CN106920813A - 柔性显示器的制备方法 - Google Patents
柔性显示器的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106920813A CN106920813A CN201510997732.7A CN201510997732A CN106920813A CN 106920813 A CN106920813 A CN 106920813A CN 201510997732 A CN201510997732 A CN 201510997732A CN 106920813 A CN106920813 A CN 106920813A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- carrier
- flexible display
- preparation
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 title claims abstract description 88
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 58
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 10
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000011086 glassine Substances 0.000 claims description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 133
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种柔性显示器的制备方法，包括：提供一载体；在所述载体上形成一牺牲层；依次在所述牺牲层上形成第一封装阻挡层、显示组件、第二封装阻挡层以及柔性衬底；将所述载体从所述牺牲层上剥离，所述第一封装阻挡层、所述显示组件、所述第二封装阻挡层以及所述柔性衬底形成柔性显示器。本发明形成的柔性显示器中，柔性衬底作为柔性显示器的载体，位于第二封装层之上，不会受到显示组件制备中的高温工艺的影响，柔性衬底的材料选择上具有更高的自由度，从而，制备的柔性显示器既能保证柔性衬底的-柔韧性，又能保证第一封装阻挡层阻水氧的能力，提高柔性显示器的性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种柔性显示器的制备方法。
背景技术
有机发光显示器件(OLED，Organic Light Emitting Display)是主动发光器件，与现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT–LCD，Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display)相比，OLED具有对比度高、视角广、功耗低、体积更薄等优点，有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，其中的柔性OLED更是以其可弯曲、抗冲击、更轻更薄等优点在平板显示技术中受到越来越多的关注。目前柔性显示的基体材料通常为薄金属、软玻璃和塑料薄膜。其中软玻璃和塑料薄膜是业界研究的热点。
现有技术中，如图1所示，在制备透明和底发射的柔性显示器过程中，在玻璃载体1上形成柔性衬底2和封装阻挡层3，其中，柔性衬底2通常采用聚酰亚胺透明衬底，由于聚酰亚胺透明衬底经过高温之后其透过率将降低，且柔韧性也会降低，因此，封装阻挡层3需采用低温沉积工艺形成，然而，低温沉积工艺形成的封装阻挡层3阻挡水氧的能力较低，不能很好的保护柔性显示器中的OLED器件。此外，现有技术中还可以采用超薄的软玻璃作为柔性衬底2，再通过高温沉积工艺形成封装阻挡层3，然而，超薄的软玻璃经过高温之后柔韧性将降低，使得之后器件切割的过程中容易开裂。因此，需要对现有的柔性显示器的制备方法进行改进，解决现有技术中的柔性透明衬底不能耐受高温的问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种柔性显示器的制备方法，解决现有技术中透明柔性衬底难以耐受高温的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种柔性显示器的制备方法，包括：
提供一载体；
在所述载体上形成一牺牲层；
依次在所述牺牲层上形成第一封装阻挡层、显示组件、第二封装阻挡层以及柔性衬底；
将所述载体从所述牺牲层上剥离，所述第一封装阻挡层、所述显示组件、所述第二封装阻挡层以及所述柔性衬底形成柔性显示器。
可选的，在所述载体上形成所述牺牲层的步骤包括：
采用涂布工艺在所述载体上形成一膜层；以及
烘烤所述膜层形成所述牺牲层。
可选的，所述涂布是旋转涂布或者狭缝涂布，所述烘烤的温度为300℃～500℃。
可选的，所述牺牲层的材质为聚酰亚胺、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或玻璃纸，所述牺牲层的厚度为1微米～5微米。
可选的，采用激光剥离工艺将所述载体剥离，剥离所述载体的同时去除至少部分所述牺牲层。
可选的，所述激光剥离过程中，激光的能量密度大于等于200mJ/cm2。
可选的，将所述载体从所述牺牲层上剥离之后，采用机械剥离或激光剥离工艺完全去除所述牺牲层。
可选的，采用化学气相沉积、物理气相沉积、离子溅射或原子层沉积工艺形成所述第一封装阻挡层，形成所述第一封装阻挡层的温度为350℃～500℃。
可选的，所述第一封装阻挡层为至少一层无机氧化物膜层，或者为至少一层有机物膜层，或者为一层无机氧化物膜层与一层有机物膜层间隔堆叠设置。
