す。第１の構造体１０は絶縁材料で形成されてい
る。第１の構造体１０の厚さは１μｍ〜１００μｍ、好ましくは５μｍ〜３０μｍとする
。絶縁材料としては、プラスチックシート、プラスチックフィルム、ガラスエポキシ樹脂
、ガラス板、紙、不織布など様々なものを適用することができる。第１の構造体１０の少
なくとも一方の面には、導電性材料でアンテナ１６が形成されている。アンテナの構造は
蓄電装置が利用する電磁波の周波数帯によって異ならせることが好ましい。短波帯（周波
数１〜３０ＭＨｚの電磁波）、超短波帯（周波数３０〜３００ＭＨｚの電磁波）、極超短
波帯（周波数０．３〜３ＧＨｚの電磁波）の周波数を適用する場合には、その周波数に適
したアンテナ形状とすれば良い。図１はダイポールアンテナであり、超短波帯、極超短波
帯の通信に適したアンテナを示している。アンテナは、図１で示すようなダイポールアン
テナの他に、モノポールアンテナ、パッチアンテナ、スパイラルアンテナ、ループアンテ
ナなどを適用することができる。
る。第１の構造体１０の厚さは１μｍ〜１００μｍ、好ましくは５μｍ〜３０μｍとする
。絶縁材料としては、プラスチックシート、プラスチックフィルム、ガラスエポキシ樹脂
、ガラス板、紙、不織布など様々なものを適用することができる。第１の構造体１０の少
なくとも一方の面には、導電性材料でアンテナ１６が形成されている。アンテナの構造は
蓄電装置が利用する電磁波の周波数帯によって異ならせることが好ましい。短波帯（周波
数１〜３０ＭＨｚの電磁波）、超短波帯（周波数３０〜３００ＭＨｚの電磁波）、極超短
波帯（周波数０．３〜３ＧＨｚの電磁波）の周波数を適用する場合には、その周波数に適
したアンテナ形状とすれば良い。図１はダイポールアンテナであり、超短波帯、極超短波
帯の通信に適したアンテナを示している。アンテナは、図１で示すようなダイポールアン
テナの他に、モノポールアンテナ、パッチアンテナ、スパイラルアンテナ、ループアンテ
ナなどを適用することができる。
アンテナ１６には、電力供給制御回路１４と接続するためにアンテナ端子１８が設けられ
ている。電力供給制御回路１４は、少なくとも一部が第１の構造体１０と重なるように設
けられている。第１の構造体１０と電力供給制御回路１４の接続を強固にするために連結
体として第２の構造体１２が用いられている。
ている。電力供給制御回路１４は、少なくとも一部が第１の構造体１０と重なるように設
けられている。第１の構造体１０と電力供給制御回路１４の接続を強固にするために連結
体として第２の構造体１２が用いられている。
図２は、図１におけるＡ−Ｂ切断線に沿った蓄電装置の断面構造を示している。第１の構
造体１０のアンテナ端子１８が形成されている面には、第２の構造体１２が対向するよう
に配置されている。第２の構造体１２の他方の面には電力供給制御回路１４が対向するよ
うに配置されている。第２の構造体１２には、アンテナ端子１８に対応する位置に貫通電
極２０が形成されている。貫通電極２０は、第２の構造体１２の他方の面で、電力供給制
御回路１４の接続電極２４と接続できるように形成されている。貫通電極２０は、第２の
構造体１２に形成された貫通孔に金属箔や金属ペーストを使って形成されている。
造体１０のアンテナ端子１８が形成されている面には、第２の構造体１２が対向するよう
に配置されている。第２の構造体１２の他方の面には電力供給制御回路１４が対向するよ
うに配置されている。第２の構造体１２には、アンテナ端子１８に対応する位置に貫通電
極２０が形成されている。貫通電極２０は、第２の構造体１２の他方の面で、電力供給制
御回路１４の接続電極２４と接続できるように形成されている。貫通電極２０は、第２の
構造体１２に形成された貫通孔に金属箔や金属ペーストを使って形成されている。
第２の構造体１２は、厚さが０．１μｍ〜５０μｍ、好ましくは５μｍ〜３０μｍの厚さ
を有し、第１の構造体１０と比較して硬質なものであることが好ましい。また、第２の構
造体１２は、靱性を有し一定の曲げ応力に対しては弾性を有していることがより好ましい
。第１の構造体１０がプラスチックフィルムや不織布などの可撓性材料で形成されている
場合に、第２の構造体１２に一定の弾性力を持たせることで、曲げ応力を分散させること
ができるためである。それにより、貫通電極２０を介して接続されるアンテナ端子１８と
接続電極２４が断線する故障を無くすことができる。また、第２の構造体１２の内側に貫
通電極２０を形成することで、電力供給制御回路１４を小型化することができる。
を有し、第１の構造体１０と比較して硬質なものであることが好ましい。また、第２の構
造体１２は、靱性を有し一定の曲げ応力に対しては弾性を有していることがより好ましい
。第１の構造体１０がプラスチックフィルムや不織布などの可撓性材料で形成されている
場合に、第２の構造体１２に一定の弾性力を持たせることで、曲げ応力を分散させること
ができるためである。それにより、貫通電極２０を介して接続されるアンテナ端子１８と
接続電極２４が断線する故障を無くすことができる。また、第２の構造体１２の内側に貫
通電極２０を形成することで、電力供給制御回路１４を小型化することができる。
第２の構造体１２としては、絶縁物質として硬質プラスチック、ガラスなどを用いること
ができるが、特にセラミックス材料を用いて形成することが好ましい。セラミックス材料
は上記の特性を発現させるために素材の選択手が広く、また複数のセラミックスを組み合
わせて複合化することができるからである。
ができるが、特にセラミックス材料を用いて形成することが好ましい。セラミックス材料
は上記の特性を発現させるために素材の選択手が広く、また複数のセラミックスを組み合
わせて複合化することができるからである。
セラミックス材料の代表例としては、高絶縁性材料としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用い
ることが好ましい。また、高容量性材料としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を用い
ることが好ましい。機械的強度を優先させるにはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（
ＴｉＯｘ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、強化ガラス、結晶化ガラスを用いることが好まし
い。また、ＳｉＣのナノ粒子をＳｉ３Ｎ４に添加した複合セラミックス、六方晶ＢＮを含
む複合セラミックスを用いると、高強度、耐酸化、高靱性が得られるので好ましい。
ることが好ましい。また、高容量性材料としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を用い
ることが好ましい。機械的強度を優先させるにはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（
ＴｉＯｘ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、強化ガラス、結晶化ガラスを用いることが好まし
い。また、ＳｉＣのナノ粒子をＳｉ３Ｎ４に添加した複合セラミックス、六方晶ＢＮを含
む複合セラミックスを用いると、高強度、耐酸化、高靱性が得られるので好ましい。
このようなセラミックス材料を用い、一つの層の厚さを０．１μｍ〜２μｍとして、複数
の層を積層した形態としても良い。すなわち、積層基板として各層に電極を形成して積層
型のキャパシターを形成することが好ましい。
の層を積層した形態としても良い。すなわち、積層基板として各層に電極を形成して積層
型のキャパシターを形成することが好ましい。
電力供給制御回路１４は、厚さ５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ〜１５０ｎｍの
半導体層で形成された能動素子で回路が形成されている。半導体層の下層及び上層側には
絶縁層が形成されている。これらの絶縁層は、半導体層を保護するための層として形成さ
れる。また、ゲート絶縁層のように機能層として利用されることもある。能動素子は、代
表例として電界効果トランジスタが形成される。上述のように半導体層が薄膜であること
から、ここで形成される電界効果トランジスタは薄膜トランジスタとも呼ばれる。半導体
層は、気相成長法、スパッタリング法などで形成された半導体層を熱処理及び／又はレー
ザービーム等のエネルギービームの照射により結晶化させた結晶性半導体層を用いること
が好ましい。結晶性半導体層により、電界効果トランジスタの電界効果移動度が３０〜５
００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ（電子）となり、電力の損失を抑えることができるからである。
半導体層で形成された能動素子で回路が形成されている。半導体層の下層及び上層側には
絶縁層が形成されている。これらの絶縁層は、半導体層を保護するための層として形成さ
れる。また、ゲート絶縁層のように機能層として利用されることもある。能動素子は、代
表例として電界効果トランジスタが形成される。上述のように半導体層が薄膜であること
から、ここで形成される電界効果トランジスタは薄膜トランジスタとも呼ばれる。半導体
層は、気相成長法、スパッタリング法などで形成された半導体層を熱処理及び／又はレー
ザービーム等のエネルギービームの照射により結晶化させた結晶性半導体層を用いること
が好ましい。結晶性半導体層により、電界効果トランジスタの電界効果移動度が３０〜５
００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ（電子）となり、電力の損失を抑えることができるからである。
電力供給制御回路１４は半導体層、絶縁層、配線を形成する層を含み、合計０．５〜５μ
ｍの厚さで形成することが好ましい。この厚さで形成することで、蓄電装置の薄型化に寄
与することができる。また、曲げ応力に対して耐性を持たせることができる。この場合に
おいて、半導体層を島状に分離して形成することで、曲げ応力に対する耐性を向上させる
ことができる。
ｍの厚さで形成することが好ましい。この厚さで形成することで、蓄電装置の薄型化に寄
与することができる。また、曲げ応力に対して耐性を持たせることができる。この場合に
おいて、半導体層を島状に分離して形成することで、曲げ応力に対する耐性を向上させる
ことができる。
第１の構造体１０と第２の構造体１２は、アンテナ端子１８と貫通電極２０が電気的に接
続するように接着材２８で固定する。例えば、接着材２８として導電性粒子を分散させた
アクリル、ウレタン又はエポキシ系接着材を用いることができる。また、アンテナ端子１
８と貫通電極２０との接続を導電性ペースト又は半田ペーストで形成し、他の部分にアク
リル、ウレタン又はエポキシ系接着材を形成して固めても良い。第２の構造体１２と電力
供給制御回路１４も同様であり、貫通電極２０と接続電極２４が電気的に接続するように
固定する。
続するように接着材２８で固定する。例えば、接着材２８として導電性粒子を分散させた
アクリル、ウレタン又はエポキシ系接着材を用いることができる。また、アンテナ端子１
８と貫通電極２０との接続を導電性ペースト又は半田ペーストで形成し、他の部分にアク
リル、ウレタン又はエポキシ系接着材を形成して固めても良い。第２の構造体１２と電力
供給制御回路１４も同様であり、貫通電極２０と接続電極２４が電気的に接続するように
固定する。
封止材３０は、アクリル、ウレタン、フェノール、エポキシ又はシリコーン系樹脂材料で
形成し、電力供給制御回路１４を保護するために設けることが好ましい。封止材３０は、
電力供給制御回路１４が覆われるように形成し、電力供給制御回路１４、第２の構造体１
２の側端面が覆われるように形成することが好ましい。この封止材３０により、電力供給
制御回路１４が損傷することを防ぐことができる。また、電力供給制御回路１４と第２の
構造体１２及び第１の構造体１０との接着強度を高めることができる。このようにして、
２μｍ〜１５０μｍ、好ましくは１０〜６０μｍの蓄電装置を得ることができる。
形成し、電力供給制御回路１４を保護するために設けることが好ましい。封止材３０は、
電力供給制御回路１４が覆われるように形成し、電力供給制御回路１４、第２の構造体１
２の側端面が覆われるように形成することが好ましい。この封止材３０により、電力供給
制御回路１４が損傷することを防ぐことができる。また、電力供給制御回路１４と第２の
構造体１２及び第１の構造体１０との接着強度を高めることができる。このようにして、
２μｍ〜１５０μｍ、好ましくは１０〜６０μｍの蓄電装置を得ることができる。
図３は、第１の構造体１０のアンテナ端子１８と電力供給制御回路１４の接続電極２４を
対向させて配置し、これらを接続する構造を示している。第２の構造体１２は電力供給制
御回路１４を保護するように背面に配置している。第２の構造体１２にキャパシターを形
成する場合には、電力供給制御回路１４にセラミックスアンテナ接続電極２７を形成し、
第２の構造体１２のキャパシター外部電極２２と電気的に接続するようにしても良い。第
１の構造体１０、第２の構造体１２及び電力供給制御回路１４は接着材２８で固定するこ
とが好ましい。図３の構成では、電力供給制御回路１４の背面に第２の構造体１２が配設
されているので、封止材３０は適宜設ければ良い。
対向させて配置し、これらを接続する構造を示している。第２の構造体１２は電力供給制
御回路１４を保護するように背面に配置している。第２の構造体１２にキャパシターを形
成する場合には、電力供給制御回路１４にセラミックスアンテナ接続電極２７を形成し、
第２の構造体１２のキャパシター外部電極２２と電気的に接続するようにしても良い。第
１の構造体１０、第２の構造体１２及び電力供給制御回路１４は接着材２８で固定するこ
とが好ましい。図３の構成では、電力供給制御回路１４の背面に第２の構造体１２が配設
されているので、封止材３０は適宜設ければ良い。
以上の通り、本発明に係る蓄電装置は、セラミックス等で形成される構造体を用いること
で、蓄電装置の剛性を高めることができる。それにより、蓄電装置を薄型化した場合にも
、丈夫さを保ち要求される機能を維持することができる。セラミックス等で形成される構
造体に接続用の配線を形成して、アンテナと電力供給制御回路を接続することで、曲げ応
力が加わっても接続部がはずれて動作不良を起こすことを防止できる。
で、蓄電装置の剛性を高めることができる。それにより、蓄電装置を薄型化した場合にも
、丈夫さを保ち要求される機能を維持することができる。セラミックス等で形成される構
造体に接続用の配線を形成して、アンテナと電力供給制御回路を接続することで、曲げ応
力が加わっても接続部がはずれて動作不良を起こすことを防止できる。
本実施例は、アンテナが形成された第１の構造体、キャパシターが形成された第２の構造
体及び電力供給制御回路１４を組み合わせた蓄電装置の一例について図４及び図５を参照
して説明する。なお、図４は当該蓄電装置の平面図であり、図５はＡ−Ｂ切断線、Ｃ−Ｄ
切断線に対応する断面図を示す。
体及び電力供給制御回路１４を組み合わせた蓄電装置の一例について図４及び図５を参照
して説明する。なお、図４は当該蓄電装置の平面図であり、図５はＡ−Ｂ切断線、Ｃ−Ｄ
切断線に対応する断面図を示す。
図４（Ａ）は、第１の構造体１０にコイル状のアンテナ１６が形成されている形態を示し
ている。第１の構造体１０は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエ
チレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレン、ポリプロピ
レンサルファイド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、ポリフタールアミド、アクリル、ポリ
イミドなどのプラスチック材料や不織布、紙などの絶縁材料で形成する。
ている。第１の構造体１０は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエ
チレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレン、ポリプロピ
レンサルファイド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、ポリフタールアミド、アクリル、ポリ
イミドなどのプラスチック材料や不織布、紙などの絶縁材料で形成する。
アンテナ１６は、第１の構造体１０に印刷法、メッキ法などにより、銅、銀、アルミニウ
ムなどの低抵抗金属材料を用いて形成する。図４ではアンテナ１６の形状としてコイル状
のものを示しているが、これは電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場
合に適している。マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．
４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアン
テナとして機能する導電層の長さ等の形状を適宜設定すれば良い。この場合には、モノポ
ールアンテナ、ダイポールアンテナ、パッチアンテナなどを形成すれば良い。
ムなどの低抵抗金属材料を用いて形成する。図４ではアンテナ１６の形状としてコイル状
のものを示しているが、これは電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場
合に適している。マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．
４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアン
テナとして機能する導電層の長さ等の形状を適宜設定すれば良い。この場合には、モノポ
ールアンテナ、ダイポールアンテナ、パッチアンテナなどを形成すれば良い。
図４（Ａ）はアンテナ端子１８に合わせて第２の構造体１２、電力供給制御回路１４が配
設されている状態を示している。図４（Ｂ）は第２の構造体１２の平面図であり、図４（
Ｃ）は電力供給制御回路１４の平面図である。第２の構造体１２と電力供給制御回路１４
の外形寸法は略同一とすることが好ましい。或いは、第２の構造体１２よりも電力供給制
御回路１４の外形寸法を小さくしても良い。
設されている状態を示している。図４（Ｂ）は第２の構造体１２の平面図であり、図４（
Ｃ）は電力供給制御回路１４の平面図である。第２の構造体１２と電力供給制御回路１４
の外形寸法は略同一とすることが好ましい。或いは、第２の構造体１２よりも電力供給制
御回路１４の外形寸法を小さくしても良い。
本実施例において、第２の構造体１２はセラミックス材料で形成されていることが好まし
い。この第２の構造体１２には貫通電極２０及びキャパシター電極３４が形成されている
。電力供給制御回路１４にはアンテナ端子１８と接続する接続電極２４とキャパシター電
極３４と接続するキャパシター部接続電極２６が形成されている。次いで、第２の構造体
１２及び電力供給制御回路１４の接続構造の詳細について図５を参照して説明する。
い。この第２の構造体１２には貫通電極２０及びキャパシター電極３４が形成されている
。電力供給制御回路１４にはアンテナ端子１８と接続する接続電極２４とキャパシター電
極３４と接続するキャパシター部接続電極２６が形成されている。次いで、第２の構造体
１２及び電力供給制御回路１４の接続構造の詳細について図５を参照して説明する。
図５（Ａ）はＡ−Ｂ切断線に対応する断面図を示している。第１の構造体１０と電力供給
制御回路１４は第２の構造体１２に形成された貫通電極２０によって接続されている。こ
れらは接着材２８によって固定されている。第２の構造体１２は誘電体層３２とキャパシ
ター電極３４が形成された層が、交互に咬み合うように積層されている。このように誘電
体層３２とキャパシター電極３４を積層することでキャパシターを形成している。
制御回路１４は第２の構造体１２に形成された貫通電極２０によって接続されている。こ
れらは接着材２８によって固定されている。第２の構造体１２は誘電体層３２とキャパシ
ター電極３４が形成された層が、交互に咬み合うように積層されている。このように誘電
体層３２とキャパシター電極３４を積層することでキャパシターを形成している。
誘電体層３２はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ
Ｏ３）、鉛複合ペロブスカイト化合物材料などのセラミックス材料にバインダー化合物、
可塑剤及び有機溶剤を含むセラミックスペーストを基板上に塗布して誘電体層を形成する
。その上に銅又は銅合金、ニッケル又はニッケル合金、銀又は銀合金、スズ又はスズ合金
から選ばれる電極ペーストを印刷してキャパシター電極３４を形成する。なお、貫通電極
２０を形成する場合は、その該当位置に開口が形成される形状とする。これらを乾燥させ
た後、所定の大きさに分断し、キャパシター電極３４が交互に咬み合うように複数層積層
する。これをセラミックス材料で形成された保護層３６で挟み、脱バインダー、焼成及び
熱処理を施すことで形成される。
Ｏ３）、鉛複合ペロブスカイト化合物材料などのセラミックス材料にバインダー化合物、
可塑剤及び有機溶剤を含むセラミックスペーストを基板上に塗布して誘電体層を形成する
。その上に銅又は銅合金、ニッケル又はニッケル合金、銀又は銀合金、スズ又はスズ合金
から選ばれる電極ペーストを印刷してキャパシター電極３４を形成する。なお、貫通電極
２０を形成する場合は、その該当位置に開口が形成される形状とする。これらを乾燥させ
た後、所定の大きさに分断し、キャパシター電極３４が交互に咬み合うように複数層積層
する。これをセラミックス材料で形成された保護層３６で挟み、脱バインダー、焼成及び
熱処理を施すことで形成される。
図５において、誘電体層３２及びキャパシター電極３４は、ナノ粒子を用いることで１〜
１０μｍの厚さに形成することができる。それにより、２μｍの厚さの誘電体層３２を５
層積層すると厚さは１０μｍとなる。また、１μｍの厚さの誘電体層３２を１０層重ねて
も１０μｍの厚さで済ませることができる。
１０μｍの厚さに形成することができる。それにより、２μｍの厚さの誘電体層３２を５
層積層すると厚さは１０μｍとなる。また、１μｍの厚さの誘電体層３２を１０層重ねて
も１０μｍの厚さで済ませることができる。
図５（Ｂ）はＣ−Ｄ切断線に対応する断面図であり、キャパシター電極３４と電力供給制
御回路１４のキャパシター部接続電極２６の構造を示している。第２の構造体１２におい
て、外周部に形成されるキャパシター外部電極２２は、ニッケルメッキやスズメッキなど
が施されている。キャパシター外部電極２２とキャパシター部接続電極２６の接続には接
着材２８により形成することができる。
御回路１４のキャパシター部接続電極２６の構造を示している。第２の構造体１２におい
て、外周部に形成されるキャパシター外部電極２２は、ニッケルメッキやスズメッキなど
が施されている。キャパシター外部電極２２とキャパシター部接続電極２６の接続には接
着材２８により形成することができる。
以上の様に、アンテナが形成された第１の構造体１０、キャパシターが形成された第２の
構造体１２及び電力供給制御回路１４を組み合わせた蓄電装置が得られる。セラミックス
等で形成される第２の構造体１２を用いることで、蓄電装置の剛性を高めることができる
。それにより、電力供給制御回路１４を有する蓄電装置を薄型化した場合にも、丈夫さを
保ち要求される機能を維持することができる。
構造体１２及び電力供給制御回路１４を組み合わせた蓄電装置が得られる。セラミックス
等で形成される第２の構造体１２を用いることで、蓄電装置の剛性を高めることができる
。それにより、電力供給制御回路１４を有する蓄電装置を薄型化した場合にも、丈夫さを
保ち要求される機能を維持することができる。
本実施例は、複数のアンテナを装備した本発明に係る蓄電装置の一例について説明する。
アンテナが形成された第１の構造体１０、キャパシターが形成された第２の構造体１２、
電力供給制御回路１４及びセラミックスアンテナ３８を組み合わせた蓄電装置の一例につ
いて図６及び図７を参照して説明する。なお、図６は当該蓄電装置の平面図であり、図７
はＥ−Ｆ切断線、Ｇ−Ｈ切断線に対応する断面図を示す。
アンテナが形成された第１の構造体１０、キャパシターが形成された第２の構造体１２、
電力供給制御回路１４及びセラミックスアンテナ３８を組み合わせた蓄電装置の一例につ
いて図６及び図７を参照して説明する。なお、図６は当該蓄電装置の平面図であり、図７
はＥ−Ｆ切断線、Ｇ−Ｈ切断線に対応する断面図を示す。
図６（Ａ）は、第１の構造体１０にコイル状のアンテナ１６が形成されている。アンテナ
１６は実施例１と同様に通信に使用する周波数帯によって形状を適宜変更することができ
る。
１６は実施例１と同様に通信に使用する周波数帯によって形状を適宜変更することができ
る。
図６（Ａ）はアンテナ端子１８に合わせて第２の構造体１２、電力供給制御回路１４、セ
ラミックスアンテナ３８が配設されている状態を示している。なお、図６（Ｂ）は第２の
構造体１２の平面図であり、図６（Ｃ）は電力供給制御回路１４の平面図であり、図６（
Ｄ）はセラミックスアンテナ３８の平面図である。第２の構造体１２、電力供給制御回路
１４及びセラミックスアンテナ３８の外形寸法は略同一とすることが好ましい。或いは、
第２の構造体１２及びセラミックスアンテナ３８よりも電力供給制御回路１４の外形寸法
を小さくしても良い。
ラミックスアンテナ３８が配設されている状態を示している。なお、図６（Ｂ）は第２の
構造体１２の平面図であり、図６（Ｃ）は電力供給制御回路１４の平面図であり、図６（
Ｄ）はセラミックスアンテナ３８の平面図である。第２の構造体１２、電力供給制御回路
１４及びセラミックスアンテナ３８の外形寸法は略同一とすることが好ましい。或いは、
第２の構造体１２及びセラミックスアンテナ３８よりも電力供給制御回路１４の外形寸法
を小さくしても良い。
第２の構造体１２はセラミックス材料で形成され、貫通電極２０及びキャパシター外部電
極２２が形成されている。電力供給制御回路１４にはアンテナ端子１８と接続する接続電
極２４と、キャパシター外部電極２２と接続するキャパシター部接続電極２６、セラミッ
クスアンテナ３８と接続するセラミックスアンテナ接続電極２７が形成されている。次い
で、第２の構造体１２及び電力供給制御回路１４の接続構造の詳細について図７を参照し
て説明する。
極２２が形成されている。電力供給制御回路１４にはアンテナ端子１８と接続する接続電
極２４と、キャパシター外部電極２２と接続するキャパシター部接続電極２６、セラミッ
クスアンテナ３８と接続するセラミックスアンテナ接続電極２７が形成されている。次い
で、第２の構造体１２及び電力供給制御回路１４の接続構造の詳細について図７を参照し
て説明する。
図７（Ａ）はＥ−Ｆ切断線に対応する断面図を示している。第２の構造体１２は実施例１
と同様にセラミックス材料でキャパシターが形成されている。第１の構造体１０のアンテ
ナ端子１８と電力供給制御回路１４の接続電極２４を接続する貫通電極２０を有する構造
は、図５（Ａ）と同様である。電力供給制御回路１４の背面にはセラミックスアンテナ３
８が配置されている。電力供給制御回路１４を挟む第２の構造体１２とセラミックスアン
テナ３８は、保護層としての機能を兼ね備えている。
と同様にセラミックス材料でキャパシターが形成されている。第１の構造体１０のアンテ
ナ端子１８と電力供給制御回路１４の接続電極２４を接続する貫通電極２０を有する構造
は、図５（Ａ）と同様である。電力供給制御回路１４の背面にはセラミックスアンテナ３
８が配置されている。電力供給制御回路１４を挟む第２の構造体１２とセラミックスアン
テナ３８は、保護層としての機能を兼ね備えている。
図７（Ｂ）はＧ−Ｈ切断線に対応する断面図であり、電力供給制御回路１４とセラミック
スアンテナ３８の接続構造を示している。セラミックスアンテナ３８は、誘電体４２の一
方（電力供給制御回路１４側）に接地体４４が形成され、他方に反射体４６が形成されて
いる。電力供給制御回路１４にはセラミックスアンテナ接続電極２７が形成され、これに
接地体４４と給電体４０が接続している。反射体４６には指向性を高めるためのスリット
が形成されていても良い。反射体４６と給電体４０とは間隙をもって配置され、容量結合
されている。
スアンテナ３８の接続構造を示している。セラミックスアンテナ３８は、誘電体４２の一
方（電力供給制御回路１４側）に接地体４４が形成され、他方に反射体４６が形成されて
いる。電力供給制御回路１４にはセラミックスアンテナ接続電極２７が形成され、これに
接地体４４と給電体４０が接続している。反射体４６には指向性を高めるためのスリット
が形成されていても良い。反射体４６と給電体４０とは間隙をもって配置され、容量結合
されている。
本実施例の蓄電装置は、第１の構造体１０に形成されたアンテナ１６とセラミックスアン
テナ３８を給電用のアンテナとして用い、第２の構造体１２に形成されたキャパシターに
充電する。キャパシターは誘電体層３２とキャパシター電極３４で形成されている。この
誘電体層３２とキャパシター電極３４を複数層重ねることで大きな容量を形成することが
できる。この場合、アンテナ１６とセラミックスアンテナ３８が受信する電磁波の周波数
を異ならせることで、効率良くキャパシターに充電することができる。すなわち、キャパ
シターに充電するために受信する電磁波の帯域を広げることができる。この場合において
、誘電体層３２及びキャパシター電極３４は、ナノ粒子を用いることで１〜１０μｍの厚
さに形成することができる。それにより、２μｍの厚さの誘電体層３２を５層積層すると
厚さは１０μｍとなる。また、１μｍの厚さの誘電体層３２を１０層重ねても１０μｍの
厚さで済ませることができる。
テナ３８を給電用のアンテナとして用い、第２の構造体１２に形成されたキャパシターに
充電する。キャパシターは誘電体層３２とキャパシター電極３４で形成されている。この
誘電体層３２とキャパシター電極３４を複数層重ねることで大きな容量を形成することが
できる。この場合、アンテナ１６とセラミックスアンテナ３８が受信する電磁波の周波数
を異ならせることで、効率良くキャパシターに充電することができる。すなわち、キャパ
シターに充電するために受信する電磁波の帯域を広げることができる。この場合において
、誘電体層３２及びキャパシター電極３４は、ナノ粒子を用いることで１〜１０μｍの厚
さに形成することができる。それにより、２μｍの厚さの誘電体層３２を５層積層すると
厚さは１０μｍとなる。また、１μｍの厚さの誘電体層３２を１０層重ねても１０μｍの
厚さで済ませることができる。
以上の様に、アンテナが形成された第１の構造体１０、キャパシターが形成された第２の
構造体１２、電力供給制御回路１４及びセラミックスアンテナ３８を組み合わせた蓄電装
置が得られる。セラミックス等で形成される第２の構造体１２及びセラミックスアンテナ
３８を用いることで、蓄電装置の剛性を高めることができる。それにより、電力供給制御
回路１４を有する蓄電装置を薄型化した場合にも、丈夫さを保ち要求される機能を維持す
ることができる。
構造体１２、電力供給制御回路１４及びセラミックスアンテナ３８を組み合わせた蓄電装
置が得られる。セラミックス等で形成される第２の構造体１２及びセラミックスアンテナ
３８を用いることで、蓄電装置の剛性を高めることができる。それにより、電力供給制御
回路１４を有する蓄電装置を薄型化した場合にも、丈夫さを保ち要求される機能を維持す
ることができる。
本発明に係る蓄電装置の電力供給制御回路の一例について、図８に示すブロック図を用い
て説明する。
て説明する。
図８の蓄電装置１００は、アンテナ１０２、電力供給制御回路１０４、キャパシター１０
６によって構成されている。電力供給制御回路１０４は、整流回路１０８、低周波信号発
生回路１１０、スイッチ回路１１２、電源回路１１４によって構成される。電力供給制御
回路における電源回路から、蓄電装置の外部にある負荷１１８に電力の出力が行われる。
６によって構成されている。電力供給制御回路１０４は、整流回路１０８、低周波信号発
生回路１１０、スイッチ回路１１２、電源回路１１４によって構成される。電力供給制御
回路における電源回路から、蓄電装置の外部にある負荷１１８に電力の出力が行われる。
実施例１との関連において、アンテナ１０２は第１の構造体１０に形成されている。キャ
パシター１０６は第２の構造体１２に形成されている。電力供給制御回路１０４は電力供
給制御回路１４に相当する。
パシター１０６は第２の構造体１２に形成されている。電力供給制御回路１０４は電力供
給制御回路１４に相当する。
なお図８における負荷１１８の構成は電子機器により異なっている。例えば、携帯電話や
デジタルビデオカメラにおいては、ロジック回路、増幅回路、メモリコントローラなどが
負荷に相当する。また、ＩＣカード、ＩＣタグなどでは高周波回路及びロジック回路など
が負荷に相当する。
デジタルビデオカメラにおいては、ロジック回路、増幅回路、メモリコントローラなどが
負荷に相当する。また、ＩＣカード、ＩＣタグなどでは高周波回路及びロジック回路など
が負荷に相当する。
また、図８には、給電器１２０が発する電磁波を、アンテナ１０２が受信してキャパシタ
ー１０６に充電する構成の蓄電装置１００を示す。図８において、アンテナ１０２が受信
した電磁波は整流回路１０８で整流され、キャパシター１０６に充電する。また、アンテ
ナ１０２で電磁波を受信することにより得られた電力は、整流回路１０８を介して低周波
信号発生回路１１０に入力される。さらに、アンテナ１０２で電磁波を受信することで得
られた電力は、整流回路１０８及びスイッチ回路１１２を介して電源回路１１４に信号と
して入力される。また、低周波信号発生回路１１０は、入力される信号で動作が制御され
て、スイッチ回路１１２に対し、オンオフの制御信号を出力する。
ー１０６に充電する構成の蓄電装置１００を示す。図８において、アンテナ１０２が受信
した電磁波は整流回路１０８で整流され、キャパシター１０６に充電する。また、アンテ
ナ１０２で電磁波を受信することにより得られた電力は、整流回路１０８を介して低周波
信号発生回路１１０に入力される。さらに、アンテナ１０２で電磁波を受信することで得
られた電力は、整流回路１０８及びスイッチ回路１１２を介して電源回路１１４に信号と
して入力される。また、低周波信号発生回路１１０は、入力される信号で動作が制御され
て、スイッチ回路１１２に対し、オンオフの制御信号を出力する。
図８において、電磁波を受信することによって得られる電力は、キャパシター１０６に充
電される。給電器１２０から十分な電力の供給が受けられない場合には、キャパシター１
０６より供給される電力がスイッチ回路１１２を介して電源回路１１４へ電力を供給され
る。給電器１２０は、アンテナ１０２が受信することができる電磁波を放射する機器であ
る。
電される。給電器１２０から十分な電力の供給が受けられない場合には、キャパシター１
０６より供給される電力がスイッチ回路１１２を介して電源回路１１４へ電力を供給され
る。給電器１２０は、アンテナ１０２が受信することができる電磁波を放射する機器であ
る。
図８におけるアンテナ１０２の構成は、電磁結合方式、電磁誘導方式又はマイクロ波方式
等、受信する電磁波の周波数帯に応じて選択すれば良い。アンテナ１０２は、給電器１２
０が供給する電磁波の有無によらず、任意に電磁波を受信して電力供給制御回路１０４に
信号を供給することができる。例えば、蓄電装置１００のキャパシター１０６を充電する
ためにアンテナ１０２で受信する電磁波として、携帯電話の電磁波（８００〜９００ＭＨ
ｚ帯、１．５ＧＨｚ、１．９〜２．１ＧＨｚ帯等）、携帯電話から発振される電磁波、電
波時計の電磁波（４０ｋＨｚ等）、家庭用の交流電源のノイズ（６０Ｈｚ等）、他の無線
信号出力手段から無作為に生じている電磁等を利用することができる。
等、受信する電磁波の周波数帯に応じて選択すれば良い。アンテナ１０２は、給電器１２
０が供給する電磁波の有無によらず、任意に電磁波を受信して電力供給制御回路１０４に
信号を供給することができる。例えば、蓄電装置１００のキャパシター１０６を充電する
ためにアンテナ１０２で受信する電磁波として、携帯電話の電磁波（８００〜９００ＭＨ
ｚ帯、１．５ＧＨｚ、１．９〜２．１ＧＨｚ帯等）、携帯電話から発振される電磁波、電
波時計の電磁波（４０ｋＨｚ等）、家庭用の交流電源のノイズ（６０Ｈｚ等）、他の無線
信号出力手段から無作為に生じている電磁等を利用することができる。
次に、図８に示す蓄電装置１００に、電磁波を受信して、キャパシター１０６の充電及び
電源回路１１４への電力の供給をする動作について説明する。アンテナ１０２で受信した
電磁波は、整流回路１０８により半波整流され平滑化される。そして整流回路１０８から
出力される電力は、スイッチ回路１１２を介して電源回路１１４に供給され、余剰電力が
キャパシター１０６に蓄えられる。
電源回路１１４への電力の供給をする動作について説明する。アンテナ１０２で受信した
電磁波は、整流回路１０８により半波整流され平滑化される。そして整流回路１０８から
出力される電力は、スイッチ回路１１２を介して電源回路１１４に供給され、余剰電力が
キャパシター１０６に蓄えられる。
本実施例の蓄電装置１００は、電磁波の強度に応じて間欠的に動作させることにより、キ
ャパシター１０６に充電した電力が無駄に消費されないように工夫されている。一般に蓄
電回路は負荷に対し常時電力を供給するが、用途によっては必ずしも常時電力の供給をし
なくとも良い場合もある。そのような場合に、蓄電装置１００からの電力の供給の動作を
停止することによって、キャパシター１０６に蓄えた電力の消費を押さえることができる
。本実施例において、常時動作しているのは、図８における低周波信号発生回路１１０の
みである。低周波信号発生回路１１０はキャパシター１０６に蓄えられた電力をもとに動
作する。図９を用いて、低周波信号発生回路１１０の出力波形について説明する。
ャパシター１０６に充電した電力が無駄に消費されないように工夫されている。一般に蓄
電回路は負荷に対し常時電力を供給するが、用途によっては必ずしも常時電力の供給をし
なくとも良い場合もある。そのような場合に、蓄電装置１００からの電力の供給の動作を
停止することによって、キャパシター１０６に蓄えた電力の消費を押さえることができる
。本実施例において、常時動作しているのは、図８における低周波信号発生回路１１０の
みである。低周波信号発生回路１１０はキャパシター１０６に蓄えられた電力をもとに動
作する。図９を用いて、低周波信号発生回路１１０の出力波形について説明する。
図９には、低周波信号発生回路１１０がスイッチ回路に出力する信号の波形について示し
ている。図９の例では出力波形のデューティを１：ｎ（ｎは整数）にすることによって、
消費電力を１／（ｎ＋１）程度にすることができる。この信号を元にしてスイッチ回路１
１２を駆動する。スイッチ回路１１２はキャパシター１０６と電源回路１１４を出力信号
がハイになっている期間だけ接続し、それによって、その期間だけ蓄電装置におけるバッ
テリーより電源回路を介して負荷に電力が供給される。
ている。図９の例では出力波形のデューティを１：ｎ（ｎは整数）にすることによって、
消費電力を１／（ｎ＋１）程度にすることができる。この信号を元にしてスイッチ回路１
１２を駆動する。スイッチ回路１１２はキャパシター１０６と電源回路１１４を出力信号
がハイになっている期間だけ接続し、それによって、その期間だけ蓄電装置におけるバッ
テリーより電源回路を介して負荷に電力が供給される。
図１０は、図８における低周波信号発生回路１１０の一例を示す。図１０の低周波信号発
生回路１１０は、リングオシレータ１２２、分周回路１２４、ＡＮＤ回路１２６、インバ
ータ１２８、インバータ１３０によって構成されている。リングオシレータ１２２の発振
信号を分周回路１２４で分周し、その出力をＡＮＤ回路１２６に入力している。そして、
ＡＮＤ回路１２６で低デューティ比の信号を作り出している。さらにＡＮＤ回路１２６の
出力をインバータ１２８及びインバータ１３０を介して、トランスミッションゲート１３
２で構成されるスイッチ回路１１２に入力している。リングオシレータ１２２は低周波数
で発振するものであり、例えば１ＫＨｚで発振させている。
生回路１１０は、リングオシレータ１２２、分周回路１２４、ＡＮＤ回路１２６、インバ
ータ１２８、インバータ１３０によって構成されている。リングオシレータ１２２の発振
信号を分周回路１２４で分周し、その出力をＡＮＤ回路１２６に入力している。そして、
ＡＮＤ回路１２６で低デューティ比の信号を作り出している。さらにＡＮＤ回路１２６の
出力をインバータ１２８及びインバータ１３０を介して、トランスミッションゲート１３
２で構成されるスイッチ回路１１２に入力している。リングオシレータ１２２は低周波数
で発振するものであり、例えば１ＫＨｚで発振させている。
図１１は、図１０で示した低周波信号発生回路１１０から出力される信号のタイミングチ
ャートを示す。図１１は、リングオシレータ１２２の出力波形、分周回路１２４の出力波
形及びＡＮＤ回路１２６の出力波形の一例を示している。図１１は、リングオシレータ１
２２から出力された信号を、１０２４分周する場合の出力波形を示している。出力波形は
、分周回路出力波形１、分周回路出力波形２、分周回路出力波形３が順次出力されていく
。これらの出力波形をＡＮＤ回路１２６で処理すると、デューティを１：１０２４の信号
を形成することができる。このときリングオシレータ１２２の発振周波数が１ＫＨｚであ
れば１つの周期において動作期間は０．５μｓｅｃ、非動作期間は５１２μｓｅｃとなる
。
ャートを示す。図１１は、リングオシレータ１２２の出力波形、分周回路１２４の出力波
形及びＡＮＤ回路１２６の出力波形の一例を示している。図１１は、リングオシレータ１
２２から出力された信号を、１０２４分周する場合の出力波形を示している。出力波形は
、分周回路出力波形１、分周回路出力波形２、分周回路出力波形３が順次出力されていく
。これらの出力波形をＡＮＤ回路１２６で処理すると、デューティを１：１０２４の信号
を形成することができる。このときリングオシレータ１２２の発振周波数が１ＫＨｚであ
れば１つの周期において動作期間は０．５μｓｅｃ、非動作期間は５１２μｓｅｃとなる
。
低周波信号発生回路１１０から出力される信号は、定期的にスイッチ回路１１２のトラン
スミッションゲート１３２のオンとオフを制御し、キャパシター１０６から電源回路１１
４への電力の供給を制御する。それにより、蓄電装置１００からの負荷への電力の供給を
制御することができる。すなわち、キャパシター１０６から信号制御回路部への電力の供
給を間欠的に行うことにより、蓄電装置１００から負荷１１８への電力の供給を抑え、低
消費電力化を行うことができる。
スミッションゲート１３２のオンとオフを制御し、キャパシター１０６から電源回路１１
４への電力の供給を制御する。それにより、蓄電装置１００からの負荷への電力の供給を
制御することができる。すなわち、キャパシター１０６から信号制御回路部への電力の供
給を間欠的に行うことにより、蓄電装置１００から負荷１１８への電力の供給を抑え、低
消費電力化を行うことができる。
図８における電源回路１１４の例について図１２を用いて説明する。電源回路１１４は基
準電圧回路とバッファアンプで構成される。基準電圧回路は抵抗１３４、ダイオード接続
されたトランジスタ１３６、１３８によって構成されている。この回路によって、トラン
ジスタ１３６、１３８により、トランジスタのゲート・ソース間電圧（Ｖｇｓ）に応じた
基準電圧（２×Ｖｇｓ）を発生させている。バッファアンプはトランジスタ１４０、１４
２で構成される差動回路、トランジスタ１４４、１４６によって構成されるカレントミラ
ー回路、電流供給用抵抗１４８、トランジスタ１５０、抵抗１５２によって構成されるソ
ース接地アンプより構成される。
準電圧回路とバッファアンプで構成される。基準電圧回路は抵抗１３４、ダイオード接続
されたトランジスタ１３６、１３８によって構成されている。この回路によって、トラン
ジスタ１３６、１３８により、トランジスタのゲート・ソース間電圧（Ｖｇｓ）に応じた
基準電圧（２×Ｖｇｓ）を発生させている。バッファアンプはトランジスタ１４０、１４
２で構成される差動回路、トランジスタ１４４、１４６によって構成されるカレントミラ
ー回路、電流供給用抵抗１４８、トランジスタ１５０、抵抗１５２によって構成されるソ
ース接地アンプより構成される。
図１２に示す電源回路１１４において、出力端子より流れる電流が大きいときはトランジ
スタ１５０に流れる電流が少なくなり、また、出力端子より流れる電流が小さいときはト
ランジスタ１５０に流れる電流が多くなる。これにより、抵抗１５２に流れる電流はほぼ
一定となるように動作する。また出力端子の電位は基準電圧回路とほぼ同じ値となる。こ
こでは基準電圧回路とバッファアンプを有する電源回路を示したが、電源回路１１４とし
ては図１２に限定されず、他の形式の電源回路であっても良い。
スタ１５０に流れる電流が少なくなり、また、出力端子より流れる電流が小さいときはト
ランジスタ１５０に流れる電流が多くなる。これにより、抵抗１５２に流れる電流はほぼ
一定となるように動作する。また出力端子の電位は基準電圧回路とほぼ同じ値となる。こ
こでは基準電圧回路とバッファアンプを有する電源回路を示したが、電源回路１１４とし
ては図１２に限定されず、他の形式の電源回路であっても良い。
上記したように、本実施例の電力供給制御回路を実施例１の蓄電装置に適用することがで
きる。本実施例の電力供給制御回路によれば、電磁波を受信して、それを電力としてキャ
パシターに充電することができる。キャパシター１０６に充電した電力は負荷に供給する
ことができる。また、蓄電装置からの負荷への電力の供給を制御することができる。すな
わち、キャパシターから信号制御回路部への電力の供給を間欠的に行うことにより、蓄電
装置から負荷への電力の供給を抑え低消費電力化を行うことができる。
きる。本実施例の電力供給制御回路によれば、電磁波を受信して、それを電力としてキャ
パシターに充電することができる。キャパシター１０６に充電した電力は負荷に供給する
ことができる。また、蓄電装置からの負荷への電力の供給を制御することができる。すな
わち、キャパシターから信号制御回路部への電力の供給を間欠的に行うことにより、蓄電
装置から負荷への電力の供給を抑え低消費電力化を行うことができる。
本実施例は、実施例２に対応する蓄電装置の一例を図１３を参照して説明する。なお、以
下の説明では図８と相違する点を中心に説明する。
下の説明では図８と相違する点を中心に説明する。
図１３の複数のアンテナ回路を具備する蓄電装置の構成について示す。図８と異なる点は
、複数のアンテナ回路としてアンテナ１０２、第２のアンテナ１０３を具備する点にある
。アンテナ１０２、第２のアンテナ１０３は適合する受信周波数が異なるように構成され
ていることが好ましい。例えば、実施例２の図６で示すように、アンテナ１０２をスパイ
ラルアンテナで構成し、第２のアンテナ１０３をセラミックスアンテナ（パッチアンテナ
）で構成することができる。
、複数のアンテナ回路としてアンテナ１０２、第２のアンテナ１０３を具備する点にある
。アンテナ１０２、第２のアンテナ１０３は適合する受信周波数が異なるように構成され
ていることが好ましい。例えば、実施例２の図６で示すように、アンテナ１０２をスパイ
ラルアンテナで構成し、第２のアンテナ１０３をセラミックスアンテナ（パッチアンテナ
）で構成することができる。
実施例２との関連において、アンテナ１０２は第１の構造体１０に形成されている。第２
のアンテナ１０３はセラミックスアンテナ３８に相当する。キャパシター１０６は第２の
構造体１２に形成されている。電力供給制御回路１０４は電力供給制御回路１４に相当す
る。
のアンテナ１０３はセラミックスアンテナ３８に相当する。キャパシター１０６は第２の
構造体１２に形成されている。電力供給制御回路１０４は電力供給制御回路１４に相当す
る。
アンテナ１０２、第２のアンテナ１０３が受信した電磁波は整流回路１０８で整流され、
キャパシター１０６に充電される。整流回路１０８では、両方のアンテナが受信した電磁
波を同時に整流してキャパシター１０６に充電するようにすることができる。また、整流
回路１０８において、アンテナ１０２、第２のアンテナ１０３が受信した電磁波で、電界
強度が強い方の電磁波を優先的に整流してキャパシター１０６に充電するようにしても良
い。
キャパシター１０６に充電される。整流回路１０８では、両方のアンテナが受信した電磁
波を同時に整流してキャパシター１０６に充電するようにすることができる。また、整流
回路１０８において、アンテナ１０２、第２のアンテナ１０３が受信した電磁波で、電界
強度が強い方の電磁波を優先的に整流してキャパシター１０６に充電するようにしても良
い。
本実施例の蓄電装置１００において、他の構成は図８と同じであり、同様の作用効果を得
ることができる。
ることができる。
本実施例は、キャパシターに充電した電力の供給を制御する機能を備えた蓄電装置につい
て示す。なお、本実施例において、実施例３に示すものと同様の機能を有するものについ
ては同じ符号を付して説明する。
て示す。なお、本実施例において、実施例３に示すものと同様の機能を有するものについ
ては同じ符号を付して説明する。
図１４の蓄電装置１００は、アンテナ１０２、電力供給制御回路１０４、キャパシター１
０６によって構成されている。電力供給制御回路１０４は、整流回路１０８、制御回路１
１６、低周波信号発生回路１１０、スイッチ回路１１２、電源回路１１４によって構成さ
れる。負荷１１８への電力の供給は、電源回路１１４から行われる。
０６によって構成されている。電力供給制御回路１０４は、整流回路１０８、制御回路１
１６、低周波信号発生回路１１０、スイッチ回路１１２、電源回路１１４によって構成さ
れる。負荷１１８への電力の供給は、電源回路１１４から行われる。
実施例１との関連において、アンテナ１０２は第１の構造体１０に形成されている。キャ
パシター１０６は第２の構造体１２に形成されている。電力供給制御回路１０４は電力供
給制御回路１４に相当する。
パシター１０６は第２の構造体１２に形成されている。電力供給制御回路１０４は電力供
給制御回路１４に相当する。
本実施例の蓄電装置は、電力供給制御回路１０４は、整流回路１０８から出力される電力
が負荷１１８の消費電力に対して余剰である場合には、その余剰分の電力をキャパシター
１０６に蓄えるようにする。また、整流回路１０８から出力される電力が負荷１１８の消
費電力に対して不足する場合には、キャパシター１０６を放電して電源回路１１４に電力
を供給する。図１４において、整流回路１０８の後段にある制御回路１１６は、このよう
な動作を行うために設けている。
が負荷１１８の消費電力に対して余剰である場合には、その余剰分の電力をキャパシター
１０６に蓄えるようにする。また、整流回路１０８から出力される電力が負荷１１８の消
費電力に対して不足する場合には、キャパシター１０６を放電して電源回路１１４に電力
を供給する。図１４において、整流回路１０８の後段にある制御回路１１６は、このよう
な動作を行うために設けている。
図１５に制御回路１１６の一例を示す。制御回路１１６はスイッチ１５４、スイッチ１５
６、整流素子１５８、整流素子１６０及び電圧比較回路１６２を有している。図１５にお
いて、電圧比較回路１６２は、キャパシター１０６から出力される電圧と整流回路１０８
から出力される電圧とを比較する。整流回路１０８から出力される電圧がキャパシター１
０６から出力される電圧よりも十分に高いときには、電圧比較回路１６２はスイッチ１５
４をオンにし、スイッチ１５６をオフにする。この状態で、整流回路１０８から整流素子
１５８及びスイッチ１５４を介してキャパシター１０６に電流が流れる。一方、整流回路
１０８から出力される電圧がキャパシター１０６から出力される電圧と比較して十分な高
さでなくなると、電圧比較回路１６２はスイッチ１５４をオフにし、スイッチ１５６をオ
ンにする。このとき、整流回路１０８から出力された電圧がキャパシター１０６から出力
された電圧より高ければ、整流素子１６０には電流が流れないが、整流回路１０８から出
力された電圧がバッテリーから出力された電圧より低ければ、キャパシター１０６からス
イッチ１５６及び整流素子１６０を介してスイッチ回路１１２に電流が流れる。
６、整流素子１５８、整流素子１６０及び電圧比較回路１６２を有している。図１５にお
いて、電圧比較回路１６２は、キャパシター１０６から出力される電圧と整流回路１０８
から出力される電圧とを比較する。整流回路１０８から出力される電圧がキャパシター１
０６から出力される電圧よりも十分に高いときには、電圧比較回路１６２はスイッチ１５
４をオンにし、スイッチ１５６をオフにする。この状態で、整流回路１０８から整流素子
１５８及びスイッチ１５４を介してキャパシター１０６に電流が流れる。一方、整流回路
１０８から出力される電圧がキャパシター１０６から出力される電圧と比較して十分な高
さでなくなると、電圧比較回路１６２はスイッチ１５４をオフにし、スイッチ１５６をオ
ンにする。このとき、整流回路１０８から出力された電圧がキャパシター１０６から出力
された電圧より高ければ、整流素子１６０には電流が流れないが、整流回路１０８から出
力された電圧がバッテリーから出力された電圧より低ければ、キャパシター１０６からス
イッチ１５６及び整流素子１６０を介してスイッチ回路１１２に電流が流れる。
図１６は電圧比較回路１６２の構成について示す。図１６に示す構成において、電圧比較
回路１６２は、キャパシター１０６から出力される電圧を抵抗素子１６４と抵抗素子１６
６で抵抗分割し、整流回路１０８から出力される電圧を抵抗素子１６８と抵抗素子１７０
で抵抗分割し、それぞれ抵抗分割した電圧をコンパレータ１７２に入力している。コンパ
レータ１７２の出力は、インバータ形式のバッファ回路１７４及びバッファ回路１７６を
直列に接続する。バッファ回路１７４の出力をスイッチ１５４の制御端子に入力し、バッ
ファ回路１７６の出力をスイッチ１５６の制御端子に入力しする。これにより、スイッチ
１５４及びスイッチ１５６のオンとオフを制御する。例えば、スイッチ１５４及びスイッ
チ１５６は、バッファ回路１７４若しくはバッファ回路１７６の出力が高電位（”Ｈ”レ
ベル）のときオンとなり、低電位（”Ｌ”レベル）のときオフとなるようにする。このよ
うに、キャパシター１０６と整流回路１０８の電圧を抵抗分割してコンパレータ１７２に
入力することにより、スイッチ１５４とスイッチ１５６のオンオフ制御をすることができ
る。
回路１６２は、キャパシター１０６から出力される電圧を抵抗素子１６４と抵抗素子１６
６で抵抗分割し、整流回路１０８から出力される電圧を抵抗素子１６８と抵抗素子１７０
で抵抗分割し、それぞれ抵抗分割した電圧をコンパレータ１７２に入力している。コンパ
レータ１７２の出力は、インバータ形式のバッファ回路１７４及びバッファ回路１７６を
直列に接続する。バッファ回路１７４の出力をスイッチ１５４の制御端子に入力し、バッ
ファ回路１７６の出力をスイッチ１５６の制御端子に入力しする。これにより、スイッチ
１５４及びスイッチ１５６のオンとオフを制御する。例えば、スイッチ１５４及びスイッ
チ１５６は、バッファ回路１７４若しくはバッファ回路１７６の出力が高電位（”Ｈ”レ
ベル）のときオンとなり、低電位（”Ｌ”レベル）のときオフとなるようにする。このよ
うに、キャパシター１０６と整流回路１０８の電圧を抵抗分割してコンパレータ１７２に
入力することにより、スイッチ１５４とスイッチ１５６のオンオフ制御をすることができ
る。
なお、制御回路１１６、電圧比較回路１６２は上記した構成に限定されず、同様な機能を
有するものであれば、他の形式の回路を用いても良い。
有するものであれば、他の形式の回路を用いても良い。
図１４に示す蓄電装置１００の動作は概略、次の通りである。まず、アンテナ１０２で受
信した外部の無線信号は、整流回路１０８により半波整流され、平滑化される。そして制
御回路１１６において、キャパシター１０６から出力される電圧と整流回路１０８から出
力される電圧とを比較する。整流回路１０８から出力される電圧がキャパシター１０６か
ら出力される電圧よりも十分高ければ、整流回路１０８とキャパシター１０６は接続する
。このとき整流回路１０８から出力される電力はキャパシター１０６と電源回路１１４の
両方に供給され、余剰電力がキャパシター１０６に蓄えられる。
信した外部の無線信号は、整流回路１０８により半波整流され、平滑化される。そして制
御回路１１６において、キャパシター１０６から出力される電圧と整流回路１０８から出
力される電圧とを比較する。整流回路１０８から出力される電圧がキャパシター１０６か
ら出力される電圧よりも十分高ければ、整流回路１０８とキャパシター１０６は接続する
。このとき整流回路１０８から出力される電力はキャパシター１０６と電源回路１１４の
両方に供給され、余剰電力がキャパシター１０６に蓄えられる。
制御回路１１６は、整流回路１０８とキャパシター１０６の出力電圧を比較する。整流回
路１０８の出力電圧が低い場合には、キャパシター１０６と電源回路１１４が接続される
ように制御する。また、整流回路１０８の出力電圧がキャパシター１０６よりも高い場合
には、整流回路１０８の出力が電源回路１１４に入力されるように動作する。すなわち、
制御回路１１６は整流回路１０８から出力される電圧とキャパシター１０６から出力され
る電圧とに応じて電流の方向を制御する。
路１０８の出力電圧が低い場合には、キャパシター１０６と電源回路１１４が接続される
ように制御する。また、整流回路１０８の出力電圧がキャパシター１０６よりも高い場合
には、整流回路１０８の出力が電源回路１１４に入力されるように動作する。すなわち、
制御回路１１６は整流回路１０８から出力される電圧とキャパシター１０６から出力され
る電圧とに応じて電流の方向を制御する。
また、実施例３の図８で示すように、キャパシター１０６から電源回路１１４介して負荷
１１８に供給する電力を間欠的に行うことにより、電力の消費量を低減することができる
。また、実施例４で示すように複数のアンテナを備えていても良い。
１１８に供給する電力を間欠的に行うことにより、電力の消費量を低減することができる
。また、実施例４で示すように複数のアンテナを備えていても良い。
本実施例の蓄電装置は、電磁波の受信状態に応じて、アンテナが受信した電磁波の電力と
、キャパシターに蓄電された電力を制御回路により比較することで、負荷に供給する電力
の経路を選択することができる。それにより、キャパシターに充電されている電力を有効
に利用することができ、安定的に電力を負荷に供給することができる。
、キャパシターに蓄電された電力を制御回路により比較することで、負荷に供給する電力
の経路を選択することができる。それにより、キャパシターに充電されている電力を有効
に利用することができ、安定的に電力を負荷に供給することができる。
本実施例は、実施例１乃至実施例５の電力供給制御回路１４に適用することのできるトラ
ンジスタについて例示する。
ンジスタについて例示する。
図１７は、絶縁表面を有する基板１７８に形成された薄膜トランジスタを示している。基
板はアルミノシリケートガラスなどのガラス基板、石英基板などが適用される。基板１７
８の厚さは４００〜７００μｍであるが、研磨して５〜１００μｍに薄片化しても良い。
実施例１乃至実施例３で示すように第２の構造体１２と組み合わせることにより、機械的
強度を保てるからである。
板はアルミノシリケートガラスなどのガラス基板、石英基板などが適用される。基板１７
８の厚さは４００〜７００μｍであるが、研磨して５〜１００μｍに薄片化しても良い。
実施例１乃至実施例３で示すように第２の構造体１２と組み合わせることにより、機械的
強度を保てるからである。
基板１７８上には、窒化シリコンや酸化シリコンで第１絶縁層１８０が形成されていても
良い。第１絶縁層１８０は薄膜トランジスタの特性を安定化させる効果がある。半導体層
１８２は多結晶シリコンであることが好ましい。また、半導体層１８２は、ゲート電極１
８６と重畳するチャネル形成領域において結晶粒界がキャリアのドリフトに影響しない単
結晶のシリコン薄膜であっても良い。
良い。第１絶縁層１８０は薄膜トランジスタの特性を安定化させる効果がある。半導体層
１８２は多結晶シリコンであることが好ましい。また、半導体層１８２は、ゲート電極１
８６と重畳するチャネル形成領域において結晶粒界がキャリアのドリフトに影響しない単
結晶のシリコン薄膜であっても良い。
また、他の構造として基板１７８をシリコン半導体で構成し、第１絶縁層１８０を酸化シ
リコンで形成したものを適用することができる。この場合、半導体層１８２は単結晶シリ
コンで形成することができる。すなわちＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔ
ｏｒ）基板を適用することができる。
リコンで形成したものを適用することができる。この場合、半導体層１８２は単結晶シリ
コンで形成することができる。すなわちＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔ
ｏｒ）基板を適用することができる。
ゲート電極１８６はゲート絶縁層１８４を介して半導体層１８２上に形成されている。ゲ
ート電極１８６の両側にはサイドウオールが形成されていても良く、それによって半導体
層１８２に低濃度ドレインが形成されていても良い。第２絶縁層１８８は酸化シリコン、
酸窒化シリコンなどで形成されている。これは所謂層間絶縁層であり、第１配線１９０が
この層上に形成されている。第１配線１９０は半導体層１８２に形成されたソース領域及
びドレイン領域とコンタクトを形成する。
ート電極１８６の両側にはサイドウオールが形成されていても良く、それによって半導体
層１８２に低濃度ドレインが形成されていても良い。第２絶縁層１８８は酸化シリコン、
酸窒化シリコンなどで形成されている。これは所謂層間絶縁層であり、第１配線１９０が
この層上に形成されている。第１配線１９０は半導体層１８２に形成されたソース領域及
びドレイン領域とコンタクトを形成する。
さらに、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化シリコンなどで第３絶縁層１９２、その上
に第２配線１９４が形成されている。図１７では第１配線１９０と第２配線１９４を示す
が、配線の積層数は回路構成に応じて適宜選択すれば良い。配線構造についても、コンタ
クトホールにタングステンを選択成長させて埋込プラグを形成しても良いし、ダマシンプ
ロセスを使って銅配線を形成しても良い。
に第２配線１９４が形成されている。図１７では第１配線１９０と第２配線１９４を示す
が、配線の積層数は回路構成に応じて適宜選択すれば良い。配線構造についても、コンタ
クトホールにタングステンを選択成長させて埋込プラグを形成しても良いし、ダマシンプ
ロセスを使って銅配線を形成しても良い。
接続電極２４は電力供給制御回路１４の最表面に露出する電極である。その他の領域は、
例えば第２配線１９４が露出しないように、第４絶縁層１９６によって被覆されている。
第４絶縁層１９６は表面を平坦化するために、塗布形成される酸化シリコンで形成するこ
とが好ましい。接続電極２４は印刷法やメッキ法で銅や金のバンプを形成することによっ
て形成されている。これは、コンタクト抵抗を下げるためである。
例えば第２配線１９４が露出しないように、第４絶縁層１９６によって被覆されている。
第４絶縁層１９６は表面を平坦化するために、塗布形成される酸化シリコンで形成するこ
とが好ましい。接続電極２４は印刷法やメッキ法で銅や金のバンプを形成することによっ
て形成されている。これは、コンタクト抵抗を下げるためである。
このように、薄膜トランジスタによって集積回路を形成することで、ＲＦ帯（代表的には
１３．５６ＭＨｚ）からマイクロ波帯（２．４５ＧＨｚ）の通信信号を受信して動作する
電力供給制御回路１４を形成することができる。
１３．５６ＭＨｚ）からマイクロ波帯（２．４５ＧＨｚ）の通信信号を受信して動作する
電力供給制御回路１４を形成することができる。
本実施例は、実施例１乃至実施例５の電力供給制御回路１４に適用することのできるトラ
ンジスタの他の構成について図１８に示す。なお、実施例６と同じ機能を示す要素には同
じ符号を用いている。
ンジスタの他の構成について図１８に示す。なお、実施例６と同じ機能を示す要素には同
じ符号を用いている。
図１８はＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタ
であり、半導体基板１９８を利用して形成されている。半導体基板１９８として代表的に
は単結晶シリコン基板が採用される。基板１９８の厚さは１００〜３００μｍであるが、
研磨して１０〜１００μｍに薄片化しても良い。実施例１乃至実施例３で示すように第２
の構造体１２と組み合わせることにより、機械的強度を保てるからである。
であり、半導体基板１９８を利用して形成されている。半導体基板１９８として代表的に
は単結晶シリコン基板が採用される。基板１９８の厚さは１００〜３００μｍであるが、
研磨して１０〜１００μｍに薄片化しても良い。実施例１乃至実施例３で示すように第２
の構造体１２と組み合わせることにより、機械的強度を保てるからである。
半導体基板１９８には素子分離絶縁層２００が形成されている。素子分離絶縁層２００は
半導体基板１９８に窒化膜などのマスクを形成し、熱酸化して素子分離用の酸化膜を形成
するＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）技術を使っ
て形成することができる。また、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔ
ｉｏｎ）技術を使って、半導体基板１９８に溝を形成し、そこに絶縁膜を埋め込み、さら
に平坦化することで素子分離絶縁層２００を形成しても良い。ＳＴＩ技術を使うことで素
子分離絶縁層２００の側壁を急峻にすることができ、素子分離幅を縮小することができる
。
半導体基板１９８に窒化膜などのマスクを形成し、熱酸化して素子分離用の酸化膜を形成
するＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）技術を使っ
て形成することができる。また、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔ
ｉｏｎ）技術を使って、半導体基板１９８に溝を形成し、そこに絶縁膜を埋め込み、さら
に平坦化することで素子分離絶縁層２００を形成しても良い。ＳＴＩ技術を使うことで素
子分離絶縁層２００の側壁を急峻にすることができ、素子分離幅を縮小することができる
。
半導体基板１９８にはｎウエル２０２、ｐウエル２０４を形成し、所謂ダブルウエル構造
としてｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成することができる
。又はシングルウエル構造としても良い。ゲート絶縁層１８４、ゲート電極１８６、第２
絶縁層１８８、第１配線１９０、第３絶縁層１９２、第２配線１９４、接続電極２４、第
４絶縁層１９６は実施例６と同様である。
としてｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成することができる
。又はシングルウエル構造としても良い。ゲート絶縁層１８４、ゲート電極１８６、第２
絶縁層１８８、第１配線１９０、第３絶縁層１９２、第２配線１９４、接続電極２４、第
４絶縁層１９６は実施例６と同様である。
このように、ＭＯＳトランジスタによって集積回路を形成することで、ＲＦ帯（代表的に
は１３．５６ＭＨｚ）からマイクロ波帯（２．４５ＧＨｚ）の通信信号を受信して動作す
る電力供給制御回路１４を形成することができる。
は１３．５６ＭＨｚ）からマイクロ波帯（２．４５ＧＨｚ）の通信信号を受信して動作す
る電力供給制御回路１４を形成することができる。
本実施例は、所謂アクティブ型無線タグの一例として、センサ付きＩＣ（集積回路）と、
該センサ付きＩＣに駆動電力を供給する蓄電装置を備えたものについて図１９に示す。
該センサ付きＩＣに駆動電力を供給する蓄電装置を備えたものについて図１９に示す。
このアクティブ型無線タグはセンサ付きＩＣ２０６と蓄電装置１００を備えている。蓄電
装置１００は、アンテナ１０２、キャパシター１０６、電力供給制御回路１０４を有して
いる。
装置１００は、アンテナ１０２、キャパシター１０６、電力供給制御回路１０４を有して
いる。
蓄電装置１００において、アンテナ１０２が受信した電磁波は共振回路１０７により誘導
起電力が生じる。誘導起電力は整流回路１０８を経てキャパシター１０６に充電される。
センサ付きＩＣ２０６に電力を供給する場合には、定電圧回路１０９により出力電圧を安
定化させてから出力をする。
起電力が生じる。誘導起電力は整流回路１０８を経てキャパシター１０６に充電される。
センサ付きＩＣ２０６に電力を供給する場合には、定電圧回路１０９により出力電圧を安
定化させてから出力をする。
センサ付きＩＣ２０６において、センサ部２２０は温度、湿度、照度、その他の特性を物
理的又は化学的手段により検出する機能を備えている。センサ部２２０は、センサ２１０
とそれを制御するセンサ駆動回路２１９が含まれている。センサ２１０は抵抗素子、容量
結合素子、誘導結合素子、光起電力素子、光電変換素子、熱起電力素子、トランジスタ、
サーミスタ、ダイオードなどの半導体素子で形成される。センサ駆動回路２１９はインピ
ーダンス、リアクタンス、インダクタンス、電圧又は電流の変化を検出し、アナログ／デ
ジタル変換（Ａ／Ｄ変換）して制御回路２１４に信号を出力する。
理的又は化学的手段により検出する機能を備えている。センサ部２２０は、センサ２１０
とそれを制御するセンサ駆動回路２１９が含まれている。センサ２１０は抵抗素子、容量
結合素子、誘導結合素子、光起電力素子、光電変換素子、熱起電力素子、トランジスタ、
サーミスタ、ダイオードなどの半導体素子で形成される。センサ駆動回路２１９はインピ
ーダンス、リアクタンス、インダクタンス、電圧又は電流の変化を検出し、アナログ／デ
ジタル変換（Ａ／Ｄ変換）して制御回路２１４に信号を出力する。
メモリ部２１８は、読み出し専用メモリ、書き換え可能メモリを備えている。メモリ部２
１８は、スタティックＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉ
ｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ Ｍｅ
ｍｏｒｙ）、フラッシュメモリなどで構成することで、センサ部２２０及びアンテナ２０
８を経由して受信した情報を随時記録することができる。センサ部２２０で取得したデー
タを記憶するために、メモリ部２１８には逐次書き込みが可能であると共に、記憶させた
データを保持することができる不揮発性メモリが含まれていることが好ましい。また、メ
モリ部２１８にセンサ部２２０を動作させるプログラムを記憶させておいても良い。その
プログラムを実行させておくことで、外部から制御信号を送らなくても、予め設定したタ
イミングでセンサ部２２０を動作させてデータを取得することができる。
１８は、スタティックＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉ
ｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ Ｍｅ
ｍｏｒｙ）、フラッシュメモリなどで構成することで、センサ部２２０及びアンテナ２０
８を経由して受信した情報を随時記録することができる。センサ部２２０で取得したデー
タを記憶するために、メモリ部２１８には逐次書き込みが可能であると共に、記憶させた
データを保持することができる不揮発性メモリが含まれていることが好ましい。また、メ
モリ部２１８にセンサ部２２０を動作させるプログラムを記憶させておいても良い。その
プログラムを実行させておくことで、外部から制御信号を送らなくても、予め設定したタ
イミングでセンサ部２２０を動作させてデータを取得することができる。
通信回路２１２は、復調回路２１１、変調回路２１３を含んでいる。復調回路２１１は、
アンテナ２０８を経由して入力される信号を復調して、制御回路２１４に出力する。信号
にはセンサ部２２０を制御する信号及び／又はメモリ部２１８に記憶させる情報を含んで
いる。また、センサ駆動回路２１９から出力される信号及びメモリ部２１８から読み出さ
れた情報は、制御回路２１４を通して変調回路２１３に出力される。変調回路２１３は、
この信号を無線通信可能な信号に変調して、アンテナ２０８を介して外部装置に出力する
。
アンテナ２０８を経由して入力される信号を復調して、制御回路２１４に出力する。信号
にはセンサ部２２０を制御する信号及び／又はメモリ部２１８に記憶させる情報を含んで
いる。また、センサ駆動回路２１９から出力される信号及びメモリ部２１８から読み出さ
れた情報は、制御回路２１４を通して変調回路２１３に出力される。変調回路２１３は、
この信号を無線通信可能な信号に変調して、アンテナ２０８を介して外部装置に出力する
。
制御回路２１４、センサ部２２０、メモリ部２１８及び通信回路２１２を動作させるのに
必要な電力は、蓄電装置１００から供給される。電源回路２１６は、蓄電装置１００から
供給された電力を所定の電圧に変圧して各回路に供給する。例えば、前述の不揮発性メモ
リにデータを書き込む場合には、一時的に１０〜２０Ｖに昇圧する。また、制御回路を動
作させるためにクロック信号を生成する。
必要な電力は、蓄電装置１００から供給される。電源回路２１６は、蓄電装置１００から
供給された電力を所定の電圧に変圧して各回路に供給する。例えば、前述の不揮発性メモ
リにデータを書き込む場合には、一時的に１０〜２０Ｖに昇圧する。また、制御回路を動
作させるためにクロック信号を生成する。
このように、センサ付きＩＣ２０６に蓄電装置１００を組み合わせることで、センサ部を
有効に活用して、ワイヤレスで情報を取得し記録することができる。
有効に活用して、ワイヤレスで情報を取得し記録することができる。
図２０はアクティブ型無線タグ２３０を使った流通管理の一例を示す。アクティブ型無線
タグ２３０は、図１９で示すセンサ付きＩＣと蓄電装置を有している。このアクティブ型
無線タグ２３０は、商品２２９を収納する包装箱２２８に付されている。商品管理システ
ム２２２は、コンピュータ２２４と、それに接続する通信機２２６を含んで構成され、ア
クティブ型無線タグ２３０を管理するために用いる。通信機２２６は通信ネットワークを
使って商品が流通する各所に配置しておくこともできる。
タグ２３０は、図１９で示すセンサ付きＩＣと蓄電装置を有している。このアクティブ型
無線タグ２３０は、商品２２９を収納する包装箱２２８に付されている。商品管理システ
ム２２２は、コンピュータ２２４と、それに接続する通信機２２６を含んで構成され、ア
クティブ型無線タグ２３０を管理するために用いる。通信機２２６は通信ネットワークを
使って商品が流通する各所に配置しておくこともできる。
流通管理には様々な態様があるが、例えばアクティブ型無線タグ２３０のセンサとして、
温度センサ、湿度センサ、光センサなどを用いれば、その包装箱２２８が流通過程でどの
ような環境に保管されていたのかを管理することができる。この場合、アクティブ型無線
タグ２３０に蓄電装置が備えられているので、通信機２２６からの制御信号によらず、任
意のタイミングでセンサを動作させ、環境データを取得することができる。また、通信機
２２６とアクティブ型無線タグ２３０の距離が離れている場合でも、蓄電装置の電力を使
って通信距離を伸ばすことができる。
温度センサ、湿度センサ、光センサなどを用いれば、その包装箱２２８が流通過程でどの
ような環境に保管されていたのかを管理することができる。この場合、アクティブ型無線
タグ２３０に蓄電装置が備えられているので、通信機２２６からの制御信号によらず、任
意のタイミングでセンサを動作させ、環境データを取得することができる。また、通信機
２２６とアクティブ型無線タグ２３０の距離が離れている場合でも、蓄電装置の電力を使
って通信距離を伸ばすことができる。
このように、センサ付きＩＣと蓄電装置を組み合わせたアクティブ型無線タグを用いるこ
とにより、センサによってさまざまな情報をワイヤレスで取得して、それをコンピュータ
で管理することができる。
とにより、センサによってさまざまな情報をワイヤレスで取得して、それをコンピュータ
で管理することができる。
（付記）以上説明したように、本発明には少なくとも以下の構成が含まれる。
アンテナが形成された第１の構造体と、上層及び下層が絶縁層で挟まれた半導体層を用い
て形成された電力供給制御回路と、第１の構造体よりも高い剛性を有しキャパシターが形
成された第２の構造体を有し、アンテナと、電力供給制御回路は、第２の構造体に形成さ
れた貫通電極によって接続され、電力供給制御回路は、整流回路と、スイッチ回路と、低
周波信号発生回路と、電源回路を有し、スイッチ回路は、低周波信号発生回路からの信号
によりキャパシターまたはアンテナより電源回路に供給される電力を制御する蓄電装置。
て形成された電力供給制御回路と、第１の構造体よりも高い剛性を有しキャパシターが形
成された第２の構造体を有し、アンテナと、電力供給制御回路は、第２の構造体に形成さ
れた貫通電極によって接続され、電力供給制御回路は、整流回路と、スイッチ回路と、低
周波信号発生回路と、電源回路を有し、スイッチ回路は、低周波信号発生回路からの信号
によりキャパシターまたはアンテナより電源回路に供給される電力を制御する蓄電装置。
アンテナが形成された第１の構造体と、上層及び下層が絶縁層で挟まれた半導体層を用い
て形成された電力供給制御回路と、第１の構造体よりも高い剛性を有しキャパシターが形
成された第２の構造体を有し、アンテナと、電力供給制御回路は、第２の構造体に形成さ
れた貫通電極によって接続され、電力供給制御回路は、整流回路と、制御回路と、スイッ
チ回路と、低周波信号発生回路と、電源回路を有し、制御回路は、アンテナより供給され
る電力と、キャパシターから供給される電力とを比較して、スイッチ回路に出力する電力
を選択し、スイッチ回路は、低周波信号発生回路からの信号により制御回路に選択された
電力を電源回路に出力する蓄電装置。
て形成された電力供給制御回路と、第１の構造体よりも高い剛性を有しキャパシターが形
成された第２の構造体を有し、アンテナと、電力供給制御回路は、第２の構造体に形成さ
れた貫通電極によって接続され、電力供給制御回路は、整流回路と、制御回路と、スイッ
チ回路と、低周波信号発生回路と、電源回路を有し、制御回路は、アンテナより供給され
る電力と、キャパシターから供給される電力とを比較して、スイッチ回路に出力する電力
を選択し、スイッチ回路は、低周波信号発生回路からの信号により制御回路に選択された
電力を電源回路に出力する蓄電装置。
アンテナが形成された第１の構造体と、上層及び下層が絶縁層で挟まれた半導体層を用い
て形成された電力供給制御回路と、第１の構造体よりも高い剛性を有しキャパシターが形
成された第２の構造体を有し、電力供給制御回路は、第１の構造体と第２の構造体とに挟
まれて、アンテナと、キャパシターとの接続部を有し、電力供給制御回路は、整流回路と
、スイッチ回路と、低周波信号発生回路と、電源回路を有し、スイッチ回路は、低周波信
号発生回路からの信号によりキャパシターまたはアンテナより電源回路に供給される電力
を制御する蓄電装置。
て形成された電力供給制御回路と、第１の構造体よりも高い剛性を有しキャパシターが形
成された第２の構造体を有し、電力供給制御回路は、第１の構造体と第２の構造体とに挟
まれて、アンテナと、キャパシターとの接続部を有し、電力供給制御回路は、整流回路と
、スイッチ回路と、低周波信号発生回路と、電源回路を有し、スイッチ回路は、低周波信
号発生回路からの信号によりキャパシターまたはアンテナより電源回路に供給される電力
を制御する蓄電装置。
アンテナが形成された第１の構造体と、上層及び下層が絶縁層で挟まれた半導体層を用い
て形成された電力供給制御回路と、第１の構造体よりも高い剛性を有しキャパシターが形
成された第２の構造体を有し、電力供給制御回路は、第１の構造体と第２の構造体とに挟
まれて、アンテナと、キャパシターとの接続部を有し、電力供給制御回路は、整流回路と
、制御回路と、スイッチ回路と、低周波信号発生回路と、電源回路を有し、制御回路は、
アンテナより供給される電力と、キャパシターから供給される電力とを比較して、スイッ
チ回路に出力する電力を選択し、スイッチ回路は、低周波信号発生回路からの信号により
制御回路に選択された電力を電源回路に出力することを制御する蓄電装置。
て形成された電力供給制御回路と、第１の構造体よりも高い剛性を有しキャパシターが形
成された第２の構造体を有し、電力供給制御回路は、第１の構造体と第２の構造体とに挟
まれて、アンテナと、キャパシターとの接続部を有し、電力供給制御回路は、整流回路と
、制御回路と、スイッチ回路と、低周波信号発生回路と、電源回路を有し、制御回路は、
アンテナより供給される電力と、キャパシターから供給される電力とを比較して、スイッ
チ回路に出力する電力を選択し、スイッチ回路は、低周波信号発生回路からの信号により
制御回路に選択された電力を電源回路に出力することを制御する蓄電装置。
１０ 第１の構造体
１２ 第２の構造体
１４ 電力供給制御回路
１６ アンテナ
１８ アンテナ端子
２０ 貫通電極
２２ キャパシター外部電極
２４ 接続電極
２６ キャパシター部接続電極
２７ セラミックスアンテナ接続電極
２８ 接着材
３０ 封止材
３２ 誘電体層
３４ キャパシター電極
３６ 保護層
３８ セラミックスアンテナ
４０ 給電体
４２ 誘電体
４４ 接地体
４６ 反射体
１００ 蓄電装置
１０２ アンテナ
１０３ 第２のアンテナ
１０４ 電力供給制御回路
１０６ キャパシター
１０７ 共振回路
１０８ 整流回路
１０９ 定電圧回路
１１０ 低周波信号発生回路
１０９ 定電圧回路
１１２ スイッチ回路
１１４ 電源回路
１１６ 制御回路
１１８ 負荷
１２０ 給電器
１２２ リングオシレータ
１２４ 分周回路
１２６ ＡＮＤ回路
１２８ インバータ
１３０ インバータ
１３２ トランスミッションゲート
１３４ 抵抗
１３６ トランジスタ
１３８ トランジスタ
１４０ トランジスタ
１４２ トランジスタ
１４４ トランジスタ
１４６ トランジスタ
１４８ 電流供給用抵抗
１５０ トランジスタ
１５２ 抵抗
１５４ スイッチ
１５６ スイッチ
１５８ 整流素子
１６０ 整流素子
１６２ 電圧比較回路
１６４ 抵抗素子
１６６ 抵抗素子
１６８ 抵抗素子
１７０ 抵抗素子
１７２ コンパレータ
１７４ バッファ回路
１７６ バッファ回路
１７８ 基板
１８０ 第１絶縁層
１８２ 半導体層
１８４ ゲート絶縁層
１８６ ゲート電極
１８８ 第２絶縁層
１９０ 第１配線
１９２ 第３絶縁層
１９４ 第２配線
１９６ 第４絶縁層
１９８ 半導体基板
２００ 素子分離絶縁層
２０２ ｎウエル
２０４ ｐウエル
２０６ センサ付きＩＣ
２０８ アンテナ
２１０ センサ
２１１ 復調回路
２１２ 通信回路
２１３ 変調回路
２１４ 制御回路
２１６ 電源回路
２１８ メモリ部
２１９ センサ駆動回路
２２０ センサ部
２２２ 商品管理システム
２２４ コンピュータ
２２６ 通信機
２２８ 包装箱
２２９ 商品
２３０ アクティブ型無線タグ
１２ 第２の構造体
１４ 電力供給制御回路
１６ アンテナ
１８ アンテナ端子
２０ 貫通電極
２２ キャパシター外部電極
２４ 接続電極
２６ キャパシター部接続電極
２７ セラミックスアンテナ接続電極
２８ 接着材
３０ 封止材
３２ 誘電体層
３４ キャパシター電極
３６ 保護層
３８ セラミックスアンテナ
４０ 給電体
４２ 誘電体
４４ 接地体
４６ 反射体
１００ 蓄電装置
１０２ アンテナ
１０３ 第２のアンテナ
１０４ 電力供給制御回路
１０６ キャパシター
１０７ 共振回路
１０８ 整流回路
１０９ 定電圧回路
１１０ 低周波信号発生回路
１０９ 定電圧回路
１１２ スイッチ回路
１１４ 電源回路
１１６ 制御回路
１１８ 負荷
１２０ 給電器
１２２ リングオシレータ
１２４ 分周回路
１２６ ＡＮＤ回路
１２８ インバータ
１３０ インバータ
１３２ トランスミッションゲート
１３４ 抵抗
１３６ トランジスタ
１３８ トランジスタ
１４０ トランジスタ
１４２ トランジスタ
１４４ トランジスタ
１４６ トランジスタ
１４８ 電流供給用抵抗
１５０ トランジスタ
１５２ 抵抗
１５４ スイッチ
１５６ スイッチ
１５８ 整流素子
１６０ 整流素子
１６２ 電圧比較回路
１６４ 抵抗素子
１６６ 抵抗素子
１６８ 抵抗素子
１７０ 抵抗素子
１７２ コンパレータ
１７４ バッファ回路
１７６ バッファ回路
１７８ 基板
１８０ 第１絶縁層
１８２ 半導体層
１８４ ゲート絶縁層
１８６ ゲート電極
１８８ 第２絶縁層
１９０ 第１配線
１９２ 第３絶縁層
１９４ 第２配線
１９６ 第４絶縁層
１９８ 半導体基板
２００ 素子分離絶縁層
２０２ ｎウエル
２０４ ｐウエル
２０６ センサ付きＩＣ
２０８ アンテナ
２１０ センサ
２１１ 復調回路
２１２ 通信回路
２１３ 変調回路
２１４ 制御回路
２１６ 電源回路
２１８ メモリ部
２１９ センサ駆動回路
２２０ センサ部
２２２ 商品管理システム
２２４ コンピュータ
２２６ 通信機
２２８ 包装箱
２２９ 商品
２３０ アクティブ型無線タグ
Claims (2)
- 絶縁材料の表面に設けられたコイル状のアンテナと、
整流回路と電源回路と電圧比較回路とを有する集積回路と、
前記アンテナと前記集積回路とに挟まれた構造体と、を有し、
前記アンテナと前記集積回路とは電気的に接続され、
前記アンテナは第１の端子と第２の端子とを有し、
前記アンテナの前記第１の端子と前記集積回路との電気的接続は、前記構造体に設けられた第１の貫通電極を介して行われ、
前記アンテナの第２の端子と前記集積回路との電気的接続は、前記構造体に設けられた第２の貫通電極を介して行われ、
前記構造体にはキャパシターが設けられ、
前記電圧比較回路は、前記キャパシターから出力される第１の電圧と、前記整流回路から出力される第２の電圧とを比較し、前記第１の電圧が前記第２の電圧よりも小さいときは前記キャパシターに充電され、前記第２の電圧が前記第１の電圧よりも小さいときは、前記キャパシターから前記電源回路へ電力が供給されることを特徴とする蓄電装置。 - 請求項１において、
前記集積回路は複数のトランジスタを有し、
前記集積回路は、半導体層と、前記半導体層上の第１配線と、前記第１配線上の第１絶縁層と、前記第１絶縁層上の第２配線と、前記第２配線上の第２絶縁層と、前記第２絶縁層上の第３配線とを有し、
前記第３配線は、前記第１の貫通電極または前記第２の貫通電極と電気的に接続することを特徴とする蓄電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012108074A JP5478663B2 (ja) | 2006-07-28 | 2012-05-10 | 蓄電装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006206939 | 2006-07-28 | ||
| JP2006206939 | 2006-07-28 | ||
| JP2012108074A JP5478663B2 (ja) | 2006-07-28 | 2012-05-10 | 蓄電装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007195306A Division JP4996383B2 (ja) | 2006-07-28 | 2007-07-27 | 蓄電装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012231664A JP2012231664A (ja) | 2012-11-22 |
| JP5478663B2 true JP5478663B2 (ja) | 2014-04-23 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012108074A Expired - Fee Related JP5478663B2 (ja) | 2006-07-28 | 2012-05-10 | 蓄電装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (5) | US7714535B2 (ja) |
| JP (1) | JP5478663B2 (ja) |
| KR (2) | KR101478810B1 (ja) |
| TW (1) | TWI408841B (ja) |
Families Citing this family (84)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1858839B (zh) | 2005-05-02 | 2012-01-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的驱动方法 |
| EP1724751B1 (en) * | 2005-05-20 | 2013-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic apparatus |
| US8059109B2 (en) | 2005-05-20 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| WO2007139205A1 (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and ic label, ic tag, and ic card having the same |
| US8232621B2 (en) * | 2006-07-28 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR101478810B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2015-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 축전 장치 |
| EP1962408B1 (en) | 2006-11-16 | 2015-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Radio field intensity measurement device, and radio field intensity detector and game console using the same |
| US8099140B2 (en) * | 2006-11-24 | 2012-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless power supply system and wireless power supply method |
| JP5100355B2 (ja) | 2006-12-22 | 2012-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 温度制御装置 |
| JP5312810B2 (ja) * | 2007-01-19 | 2013-10-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 充電装置 |
| JP2009087928A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| DE102008007822A1 (de) * | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Drahtlose Ladeschnittstelle für einen Energiespeicher |
| JP5195903B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-05-15 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法 |
| US8947041B2 (en) * | 2008-09-02 | 2015-02-03 | Qualcomm Incorporated | Bidirectional wireless power transmission |
| WO2010032602A1 (en) * | 2008-09-18 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR101490148B1 (ko) | 2008-09-19 | 2015-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| CN102160102B (zh) | 2008-09-19 | 2013-11-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| KR101273972B1 (ko) | 2008-10-03 | 2013-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| EP2172804B1 (en) | 2008-10-03 | 2016-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device |
| US8952858B2 (en) * | 2009-06-17 | 2015-02-10 | L. Pierre de Rochemont | Frequency-selective dipole antennas |
| DE102009032721B4 (de) * | 2009-07-11 | 2020-01-09 | Dräger Safety AG & Co. KGaA | Gasmesssystem |
| CN102870151B (zh) | 2010-04-23 | 2016-03-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置以及其驱动方法 |
| WO2012002136A1 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of power storage device |
| EP3124236A1 (en) | 2011-06-17 | 2017-02-01 | Fiberweb, Inc. | Vapor permeable, substantially water impermeable multilayer article |
| US10369769B2 (en) | 2011-06-23 | 2019-08-06 | Fiberweb, Inc. | Vapor-permeable, substantially water-impermeable multilayer article |
| US9827755B2 (en) | 2011-06-23 | 2017-11-28 | Fiberweb, Llc | Vapor-permeable, substantially water-impermeable multilayer article |
| EP2723567A4 (en) | 2011-06-24 | 2014-12-24 | Fiberweb Inc | MULTILAYER ARTICLE PERMEABLE TO WATER VAPOR, BUT ESSENTIALLY WATERPROOF |
| US8952395B2 (en) | 2011-07-26 | 2015-02-10 | Micron Technology, Inc. | Wafer-level solid state transducer packaging transducers including separators and associated systems and methods |
| US8497146B2 (en) | 2011-08-25 | 2013-07-30 | Micron Technology, Inc. | Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods |
| FR2981519B1 (fr) * | 2011-10-12 | 2015-04-03 | Continental Automotive France | Dispositif de chargement inductif d'un appareil portable integrant une antenne de communication en champ proche |
| KR20140109278A (ko) | 2013-03-01 | 2014-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 축전 시스템 |
| US9812350B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-11-07 | Qorvo Us, Inc. | Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer |
| US9583414B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-02-28 | Qorvo Us, Inc. | Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same |
| WO2014193922A1 (en) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Dual function helix antenna |
| US9269914B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| EP2996143B1 (en) | 2014-09-12 | 2018-12-26 | Qorvo US, Inc. | Printed circuit module having semiconductor device with a polymer substrate and methods of manufacturing the same |
| US10085352B2 (en) | 2014-10-01 | 2018-09-25 | Qorvo Us, Inc. | Method for manufacturing an integrated circuit package |
| KR102472238B1 (ko) | 2014-10-17 | 2022-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법 |
| US10121718B2 (en) | 2014-11-03 | 2018-11-06 | Qorvo Us, Inc. | Printed circuit module having a semiconductor device with a protective layer in place of a low-resistivity handle layer |
| US9960145B2 (en) | 2015-03-25 | 2018-05-01 | Qorvo Us, Inc. | Flip chip module with enhanced properties |
| US9613831B2 (en) | 2015-03-25 | 2017-04-04 | Qorvo Us, Inc. | Encapsulated dies with enhanced thermal performance |
| US20160343604A1 (en) | 2015-05-22 | 2016-11-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Substrate structure with embedded layer for post-processing silicon handle elimination |
| KR102632066B1 (ko) | 2015-07-30 | 2024-02-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치의 제작 방법, 발광 장치, 모듈, 및 전자 기기 |
| US10276495B2 (en) | 2015-09-11 | 2019-04-30 | Qorvo Us, Inc. | Backside semiconductor die trimming |
| US10020405B2 (en) | 2016-01-19 | 2018-07-10 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with integrated sensors |
| US9698214B1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-07-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor structure of integrated circuit chip and method of fabricating the same |
| US10090262B2 (en) | 2016-05-09 | 2018-10-02 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with inductive element and magnetically enhanced mold compound component |
| US10784149B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-09-22 | Qorvo Us, Inc. | Air-cavity module with enhanced device isolation |
| US10773952B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-09-15 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level package with enhanced performance |
| US10103080B2 (en) | 2016-06-10 | 2018-10-16 | Qorvo Us, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package with thermal additive and process for making the same |
| US10079196B2 (en) | 2016-07-18 | 2018-09-18 | Qorvo Us, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package having field effect transistors with back-gate feature |
| CN109844937B (zh) | 2016-08-12 | 2023-06-27 | Qorvo美国公司 | 具有增强性能的晶片级封装 |
| US10486965B2 (en) | 2016-08-12 | 2019-11-26 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level package with enhanced performance |
| WO2018031995A1 (en) | 2016-08-12 | 2018-02-15 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level package with enhanced performance |
| US10109502B2 (en) | 2016-09-12 | 2018-10-23 | Qorvo Us, Inc. | Semiconductor package with reduced parasitic coupling effects and process for making the same |
| USD812045S1 (en) * | 2016-10-06 | 2018-03-06 | Avery Dennison Retail Information Services, Llc | Antenna |
| US10090339B2 (en) | 2016-10-21 | 2018-10-02 | Qorvo Us, Inc. | Radio frequency (RF) switch |
| US10749518B2 (en) | 2016-11-18 | 2020-08-18 | Qorvo Us, Inc. | Stacked field-effect transistor switch |
| US10068831B2 (en) | 2016-12-09 | 2018-09-04 | Qorvo Us, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package and process for making the same |
| USD816644S1 (en) * | 2016-12-09 | 2018-05-01 | Airgain Incorporated | Antenna |
| USD816643S1 (en) * | 2016-12-09 | 2018-05-01 | Airgain Incorporated | Antenna |
| EP3563299B1 (en) | 2016-12-29 | 2021-01-20 | Avery Dennison Retail Information Services, LLC | Rfid tags with shielding structure for incorporation into microwavable food packaging |
| US10755992B2 (en) | 2017-07-06 | 2020-08-25 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level packaging for enhanced performance |
| US10366972B2 (en) | 2017-09-05 | 2019-07-30 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly |
| US10784233B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-09-22 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly |
| US10175301B1 (en) * | 2017-11-30 | 2019-01-08 | Blackberry Limited | Energy managed wireless sensors |
| TWI646678B (zh) * | 2017-12-07 | 2019-01-01 | 晶相光電股份有限公司 | 影像感測裝置 |
| US11152363B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-10-19 | Qorvo Us, Inc. | Bulk CMOS devices with enhanced performance and methods of forming the same utilizing bulk CMOS process |
| WO2019204694A1 (en) | 2018-04-20 | 2019-10-24 | Avery Dennison Retail Information Services, Llc | Method of using shielded rfid straps with rfid tag designs |
| JP2021522571A (ja) | 2018-04-20 | 2021-08-30 | アベリー・デニソン・リテイル・インフォメーション・サービシズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーＡｖｅｒｙ Ｄｅｎｎｉｓｏｎ Ｒｅｔａｉｌ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ， Ｌｌｃ | 上部導体及び下部導体を有するｒｆｉｄストラップ |
| US11763121B2 (en) | 2018-04-20 | 2023-09-19 | Avery Dennison Retail Information Services Llc | Shielded RFID tags for incorporation into microwavable food packaging |
| US10804246B2 (en) | 2018-06-11 | 2020-10-13 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with vertically stacked dies |
| US11769938B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-09-26 | Avery Dennison Retail Information Services Llc | RFID tags operating in the high frequency band |
| US10964554B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-03-30 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level fan-out package with enhanced performance |
| US11069590B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-07-20 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level fan-out package with enhanced performance |
| US11646242B2 (en) | 2018-11-29 | 2023-05-09 | Qorvo Us, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package with at least one heat extractor and process for making the same |
| US20200235066A1 (en) | 2019-01-23 | 2020-07-23 | Qorvo Us, Inc. | Rf devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US11387157B2 (en) | 2019-01-23 | 2022-07-12 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| WO2020153983A1 (en) | 2019-01-23 | 2020-07-30 | Qorvo Us, Inc. | Rf semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20200235040A1 (en) | 2019-01-23 | 2020-07-23 | Qorvo Us, Inc. | Rf devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US11646289B2 (en) | 2019-12-02 | 2023-05-09 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US11923238B2 (en) | 2019-12-12 | 2024-03-05 | Qorvo Us, Inc. | Method of forming RF devices with enhanced performance including attaching a wafer to a support carrier by a bonding technique without any polymer adhesive |
| KR20210127382A (ko) * | 2020-04-14 | 2021-10-22 | 삼성전기주식회사 | 안테나 |
| PL442076A1 (pl) * | 2022-08-23 | 2024-02-26 | Waven Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Urządzenie magazynujące energię elektryczną ładowane bezprzewodowo |
Family Cites Families (78)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4599486A (en) | 1985-09-06 | 1986-07-08 | Rogers Corporation | High capacitance bus bar including multilayer ceramic capacitors |
| NL8601404A (nl) | 1986-05-30 | 1987-12-16 | Papier Plastic Coating Groning | Gegevensdragende kaart, werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke kaart en inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze. |
| JPH025448A (ja) | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Nec Corp | セラミックパッケージ |
| US5219377A (en) | 1992-01-17 | 1993-06-15 | Texas Instruments Incorporated | High temperature co-fired ceramic integrated phased array package |
| JP3177721B2 (ja) | 1992-11-27 | 2001-06-18 | 日本電池株式会社 | 無停電電源装置の蓄電池残存容量測定法 |
| US5643804A (en) | 1993-05-21 | 1997-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a hybrid integrated circuit component having a laminated body |
| JPH0745787A (ja) | 1993-08-02 | 1995-02-14 | Tdk Corp | 薄膜複合集積回路部品及びその製造方法 |
| JP3272108B2 (ja) | 1993-07-07 | 2002-04-08 | 三洋電機株式会社 | パック電池 |
| JP3464694B2 (ja) | 1993-11-30 | 2003-11-10 | 富士通株式会社 | 充電装置および充電制御回路 |
| FR2716281B1 (fr) | 1994-02-14 | 1996-05-03 | Gemplus Card Int | Procédé de fabrication d'une carte sans contact. |
| JPH0854441A (ja) | 1994-08-17 | 1996-02-27 | Yokogawa Electric Corp | Ｉｃテスタのテストヘッド |
| DE4435802A1 (de) | 1994-10-06 | 1996-04-11 | Giesecke & Devrient Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Datenträgern mit eingebetteten Elementen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE19500925C2 (de) | 1995-01-16 | 1999-04-08 | Orga Kartensysteme Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer kontaktlosen Chipkarte |
| JP3235452B2 (ja) | 1995-03-20 | 2001-12-04 | 松下電器産業株式会社 | 高周波集積回路装置 |
| JPH08263181A (ja) | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Yaskawa Electric Corp | 補助電源装置 |
| DE19609636C1 (de) | 1996-03-12 | 1997-08-14 | Siemens Ag | Chipkarte und Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte |
| US5796165A (en) | 1996-03-19 | 1998-08-18 | Matsushita Electronics Corporation | High-frequency integrated circuit device having a multilayer structure |
| EP0917688B1 (fr) | 1996-08-02 | 2000-06-28 | SCHLUMBERGER Systèmes | Carte a circuit integre a connexion mixte |
| JP4108779B2 (ja) | 1996-12-27 | 2008-06-25 | ローム株式会社 | 回路チップ搭載カードおよび回路チップモジュール |
| US6329213B1 (en) | 1997-05-01 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming integrated circuits within substrates |
| JPH11345292A (ja) | 1998-06-02 | 1999-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非接触ｉｃカード |
| JP3212963B2 (ja) | 1999-03-16 | 2001-09-25 | 松下電器産業株式会社 | 二次電池制御回路 |
| JP3815108B2 (ja) | 1999-03-19 | 2006-08-30 | 株式会社デンソー | レクテナ装置 |
| JP3523815B2 (ja) | 1999-08-30 | 2004-04-26 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| JP3750444B2 (ja) | 1999-10-22 | 2006-03-01 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE50005564D1 (de) | 2000-01-11 | 2004-04-08 | Infineon Technologies Ag | Chipkartenanordnung |
| US7131189B2 (en) * | 2000-03-24 | 2006-11-07 | Cymbet Corporation | Continuous processing of thin-film batteries and like devices |
| JP2001345212A (ja) | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Tdk Corp | 積層電子部品 |
| JP2002049901A (ja) | 2000-08-02 | 2002-02-15 | Sony Chem Corp | Ｉｃタグ |
| US6424315B1 (en) | 2000-08-02 | 2002-07-23 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor chip having a radio-frequency identification transceiver |
| JP2002064392A (ja) | 2000-08-16 | 2002-02-28 | Hosiden Corp | 自動節電装置 |
| JP4137356B2 (ja) | 2000-09-07 | 2008-08-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 表面弾性波素子を含む高周波モジュール部品の製造方法 |
| SG143972A1 (en) | 2000-09-14 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| EP1327491B1 (en) * | 2000-10-02 | 2010-05-12 | Asahi Kasei EMD Corporation | Functional metal alloy particles |
| JP4774636B2 (ja) | 2001-06-19 | 2011-09-14 | 大日本印刷株式会社 | Ｉｃモジュール、ｉｃモジュールを有するｉｃカード、および、製造方法 |
| JP3741630B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2006-02-01 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 電源回路、該電源回路を備えた電子機器、及び電源回路の制御方法 |
| JP2003100937A (ja) | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Hitachi Ltd | 高周波モジュール |
| US6951666B2 (en) | 2001-10-05 | 2005-10-04 | Cabot Corporation | Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features |
| TW594947B (en) | 2001-10-30 | 2004-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP4129643B2 (ja) | 2002-03-19 | 2008-08-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004031651A (ja) | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Sony Corp | 素子実装基板及びその製造方法 |
| JP3904489B2 (ja) | 2002-07-04 | 2007-04-11 | 富士通株式会社 | 充電制御回路、充電器、電源回路、及び情報処理装置、並びに電池パック |
| JP2004102353A (ja) | 2002-09-04 | 2004-04-02 | Hitachi Ltd | 紙の製造方法及び無線タグの製造方法 |
| JP3767543B2 (ja) | 2002-11-19 | 2006-04-19 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US20040099926A1 (en) | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same |
| US7056810B2 (en) | 2002-12-18 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor apparatus, and semiconductor apparatus and electric appliance |
| JP4554152B2 (ja) | 2002-12-19 | 2010-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体チップの作製方法 |
| US7088145B2 (en) | 2002-12-23 | 2006-08-08 | 3M Innovative Properties Company | AC powered logic circuitry |
| JP4101643B2 (ja) | 2002-12-26 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7230316B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having transferred integrated circuit |
| KR20050093808A (ko) | 2002-12-27 | 2005-09-23 | 티디케이가부시기가이샤 | 수지조성물, 수지경화물, 시트형상 수지경화물, 적층체,프리프레그, 전자부품 및 다층기판 |
| US20040152276A1 (en) | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Naoki Nishimura | Device, and substrate on which circuit and antenna are formed |
| JP4323813B2 (ja) | 2003-01-14 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 基板の製造方法 |
| JP2004221372A (ja) | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体モジュール、電子機器、半導体装置の製造方法および半導体モジュールの製造方法 |
| JP2004247373A (ja) | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2004342432A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Nec Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| EP1523043B1 (en) | 2003-10-06 | 2011-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor and method for manufacturing the same |
| JP4131694B2 (ja) | 2003-10-06 | 2008-08-13 | 三洋電機株式会社 | 積層セラミックス基板及びその製造方法 |
| JP4149381B2 (ja) | 2004-01-16 | 2008-09-10 | 三菱電機株式会社 | 電力充電回路 |
| JP4705377B2 (ja) | 2004-03-03 | 2011-06-22 | ソニー株式会社 | 配線基板 |
| WO2005086088A1 (en) | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Id chip and ic card |
| KR101161361B1 (ko) | 2004-03-26 | 2012-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| FR2868987B1 (fr) | 2004-04-14 | 2007-02-16 | Arjo Wiggins Secutity Sas Soc | Structure comportant un dispositif electronique, notamment pour la fabrication d'un document de securite ou de valeur |
| JP4579586B2 (ja) | 2004-06-11 | 2010-11-10 | 北越紀州製紙株式会社 | 非接触型ｉｃタグが漉き込まれた用紙の製造方法 |
| JP2006127363A (ja) | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Advance Design Corp | 非接触ｉｃ媒体 |
| JP2006149163A (ja) | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 蓄電装置 |
| US20060202269A1 (en) | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip and electronic appliance having the same |
| JP4974541B2 (ja) | 2005-03-08 | 2012-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 無線チップの作製方法 |
| US8783577B2 (en) * | 2005-03-15 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device having the same |
| US7902639B2 (en) | 2005-05-13 | 2011-03-08 | Siluria Technologies, Inc. | Printable electric circuits, electronic components and method of forming the same |
| JP5154000B2 (ja) | 2005-05-13 | 2013-02-27 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
| US7642612B2 (en) * | 2005-06-17 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TWM292168U (en) * | 2005-12-20 | 2006-06-11 | Sunrex Technology Corp | Battery device capable of providing AC voltage |
| JP5038634B2 (ja) | 2006-02-16 | 2012-10-03 | Ｔｄｋ株式会社 | ノイズフィルタ及びノイズフィルタの実装構造 |
| KR101478810B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2015-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 축전 장치 |
| US7838976B2 (en) | 2006-07-28 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a semiconductor chip enclosed by a body structure and a base |
| US8232621B2 (en) | 2006-07-28 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| EP1976000A3 (en) | 2007-03-26 | 2009-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
-
2007
- 2007-07-24 KR KR20070074107A patent/KR101478810B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-24 US US11/878,350 patent/US7714535B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-27 TW TW096127573A patent/TWI408841B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-05-04 US US12/773,394 patent/US7852044B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-12 US US12/945,228 patent/US8054035B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-11-04 US US13/289,467 patent/US8692249B2/en active Active
-
2012
- 2012-05-10 JP JP2012108074A patent/JP5478663B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-12-27 KR KR1020130166137A patent/KR101517945B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-04-04 US US14/245,054 patent/US9070563B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101517945B1 (ko) | 2015-05-06 |
| US8054035B2 (en) | 2011-11-08 |
| US7714535B2 (en) | 2010-05-11 |
| US20110057628A1 (en) | 2011-03-10 |
| US20140217414A1 (en) | 2014-08-07 |
| KR20140012005A (ko) | 2014-01-29 |
| US8692249B2 (en) | 2014-04-08 |
| JP2012231664A (ja) | 2012-11-22 |
| KR101478810B1 (ko) | 2015-01-02 |
| KR20080011068A (ko) | 2008-01-31 |
| US20120112192A1 (en) | 2012-05-10 |
| TWI408841B (zh) | 2013-09-11 |
| US20100213893A1 (en) | 2010-08-26 |
| TW200826335A (en) | 2008-06-16 |
| US9070563B2 (en) | 2015-06-30 |
| US20080024091A1 (en) | 2008-01-31 |
| US7852044B2 (en) | 2010-12-14 |
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| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130910 |
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| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131022 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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