TW201432971A - 電子裝置之製造方法及玻璃積層體之製造方法 - Google Patents

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Tatsuzo MIYAGOE
Hirotoshi Terui
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Abstract

本發明係關於一種電子裝置之製造方法，其係包括剝離性玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置之製造方法，且包括：樹脂層形成步驟，其係於具有第1主面及第2主面且上述第1主面顯示易剝離性之剝離性玻璃基板之上述第1主面上塗佈硬化性樹脂組合物，並對上述剝離性玻璃基板上之未硬化之硬化性樹脂組合物層實施硬化處理，而形成樹脂層；積層步驟，其係將具有外形尺寸小於上述樹脂層外形尺寸之支持基板以於上述樹脂層上殘留不與上述支持基板接觸之周緣區域之方式積層於上述樹脂層上，而獲得切斷前積層體；切斷步驟，其係沿上述切斷前積層體中之上述支持基板之外周緣，將上述樹脂層及上述剝離性玻璃基板切斷；構件形成步驟，其係於上述剝離性玻璃基板之上述第2主面上形成電子裝置用構件，而獲得附有電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係可自上述附有電子裝置用構件之積層體分離包括上述剝離性玻璃基板與上述電子裝置用構件之電子裝置。

Description

電子裝置之製造方法及玻璃積層體之製造方法
本發明係關於一種電子裝置之製造方法及玻璃積層體之製造方法。
近年來，正進行太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等裝置(電子設備)之薄型化、輕量化，並進行用於該等裝置之玻璃基板之薄板化。若由於薄板化而導致玻璃基板之強度不足，則於裝置之製造步驟中，玻璃基板之處理性降低。
因此，自先前廣泛採用於厚於最終厚度之玻璃基板上形成裝置用構件(例如薄膜電晶體)後，藉由化學蝕刻處理而使玻璃基板薄板化的方法。然而，於該方法中，例如於將1片玻璃基板之厚度自0.7mm薄板化至0.2mm或0.1mm之情形時，利用蝕刻液削去原本之玻璃基板之材料之大部分，因此就生產性或原材料之使用效率之觀點而言欠佳。
又，於上述利用化學蝕刻之玻璃基板之薄板化方法中，有於玻璃基板表面存在微細之損傷之情形，及由於蝕刻處理而以損傷為起點形成微細之凹處(腐蝕坑(etch pit))，從而成為光學缺陷之情形。
最近，為了應對上述課題，業界提出準備積層玻璃基板與補強板而成之積層體，於積層體之玻璃基板上形成顯示裝置等電子裝置用構件後，將補強板自玻璃基板分離的方法(例如參照專利文獻1)。補強板包括支持基板與固定於該支持基板上之樹脂層，且樹脂層與玻璃 基板可剝離地密接。將積層體之樹脂層與玻璃基板之界面剝離而自玻璃基板分離之補強板可與新的玻璃基板積層，作為積層體而再次利用。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第07/018028號
另一方面，近年來，隨著電子裝置之高性能化之要求而進行電子裝置用構件之進一步微細化，且實施之步驟更加繁雜化。於該狀況下，亦要求生產性良好地製造性能優異之電子裝置。
本發明者等人使用專利文獻1中記載之積層體進行電子裝置之製造，結果發現有所獲得之電子裝置之性能較差之情形。例如進行OLED面板之製作，結果有於該面板之驅動區域內產生顯示不均之情形。
本發明者等人對上述原因進行了研究，結果發現專利文獻1中記載之積層體中之樹脂層存在厚度不均(尤其是於周緣部存在凸部)，其會損害玻璃基板之平坦性，結果降低電子裝置之製造良率。
圖9(A)中表示製作專利文獻1中記載之積層體時所使用的包括支持基板14與樹脂層12之附有樹脂層之支持基板24的剖面圖。於附有樹脂層之支持基板24中之樹脂層12之露出表面上積層玻璃基板，而形成積層體。如圖9(A)所示，利用專利文獻1中記載之方法所形成之樹脂層12具有厚度不均。該厚度不均於樹脂層12之外周緣附近尤為顯著，而形成凸部80。若於具有此種厚度不均之樹脂層12上積層玻璃基板82，則玻璃基板82之中央部以凹陷之方式彎曲，而損害玻璃基板82之平坦性(參照圖9(B))。由於玻璃基板82之平坦性受到損害，故而產生 配置於玻璃基板82上之電子裝置用構件之位置偏移等，結果有引起電子裝置之性能降低之虞。
又，如圖9(B)所示，若於此種附有樹脂層之支持基板24上積層玻璃基板82，則會於玻璃基板82與樹脂層12之間形成空隙84。將積層體供至電子裝置用構件之製造步驟，於玻璃基板82之露出表面上形成導電層等功能層。此時，使用抗蝕液等各種溶液。
若積層體中存在空隙84，則各種溶液藉由毛細現象而進入。進入空隙84中之材料藉由清洗亦難以去除，容易於乾燥後作為異物而殘留。由於該異物成為因加熱處理等而污染電子裝置用構件之污染源，故而會引起電子裝置之性能降低，結果降低良率。
本發明係鑒於上述課題而成者，其目的在於提供一種使用平坦性優異之附有樹脂層之支持基板的生產性優異之電子裝置之製造方法。
又，本發明之目的亦在於提供一種用於該電子裝置之製造方法的玻璃積層體之製造方法。
本發明者等人為了解決上述課題進行了努力研究，結果完成本發明。
即，本發明之第1態樣係一種電子裝置之製造方法，其係包括剝離性玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置之製造方法，且包括：樹脂層形成步驟，其係於具有第1主面及第2主面且第1主面顯示易剝離性之剝離性玻璃基板之第1主面上塗佈硬化性樹脂組合物，並對剝離性玻璃基板上之未硬化之硬化性樹脂組合物層實施硬化處理，而形成樹脂層；積層步驟，其係將具有小於樹脂層之外形尺寸之外形尺寸的支持基板以於樹脂層上殘留不與支持基板接觸之周緣區域之方式積層於樹脂層上，而獲得切斷前積層體；切斷步驟，其係沿切斷前積層體 中之支持基板之外周緣，將樹脂層及剝離性玻璃基板切斷；構件形成步驟，其係於剝離性玻璃基板之第2主面上形成電子裝置用構件，而獲得附有電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係可自附有電子裝置用構件之積層體分離包括剝離性玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置。
於第1態樣中，較佳為包括表面處理步驟，其係於樹脂層形成步驟之前，利用剝離劑對具有第1主面及第2主面之玻璃基板之第1主面進行處理，而獲得具有顯示易剝離性之表面之剝離性玻璃基板。
又，較佳為包括加熱步驟，其係於表面處理步驟之後且樹脂層形成步驟之前，對剝離性玻璃基板實施加熱處理。
進而，剝離劑較佳為包含聚矽氧油、矽烷化劑或氟系化合物。