可选的，所述柔性衬底的厚度为5微米～100微米。
与现有技术相比，本发明的柔性显示器的制备方法中，在载体上形成一牺牲层，依次在牺牲层上形成第一封装阻挡层、显示组件以及第二封装层，在牺牲层上形成第一封装阻挡层、显示组件以及第二封装层的过程中，可以采用高温沉积工艺，从而提高第一封装阻挡层阻水氧的能力。之后，在第二封装阻挡层上形成柔性衬底，并将载体从牺牲层上剥离，去除牺牲层。形成的柔性显示器中，柔性衬底作为柔性显示器的载体，位于第二封装层之上，不会受到显示组件制备中的高温工艺的影响，柔性衬底的材料选择上具有更高的自由度，从而，制备的柔性显示器既能保证柔性衬底的透过率和柔韧性，又能保证第一封装阻挡层阻水氧的能力，提高柔性显示器的性能。
附图说明
图1为现有技术形成的柔性显示器的结构示意图；
图2为本发明一实施例中柔性显示器制备方法的流程图；
图3为本发明一实施例中形成柔性衬底之后器件的剖面结构示意图；
图4为本发明一实施例中剥离载体之后器件的剖面结构示意图；
图5为本发明另一实施例中剥离载体之后器件的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的柔性显示器的制备方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于，在载体上形成一牺牲层，依次在牺牲层上形成第一封装阻挡层、显示组件以及第二封装阻挡层，在牺牲层上形成第一封装阻挡层、显示组件以及第二封装阻挡层的过程中，可以采用高温沉积工艺，从而提高第一封装阻挡层阻水氧的能力。之后，在第二封装阻挡层上形成柔性衬底，并将载体从牺牲层上剥离，去除牺牲层。形成的柔性显示器中，柔性衬底作为柔性显示器的载体，位于第二封装阻挡层之上，不会受到显示组件制备中的高温工艺的影响，柔性衬底的材料选择上具有更高的自由度，从而，制备的柔性显示器既能保证柔性衬底的透过率和柔韧性，又能保证第一封装阻挡层阻水氧的能力，提高柔性显示器的性能。
下文结合附图2至图5对本发明的柔性显示器的制备方法进行具体的描述，制备方法的流程图参考图2所示，具体包括如下步骤：
进行步骤S1，参考图3所示，提供一载体11，本实施例中，所述载体11可以为玻璃基板。
进行步骤S2，继续参考图3所示，在所述载体11上形成一牺牲层12。本实施例中，采用旋转涂布或者狭缝涂布的方法在载体11上形成一湿膜层，并采用300℃～500℃的高温烘烤所述湿膜层，以在载体11上形成所述牺牲层12，从而使得形成的牺牲层12具有较高的耐受温度。所述牺牲层12的材质可以选择聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、玻璃纸(PT)等耐高温材料，牺牲层12能够承受较高的温度，并且，牺牲层12在后续剥离过程中去除，从而后续可以采用的高温工艺，而不考虑对牺牲层12的影响。优选的，所述牺牲层12较薄，例如，厚度为1微米～5微米，便于在后续工艺中去除。
进行步骤S3，采用化学气相沉积、物理气相沉积、离子溅射或原子层沉积等工艺在所述牺牲层12上形成所述第一封装阻挡层13，形成所述第一封装阻挡层13的温度为350℃～500℃，该温度下形成的所述第一封装阻挡层13阻挡水氧的能力较好，例如，大于等于1.0×10-6g/m2。所述第一封装阻挡层13为至少一层无机氧化物膜层，或者至少一层有机物膜层，或者一层无机氧化物膜层与一层有机物膜层间隔堆叠设置。需要说明的是，第一封装阻挡层13可以采用高温沉积工艺，从而不用考虑对下方的牺牲层12的透过率或柔韧性的影响。
接着，在第一封装阻挡层13上形成显示组件14，所述显示组件14包括依次形成于所述第一封装阻挡层13上的背板图形141和显示层142，所述背板图形141用于驱动所述显示层142，所述显示层142可以为OLED层或TFT层。具体的，制备背板图形141以及显示层142的工艺可以参照传统技术。例如背板图形141可以采用低温多晶硅(LTPS)的背板制作工艺，OLED层中包括电极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层等。在制作显示组件14的过程中，可以采用的工艺温度达到400℃～500℃，而不考虑高温工艺对牺牲层12的影响。
之后，在显示组件14上形成第二封装阻挡层15，所述第二封装阻挡层15为至少一层无机氧化物膜层，或者至少一层有机物膜层，或者一层无机氧化物膜层与一层有机物膜层间隔堆叠设置，第二封装阻挡层15作为显示组件14的薄膜封装层。所述第二封装阻挡层15与所述第一封装阻挡层13可以采用相同的制备方法，也可以采用本领域公知的其他方法制备，在此不做赘述。
再次，在所述第二封装阻挡层15上形成柔性衬底16，柔性衬底16为透明材质或者非透明材质，例如，可以为聚酰亚胺、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或玻璃纸的一种，并且，所述柔性衬底16的厚度为5微米～100微米。所述柔性衬底16可以在对显示组件14进行分割之后形成，防止分割过程中对柔性衬底16的损伤。本发明中，柔性衬底16作为后续形成的柔性显示器20的载体，并且，柔性衬底16并不会受到制作第一封装阻挡层13、显示组件14、第二封装阻挡层15工艺的影响，尤其是制作过程中的高温工艺的影响，从而并不会影响柔性衬底16的透光率或者柔韧性，提高柔性显示器20的性能。
进行步骤S4，参考图4所示，将所述载体11从所述牺牲层12上剥离。本实施例中，可以采用采用激光剥离工艺将所述载体11剥离，将激光从载体11背离牺牲层12的一面射入，并从载体11的一端向另一端扫描，使得牺牲层12烧结，从而使得载体11从牺牲层12上脱离下来。因为显示组件14有封装阻挡层13作为保护层，在激光剥离时不会破坏显示组件14，可以降低对激光剥离工艺的要求。在本实施例中，激光照射载体11的过程中，根据牺牲层12的材质、厚度的不同，调节激光射入的能量，例如，激光的能量密度大于等于200mJ/cm2。此外，激光剥离过程中，第一封装阻挡层13可以防止激光对显示组件14的损伤。可以理解的是，激光剥离所述载体11的同时，激光烧结牺牲层12，并去除所述牺牲层12，从而所述第一封装阻挡层13、所述显示组件14、所述第二封装阻挡层15以及所述柔性衬底16组成柔性显示器20，形成的柔性显示器20中，柔性衬底16作为显示器的底部发射电极。
此外。参考图5中所示，在步骤S13中，剥离载体11过程中，激光烧结牺牲层12，仅去除了部分所述牺牲层12，从而在激光剥离载体11之后，还需要将剩余的牺牲层12去除。同样的，可以采用激光照射将牺牲层12完全烧结去除，当然，还可以采用机械剥离的方法完全去除所述牺牲层12。
综上所述，本发明提供的柔性显示器的制备方法中，在载体上形成一牺牲层，依次在牺牲层上形成第一封装阻挡层、显示组件以及第二封装阻挡层，在牺牲层上形成第一封装阻挡层、显示组件以及第二封装阻挡层的过程中，可以采用高温沉积工艺，从而提高第一封装阻挡层阻水氧的能力。之后，在第二封装阻挡层上形成柔性衬底，并将载体从牺牲层上剥离，去除牺牲层。形成的柔性显示器中，柔性衬底作为柔性显示器的载体，柔性衬底的透过率与柔韧性不受高温的影响，从而，制备的柔性显示器既能保证柔性衬底的透过率和柔韧性，又能保证第一封装阻挡层阻水氧的能力，提高柔性显示器的性能。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种柔性显示器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一载体；
在所述载体上形成一牺牲层；
依次在所述牺牲层上形成第一封装阻挡层、显示组件、第二封装阻挡层以及柔性衬底；
将所述载体从所述牺牲层上剥离，所述第一封装阻挡层、所述显示组件、所述第二封装阻挡层以及所述柔性衬底形成柔性显示器。
2.如权利要求1所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，在所述载体上形成所述牺牲层的步骤包括：
采用涂布工艺在所述载体上形成一膜层；以及
烘烤所述膜层形成所述牺牲层。
3.如权利要求2所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，所述涂布是旋转涂布或者狭缝涂布，所述烘烤的温度为300℃～500℃。
4.如权利要求2所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材质为聚酰亚胺、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或玻璃纸，所述牺牲层的厚度为1微米～5微米。
5.如权利要求1所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，采用激光剥离工艺将所述载体剥离，剥离所述载体的同时去除至少部分所述牺牲层。
6.如权利要求5所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，所述激光剥离过程中，激光的能量密度大于等于200mJ/cm2。
7.如权利要求5所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，将所述载体从所述牺牲层上剥离之后，采用机械剥离或激光剥离工艺完全去除所述牺牲层。
8.如权利要求1所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积、物理气相沉积、离子溅射或原子层沉积工艺形成所述第一封装阻挡层，形成所述第一封装阻挡层的温度为350℃～500℃。
9.如权利要求1或8所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，所述第一封装阻挡层为至少一层无机氧化物膜层，或者为至少一层有机物膜层，或者为一层无机氧化物膜层与一层有机物膜层间隔堆叠设置。
10.如权利要求1所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，所述柔性衬底的厚度为5微米～100微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510997732.7A CN106920813A (zh) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 柔性显示器的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510997732.7A CN106920813A (zh) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 柔性显示器的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106920813A true CN106920813A (zh) | 2017-07-04 |
Family
ID=59455001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510997732.7A Pending CN106920813A (zh) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 柔性显示器的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106920813A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108389866A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-08-10 | 云谷（固安）科技有限公司 | 可折叠显示屏及可折叠显示屏的制造方法 |
| WO2019051940A1 (zh) * | 2017-09-13 | 2019-03-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled面板的制作方法 |
| CN110783253A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置 |
| CN111627325A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板母板、显示面板及显示面板的制备方法 |
| WO2021093104A1 (zh) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | Tcl华星光电技术有限公司 | 柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法 |
| WO2022032838A1 (zh) * | 2020-08-10 | 2022-02-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 基板及其分离方法、显示面板 |
| CN115942860A (zh) * | 2022-12-13 | 2023-04-07 | 南方电网数字电网研究院有限公司 | 磁敏感薄膜转移方法和磁敏感器件 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008018737A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Pohang University Of Science And Technology | Manufacturing method for flexible element using laser and flexible element |
| CN101164159A (zh) * | 2005-04-25 | 2008-04-16 | 康宁股份有限公司 | 柔性显示基板 |
| CN102890351A (zh) * | 2011-07-18 | 2013-01-23 | 乐金显示有限公司 | 制造柔性显示装置的方法 |
| CN103346163A (zh) * | 2013-06-19 | 2013-10-09 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种柔性显示装置及其制造方法 |
| CN103824807A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 三星显示有限公司 | 制造柔性显示装置的方法 |
| CN104051496A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示器及其制作方法 |
| CN105024018A (zh) * | 2014-04-29 | 2015-11-04 | Tcl集团股份有限公司 | 一种柔性显示器及其制作方法 |
-
2015
- 2015-12-28 CN CN201510997732.7A patent/CN106920813A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101164159A (zh) * | 2005-04-25 | 2008-04-16 | 康宁股份有限公司 | 柔性显示基板 |
| WO2008018737A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Pohang University Of Science And Technology | Manufacturing method for flexible element using laser and flexible element |
| CN102890351A (zh) * | 2011-07-18 | 2013-01-23 | 乐金显示有限公司 | 制造柔性显示装置的方法 |
| CN103824807A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 三星显示有限公司 | 制造柔性显示装置的方法 |
| CN103346163A (zh) * | 2013-06-19 | 2013-10-09 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种柔性显示装置及其制造方法 |
| CN105024018A (zh) * | 2014-04-29 | 2015-11-04 | Tcl集团股份有限公司 | 一种柔性显示器及其制作方法 |
| CN104051496A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示器及其制作方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019051940A1 (zh) * | 2017-09-13 | 2019-03-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled面板的制作方法 |
| CN108389866A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-08-10 | 云谷（固安）科技有限公司 | 可折叠显示屏及可折叠显示屏的制造方法 |
