CN103985665B - 一种柔性显示器的制作方法 - Google Patents

一种柔性显示器的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103985665B
CN103985665B CN201410204555.8A CN201410204555A CN103985665B CN 103985665 B CN103985665 B CN 103985665B CN 201410204555 A CN201410204555 A CN 201410204555A CN 103985665 B CN103985665 B CN 103985665B
Authority
CN
China
Prior art keywords
flexible
frame
silicon layer
layer
crystalline silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410204555.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103985665A (zh
Inventor
苏长义
郑扬霖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201410204555.8A priority Critical patent/CN103985665B/zh
Priority to US14/382,729 priority patent/US9287077B2/en
Priority to PCT/CN2014/077752 priority patent/WO2015172396A1/zh
Publication of CN103985665A publication Critical patent/CN103985665A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103985665B publication Critical patent/CN103985665B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明适用于显示器领域，提供了一种柔性显示器的制作方法包括以下步骤：在刚性基板上形成一硅层；经由曝光制程及蚀刻制程将所述硅层做成框型硅层；在形成有框型硅层的刚性基板表面上贴附柔性基板；制作显示器件层于所述柔性基板上；在完成显示器件层后，对框型硅层进行脱氢处理，以使得所述柔性基板与所述框型硅层分开，从而得到柔性显示器。本发明可以避免柔性基板在分离工艺中损坏造成良率的问题。

Description

一种柔性显示器的制作方法
技术领域
本发明属于显示器领域，尤其涉及一种柔性显示器的制作方法。
背景技术
目前，柔性显示器(flexible display)是下一代显示器的形态，其优点为可弯曲及轻薄，因此方便携带，还能用于制作穿戴装置。
现行柔性显示器的制作流程是：将塑料基板贴附在玻璃基板上，待完成LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、EPD(Electro-Phoretic Display电泳显示)或OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)等产品工艺后，将塑料基板从玻璃基板上取下。
但目前在取下塑料基板工艺程序时会存在缺陷，由于塑料基板与玻璃基板黏合度太高，工具不容易伸入玻璃基板与塑料基板中间，因此导致分离塑料基板与玻璃基板不易，也容易造成塑料膜损伤及良率不佳的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性显示器的制作方法，旨在解决现有技术中存在的在取下塑料基板工艺程序时，由于塑料基板与玻璃基板黏合度太高，工具不容易伸入玻璃基板与塑料基板中间，因此导致分离塑料基板与玻璃基板不易，也容易造成塑料膜损伤及良率不佳的问题。
本发明是这样实现的，一种柔性显示器的制作方法，所述柔性显示器的制作方法包括以下步骤：
在刚性基板上形成一硅层；
经由曝光制程及蚀刻制程将所述硅层做成框型硅层；
在形成有框型硅层的刚性基板表面上贴附柔性基板；
制作显示器件层于所述柔性基板上；
在完成显示器件层后，对框型硅层进行脱氢处理，以使得所述柔性基板与所述框型硅层分开，从而得到柔性显示器。
优选地，所述刚性基板为玻璃基板，所述硅层采用的材料是非晶硅；
所述在刚性基板上形成一硅层的步骤包括：
在玻璃基板上成膜一非晶硅层。
优选地，所述在玻璃基板上成膜一非晶硅层的步骤，包括：
将清洗后的玻璃基板，于化学气相沉积机台上使用成膜方法长出含氢的非晶硅，成膜时增加氢气气体比例，使非晶硅内含有高比率的氢原子。
优选地，所述经由曝光制程及蚀刻制程将所述硅层做成框型硅层的步骤，包括：
在非晶硅层表面涂抹光阻；
然后用光罩对所述光阻进行曝光；
接着对光阻进行显影；
在显影后，对非晶硅层进行蚀刻，形成框型非晶硅。
优选地，所述柔性基板为塑料基板；
所述在形成有框型硅层的刚性基板表面上贴附柔性基板的步骤包括：
在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上贴附塑料基板。
优选地，所述在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上贴附塑料基板的步骤，包括：
用涂布法在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上黏合塑料基板。
优选地，所述在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上贴附塑料基板的步骤，包括：
以压合贴合法在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上黏合塑料基板。
优选地，所述在完成显示器件层后，对框型硅层进行脱氢处理，以使得所述柔性基板与所述框型硅层分开，从而得到柔性显示器的步骤包括：
在完成显示器件层后，对非晶硅进行脱氢，产生的氢气会自动将塑料基板与非晶硅分开，从而得到柔性显示器。
优选地，所述在完成显示器件层后，对非晶硅进行脱氢，产生的氢气会自动将塑料基板与非晶硅分开，从而得到柔性显示器的步骤，包括：
在完成显示器件层后，采用激光照射方法将非晶硅脱氢，在脱氢过程中，产生的氢气会自动将塑料基板与非晶硅分开，从而得到柔性显示器。
优选地，当制作的是柔性液晶显示器时，所述制作显示器件层于所述柔性基板上的步骤，包括：
制作液晶显示器件层于所述柔性基板上；或者，
当制作的是柔性电泳显示器时，所述制作显示器件层于所述柔性基板上的步骤，包括：
制作电泳显示器件层于所述柔性基板上；或者，
当制作的是柔性有机发光二极管显示器时，所述制作显示器件层于所述柔性基板上的步骤，包括：
制作有机发光二极管显示器件层于所述柔性基板上。
在本发明中，在塑料基板与玻璃基板进行贴附工艺之前，增加一道工艺，以形成一框型的高浓度含氢量的非晶硅，使该框型非晶硅位于塑料基板与玻璃基板之间，用作改善塑料基板在剥离工艺时，不易分离及分离造成塑料基板或玻璃基板损坏的工艺技术，完成塑料基板涂布工艺以及显示器工艺后，再利用激光进行脱氢工艺，脱氢可以产生氢气，产生的氢气可以使塑料基板的周边与玻璃基板分离，从而使后续的塑料基板与玻璃基板的分离工艺可以轻松完成，可以避免塑料基板在分离工艺中损坏造成良率的问题。
附图说明
图1是本发明实施例提供的柔性显示器的制作方法的实现流程示意图；
图2是本发明实施例提供的形成框型非晶硅的流程示意图；
图3是本发明实施例提供的得到柔性显示器的流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明实施例中，在塑料基板与玻璃基板进行贴附工艺之前，增加一道工艺，以形成一框型的高浓度含氢量的非晶硅，待完成显示器件层(如LCD、EPD或OLED显示器件层)后，再利用激光进行脱氢工艺，脱氢可以产生氢气，产生的氢气可以使塑料基板的周边与玻璃基板分离，从而使后续的塑料基板与玻璃基板的分离工艺可以轻松完成，可以避免塑料基板在分离工艺中损坏造成良率的问题。
请参阅图1，为本发明实施例提供的柔性显示器的制作方法的实现流程示意图，其包括以下步骤：
在步骤S101中，在刚性基板上形成一硅层；
在本发明实施例中，刚性基板例如是石英基板或玻璃基板，但并不限定于此，优选地，本发明实施例的刚性基板采用的是玻璃基板。硅层的材料例如为非晶硅、单晶硅或多晶硅。优选地，本发明实施例的硅层采用的材料是非晶硅。因此，优选地，本发明实施例是在玻璃基板20上成膜一非晶硅层10。
在本发明实施例中，首先将清洗后的玻璃基板20，于CVD(Chemical VaporDeposition,化学气相沉积)机台上使用成膜方法长出含氢的非晶硅，成膜时增加氢气气体比例，使非晶硅内含有高比率的氢原子。
优选地，为了确保激光能有效照射，氢气能有效生成及产出，一般来说非晶硅的厚度会做在1000A以上。本发明实施例中，本发明实施例的硅层采用的是厚度约1000A的非晶硅。
在步骤S102中，经由曝光制程及蚀刻制程将所述硅层做成框型硅层；
在本发明实施例中，优选地，经由曝光制程及蚀刻制程将所述非晶硅做成框型非晶硅。
请参阅图2，在非晶硅层10表面涂抹光阻40，然后用光罩30对所述光阻进行曝光，接着对光阻进行显影；在显影后，对非晶硅层进行蚀刻，形成框型非晶硅。
在本发明实施例中，由于采用框型非晶硅，可减少激光的数量与照射时间,减少激光费用与增加产出速度，也可避免全面性非晶硅脱氢分离后，塑料基板可能发生位移，造成后续工艺与连续生产的困难。
在步骤S103中，在形成有框型硅层的刚性基板表面上贴附柔性基板；
在本发明实施例中，柔性基板例如是玻璃薄膜基板、不锈钢薄膜基板或塑料基板，但并不限于此，优选地，本发明实施例的柔性基板采用的是塑料基板。因此，优选地，本发明实施例是在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上贴附塑料基板50。
在本发明实施例中，请参阅图3，用涂布法或以压合贴合法在成膜有框型非晶硅的玻璃基板20表面上黏合塑料基板50，其中塑料基板即为塑料膜，常用材料为PI(取向膜层)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(Polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸类塑料)等。
在步骤S104中，制作显示器件层于所述柔性基板上；
优选地，本发明实施例是制作显示器件层60于所述塑料基板50上。
在本发明实施例中，具体的，制作多层显示器件层于所述塑料基板上。
作为本发明一实施例，如制作的是柔性LCD显示器，那么步骤S104即为：制作LCD显示器件层于所述柔性基板上。优选地，制作LCD显示器件层于所述塑料基板上。
作为本发明另一实施例，如制作的是柔性EPD显示器，那么步骤S104即为：制作EPD显示器件层于所述柔性基板上。优选地，制作EPD显示器件层于所述塑料基板上。
作为本发明再一实施例，如制作的是柔性OLED显示器，那么步骤S104即为：制作OLED显示器件层于所述柔性基板上。优选地，制作OLED显示器件层于所述塑料基板上。
具体包括：
首先，在塑料基板上制作有机发光二极管显示层以及封装有机发光二极管显示层以形成封装层。其中，机发光二极管显示层例如包括薄膜晶体管控制电路、导电电极、有机材料功能层以及金属电极等。封装机发光二极管显示层的方法例如包括金属封装法、玻璃封装法、塑料封装法或薄膜封装法，但并不限定于此。由有机发光二极管显示层的元件对水汽、氧气的腐蚀严重敏感，因此在制作过程中，应尽量避免水汽和氧气，或在真空环境中进行制作。制作有机发光二极管显示层以及封装有机发光二极管显示层以形成封装层为本领域技术人员熟知的技术，在此不再赘述。
在步骤S105中，在完成显示器件层后，对框型硅层进行脱氢处理，以使得所述柔性基板与所述框型硅层分开，从而得到柔性显示器。
优选地，本发明实施例是在完成显示器件层后，对非晶硅进行脱氢，产生的氢气会自动将塑料基板与非晶硅分开，从而得到柔性显示器。
在本发明实施例中，步骤S105具体包括：在完成显示器件层后，采用激光照射方法将非晶硅脱氢，在脱氢过程中，产生的氢气会自动将塑料基板与非晶硅分开，从而得到柔性显示器。其中，优选地，激光可以采用准分子激光。
然而，可以理解的是，由于塑料基板与玻璃基板之间夹着的是框型非晶硅，即塑料基板与玻璃基板的四周边缘才夹有非晶硅，除边缘外的地方均没有非晶硅，所以采用激光照射方法将非晶硅脱氢，在脱氢过程中，产生的氢气会自动将非晶硅与周边的塑料基板分开。这样可减少激光的数量与照射时间，减少激光费用与增加产出速度，也可避免全面性非晶硅脱氢分离后，塑料基板可能发生位移，造成后续工艺与连续生产的困难。
如，以G8.5代玻璃尺寸计算，传统采用激光照射方法将非晶硅脱氢，其照射时间需要240秒以上，本发明实施例采用框型设计可减至50秒以下。
由上可知，采用本发明实施例提供的柔性显示器的制作方法在柔性基板与刚性基板进行贴附工艺之前，增加一道工艺，以形成一框型的高浓度含氢量的硅层，使该框型硅层位于柔性基板与刚性基板之间，用作改善柔性基板在剥离工艺时，不易分离及分离造成柔性基板或刚性基板损坏的工艺技术，完成柔性基板涂布工艺以及显示器工艺后，再利用激光进行脱氢工艺，脱氢可以产生氢气，产生的氢气可以使柔性基板的周边与刚性基板分离，从而使后续的柔性基板与刚性基板的分离工艺可以轻松完成，可以避免柔性基板在分离工艺中损坏造成良率的问题。
本发明实施例提供的技术方案与完全不使用非晶硅膜的现有技术比较，虽然增加一道光罩工艺，造成成本上升约10～15％，但可大幅度提升良率。经实验分析，不使用非晶硅膜分离工艺良率约5％，采用本发明实施例提供的技术后良率可提升到90％以上。
下面结合图2及图3详细描述本发明实施例提供的柔性显示器的制作方法的实现流程。
1、首先将清洗后的玻璃基板，于CVD机台上使用成膜方法长出含氢的非晶硅，成膜时增加氢气气体比例，使非晶硅内含有高比率的氢原子。
2、在非晶硅表面涂抹光阻。
3、然后用光罩对所述光阻进行曝光。
4、接着对光阻进行显影。
5、在显影后，对非晶硅进行蚀刻，形成框型非晶硅。
6、用涂布法或以压合贴合法在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上黏合塑料基板。
7、制作显示器件层于所述塑料基板上。
8、在完成显示器件层后，采用激光照射方法将非晶硅脱氢，在脱氢过程中，产生的氢气会自动将塑料基板与非晶硅分开，从而得到柔性显示器。
综上所述，本发明实施例在塑料基板与玻璃基板进行贴附工艺之前，增加一道工艺，以形成一框型的高浓度含氢量的非晶硅，使该框型非晶硅位于塑料基板与玻璃基板之间，用作改善塑料基板在剥离工艺时，不易分离及分离造成塑料基板或玻璃基板损坏的工艺技术，完成塑料基板涂布工艺以及显示器工艺后，再利用激光进行脱氢工艺，脱氢可以产生氢气，产生的氢气可以使塑料基板的周边与玻璃基板分离，从而使后续的塑料基板与玻璃基板的分离工艺可以轻松完成，可以避免塑料基板在分离工艺中损坏造成良率的问题。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种柔性显示器的制作方法，其特征在于，所述柔性显示器的制作方法包括以下步骤：
在刚性基板上形成一硅层；
经由曝光制程及蚀刻制程将所述硅层做成框型硅层；
在形成有框型硅层的刚性基板表面上贴附柔性基板；
制作显示器件层于所述柔性基板上；
在完成显示器件层后，对框型硅层进行脱氢处理，以使得所述柔性基板与所述框型硅层分开，从而得到柔性显示器。
2.如权利要求1所述的柔性显示器的制作方法，其特征在于，所述刚性基板为玻璃基板，所述硅层采用的材料是非晶硅；
所述在刚性基板上形成一硅层的步骤包括：
在玻璃基板上成膜一非晶硅层。
3.如权利要求2所述的柔性显示器的制作方法，其特征在于，所述在玻璃基板上成膜一非晶硅层的步骤，包括：
将清洗后的玻璃基板，于化学气相沉积机台上使用成膜方法长出含氢的非晶硅，成膜时增加氢气气体比例，使非晶硅内含有高比率的氢原子。
4.如权利要求2所述的柔性显示器的制作方法，其特征在于，所述经由曝光制程及蚀刻制程将所述硅层做成框型硅层的步骤，包括：
在非晶硅层表面涂抹光阻；
然后用光罩对所述光阻进行曝光；
接着对光阻进行显影；
在显影后，对非晶硅层进行蚀刻，形成框型非晶硅。
5.如权利要求2所述的柔性显示器的制作方法，其特征在于，所述柔性基板为塑料基板；
所述在形成有框型硅层的刚性基板表面上贴附柔性基板的步骤包括：
在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上贴附塑料基板。
6.如权利要求5所述的柔性显示器的制作方法，其特征在于，所述在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上贴附塑料基板的步骤，包括：
用涂布法在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上黏合塑料基板。
7.如权利要求5所述的柔性显示器的制作方法，其特征在于，所述在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上贴附塑料基板的步骤，包括：
以压合贴合法在成膜有框型非晶硅的玻璃基板表面上黏合塑料基板。
8.如权利要求5所述的柔性显示器的制作方法，其特征在于，所述在完成显示器件层后，对框型硅层进行脱氢处理，以使得所述柔性基板与所述框型硅层分开，从而得到柔性显示器的步骤包括：
在完成显示器件层后，对非晶硅进行脱氢，产生的氢气会自动将塑料基板与非晶硅分开，从而得到柔性显示器。
9.如权利要求8所述的柔性显示器的制作方法，其特征在于，所述在完成显示器件层后，对非晶硅进行脱氢，产生的氢气会自动将塑料基板与非晶硅分开，从而得到柔性显示器的步骤，包括：
在完成显示器件层后，采用激光照射方法将非晶硅脱氢，在脱氢过程中，产生的氢气会自动将塑料基板与非晶硅分开，从而得到柔性显示器。
10.如权利要求1所述的柔性显示器的制作方法，其特征在于，当制作的是柔性液晶显示器时，所述制作显示器件层于所述柔性基板上的步骤，包括：
制作液晶显示器件层于所述柔性基板上；或者，
当制作的是柔性电泳显示器时，所述制作显示器件层于所述柔性基板上的步骤，包括：
制作电泳显示器件层于所述柔性基板上；或者，
当制作的是柔性有机发光二极管显示器时，所述制作显示器件层于所述柔性基板上的步骤，包括：
制作有机发光二极管显示器件层于所述柔性基板上。
CN201410204555.8A 2014-05-15 2014-05-15 一种柔性显示器的制作方法 Active CN103985665B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410204555.8A CN103985665B (zh) 2014-05-15 2014-05-15 一种柔性显示器的制作方法
US14/382,729 US9287077B2 (en) 2014-05-15 2014-05-19 Manufacturing method of a flexible display
PCT/CN2014/077752 WO2015172396A1 (zh) 2014-05-15 2014-05-19 一种柔性显示器的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410204555.8A CN103985665B (zh) 2014-05-15 2014-05-15 一种柔性显示器的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103985665A CN103985665A (zh) 2014-08-13
CN103985665B true CN103985665B (zh) 2016-08-17

Family

ID=51277583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410204555.8A Active CN103985665B (zh) 2014-05-15 2014-05-15 一种柔性显示器的制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9287077B2 (zh)
CN (1) CN103985665B (zh)
WO (1) WO2015172396A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104465479B (zh) * 2014-12-19 2017-03-01 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法
CN104880846B (zh) * 2015-06-15 2018-07-24 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板及其制作方法、显示装置
FR3060199B1 (fr) 2016-12-08 2019-07-05 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de transfert de couches minces
CN108269732B (zh) * 2017-01-03 2020-08-11 联华电子股份有限公司 形成非晶硅多层结构的方法
CN108346612B (zh) 2017-01-25 2022-01-25 元太科技工业股份有限公司 柔性电子器件的制造方法
WO2019153149A1 (zh) * 2018-02-07 2019-08-15 深圳市柔宇科技有限公司 柔性基板及其制作方法以及电子装置
CN108828863B (zh) * 2018-08-23 2020-09-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性液晶面板的tft阵列基板及其制作方法
CN111129356A (zh) * 2018-11-01 2020-05-08 陕西坤同半导体科技有限公司 制备柔性基板的方法、柔性基板和显示器件