於第1態樣中，樹脂層較佳為包含聚矽氧樹脂。
於第1態樣中，較佳為於切斷步驟中，利用平台支持切斷前積層體中之支持基板之主面，並且使支持基板之外周抵接於設置於上述平台上之定位塊。
於第1態樣中，較佳為於切斷步驟中，於切斷前積層體中之剝離性玻璃基板之表面形成切割線後，沿切割線將切斷前積層體中之剝離性玻璃基板及樹脂層之各者之外周部一次性割斷。
本發明之第2態樣係一種玻璃積層體之製造方法，其係依序包括支持基板、樹脂層、及剝離性玻璃基板之玻璃積層體之製造方法，且包括：樹脂層形成步驟，其係於具有第1主面及第2主面且上述第1主面顯示易剝離性之剝離性玻璃基板之第1主面上塗佈硬化性樹脂組合物，並對剝離性玻璃基板上之未硬化之硬化性樹脂組合物層實施硬化處理，而形成樹脂層；積層步驟，其係將具有外形尺寸小於樹脂層外形尺寸之支持基板以於樹脂層上殘留不與上述支持基板接觸之周緣區域之方式積層於樹脂層上，而獲得切斷前積層體；及切斷步驟，其係 沿切斷前積層體中之上述支持基板之外周緣，將樹脂層及剝離性玻璃基板切斷。
於第2態樣中，較佳為包括表面處理步驟，其係於樹脂層形成步驟之前，利用剝離劑對具有第1主面及第2主面之玻璃基板之第1主面進行處理，而獲得具有顯示易剝離性之表面之剝離性玻璃基板。
又，較佳為包括加熱步驟，其係於表面處理步驟之後且樹脂層形成步驟之前，對剝離性玻璃基板實施加熱處理。
根據本發明，可提供一種使用平坦性優異之附有樹脂層之支持基板的生產性優異之電子裝置之製造方法。
又，根據本發明，亦可提供一種用於該電子裝置之製造方法的玻璃積層體之製造方法。
10‧‧‧剝離性玻璃基板
10a‧‧‧顯示剝離性之表面
10b‧‧‧第2主面
12‧‧‧樹脂層
12a‧‧‧周緣區域
14‧‧‧支持基板
14a、14b、14c、14d‧‧‧四邊
16‧‧‧切斷前積層體
18‧‧‧切斷後積層體
20‧‧‧電子裝置用構件
22‧‧‧附有電子裝置用構件之積層體
24‧‧‧附有樹脂層之支持基板
26‧‧‧電子裝置
28‧‧‧空隙
50、70‧‧‧平台
51~53‧‧‧定位塊
54、55‧‧‧移動塊
60‧‧‧加工頭
62‧‧‧切割器
64‧‧‧固持器
66‧‧‧切割線
68‧‧‧裂痕
72‧‧‧夾持治具
80‧‧‧凸部
82‧‧‧玻璃基板
84‧‧‧空隙
圖1係表示本發明之電子裝置之製造方法之一實施形態之製造步驟的流程圖。
圖2(A)~2(F)係按步驟順序表示本發明之電子裝置之製造方法之一實施形態的模式剖面圖。
圖3(A)係積層步驟中所獲得之切斷前積層體之俯視圖。圖3(B)係表示積層支持基板前之樹脂層之狀態的部分剖面圖。圖3(C)係表示積層支持基板後之狀態的比較例之部分剖面圖。圖3(D)係表示積層支持基板後之狀態的本發明之部分剖面圖。
圖4係部分透視地表示載置於平台上之切斷前積層體的俯視圖。
圖5係部分殘缺地表示載置於平台上之切斷前積層體及加工頭的剖面圖。
圖6係表示載置於另一平台上之切斷前積層體及夾持治具的剖面圖。
圖7係表示本發明之電子裝置之製造方法之另一實施形態之製造步驟的流程圖。
圖8係表示本發明之電子裝置之製造方法之另一實施形態之製造步驟的流程圖。
圖9(A)係基於先前技術之附有樹脂層之支持基板的剖面圖。圖9(B)係基於先前技術之積層體之端部的部分剖面圖。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明，但本發明並不限制於以下之實施形態，可於不脫離本發明之範圍之情況下對以下之實施形態施加各種變化及取代。
本發明者等人對專利文獻1之發明之問題進行了研究，結果發現受到塗佈硬化性樹脂組合物之影響、或空氣界面處之表面張力之影響，而於樹脂層之周緣部附近形成凹凸。
因此，於本發明中，首先，藉由在剝離性玻璃基板上使硬化性樹脂組合物硬化形成樹脂層，而使剝離性玻璃基板之表面之平坦性轉印至樹脂層表面，從而抑制於剝離性玻璃基板與樹脂層之間產生空隙。其次，藉由以避開形成於剝離性玻璃基板上之樹脂層之周緣部之凹凸之方式將具有外形尺寸小於樹脂層之外形尺寸之支持基板積層於樹脂層上，而減小樹脂層之凹凸與支持基板之接觸，藉此抑制於樹脂層與支持基板之間產生空隙。其後，藉由將大於支持基板之多餘之剝離性玻璃基板及樹脂層之部分切斷，可獲得包含表面之平坦性優異之剝離性玻璃基板之玻璃積層體(與說明書中之切斷後積層體為相同含義)。發現藉由使用該玻璃積層體，結果可抑制電子裝置之性能降低，並且可提高電子裝置之製造良率。
再者，於本發明中，以下，將下述切斷前積層體或切斷後積層體中之樹脂層與支持基板之層之界面的剝離強度高於玻璃基板之層與 樹脂層之界面的剝離強度亦稱為樹脂層固定於支持基板上，且樹脂層可剝離地密接於玻璃基板。
<第1實施態樣>
圖1係表示本發明之電子裝置之製造方法之一實施形態之製造步驟的流程圖。如圖1所示，電子裝置之製造方法包括樹脂層形成步驟S102、積層步驟S104、切斷步驟S106、構件形成步驟S108、及分離步驟S110。
又，圖2係依序表示本發明之電子裝置之製造方法之各製造步驟的模式剖面圖。
以下，一面參照圖2，一面對各步驟中所使用之材料及其順序進行詳述。首先，對樹脂層形成步驟S102進行詳述。
[樹脂層形成步驟]
樹脂層形成步驟S102係如下步驟：於具有第1主面及第2主面且第1主面顯示易剝離性之剝離性玻璃基板之第1主面上塗佈硬化性樹脂組合物，並對剝離性玻璃基板上之未硬化之硬化性樹脂組合物層實施硬化處理，而形成樹脂層。未硬化之硬化性樹脂組合物層係與剝離性玻璃基板之顯示剝離性之表面不空出間隙地接觸。因此，若使該硬化性樹脂組合物層硬化，則可獲得轉印剝離性玻璃基板之平坦之表面而成之樹脂層，並且可抑制於樹脂層與剝離性玻璃基板之間產生空隙，而於切斷前積層體中抑制剝離性玻璃基板之變形等。
以下，首先對本步驟S102中所使用之構件、材料(剝離性玻璃基板、硬化性樹脂組合物等)進行詳述，其後對本步驟S102之順序進行詳述。
(剝離性玻璃基板)
所謂剝離性玻璃基板，係具有第1主面及第2主面之板狀基板，且係其第1主面顯示易剝離性之基板。顯示易剝離性之第1主面與下述 樹脂層可剝離地密接，於與密接於樹脂層之側為相反側之第2主面設置電子裝置用構件。
如圖2(A)所示，所謂剝離性玻璃基板10，意指具有對於下述樹脂層顯示易剝離性之表面10a之玻璃基板。再者，所謂剝離性玻璃基板之表面所具有之易剝離性，意指於施加用以將剝離性玻璃基板自下述切斷後積層體剝離之外力之情形時，不會於支持基板與樹脂層之界面及樹脂層內部發生剝離，而於剝離性玻璃基板與樹脂層之界面發生剝離的性質。
更具體而言，所謂剝離性玻璃基板之顯示易剝離性之表面，意指水接觸角顯示70°以上之表面。若水接觸角為70°以上，則可容易地進行與所形成之樹脂層之剝離。尤其是就更容易地進行剝離性玻璃基板與樹脂層之界面之剝離而言，水接觸角更佳為90°以上，水接觸角進而較佳為100°以上。水接觸角之上限並無特別限制，就容易於剝離性玻璃基板上形成具有特定厚度之硬化性樹脂組合物之層之方面而言，水接觸角較佳為150°以下。