| CN111627325A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板母板、显示面板及显示面板的制备方法 |
| CN111627325B (zh) * | 2019-02-27 | 2022-05-13 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板母板、显示面板及显示面板的制备方法 |
| CN110783253A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置 |
| WO2021093104A1 (zh) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | Tcl华星光电技术有限公司 | 柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法 |
| WO2022032838A1 (zh) * | 2020-08-10 | 2022-02-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 基板及其分离方法、显示面板 |
| CN115942860A (zh) * | 2022-12-13 | 2023-04-07 | 南方电网数字电网研究院有限公司 | 磁敏感薄膜转移方法和磁敏感器件 |
| CN115942860B (zh) * | 2022-12-13 | 2024-05-07 | 南方电网数字电网研究院有限公司 | 磁敏感薄膜转移方法和磁敏感器件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106920813A (zh) | 柔性显示器的制备方法 | |
| TWI583562B (zh) | 一種柔性電子器件的製備方法 | |
| CN105226186B (zh) | 柔性显示装置的制作方法及制得的柔性显示装置 | |
| EP3067951B1 (en) | Apparatus comprising a flexible substrate, oled device, and defect detection method thereof | |
| CN104064688B (zh) | 具有存储电容的tft基板的制作方法及该tft基板 | |
| CN103730485B (zh) | 双面显示的oled阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN108511614B (zh) | 一种oled面板及oled显示器 | |
| US20100159642A1 (en) | Methods of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor | |
| CN107644891A (zh) | 柔性oled面板的制作方法 | |
| KR101470752B1 (ko) | 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 고품위 유연 투명 전극 | |
| US9620659B2 (en) | Preparation method of glass film, photoelectric device and packaging method thereof, display device | |
| CN104576970A (zh) | 一种柔性显示装置的制备方法及其制备的柔性显示装置 | |
| CN104538556B (zh) | 柔性oled衬底及柔性oled封装方法 | |
| CN103231570B (zh) | 一种薄膜层及其制作方法、显示用基板、液晶显示器 | |
| CN108493195A (zh) | 柔性tft背板的制作方法及柔性tft背板 | |
| CN109935590A (zh) | 一种1t1c柔性铁电存储器及其制备方法 | |
| CN109360888A (zh) | 柔性oled显示面板的柔性基底及其制备方法 | |
| US9461070B2 (en) | Thin film transistor, method for manufacturing the same, and device comprising the same | |
| CN105304685A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
| TWI546850B (zh) | 顯示面板之製備方法 | |
| CN106229419A (zh) | 一种残余应力可控的复合柔性衬底及其制备工艺与应用 | |
| CN104576969B (zh) | 一种柔性光电器件的制备方法 | |
| CN103236400A (zh) | 低温多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶体管制作方法 | |
| CN106711175B (zh) | 柔性基板剥离方法 | |
| US9559249B2 (en) | Microwave-annealed indium gallium zinc oxide films and methods of making the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170704 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |