JP5451066B2 - 可撓性ディスプレイ基板 - Google Patents
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Description
この具体例において、本発明によるポリマー基板にSCS膜が転写する。1〜10Ω・cmの抵抗率および約500マイクロメートルの厚さを持つホウ素ドープSCSウェハーに、100KeVおよび8×1016イオン/cm2の線量で水素イオンを注入した。イオン注入されたシリコンウェハーを、空気中において滑らかなガラス支持体上で約1時間に亘り450℃で熱処理し、ほぼ室温まで冷却した。約1ミリメートルの厚さを持つポリスルホン膜を、約225℃に加熱された表面上に配置し、この膜をその温度まで加熱した。冷却されたシリコンウェハーを滑らかなガラス支持体から注意深く取り外し、シリコンウェハーの注入側がポリスルホン膜と接触するように、加熱されたポリスルホン膜上に配置した。約1psi(約6.90kPa)の荷重を約30分間に亘りシリコンウェハーとポリスルホン膜に印加した。加熱をやめ、シリコンウェハーとポリスルホン膜をほぼ周囲温度まで冷却し、その時に荷重を除いた。
比較のために、滑らかなガラス支持体上のイオン注入済みシリコンウェハーを最初に熱処理せずに、SCS膜をポリマー基板に転写することを試みた。この具体例において、シリコンウェハーは、具体例1におけるようにイオン注入した。約1ミリメートルの厚さを持つポリスルホン膜を、225℃に加熱された表面上に配置し、その温度まで加熱した。イオン注入済みシリコンウェハーを、シリコンウェハーの注入側がポリスルホン膜と接触するように、ポリスルホン膜上に配置した。約1psi(約約6.90kPa)の荷重をシリコンウェハーとポリスルホン膜に印加した。その温度を約30分間に亘り約225℃に維持した。シリコンウェハーとポリスルホン膜をほぼ周囲温度まで冷却し、荷重を除いた。
16 分離区域
18 第1の部分
20 第2の部分
60 支持体
70 第2の基板
Claims (6)
- 半導体膜をポリマー基板に転写および付着して可撓性半導体材料を製造する方法であって、
少なくとも1つの半導体基板の第1の部分および第2の部分を画成する分離区域を前記少なくとも1つの半導体基板内に形成するために前記少なくとも1つの半導体基板に所定の深さまでイオンを注入する工程、
前記分離区域を形成し、且つ前記少なくとも1つの半導体基板の前記第2の部分から前記少なくとも1つの半導体基板の前記第1の部分を分離させることなく前記分離区域を弱めるために、イオン注入された前記少なくとも1つの半導体基板を、前記イオンが注入された領域に欠陥を形成するのに効果的な温度で効果的な時間に亘り熱処理する工程、
前記イオン注入され熱処理された少なくとも1つの半導体基板を冷却することを許容する工程、
少なくとも1つのポリマー基板を前記少なくとも1つの半導体基板の前記第2の部分の前記少なくとも1つのポリマー基板への付着を行うのに適した温度に予熱するとともに該温度を維持する工程、
前記予熱された少なくとも1つのポリマー基板からの熱が(a)前記少なくとも1つの半導体基板の前記第2の部分が前記少なくとも1つのポリマー基板に付着し、且つ(b)前記少なくとも1つの半導体基板の前記第2の部分から前記分離区域に沿って前記少なくとも1つの半導体基板の前記第1の部分が分離するのに十分であって、その間、前記少なくとも1つのポリマー基板のみに熱が供給されている時間に亘り、冷却されイオン注入され熱処理された前記少なくとも1つの半導体基板の前記第2の部分を前記予熱された少なくとも1つのポリマー基板に力が印加された条件下で接触させる工程、および
前記少なくとも1つの半導体基板の前記第2の部分から前記少なくとも1つの半導体基板の前記第1の部分を取り除く工程、
を有してなり、
前記少なくとも1つのポリマー基板を予熱する工程が、該少なくとも1つのポリマー基板を該ポリマー基板のガラス転移温度のプラスまたはマイナス約100℃の温度まで加熱することを含む方法。 - 前記半導体膜が実質的に単結晶のシリコン膜を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記イオンを注入する工程が、10KeVから200KeVにおいて注入線量が1×1016イオン/cm2から3×1017イオン/cm2の水素イオンを注入することを含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記イオン注入された半導体基板を熱処理する工程が、該イオン注入された半導体基板を300°Cから500°Cの温度に加熱することを含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 可撓性半導体・オン・ポリマー構造体を製造する方法であって、
第1の結合表面と第1の力印加表面、および第1の基板を第1の部分と第2の部分に分離するための内部分離区域を有する、少なくとも1つの半導体材料からなる第1の基板を提供する工程であって、前記第2の部分が前記分離区域と前記第1の結合表面との間にあるものである工程、
前記第2の部分の後の剥離を促進させるために前記分離区域に沿って前記第1の基板を弱めるように前記第1の基板に熱処理を施す工程、
前記第1の基板を冷却する工程、
少なくとも1つのポリマーからなり、第2の結合表面および第2の力印加表面を構成する2つの反対の外面を有する第2の基板を提供する工程、
前記第2の基板を加熱する工程、
前記加熱された第2の基板からの熱が(a)アッセンブリを形成するために前記第1と第2の基板を前記第1と第2の結合表面で互いに結合させ、且つ(b)前記第1の基板の前記第2の部分から前記分離区域に沿って前記第1の基板の前記第1の部分を分離させるのに十分な期間に亘り、前記冷却された第1の基板の前記第1の結合表面と前記第2の基板の前記第2の結合表面を接触させる工程、
前記第2の基板に施された加熱を停止する工程、
前記アセンブリを冷却する工程、
印加された前記力を除く工程、および
前記第1の基板の前記第2の部分から前記第1の基板の前記第1の部分を取り除く工程、
を有してなる方法。 - 前記半導体材料が少なくとも1つの単結晶シリコン膜を含むことを特徴とする請求項5記載の方法。
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