CN109638178A (zh) * 2018-12-05 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示器结构及制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060240275A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Gadkaree Kishor P Flexible display substrates
KR101238009B1 (ko) * 2006-10-26 2013-03-04 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조 방법
CN101785086B (zh) * 2007-09-20 2012-03-21 夏普株式会社 显示装置的制造方法和叠层构造体
WO2009107171A1 (ja) * 2008-02-28 2009-09-03 シャープ株式会社 薄膜積層デバイスの製造方法及び表示装置の製造方法、並びに、薄膜積層デバイス
KR101852190B1 (ko) * 2011-06-28 2018-04-25 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조방법
KR101391774B1 (ko) * 2012-03-13 2014-05-07 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
CN102769109B (zh) * 2012-07-05 2015-05-13 青岛海信电器股份有限公司 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板
KR20140126439A (ko) * 2013-04-23 2014-10-31 삼성디스플레이 주식회사 투명 플렉시블 표시장치의 제조방법 및 이를 이용한 투명 플렉시블 표시장치
CN103700662B (zh) * 2013-12-09 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种承载基板和柔性显示器件制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9287077B2 (en) 2016-03-15
CN103985665A (zh) 2014-08-13
WO2015172396A1 (zh) 2015-11-19
US20150332885A1 (en) 2015-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103985665B (zh) 一种柔性显示器的制作方法
US9076696B2 (en) Method of manufacturing flexible display
US8323066B2 (en) Method of manufacturing flexible display device
US8883053B2 (en) Method for isolating flexible film from support substrate
CN103531715B (zh) 柔性光电器件衬底、柔性光电器件及制备方法
KR20100115298A (ko) 지지 기판에서 플렉시블 기판을 분리하는 방법
CN103400792B (zh) 电子装置及其制造方法
JP2013084526A (ja) 電子デバイスの製造方法、樹脂層付きキャリア基板の製造方法
KR20130003997A (ko) 캐리어 기판과 박형 글라스의 탈부착 방법
US20170047534A1 (en) Method of manufacturing flexible display
CN105810849A (zh) 基板的封装方法
TW201432971A (zh) 電子裝置之製造方法及玻璃積層體之製造方法
US20200243779A1 (en) Flexible display substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus
CN104266475A (zh) 风刀调节装置、风刀式平板清洗设备及风刀调节方法
CN107369780A (zh) 一种显示器件的封装结构及其封装方法、显示装置
CN104808396A (zh) 一种液晶盒及其制备方法、显示装置
CN107482022A (zh) 柔性基板及其制造方法、柔性显示器件和柔性显示装置
CN102651322A (zh) 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示器件
CN107731887A (zh) 柔性oled显示面板的制备方法
CN103745953A (zh) 柔性oled面板的制作方法
KR101582943B1 (ko) 평판 표시 장치의 제조 방법
CN104766820A (zh) 柔性显示装置的制造方法
CN102683389B (zh) 一种柔性显示基板及其制备方法
CN104022079A (zh) 薄膜晶体管基板的制造方法
US10177346B2 (en) Substrate unit, display device and method for manufacturing display device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant