JP5472653B2 - チップ状電子部品の製造方法およびセラミック基板 - Google Patents

Description

本発明は、チップ状電子部品の製造方法およびセラミック基板に係り、特にセラミック基板の焼成時の変形を抑制する技術に関する。

セラミック基板は、耐食性や高周波特性に優れ、熱による歪みが小さいなど優れた特長を有することから、電子回路や電子モジュールを形成する実装基板としてだけでなく、積層チップコンデンサや積層チップインダクタのような各種のチップ状電子部品（以下「チップ部品」又は「チップ」と称することがある）の製造にも用いられている。

かかるセラミック基板は、アルミナ等の無機粉体にバインダ樹脂を混合しシート状にしたセラミックシート（グリーンシート）を焼成することにより作製されるが、近年ではアルミナ基板の高価格ならびに高温での焼結が必要なため配線に銅を使用できないと言う不都合を解消した低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ／Low Temperature Co-fired Ceramics）基板が用いられることも多い。このＬＴＣＣ基板は、アルミナにガラスを混合することで、アルミナが約１５００℃の高温で焼成されるのに対して、９００℃以下の低温で焼成することを可能としたものであり、ＬＴＣＣ基板によれば高周波特性やコスト的に有利な銅や銀などの低融点材料を基板内の導体パターンに使用することが出来る。

一方、セラミック基板を用いてチップ部品を製造するには、量産性の観点から一般に、ウエハ状ないしプレート状の１枚の基板内に縦横にマトリックス状に多数配列された集合状態でチップ部品を一括して形成し、焼成前又は焼成後のダイシングによって個々のチップに分割する方法が採られる。また、積層型のチップ部品の場合には、当該セラミック基板は多層化される。具体的には、表面に導体パターンを印刷したグリーンシートを多層に積み重ねて焼成することにより、基板の表面だけでなく基板内部にも当該チップ部品を構成する導体パターンや層間接続導体（ビア）が配される。

また、このようなセラミック基板を開示するものとして下記特許文献がある。

特開平６−４５７５７号公報

ところで、セラミック基板は、焼成時に材料の焼結に伴い収縮するが、この収縮は基板全面に亘って均一とならず、このため焼成により基板が変形する問題が生じる。

図５〜図６は焼成後のセラミック基板の変形を測定した結果を示すものである。この測定は、図４に示すように、チップを一括して製造するための方形の平面形状を有するセラミック基板１１の横方向（ｘ軸方向）の端縁および縦方向（ｙ軸方向）の端縁にそれぞれ平行な複数の直線（測定ラインと言う）Ｘ１〜Ｘ４，Ｙ１〜Ｙ３を想定して、この測定ラインＸ１〜Ｘ４，Ｙ１〜Ｙ３上の各点が焼成後にどの程度変位するかを測定したものである。なお、基板１１としては、アルミナにガラスを混ぜたＬＴＣＣ基板を使用した。基板１１の大きさは、横方向の長さが９６ｍｍ、縦方向の長さが８５ｍｍである。

また、縦方向（ｙ軸方向）への変形を測定するため、横方向の（ｘ軸に平行な）測定ラインを４本、すなわち、基板１１の上縁、下縁、並びにこれらの間に略均しい間隔で２本の合計４本の測定ラインＸ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４を設定し、これら各測定ラインＸ１〜Ｘ４に沿って１０ｍｍ間隔で焼成後の変位量を調べた。なお、当該変位量は、各測定ラインＸ１〜Ｘ４の両端をそれぞれ基準（変位ゼロ）として当該基準点に比べ各ラインＸ１〜Ｘ４に沿った測定点が焼成後どの程度縦方向（ｙ軸方向）に変位したかを測定したものである。また、横方向（ｘ軸方向）への変位を測定するため、同様に、縦方向の（ｙ軸に平行な）測定ラインとして、基板の左縁と、中央と、右縁とにそれぞれ測定ラインＹ１，Ｙ２，Ｙ３を設定し、これら各ラインＹ１〜Ｙ３に沿って８ｍｍ間隔で焼成後のｘ軸方向への変位を測定した。

結果は、図５（縦方向への変形）および図６（横方向への変形）に示すとおりであるが、これらの測定結果からも分かるように、セラミック基板１１は焼成により図７に模式的に（変形を強調して描いている）示すように四辺が外方へ湾曲し弧状に膨らんだ形状に変形してしまう。

上記のような基板の変形は、基板内に形成したチップの寸法精度を悪化させ、チップ部品の製造歩留りを低下させる。また、セラミック基板には、焼成前に各チップを分割するための溝を縦横に形成しておく場合があるが、基板が変形するとこれらの溝が前記測定ラインのように湾曲して曲線状となってしまうから、分割作業に支障をきたし、良品率の低下を招くことなる。

特に近年、チップ部品は益々小型化する傾向にあり（小さいもので例えば長さ０．２ｍｍ×幅０．１ｍｍ程度）、上記のような基板の変形は、製造すべきチップ部品が小型化するほど影響が大きくなることからその解決が望まれる。

他方、前記特許文献１に記載の発明は、セラミック基板の焼成による変形やそりを防ぐものではある。しかしながら、この文献記載の発明では、セラミック基板（グリーンシート）の周縁部の全周に亘って額縁のように非配線パターン３を幅広く配置するため（同文献の図１参照）、基板内で部品形成に使用できる領域が小さくならざるを得ず、１枚の基板から得られる部品数が少なくなってしまう難がある。

したがって、本発明の目的は、１枚の基板から出来るだけ多くのチップを得ると同時に、セラミック基板焼成時の変形を防ぎ、チップ状電子部品の製造歩留りを向上させる点にある。

前記課題を解決し目的を達成するため、本発明に係るチップ状電子部品の製造方法は、平面から見て縦方向と横方向とに複数の部品形成領域がマトリックス状に配列されるように、セラミック材料を主構成材料とする１層以上の絶縁層と、導体パターンを含む１層以上の導体層とを積層した未焼成のセラミック基板を作製する工程と、当該未焼成のセラミック基板を焼成する工程と、当該焼成したセラミック基板を前記部品形成領域ごとに分割することによりチップ状電子部品を得る工程とを備えたチップ状電子部品の製造方法であって、前記未焼成のセラミック基板を作製する工程は、前記セラミック基板を形成する略方形の平面形状を有する１枚以上のセラミックグリーンシートを用意する工程と、当該１枚以上のセラミックグリーンシートのうちの少なくとも１枚のセラミックグリーンシートの表面に、前記導体パターンを配置する工程とを含み、前記導体パターンを配置する工程では、前記セラミックグリーンシートの縦方向の両縁部および横方向の両縁部のうちのいずれか一方または双方において複数の部品形成領域を、導体パターンを備えないダミー部とする。

前述したようにセラミック基板は焼成に伴い変形するが、この変形は一様でなく基板の場所によって異なる。すなわち、当該基板を部品形成領域単位で考えると、基板の中心部分に位置する部品形成領域は隣接する周囲の部品形成領域間で互いに引き合いになり、大きく収縮することが出来ない。これに対し、基板の周縁部は外側については他の部品形成領域と接しておらず、いわば自由端となっているから、基板の周縁に位置する部品形成領域は比較的自由に収縮することが出来る。このため、焼成時に基板周縁部は大きく収縮するのに対して基板中心部では少量しか収縮できず、この収縮量の差による基板中心部の歪み（周縁部の収縮量との差分）が基板中心から周縁に向け伝達・累積されて基板周縁の膨らみ（前記図４〜図７参照）となって現れるものと考えられる。

一方、セラミック基板（グリーンシート）の焼成に伴う収縮は、基板を構成するセラミック粉体やガラスが互いに焼結することにより生じるが、導体パターンが存在する場合にはこの収縮が導体パターンによって抑制される。したがって、導体パターンが配置されていなければ収縮は大きくなる。

そこで本発明では、変形が大きい基板縁部に、導体パターンを備えた部品形成領域に比べて収縮量が大きくなる前記ダミー部を配置する。このダミー部は、導体パターンを備えていない（多層基板の場合には全層に亘って導体パターンを備えない）から焼成時の収縮が大きい。したがって、当該ダミー部によって上記基板の変形（膨らみ）を吸収することができ、基板の縁が直線に近い状態となるように変形を是正することが出来る。

なお、基板の変形量は、絶縁層や導体層の材料、チップの形状、導体パターンの面積等によって異なるものとなるが、実際の製造にあたっては、当該変形量に対応してダミー部の配設個数を適宜決定すれば良い。つまり、当該変形が大きい場合には、ダミー部の数量を多くし（例えば後に述べるダミー部列の列数を多くする等）、当該変形が比較的少ない場合には、ダミー部の数量を少なくすれば良い（例えば後に述べるダミー部列の列数を少なくする等）。

なお、本発明では、上記部品形成領域のうち、導体パターンを配置して実際にチップ部品を形成する部品形成領域を、導体パターンを配さない部品形成領域であるダミー部と区別する必要がある場合には「部品形成部」と称する。

また本発明では、前記セラミックグリーンシートの各縁部に配置した複数のダミー部の集合を「ダミー部群」と称することとすると、前記導体パターンを配置する工程では、当該ダミー部群を、前記セラミックグリーンシートの各縁部の中央部にそれぞれ配置することが好ましい。各基板縁部（上縁、下縁、左縁および右縁）では、いずれも両端部に比べてそれらの中央部（中心線に近くなるほど）の変形（変位）が大きいから（前記図５〜図６参照）、これを効果的に吸収し基板の変形を防ぐためである。

さらに本発明では、前記セラミックグリーンシートの縁に平行に複数の前記ダミー部が配列されたダミー部の列を「ダミー部列」とした場合に、前記導体パターンを配置する工程では、前記縦方向の両縁部に形成したダミー部群および前記横方向の両縁部に形成したダミー部群のうちの一方または双方が、当該セラミックグリーンシートの縁から中心に向けて隣接する２以上のダミー部列をそれぞれ含み、且つ、これら２以上のダミー部列の幅が前記セラミックグリーンシートの縁から中心に向け順次小さくなるように前記ダミー部を形成することが好ましい。

前記測定結果（図５〜図６）から明らかなように、基板の中心から縁に向かうにつれ変形が大きくなるから、基板の縁側の列ほどダミー部の数を多くすることにより、変形を効果的に吸収する（前記測定ラインを直線に近づける）ためである。また、ダミー部が増えればその分１枚の基板から得られるチップ数が少なくなるのに対し、当該態様によれば、基板全体として出来るだけ少数のダミー部で変形を防ぐことが可能となるから、変形防止とチップの量産性とを両立させること出来る。

さらに本発明では、前記セラミックグリーンシートを用意する工程において、スラリー状にしたセラミック材料をブレードを使用して一定方向へ塗布するようにシート状に成形したセラミックグリーンシートを用意し、前記導体パターンを配置する工程において、前記セラミックグリーンシートの縦方向の両端部に形成したダミー部群が前記セラミックグリーンシートの横方向の両端部に形成したダミー部群より多くのダミー部列を含むように、且つ、前記セラミックグリーンシートの横方向が前記セラミック材料の塗布方向と一致するようにしても良い。これは次の理由による。

前記図５〜図６の測定結果から分かるように、基板の変形は縦横で異なり、横方向の変形に比べて縦方向の変形が大きくなっている。これは、グリーンシートの作製（ドクターブレード法による）にあたって、図８に模式的に示すようにスラリー状にしたセラミック材料をブレード７１を使用して一定方向Ｓへ塗布するようにシート状に成形すると、グリーンシート７２内のセラミック（例えばアルミナ）粒子７３やガラス粒子７４（ＬＴＣＣ基板の場合）は当該塗布方向Ｓに配向し（粒子７３，７４の向きが揃う）、これにより粒子同士の焼結による収縮に差が生じるためと考えられる。

すなわち、材料粒子自体は焼成時に殆ど収縮せず当該基板収縮に寄与しないため粒子７３，７４が向いている方向（塗布方向Ｓ）へは焼結に伴う収縮は比較的小さくなる一方、これと直交する方向（図８の上下方向）は収縮が大きくなる。したがって、図５の結果に現れるように（前記測定に係る図４の基板は横方向が材料の塗布方向である）、横方向の測定ラインＸ１〜Ｘ４の各測定点の変位が大きくなり、基板の上縁と下縁が大きく湾曲する。

したがって、本発明の一態様では、上記のように縦方向の両端部（図４で言えば上縁部と下縁部）に多くのダミー部列を備えることによって上記大きな湾曲変形を吸収する。このように本態様によれば、縦横各方向に対応した変形吸収を行うことができ、基板に配置するダミー部の数を最小限に抑えつつ、焼成後に基板が方形に近い形を保つようにすることが出来る。

本発明に係るセラミック基板は、上記本発明に係るチップ状電子部品の製造方法と同様の特徴を有するものである。

具体的には、本発明に係るセラミック基板は、平面から見て縦方向と横方向とに複数の部品形成領域がマトリックス状に配列されるように、セラミック材料を主構成材料とする１層以上の絶縁層と、導体パターンを含む１層以上の導体層とを積層したセラミック基板であって、略方形の平面形状を有し、当該セラミック基板の縦方向の両縁部および横方向の両縁部のうちのいずれか一方または双方において複数の部品形成領域を、導体パターンを含まないダミー部とした。

上記本発明のセラミック基板においても、前記製造方法の説明で述べたのと同様の理由から、次のような態様を採用することが好ましい。

まず、前記セラミック基板の各縁部に配置した複数のダミー部を「ダミー部群」とすると、当該ダミー部群が、前記セラミック基板の各縁部の中央部にそれぞれ配置されるようにする。また、前記セラミック基板の縁に平行に複数のダミー部が配列されたダミー部の列を「ダミー部列」とした場合に、前記縦方向の両縁部に形成したダミー部群および前記横方向の両縁部に形成したダミー部群のうちの一方または双方が、当該セラミック基板の縁から中心に向けて隣接する２以上のダミー部列をそれぞれ含み、且つ、これら２以上のダミー部列の幅が前記セラミック基板の縁から中心に向け順次小さくなるようにする。さらに、前記縦方向の両端部に形成したダミー部群は、前記横方向の両端部に形成したダミー部群より多くのダミー部列を含み、前記絶縁層は、スラリー状にしたセラミック材料をブレードを使用して一定方向へ塗布するようにシート状に成形されたものであり、前記横方向が、前記セラミック材料の塗布方向であるようにする。

本発明に言うセラミック基板は、典型的にはＬＴＣＣ基板、より具体的には、絶縁層としてアルミナを主原料としてこれにガラスを混合した材料からなるものであるが、これに限定されるものではなく、例えば、アルミナに樹脂バインダを混ぜたアルミナ基板であっても良いし、セラミック材料としてアルミナ以外の無機粉体を使用した様々なセラミック基板であって良い。また、磁性体粉末など様々な機能材料をさらに含んでいて構わない。

導体パターンの材料についても、典型的には、銅、銀、白金、金またはこれらを含む合金等を使用することが出来るが、これら以外の導電材料を使用することも可能であり特に限定されない。本発明によれば、セラミック材料や導体材料の種類の如何によらず、焼成収縮差による基板の変形を抑制し得る汎用性を持つセラミック基板を構成することが出来る。

さらに、本発明におけるチップ状電子部品の種類も特に限定されない。一例として、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップレジスタ等が挙げられるが、これら以外にも様々なチップ形態のセラミック電子部品について本発明は広く適用することが可能である。

本発明によれば、セラミック基板焼成時の変形を防ぎ、チップ状電子部品の製造歩留りを向上させることが出来る。

本発明の他の目的、特徴および利点は、図面に基づいて述べる以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。なお、本発明は下記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者に明らかである。また、各図中、同一の符号は、同一又は相当部分を示す。

図１は、本発明の一実施形態に係るセラミック基板を示す平面図である。 図２は、前記実施形態に係るセラミック基板の別の構成例を示す平面図である。 図３は、前記実施形態に係るセラミック基板のさらに別の構成例を示す平面図である。 図４は、セラミック基板の焼成前の状態を示す平面図である。 図５は、セラミック基板の横方向（ｘ軸方向）の変形を測定した結果を示す線図である。 図６は、セラミック基板の縦方向（ｙ軸方向）の変形を測定した結果を示す線図である。 図７は、焼成時の変形を強調して模式的に描いたセラミック基板の平面図である。 図８は、セラミックグリーンシート内における構成材料の状態を拡大して示す模式図である。

本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法は、従来のＬＴＣＣ多層基板を用いたチップ部品の製造方法と基本的に同様の工程を経るものであるが、導体の形成にあたって前記ダミー部を基板に備える点が異なる。以下、この相違点を中心に本発明の実施形態について説明する。

本実施形態では、図１に示すセラミック基板１１を作製する。このセラミック基板１１は、平面方形の全体形状を有し、縦方向（ｙ軸方向）と横方向（ｘ軸方向）とに長方形の平面形状を有する微小な部品形成領域１２を二次元的に多数配列させたものである。各部品形成領域１２は、それぞれチップ部品となるものであり、部品の種類に対応した導体パターンやビア等の導体を含む内部導体層が複数層に亘って形成された多層基板となっている。

なお、このような多層基板１１は、従来のＬＴＣＣ多層基板の作製方法と同様に、表面に導体を印刷したセラミックグリーンシートを複数枚積層し、これらを加熱加圧して一体化することにより作製することが出来る。また、各部品形成領域１２の間には、分割用の溝を焼成前に形成しておき、焼成後に当該溝に沿って各部品形成領域１２を分割することにより各部品形成部からチップ部品を得る。

基板１１ならびに部品形成領域１２の寸法は特に限定されるものではないが、本実施形態では一例として、基板１１の横方向（ｘ軸方向）の長さを例えば１０２ｍｍ、縦方向（ｙ軸方向）の長さを例えば９０ｍｍとするとともに、部品形成領域１２の横方向の長さを例えば０．８ｍｍ、縦方向の長さを例えば１．６ｍｍとし、当該部品形成領域１２を横方向に１２０個、縦方向に５３個配列する。したがって、この例では、基板全体で合計６３６０（＝１２０×５３）の部品形成領域１２が備えられることとなる。

一方、本実施形態では、基板１１の上縁部、下縁部、左縁部および右縁部にそれぞれダミー部（図１で黒く塗り潰して示した）を複数配置する。このダミー部は、実際のチップ部品となる部品形成領域である部品形成部と同一の形状・寸法を有するが、全層に亘って導体を配置しない、セラミック絶縁層のみからなる部品形成領域である。ダミー部の配置数および配置形状（パターン）は、例えば次のとおりである。

基板１１の各縁にそれぞれ平行な部品形成領域１２の列をダミー部列、当該ダミー部列の纏まりをダミー部群とすると、図１に示すように基板１１の上縁部に設けるダミー部群２１は、基板１１の上縁から基板中心（基板の横方向の中心線Ｃｘと縦方向の中心線Ｃｙとの交点）に向け順に隣接する３列のダミー部列２２，２３，２４からなる。これら３列のダミー部列２２〜２４のうち、基板上縁に最も近いダミー部列２２を第１列、この第１列と基板中心側に隣接するダミー部列２３を第２列、さらにこの第２列と基板中心側に隣接するダミー部列２４を第３列とすると、この例では、第１列、第２列および第３列はそれぞれ、連続して横方向に隣り合う９０個、６０個および３０個の部品形成領域１２からなり、基板１１の縁から中心に向け順にダミー部列２２〜２４の幅が小さくなる。また、これら各ダミー部列２２〜２４は、基板１１の変形をバランス良く抑制するために、縦方向に延びる基板中心線Ｃｙがそれらの中央を通るように配置してあり、これらダミー部列２２〜２４からなるダミー部群２１は、当該縦方向に延びる基板中心線Ｃｙを中心として対称の全体形状を有する。

また、基板１１の下縁部に設けるダミー部群３１は、図１に示すように基板上縁部に設けた上記ダミー部群２１を上下反転させた形状を有し、基板下縁の同様の位置（横方向に延びる基板の中心線Ｃｘに対して線対称となる位置）に配置する。

具体的には、基板下縁部のダミー部群３１は、基板１１の下縁から基板中心に向け順に隣接する３列のダミー部列３２，３３，３４からなる。またこれらのダミー部列３２〜３４は、基板１１の下縁から中心に向け順に幅が狭くなるように、基板下縁に最も近い第１列のダミー部列３２は連続して横方向に隣り合う９０個の部品形成領域１２からなり、第１列と基板中心側に隣接する第２列のダミー部列３３は６０個の部品形成領域１２からなり、第２列と基板中心側に隣接する第３列のダミー部列３４は３０個の部品形成領域１２からなる。また、前記基板上縁部のダミー部群２１と同様に、基板中心線Ｃｙが各ダミー部列３２〜３４の中央を通過し、当該ダミー部群３１は基板中心線Ｃｙを中心として対称の形状を有する。