若所使用之玻璃基板之表面為上述範圍內，則可較佳地用作剝離性玻璃基板。再者，即便於玻璃基板之接觸角為上述範圍外之情形時，亦可藉由實施下述表面處理步驟，而調整其表面之水接觸角。
再者，水接觸角之測定可使用接觸角計(協和界面科學股份有限公司製造，可攜式接觸角計PCA-1等)進行。
剝離性玻璃基板之顯示易剝離性之表面之表面粗糙度Ra就樹脂層之平坦性更優異之方面而言，較佳為2.0nm以下，更佳為1.0nm以下，進而較佳為0.5nm以下。下限並無特別限制，尤佳為0nm。
再者，表面粗糙度Ra之測定可使用原子力顯微鏡(Pacific Nanotechnology公司製造，Nano Scope IIIa；Scan Rate 1.0Hz，Sample Lines256，Off-line Modify Flatten order-2，Planefit order-2 等)，根據JIS B 0601(2001)而進行。
剝離性玻璃基板之大小並無特別限制，可根據所使用之電子裝置之用途而適當選擇最佳之大小，就使用之容易性之方面而言，較佳為縱350~3500mm×橫300~3000mm左右。
若剝離性玻璃基板之線膨脹係數較大，則構件形成步驟S108多伴隨加熱處理，因此容易產生各種不良情況。例如於在剝離性玻璃基板上形成TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之情形時，若將加熱下形成有TFT之剝離性玻璃基板冷卻，則有由於剝離性玻璃基板之熱收縮，而使TFT之位置偏移變得過大之虞。
剝離性玻璃基板之玻璃並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為利用氧化物換算所得之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為剝離性玻璃基板之玻璃，採用適合於電子裝置用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如對於液晶面板用之玻璃基板，由於鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響，故而其係由實質上不含有鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)構成(但通常含有鹼土金屬成分)。如此，玻璃基板之玻璃係根據所應用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。
剝離性玻璃基板之厚度並無特別限定，就剝離性玻璃基板之薄型化及/或輕量化之觀點而言，通常較佳為0.8mm以下，更佳為0.3mm以下，進而較佳為0.15mm以下。於超過0.8mm之情形時，無法滿足剝離性玻璃基板之薄型化及/或輕量化之要求。於0.3mm以下之情形時，可對剝離性玻璃基板賦予良好之可撓性。於0.15mm以下之情形時，可將剝離性玻璃基板捲取為輥狀。又，根據容易製造剝離性玻璃基板，或容易使用剝離性玻璃基板等理由，剝離性玻璃基板之厚度較佳為0.03mm以上。
(硬化性樹脂組合物)
本步驟S102中所使用之硬化性樹脂組合物係可形成樹脂層(密接性樹脂層)之組合物。
作為硬化性樹脂組合物中所含有之硬化性樹脂，只要其硬化膜具有可與對象物可剝離地密接之密接性即可，可使用公知之硬化性樹脂(例如熱硬化性組合物、光硬化性組合物等)。例如可列舉硬化性丙烯酸系樹脂、硬化性胺基甲酸酯樹脂、硬化性聚矽氧等。亦可混合使用若干種硬化性樹脂。其中較佳為硬化性聚矽氧。其原因在於，使硬化性聚矽氧硬化而獲得之聚矽氧樹脂之耐熱性或剝離性優異。
作為硬化性樹脂組合物，較佳為硬化性聚矽氧樹脂組合物(尤其較佳為用於剝離紙用之硬化性聚矽氧樹脂組合物)。使用該硬化性聚矽氧樹脂組合物而形成之樹脂層密接於下述支持基板表面，且其自由表面具有優異之易剝離性，因此較佳。
此種成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧根據其硬化機制而分類為縮合反應型聚矽氧、加成反應型聚矽氧、紫外線硬化型聚矽氧及電子束硬化型聚矽氧，可使用任一者。於該等中，較佳為加成反應型聚矽氧。其原因在於，硬化反應之容易性、形成樹脂層時剝離性之程度良好，且耐熱性亦較高。
加成反應型聚矽氧樹脂組合物係包含主劑及交聯劑，於鉑系觸媒等觸媒之存在下進行硬化之硬化性組合物。加成反應型聚矽氧樹脂組合物之硬化藉由加熱處理而得到促進。加成反應型聚矽氧樹脂組合物中之主劑較佳為具有鍵結於矽原子之烯基(乙烯基等)之有機聚矽氧烷(即有機烯基聚矽氧烷。再者，較佳為直鏈狀)，烯基等成為交聯點。加成反應型聚矽氧樹脂組合物中之交聯劑較佳為具有鍵結於矽原子之氫原子(氫矽烷基)之有機聚矽氧烷(即有機氫聚矽氧烷。再者，較佳為直鏈狀)，氫矽烷基等成為交聯點。
加成反應型聚矽氧樹脂組合物係藉由主劑與交聯劑之交聯點進行加成反應而硬化。
再者，就源自交聯結構之耐熱性更優異之方面而言，有機氫聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子相對於有機烯基聚矽氧烷之烯基的莫耳比較佳為0.5~2。
又，用於形成剝離紙等剝離層之硬化性聚矽氧樹脂組合物於形態上有溶劑型、乳液型及無溶劑型，任一型均可使用。於該等中較佳為無溶劑型。其原因在於，生產性、安全性、環境特性之方面優異。又，其原因在於，不含有於形成下述樹脂層時之硬化時，即加熱硬化、紫外線硬化或電子束硬化時產生發泡之溶劑，因此不易於樹脂層中殘留氣泡。
又，作為用於形成剝離紙等剝離層之硬化性聚矽氧樹脂組合物，具體而言，作為市售之商品名或型號，可列舉KNS-320A、KS-847(均由Shin-Etsu Silicones公司製造)、TPR6700(邁圖高新材料日本有限公司製造)、乙烯基聚矽氧「8500」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基聚矽氧「11364」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基聚矽氧「11365」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合等。
再者，KNS-320A、KS-847及TPR6700係預先含有主劑與交聯劑之硬化性聚矽氧樹脂組合物。
(步驟S102之順序)
首先，於剝離性玻璃基板之顯示易剝離性之表面上塗佈硬化性樹脂組合物之方法並無特別限制，可採用公知之方法。例如作為塗佈方法，可列舉噴塗法、模具塗佈法、旋轉塗佈法、浸塗法、輥塗法、 棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。可根據硬化性樹脂組合物之種類而自此種方法中適當選擇。
又，硬化性樹脂組合物之塗佈量並無特別限制，就獲得樹脂層之較佳之厚度之方面而言，較佳為1~100g/m2，更佳為5~20g/m2。
再者，於硬化性樹脂組合物中含有溶劑之情形時，可視需要進行硬化性樹脂不會硬化之程度之加熱處理，而使溶劑揮發。
將硬化性樹脂組合物塗佈於剝離性玻璃基板上而獲得的未硬化之硬化性樹脂組合物層之厚度並無特別限制，可以獲得下述具有較佳之厚度之樹脂層之方式進行適當調整。
再者，較佳為於下述硬化處理之前，將未硬化之硬化性樹脂組合物層靜置特定時間。藉由靜置，可形成未硬化之硬化性樹脂組合物層之表面之平坦性提高，凹凸更少之樹脂層。
靜置之條件並無特別限制，較佳為於10~50℃、較佳為15~30℃下靜置10~300秒、較佳為30~180秒。
其次，使形成於剝離性玻璃基板上之未硬化之硬化性樹脂組合物層硬化之方法係根據所使用之硬化性樹脂之種類而適當選擇最佳之方法，通常係進行加熱處理或曝光處理。
於硬化性樹脂組合物層中所包含之硬化性樹脂為熱硬化性之情形時，可藉由對未硬化之硬化性樹脂組合物層實施加熱處理，而使該層硬化。加熱處理之條件係根據所使用之熱硬化性樹脂之種類而適當選擇最佳之條件。尤其是就硬化性樹脂之硬化速度及所形成之樹脂層之耐熱性等方面而言，較佳為於150~300℃(較佳為180~250℃)下進行10~120分鐘(較佳為30~60分鐘)加熱處理。
於硬化性樹脂組合物層中所包含之硬化性樹脂為光硬化性樹脂之情形時，可藉由對未硬化之硬化性樹脂組合物層實施曝光處理，而使該層硬化。曝光處理時所照射之光之種類係根據光硬化性樹脂之種 類而適當選擇，例如可列舉紫外光、可見光、紅外光等。又，曝光處理時之照射時間就硬化性樹脂之硬化速度及所形成之樹脂層之耐光性等方面而言，較佳為0.1~10分鐘(較佳為0.5~5分鐘)。
(樹脂層)
藉由經過上述步驟，如圖2(B)所示，於剝離性玻璃基板10之顯示剝離性之表面10a上形成樹脂層12。
樹脂層12之外形尺寸與剝離性玻璃基板10之外形尺寸為相同程度，或小於剝離性玻璃基板10之外形尺寸。
樹脂層之厚度並無特別限定，較佳為1~100μm，更佳為5~30μm，進而較佳為7~20μm。其原因在於，若樹脂層之厚度為上述範圍，則樹脂層與支持基板之密接變得充分。又，其原因在於，即便於樹脂層與支持基板之間介存氣泡或異物，亦可抑制剝離性玻璃基板之變形缺陷之產生。又，若樹脂層之厚度過厚，則形成需要時間及材料，因此不經濟。
再者，樹脂層亦可包含2層以上。於該情形時，「樹脂層之厚度」意指所有層之合計之厚度。
又，於樹脂層包含2層以上之情形時，形成各層之樹脂之種類亦可不同。
樹脂層較佳為包含玻璃轉移點低於室溫(25℃左右)或不具有玻璃轉移點之材料。其原因在於，可更容易地與剝離性玻璃基板剝離，同時與剝離性玻璃基板之密接亦變得充分。
形成樹脂層之樹脂種類並無特別限定，根據上述硬化性樹脂組合物中所含有之樹脂之種類而異。例如可列舉丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、或聚矽氧樹脂。其中，如上所述，較佳為聚矽氧樹脂。即，樹脂層較佳為聚矽氧樹脂層。
再者，樹脂層亦可視需要而包含非硬化性之有機聚矽氧烷，其 含量具體可列舉5質量%以下(0~5質量%)，較佳為0.01~1質量%。若於樹脂層中包含非硬化性之有機聚矽氧烷，則可更高效率地進行下述分離步驟S110中之剝離性玻璃基板與樹脂層之界面處之剝離。
使樹脂層中含有該非硬化性之有機聚矽氧烷之方法並無特別限制，可列舉將其添加至上述硬化性樹脂組合物中之方法。
再者，作為非硬化性之有機聚矽氧烷，可列舉不含有Si-H鍵之聚矽氧油，具體而言，可列舉聚二甲基矽氧烷系或聚甲基苯基矽氧烷系之聚矽氧油等。
[積層步驟]
積層步驟S104係如下步驟：將具有外形尺寸小於樹脂層外形尺寸之支持基板以於樹脂層上殘留不與支持基板接觸之周緣區域之方式積層於樹脂層上，而獲得切斷前積層體(實施切斷處理前之積層體)。換言之，支持基板係以樹脂層露出於支持基板之外周之方式積層於樹脂層上。
更具體而言，如圖2(C)所示，藉由本步驟S104，將外形尺寸小於樹脂層12之支持基板14以於樹脂層12上形成不與支持基板14接觸之周緣區域12a之方式積層於樹脂層12上，而獲得切斷前積層體16。圖3(A)係切斷前積層體16之俯視圖，如該圖所示，樹脂層12之周緣區域12a未與支持基板14接觸。換言之，樹脂層12之表面具有遍及全周不與支持基板14接觸之外周部。
通常於樹脂層12之露出表面，容易因其表面張力之影響而於周緣部附近產生凸部(參照圖3(B))。於將支持基板14積層於樹脂層12上時，若支持基板14與此種凸部接觸，則有於支持基板14與樹脂層12之間產生空隙28等之情形，結果有產生支持基板14與樹脂層12不接觸之區域之情形(圖3(C))。若存在此種區域，則亦有產生樹脂層12之厚度不均之情形，亦可能會成為於附有樹脂層之支持基板之露出表面形成 表面凹凸之原因。又，異物進入該空隙28而成為污染電子裝置用構件之污染源，亦可能會成為降低電子裝置之良率之原因。進而，產生如下擔憂：於積層電子裝置用構件之剝離性玻璃基板10之露出表面產生表面凹凸，而引起配置於剝離性玻璃基板10上之電子裝置用構件之位置偏移等。
因此，如圖3(D)所示，藉由使用具有外形尺寸小於樹脂層12之外形尺寸之支持基板14，可於不與該凸部接觸之情況下使支持基板14與樹脂層12接觸。結果樹脂層12對於支持基板14之密接性更加優異，並且進一步抑制樹脂層12之厚度不均或空隙28之產生。
首先對本步驟S104中所使用之支持基板進行詳述，其後對該步驟S104之順序進行詳述。
(支持基板)
支持基板係於下述構件形成步驟S108(製造電子裝置用構件之步驟)中，於製造電子裝置用構件時防止剝離性玻璃基板之變形、損傷、破損等的基板。
作為支持基板，例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS板等金屬板等。關於支持基板，於構件形成步驟S108伴隨熱處理之情形時，較佳為由與剝離性玻璃基板之線膨脹係數之差較小之材料形成，更佳為由與剝離性玻璃基板相同之材料形成，支持基板較佳為玻璃板。支持基板尤佳為包含與剝離性玻璃基板相同之玻璃材料之玻璃板。
支持基板之厚度可厚於剝離性玻璃基板，亦可薄於剝離性玻璃基板。較佳為根據剝離性玻璃基板之厚度、樹脂層之厚度、及下述切斷後積層體之厚度而選擇支持基板之厚度。例如當前之液晶顯示面板之構件形成步驟係設計為使用厚度0.5~0.7mm之玻璃基板而製造面板。於此情形時，若剝離性玻璃基板之厚度與樹脂層之厚度之和為0.1mm，則將支持基板之厚度設為0.4~0.6mm為宜。支持基板之厚 度於通常之情形時較佳為0.2~5.0mm。
支持基板之大小並無特別限制，就操作性之容易性之方面而言，較佳為縱350~3500mm×橫300~3000mm左右。
於支持基板為玻璃板之情形時，根據易操作且不易破裂等理由，玻璃板之厚度較佳為0.08mm以上。又，根據期待於形成電子裝置用構件後進行剝離時不破裂而適度彎曲之剛性之理由，玻璃板之厚度較佳為1.0mm以下。
剝離性玻璃基板與支持基板之25~300℃下之平均線膨脹係數(以下僅稱為「平均線膨脹係數」)之差較佳為500×10-7/℃以下，更佳為300×10-7/℃以下，進而較佳為200×10-7/℃以下。若差過大，則有於構件形成步驟S108中之加熱冷卻時積層體嚴重翹曲之虞。於剝離性玻璃基板之材料與支持基板之材料相同之情形時，可抑制產生此種問題。
再者，為了提高支持基板與樹脂層之接著強度，可對支持基板之與樹脂層接觸之表面實施電暈處理等活化處理。
(步驟之順序)
將支持基板積層於樹脂層上之方法並無特別限制，可採用公知之方法。
例如可列舉於常壓環境下將支持基板重疊於樹脂層之表面上之方法。再者，亦可視需要於將支持基板重疊於樹脂層之表面上之後，使用輥或壓機使支持基板壓接於樹脂層。藉由利用輥或壓機之壓接，可相對容易地去除混入樹脂層與支持基板之層之間之氣泡，因此較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則可抑制氣泡之混入或確保良好之密接，因此更佳。藉由在真空下進行壓接，即便於殘存有微小之氣泡之情形時，亦有氣泡不會因加熱而成長，不易導致支持基板之變形缺陷之優勢。
於積層支持基板時，較佳為將與樹脂層接觸之支持基板之表面充分地清洗，並於潔淨度較高之環境下進行積層。潔淨度越高，支持基板之平坦性越良好，因此較佳。
藉由上述步驟而獲得之切斷前積層體依序包含剝離性玻璃基板之層、樹脂層、及支持基板之層。
於該態樣中，樹脂層之外形尺寸大於支持基板之外形尺寸。樹脂層之與支持基板接觸之區域之面積A與樹脂層之總面積B之比(面積A/總面積B)較佳為0.98以下，更佳為0.95以下。若為上述範圍內，則進一步抑制樹脂層之厚度不均之產生。下限並無特別限制，就生產性等方面而言，較佳為0.75以上，更佳為0.80以上。
於將支持基板積層於樹脂層上時，只要以於樹脂層上殘留不與支持基板接觸之周緣區域之方式積層於樹脂層上即可，就可進一步抑制支持基板之變形之方面而言，更具體而言，較佳為於距樹脂層之外周緣10mm以內(更佳為15mm以內，尤佳為20mm以內)之區域不貼附支持基板。換言之，於自樹脂層之外周緣於特定之樹脂層上積層支持基板時，自支持基板之外周緣至樹脂層之外周緣為止之長度較佳為超過10mm，更佳為超過15mm，尤佳為超過20mm。若於上述範圍內，則進一步抑制產生於樹脂層之周緣部之凸部與支持基板之接觸。再者，自支持基板之外周緣至樹脂層之外周緣為止之長度之上限並無特別限制，就生產性等方面而言，較佳為100mm以下。
(切斷前積層體)
藉由上述步驟S104而獲得之切斷前積層體依序包括剝離性玻璃基板之層、樹脂層、及支持基板之層。
於所獲得之切斷前積層體中，樹脂層固定(接著)於支持基板上，又，可剝離地密接於剝離性玻璃基板。樹脂層於在下述分離步驟S110中進行將剝離性玻璃基板與附有樹脂層之支持基板分離之操作之前， 防止剝離性玻璃基板之位置偏移。
剝離性玻璃基板之與樹脂層接觸之表面可剝離地密接於樹脂層之表面。於本發明中，將該剝離性玻璃基板之可容易地剝離之性質稱為易剝離性。
於本發明中，上述固定與(可剝離之)密接於剝離強度(即剝離所需之應力)上存在差異，固定意指相對於密接而剝離強度較大。具體而言，切斷前積層體中之樹脂層與支持基板之層之界面的剝離強度大於剝離性玻璃基板之層與樹脂層之界面的剝離強度。
又，所謂可剝離之密接，亦意指在可剝離之同時，可不發生固定之面之剝離而進行剝離。具體而言，意指對於切斷前積層體，於進行將剝離性玻璃基板與支持基板分離之操作之情形時，於密接之面發生剝離，而於固定之面不發生剝離。因此，若進行將切斷前積層體分離為剝離性玻璃基板與支持基板之操作，則切斷前積層體被分離為剝離性玻璃基板與附有樹脂層之支持基板兩者。
如上所述，未硬化之硬化性樹脂組合物層於亦與剝離性玻璃基板接觸之狀態下發生反應硬化，由於剝離性玻璃基板表面之易剝離性(非附著性)，故而所形成之樹脂層因由固體分子間之凡得瓦力(Van Der Waals force)產生之結合力等較弱之結合力而密接於剝離性玻璃基板。與此相對，所形成之樹脂層與經積層之支持基板強烈地接著。
[切斷步驟]
切斷步驟S106係如下步驟：沿上述積層步驟S104中獲得之切斷前積層體中之支持基板之外周緣，將樹脂層及剝離性玻璃基板切斷。換言之，係將切斷前積層體中之樹脂層及剝離性玻璃基板之各者之外周部切斷，而將支持基板、樹脂層、及剝離性玻璃基板之各者之外周緣之全周對齊的步驟。更具體而言，如圖2(D)所示，藉由本步驟S106，沿支持基板14之外周緣將樹脂層12及剝離性玻璃基板10切斷， 而獲得切斷後積層體18(實施切斷處理後之積層體。於本說明書中與玻璃積層體為相同含義)。
以下，對本步驟S106之順序進行詳述。
將樹脂層及剝離性玻璃基板切斷之方法並無特別限制，可採用公知之方法。例如就操作性等方面而言，較佳為根據圖4~圖6所說明之切斷方法。
圖4係部分透視地表示載置於平台上之切斷前積層體的俯視圖，圖5係部分殘缺地表示載置於平台上之切斷前積層體及加工頭的剖面圖，圖6係表示載置於另一平台上之切斷前積層體及夾持治具的剖面圖。
如圖4所示，對於切斷前積層體16，利用平台50指示支持基板14之主面，並且使支持基板14之外周緣抵接於設置於平台50上之定位塊51~53。
於圖4中，將支持基板14之露出表面利用平台50之上表面支持，並使矩形狀之支持基板14之相互垂直之兩邊14a及14b抵接於定位塊51~53。其後，使移動塊54、55接近並抵接於支持基板14之剩餘各邊14c、14d。
如圖4所示，若使支持基板14之外周緣抵接於定位塊51~53，則支持基板14之外周緣與平台50之位置對準精度變得良好。因此，可將支持基板14之外周緣與樹脂層12及剝離性玻璃基板10之外周緣精度良好地對齊。
又，利用真空泵等對設置於平台50之上表面之複數個吸附孔內減壓，而使支持基板14吸附於平台50之上表面。為了保護支持基板14，可於平台50之上表面設置樹脂膜等。
其次，使拍攝裝置拍攝平台50上之切斷前積層體16。將所拍攝之圖像傳送至電腦。電腦對接收之圖像進行圖像處理，而檢測出支持 基板14之外周緣與平台50之位置關係。
其次，電腦根據圖像處理之結果而使加工切斷前積層體16之加工頭60相對於平台50作相對移動。加工頭60之移動軌跡係以俯視下與支持基板14之外周緣重疊之方式進行控制(參照圖5)。
再者，於本實施形態中，由於電腦控制加工頭之移動軌跡，故而設為利用圖像處理之結果，但亦可代替此而利用預先記錄於硬碟等記錄媒體等中之關於支持基板之形狀尺寸之資訊。於該情形時無需拍攝裝置。
圖5所示之加工頭60係根據剝離性玻璃基板10之種類或厚度等而構成。例如加工頭60包括於剝離性玻璃基板10之表面形成切割線66之切割器62等。
切割器62例如為圓板狀，外周部係由金剛石或超合金等形成，固持器64將其可旋轉地支持。若於將切割器62之外周部壓抵於剝離性玻璃基板10之表面之狀態下，使固持器64於剝離性玻璃基板10之面內方向上相對移動，則切割器62一面旋轉，一面於剝離性玻璃基板10之表面形成切割線66。
切割線66係與矩形狀之支持基板14之4邊14a、14b、14c、14d對應地設置4根，且以於俯視下分別與支持基板14之對應之邊重疊之方式形成。各切割線66係以將剝離性玻璃基板10之表面分割之方式自剝離性玻璃基板10之一邊延伸至另一邊。
再者，圖5中所示之本實施形態之加工頭60包括切割器62等，亦可為頂端為圓錐形狀且由金剛石形成，藉由滑動而形成切割線之點刻劃器(point scriber)，還可包括雷射光源等。雷射光源係對剝離性玻璃基板10之表面照射光點。光點於剝離性玻璃基板10之表面上被掃描，藉由熱應力而形成切割線66。
藉由加工頭60而形成切割線66後，使真空泵停止作動，將抽吸 孔內對大氣開放而解除抽吸。其次，將移動塊54、55自支持基板14分離，並且將支持基板14自定位塊51~53分離。其後，將切斷前積層體16提昇至平台50之上方，並移送至另一平台70之上方。繼而，將切斷前積層體16降至下方，並載置於平台70上(參照圖6)。
其次，如圖6所示，利用真空泵等對設置於平台70之上表面之複數個抽吸孔內減壓，而使支持基板14吸附於平台70之上表面。於該狀態下，一根切割線66伸出至平台70之外側。
其次，將較一根切割線66更靠外側之部分於板厚方向上利用夾持治具72進行夾持。若於該狀態下，朝下方旋動夾持治具72，則會對剝離性玻璃基板10及樹脂層12施加彎曲應力，因此裂痕68以1根切割線66為起點向板厚方向延伸擴展，而將剝離性玻璃基板10及樹脂層12一次性割斷(參照圖6)。
其次，解除平台50上之支持基板14之吸附，使切斷前積層體16平行移動或旋動90°後，再次吸附。其後，沿另一根切割線66割斷剝離性玻璃基板10及樹脂層12。重複該操作，沿4根切割線66割斷剝離性玻璃基板10及樹脂層12。
再者，於本實施形態中，設為將切斷前積層體16自平台50移送至另一平台70以進行割斷，亦可於相同之平台50上平行移動或旋動90°後進行割斷。又，亦可視需要對割斷部實施倒角處理。
[構件形成步驟]
構件形成步驟S108係如下步驟：於上述切斷步驟S106中獲得之切斷後積層體中之剝離性玻璃基板之第2主面上形成電子裝置用構件，而獲得附有電子裝置用構件之積層體。
更具體而言，如圖2(E)所示，於剝離性玻璃基板10之第2主面10b上形成電子裝置用構件20，而獲得附有電子裝置用構件之積層體22。
首先對本步驟S108中所使用之電子裝置用構件進行詳述，其後 對步驟S108之順序進行詳述。
(電子裝置用構件(功能性元件))
電子裝置用構件係形成於切斷後積層體中之剝離性玻璃基板之第2主面上且構成電子裝置之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子裝置用構件，可列舉用於顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、或於表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等之構件。作為顯示裝置用面板，包括有機EL面板、電漿顯示面板、場發射面板等。
例如作為太陽電池用構件，對於矽型，可列舉正極之氧化錫等透明電極、p層/i層/n層所表示之矽層、及負極之金屬等，除此以外，可列舉與化合物型、色素增感型、量子點型等對應之各種構件等。
又，作為薄膜二次電池用構件，對於鋰離子型，可列舉正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，除此以外，可列舉與鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等對應之各種構件等。
又，作為電子零件用構件，對於CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補性金屬氧化物半導體)，可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，除此以外，可列舉與壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、軟性印刷基板、剛性軟性印刷基板等對應之各種構件等。
(步驟之順序)
上述附有電子裝置用構件之積層體之製造方法並無特別限定，可根據電子裝置用構件之構成構件之種類而利用先前公知之方法，於切斷後積層體之剝離性玻璃基板之第2主面表面上形成電子裝置用構件。
再者，電子裝置用構件亦可為全部構件之一部分(以下稱為「部分構件」)而非最終形成於剝離性玻璃基板之第2主面之全部之構件(以下稱為「全部構件」)。亦可將自樹脂層剝離之附有部分構件之剝離性玻璃基板於之後之步驟中製成附有全部構件之剝離性玻璃基板(相當於下述電子裝置)。
又，亦可組裝附有全部構件之積層體，其後，自附有全部構件之積層體剝離附有樹脂層之支持基板，而製造電子裝置。進而，亦可使用2片附有全部構件之積層體而組裝電子裝置，其後，自附有全部構件之積層體剝離2片附有樹脂層之支持基板，而製造電子裝置。
例如以製造OLED之情形為例，為了於切斷後積層體之剝離性玻璃基板之與樹脂層側為相反側之表面上(相當於剝離性玻璃基板之第2主面)形成有機EL構造體，進行以下等各種層形成或處理：形成透明電極；進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等；形成背面電極；使用密封板進行密封。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如TFT-LCD之製造方法包括如下等各種步驟：TFT形成步驟，其係於切斷後積層體之剝離性玻璃基板之第2主面上，使用抗蝕液使藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等一般之成膜法而形成之金屬膜及金屬氧化膜等形成圖案，而形成薄膜電晶體(TFT)；CF形成步驟，其係於另一個切斷後積層體之玻璃基板之第2主面1上，使用抗蝕液形成圖案，而形成彩色濾光片(CF)；貼合步驟，其係以TFT與CF對向之方式，經由密封而積層TFT形成步驟中獲得之附有TFT之積層體與CF形成步驟中獲得之附有CF之積層體。
於TFT形成步驟或CF形成步驟中，係使用周知之光微影技術或蝕 刻技術等，於剝離性玻璃基板之第2主面上形成TFT或CF。此時，使用抗蝕液作為圖案形成用之塗佈液。
再者，亦可於形成TFT或CF前，視需要而清洗剝離性玻璃基板之第2主面。作為清洗方法，可使用周知之乾式清洗或濕式清洗。