一方、基板１１の左縁部のダミー部群４１は、図１に示すように基板１１の左縁から基板中心に向け順に隣接する２列のダミー部列４２，４３からなる。そして、基板左縁に最も近いダミー部列（第１列）４２は３７個の部品形成領域１２からなり、この第１列と基板中心側に隣接するダミー部列（第２列）４３は２１個の部品形成領域１２からなり、前記基板上縁のダミー部群２１と同様に、基板１１の縁から中心に向け順にダミー部列４２，４３の幅が小さくなるように配置してある。さらに、これら基板左縁のダミー部列４２，４３は、横方向に延びる基板中心線Ｃｘがそれらの中央を通過し、これらダミー部列４２，４３からなるダミー部群４１は、当該横方向に延びる基板中心線Ｃｘを中心として対称の全体形状を有する。

さらに、基板１１の右縁部に設けるダミー部群５１は、基板左縁に設けたダミー部群４１と同じ数のダミー部およびダミー部列５２，５３を備え、左縁のダミー部群４１を左右反転させた形状を有し、基板右縁の同様の位置（縦方向に延びる基板中心線Ｃｙに対して線対称となる位置）に配置してある。

また、本実施形態で使用するグリーンシートはドクターブレード法により作製するが、このとき材料を塗布した方向は図１の横（左右）方向である。したがって、上記のように左右縁部に比べ、上下縁部のダミー部の数および列数を多くしてある。なお、前に述べたように、ダミー部の配置数や配置パターン（ダミー部列の幅や列数等）は、当該基板に予想される変形量に応じて適宜変更すれば良いが、当該ダミー部は、図１に示すように基板各縁の中央部Ａに配置することとし、基板１１の角部Ｂにはダミー部を配置しない。

図２および図３はそれぞれダミー部の別の配設例を示すものである。本発明では例えば図２に示すように、上下縁部のダミー部群６１，６２を構成するダミー部列をそれぞれ２列ずつ、左右縁部のダミー部群６３，６４を構成するダミー部列をそれぞれ１列ずつとしても良いし、図３に示すように上下縁部のダミー部群６５，６６を構成するダミー部列をそれぞれ１列ずつとし、左右縁部にはダミー部を設けないこととしても良い。また、例えば基板の縦方向と横方向とで変形量がさほど変わらない場合には、上下縁部と左右縁部とで同数のダミー部を同じような配置形態で配置しても良い。さらに、本発明ではダミー部の配設数および配置形態について、前記各図に示したパターンのほかにも様々な形態を採ることが可能であり、図示の例に限定されるものではない。

また、本発明に言うセラミック基板ないしグリーンシートは、略方形（長方形又は正方形）の平面形状を有するが、この形状は厳密に解釈されるべきではなく、例えば、長方形や正方形の角を切り欠いた（又は面取りした）形状を有していても全体として略方形の形状を有するものであり、このような形状を有するものも本発明に言うセラミック基板ないしグリーンシートに含まれる。

１１ セラミック基板
１２ 部品形成領域
２１，３１，４１，５１，６１，６２，６３，６４，６５，６６ ダミー部群
２２，２３，２４，３２，３３，３４，４２，４３，５２，５３ ダミー部列
７１ ブレード
７２ グリーンシート
７３ セラミック粒子
７４ ガラス粒子
Ａ セラミック基板縁部の中央部
Ｂ セラミック基板の角部
Ｃｘ 基板の横方向の中心線
Ｃｙ 基板の縦方向の中心線
Ｓ 材料の塗布方向（シートを引く方向）
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３ 基板変形の測定ライン

Claims (6)

1. 平面から見て縦方向と横方向とに複数の部品形成領域がマトリックス状に配列されるように、セラミック材料を主構成材料とする１層以上の絶縁層と、導体パターンを含む１層以上の導体層とを積層した未焼成のセラミック基板を作製する工程と、
   当該未焼成のセラミック基板を焼成する工程と、
   当該焼成したセラミック基板を前記部品形成領域ごとに分割することによりチップ状電子部品を得る工程と
   を備えたチップ状電子部品の製造方法であって、
   前記未焼成のセラミック基板を作製する工程は、
   前記セラミック基板を形成する略方形の平面形状を有する１枚以上のセラミックグリーンシートを用意する工程と、
   当該１枚以上のセラミックグリーンシートのうちの少なくとも１枚のセラミックグリーンシートの表面に、前記導体パターンを配置する工程と、
   を含み、
   前記導体パターンを配置する工程では、前記セラミックグリーンシートの縦方向の両縁部および横方向の両縁部のうちのいずれか一方または双方において複数の部品形成領域を、導体パターンを備えないダミー部とし、
   前記セラミックグリーンシートの各縁部に配置した複数のダミー部をダミー部群とすると、前記導体パターンを配置する工程では、当該ダミー部群が、前記セラミックグリーンシートの各縁部の中央部にそれぞれ配置されるように前記ダミー部を形成し、
   前記セラミックグリーンシートの縁に平行に複数の前記ダミー部が配列されたダミー部の列をダミー部列とした場合に、前記導体パターンを配置する工程では、前記縦方向の両縁部に形成したダミー部群および前記横方向の両縁部に形成したダミー部群のうちの一方または双方が、当該セラミックグリーンシートの縁から中心に向けて隣接する２以上のダミー部列をそれぞれ含み、且つ、これら２以上のダミー部列の幅が前記セラミックグリーンシートの縁から中心に向け順次小さくなるように前記ダミー部を形成する
   ことを特徴とするチップ状電子部品の製造方法。
2. 前記セラミックグリーンシートを用意する工程では、スラリー状にしたセラミック材料をブレードを使用して一定方向へ塗布するようにシート状に成形したセラミックグリーンシートを用意し、
   前記導体パターンを配置する工程では、前記セラミックグリーンシートの縦方向の両端部に形成したダミー部群が前記セラミックグリーンシートの横方向の両端部に形成したダミー部群より多くのダミー部列を含むように、且つ、前記セラミックグリーンシートの横方向が前記セラミック材料の塗布方向と一致するように、前記ダミー部を形成する
   請求項１に記載のチップ状電子部品の製造方法。
3. 前記セラミック基板が、ＬＴＣＣ基板である
   請求項１または２に記載のチップ状電子部品の製造方法。
4. 平面から見て縦方向と横方向とに複数の部品形成領域がマトリックス状に配列されるように、セラミック材料を主構成材料とする１層以上の絶縁層と、導体パターンを含む１層以上の導体層とを積層したセラミック基板であって、
   前記セラミック基板は、略方形の平面形状を有し、
   当該セラミック基板の縦方向の両縁部および横方向の両縁部のうちのいずれか一方または双方において複数の部品形成領域を、導体パターンを含まないダミー部とし、
   前記セラミック基板の各縁部に配置した複数のダミー部をダミー部群とすると、当該ダミー部群は、前記セラミック基板の各縁部の中央部にそれぞれ配置されており、
   前記セラミック基板の縁に平行に複数の前記ダミー部が配列されたダミー部の列をダミー部列とした場合に、前記縦方向の両縁部に形成したダミー部群および前記横方向の両縁部に形成したダミー部群のうちの一方または双方が、当該セラミック基板の縁から中心に向けて隣接する２以上のダミー部列をそれぞれ含み、且つ、これら２以上のダミー部列の幅が前記セラミック基板の縁から中心に向け順次小さくなるように前記ダミー部を設けてある
   ことを特徴とするセラミック基板。
5. 前記縦方向の両端部に形成したダミー部群は、前記横方向の両端部に形成したダミー部群より多くのダミー部列を含み、
   前記絶縁層は、スラリー状にしたセラミック材料をブレードを使用して一定方向へ塗布するようにシート状に成形されたものであり、
   前記横方向が、前記セラミック材料の塗布方向である
   請求項４に記載のセラミック基板。
6. 前記セラミック基板が、ＬＴＣＣ基板である
   請求項４または５に記載のセラミック基板。

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