於貼合步驟中，例如於附有TFT之積層體與附有CF之積層體之間注入液晶材料而進行積層。作為注入液晶材料之方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。
[分離步驟]
分離步驟S110係如下步驟：自上述構件形成步驟S108中獲得之附有電子裝置用構件之積層體，將剝離性玻璃基板與樹脂層之界面作為剝離面而去除包括樹脂層及支持基板之附有樹脂層之支持基板，從而獲得包括剝離性玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置。更具體而言，如圖2(F)所示，藉由該步驟S110，自附有電子裝置用構件之積層體22分離並去除附有樹脂層之支持基板24，而獲得包括剝離性玻璃基板10與電子裝置用構件20之電子裝置26。
於剝離時之剝離性玻璃基板上之電子裝置用構件為形成所需之全部構成構件之一部分之情形時，亦可於分離後，於剝離性玻璃基板上形成剩餘之構成構件。
將剝離性玻璃基板與樹脂層剝離之方法並無特別限定。具體而言，例如可於剝離性玻璃基板與樹脂層之界面插入銳利之刀具狀者，而給予剝離之契機後，吹送水與壓縮空氣之混合流體而進行剝離。較佳為以附有電子裝置用構件之積層體中之支持基板成為上側、電子裝置用構件成為下側之方式設置於壓盤上，並使電子裝置用構件側真空吸附於壓盤上，於該狀態下首先使刀具侵入至剝離性玻璃基板與樹脂層之界面。並且，其後利用複數個真空吸附墊吸附支持基板側，使真空吸附墊自插入有刀具之部位附近逐漸上升。若如此操作，則可於剝 離性玻璃基板與樹脂層之界面形成空氣層，該空氣層擴散至整個界面，而將附有樹脂層之支持基板容易地剝離。
又，於自附有電子裝置用構件之積層體去除附有樹脂層之支持基板時，可藉由控制利用離子化器之吹送或濕度，而抑制可能會影響電子裝置之靜電。或者，亦可將消耗靜電之電路組入至電子裝置中，或組入犧牲電路而自端子部向積層體外進行導通。
藉由上述步驟而獲得之電子裝置適合於製造如行動電話或PDA之移動終端所使用之小型顯示裝置。顯示裝置主要為LCD或OLED，作為LCD，包括TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Field Effect，場效應)型、TFT型、MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，橫向電場切換)型、VA(Vertical Alignment，垂直配向)型等。基本上於被動驅動型、主動驅動型之任一者之顯示裝置之情形均可應用。
又，可對電子裝置中之剝離性玻璃基板之顯示易剝離性之表面實施常壓電漿處理等，而以水接觸角變小之方式改變表面之性狀。
<第2實施態樣>
圖7係表示本發明之電子裝置之製造方法之另一實施形態之製造步驟的流程圖。如圖7所示，電子裝置之製造方法包括表面處理步驟S112、樹脂層形成步驟S102、積層步驟S104、切斷步驟S106、構件形成步驟S108、及分離步驟S110。
圖7所示之各步驟除包括表面處理步驟S112之方面以外，係與圖1所示之步驟同樣之順序，對相同之步驟標註相同之參照符號，並省略其說明，以下，主要對表面處理步驟S112進行說明。
[表面處理步驟]
表面處理步驟S112係如下步驟：利用剝離劑對具有第1主面及第 2主面之玻璃基板之第1主面進行處理，而獲得具有顯示易剝離性之表面之剝離性玻璃基板。藉由實施該步驟S112，可對各種玻璃基板賦予易剝離性表面。
首先對本步驟中所使用之玻璃基板及剝離劑進行詳述，其後對該步驟S102之順序進行詳述。
(玻璃基板)
玻璃基板係具有第1主面及第2主面之板狀基板，且其第1主面經剝離劑進行表面處理。經表面處理而顯示易剝離性之第1主面可剝離地密接於下述樹脂層，於與密接於樹脂層之側為相反側之第2主面上設置電子裝置用構件。
玻璃基板之種類可為一般者，例如可列舉LCD、OLED等顯示裝置用之玻璃基板等。玻璃基板之耐化學品性、耐透濕性優異，且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，可使用JIS R 3102(1995年修正)中所規定之線膨脹係數。
玻璃基板係使玻璃原料熔融，並將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為一般者，例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，尤其是厚度較薄之玻璃基板可藉由將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形之溫度，並利用延伸等方法拉伸使其變薄的方法(再曳引法)進行成形而獲得。
玻璃基板之玻璃並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為利用氧化物換算所得之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板之玻璃，採用適合於電子裝置用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如對於液晶面板用之玻璃基板，由於鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響，故而其係由實質上不含有鹼金屬成分之 玻璃(無鹼玻璃)構成(但通常含有鹼土金屬成分)。如此，玻璃基板之玻璃係根據所應用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。
玻璃基板之厚度及大小與上述剝離性玻璃基板之厚度及大小為相同含義。
再者，玻璃基板亦可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為不同種材料。又，於該情形時，「玻璃基板之厚度」意指所有層之合計之厚度。
(剝離劑)
作為剝離劑可使用公知之剝離劑，例如可列舉聚矽氧系化合物(例如聚矽氧油等)、矽烷化劑(例如六甲基二矽氮烷等)、氟系化合物(例如氟樹脂等)等。剝離劑可以乳液型、溶劑型、無溶劑型之形式使用。就剝離力、安全性、成本等而言，作為較佳例之一，可列舉含有甲基矽烷基(≡SiCH3、=Si(CH3)2、-Si(CH3)3之任一者)或氟烷基(-CmF2m+1)(m較佳為1~6之整數)之化合物，作為其他較佳例，可列舉聚矽氧系化合物或氟系化合物，尤佳為聚矽氧油。
聚矽氧油之種類並無特別限定，可例示二甲基聚矽氧油、甲基苯基聚矽氧油、甲基氫聚矽氧油等純聚矽氧油(straight silicone oil)；於純聚矽氧油之側鏈或末端導入有烷基、氫基、環氧基、胺基、羧基、聚醚基、鹵基等之改性聚矽氧油。作為純聚矽氧油之具體例，可列舉甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷、甲基苯基聚矽氧烷、二苯基聚矽氧烷等，耐熱性按照列舉之順序增加，耐熱性最高者為二苯基聚矽氧烷。該等聚矽氧油一般用於玻璃基板或經底塗處理之金屬基板等基板之表面之撥水處理。
關於聚矽氧油，就與玻璃基板之被處理表面結合之處理之效率性之觀點而言，25℃下之動黏度較佳為5000mm2/s以下，更佳為500mm2/s以下。動黏度之下限並無特別限制，考慮操作之方面或成本， 較佳為0.5mm2/s以上。
上述聚矽氧油中，就與樹脂層之剝離性良好之方面而言，較佳為純聚矽氧油，尤其是就賦予較高之剝離性之方面而言，較佳為二甲基聚矽氧烷。又，於與剝離性一併尤其需要耐熱性之情形時，較佳為甲基苯基聚矽氧烷或二苯基聚矽氧烷。
氟系化合物之種類並無特別限定，可列舉全氟烷基銨鹽、全氟烷基磺醯胺、全氟烷基磺酸鹽(例如全氟烷基磺酸鈉)、全氟烷基鉀鹽、全氟烷基羧酸鹽、全氟烷基環氧乙烷加成物、全氟烷基三甲基銨鹽、全氟烷基胺基磺酸鹽、全氟烷基磷酸酯、全氟烷基化合物、全氟烷基甜菜鹼、全氟烷基鹵化合物等。再者，作為含有氟烷基(CmF2m+1)之化合物，例如可列舉上述氟系化合物之例示化合物中之具有氟烷基之化合物。關於m之上限，於剝離性能方面並無特別限制，但就操作上之安全性更優異之方面而言，m較佳為1~6之整數。
(步驟S112之順序)
玻璃基板之表面之處理方法係根據所使用之剝離劑而適當選擇最佳之方法。通常藉由對玻璃基板之第1主面之表面賦予(例如塗佈)剝離劑而進行處理。
例如於使用聚矽氧油之情形時，可列舉將聚矽氧油塗佈於玻璃基板表面之方法。其中較佳為於塗佈聚矽氧油後，進行使聚矽氧油結合於玻璃基板之被處理表面之處理。使聚矽氧油結合於被處理表面之處理係如切斷聚矽氧油之分子鏈之處理，經切斷之片段結合於被處理表面(以下將該處理稱為聚矽氧油之低分子化)。
聚矽氧油之塗佈方法可為一般之方法。例如根據聚矽氧油之種類或塗佈量等，自噴塗法、模具塗佈法、旋轉塗佈法、浸塗法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法、刮刀塗佈(squeegee coating)法等中適當選擇。
作為塗佈液，較理想為使用藉由己烷、庚烷、二甲苯、異烷烴、酮類等溶劑將聚矽氧油稀釋至5質量%以下而成之溶液。若超過5質量%，則低分子化之處理時間過長。
塗佈液中所含有之溶劑視需要利用加熱及/或減壓乾燥等方法去除。亦可藉由低分子化步驟中之加熱而去除。
聚矽氧油之塗佈量較佳為0.1~10μg/cm2。若為0.1μg/cm2以上，則於剝離性更優異之方面較佳，若為10μg/cm2以下，則於塗佈液之塗佈性及低分子化處理性更優異之方面較佳。
使聚矽氧油低分子化之方法可使用一般之方法，例如有藉由光分解或熱分解而切斷聚矽氧油之矽氧烷鍵之方法。光分解係利用自低壓水銀燈或氙弧燈等照射之紫外線，亦可併用大氣中之因紫外線照射而產生之臭氧。熱分解可利用分批式爐、輸送式爐等進行，亦可利用電漿或電弧放電等。
若將聚矽氧油之矽氧烷鍵或矽原子與碳原子之鍵切斷，則產生之活性部位與被處理表面之羥基等活性基進行反應。其結果，被處理表面之甲基等疏水性官能基之密度變高，親水性之極性基之密度減少，結果對被處理表面賦予易剝離性。
再者，進行表面處理之玻璃基板之表面較佳為充分清潔之面，較佳為剛清洗後之面。作為清洗方法，可使用用於清洗玻璃表面或樹脂表面之一般之方法。
不進行表面處理之表面較理想為利用掩膜(mask)等保護膜預先進行保護。
又，於使用六甲基二矽氮烷等矽烷化劑之情形時，較佳為使矽烷化劑之蒸氣與玻璃基板表面接觸。再者，亦可使玻璃基板於加熱之狀態下與矽烷化劑之蒸氣接觸。
矽烷化劑之蒸氣濃度較高者，即接近飽和濃度者可縮短處理時 間，因此較佳。矽烷化劑與玻璃基板之接觸時間可於不損害剝離性玻璃基板之功能之範圍內縮短。
<第3實施態樣>
圖8係表示本發明之電子裝置之製造方法之另一實施形態之製造步驟的流程圖。如圖8所示，電子裝置之製造方法包括表面處理步驟S112、加熱步驟S114、樹脂層形成步驟S102、積層步驟S104、切斷步驟S106、構件形成步驟S108、及分離步驟S110。
圖8所示之各步驟除包括加熱步驟S114之方面以外，係與圖7所示之步驟同樣之順序，對相同之步驟標註相同之參照符號，並省略其說明，以下，主要對加熱步驟S114進行說明。
[加熱步驟S114]
加熱步驟S114係如下步驟：對上述表面處理步驟S112中獲得之剝離性玻璃基板實施加熱處理。藉由實施該步驟S114，進行剝離性玻璃基板上之剝離劑之再排列，而獲得進一步顯示剝離性之表面，結果剝離性玻璃基板與樹脂層之剝離性變得更加良好。
加熱步驟S114中之加熱條件並無特別限制，可根據所使用之剝離劑之種類而適當選擇最佳之條件。
其中，就生產性及剝離性玻璃基板與樹脂層之剝離性兩者良好之方面而言，作為加熱溫度，較佳為100~350℃，更佳為150~350℃，進而較佳為200~300℃。又，作為加熱時間，較佳為1~30分鐘，更佳為2~20分鐘。
[實施例]
以下，藉由實施例等具體地說明本發明，但本發明並不受該等例限定。
於以下之實施例1~7、比較例1~2中，作為剝離性玻璃基板用之玻璃基板，使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱970mm，橫780 mm，板厚0.2mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造之商品名「AN100」)。又，作為支持基板，使用同樣包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱880mm，橫680mm，板厚0.5mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造之商品名「AN100」)。
(實施例1)
將用作剝離性玻璃基板之玻璃基板進行鹼性清洗、純水清洗，而將表面清潔化。其後，將聚矽氧油含量為1質量%之Isopar G(異烷烴系溶劑)溶液刮刀塗佈於玻璃基板之第1主面並進行乾燥。聚矽氧油係使用二甲基聚矽氧烷(Dow Corning Toray公司製造，SH200，動黏度190~210mm2/s)。
繼而，於250℃下進行10分鐘加熱處理，而獲得剝離性玻璃基板。
其後，使用接觸角計(協和界面科學股份有限公司製造，可攜式接觸角計PCA-1)測定剝離性玻璃基板之第1主面之水接觸角，結果為107°。
其次，於剝離性玻璃基板之第1主面上，利用模具塗佈將於兩末端具有乙烯基之直鏈狀有機烯基聚矽氧烷(乙烯基聚矽氧，荒川化學工業公司製造，ASA-V01)、於分子內具有氫矽烷基之甲基氫聚矽氧烷(荒川化學工業公司製造，ASA-X01)、鉑系觸媒(荒川化學工業公司製造，ASA-C01)、及IP Solvent 2028(出光興產公司製造)的混合液以縱920mm、橫730mm之大小塗佈為長方形，而將包含未硬化之硬化性聚矽氧之層設置於剝離性玻璃基板上。此處，直鏈狀有機烯基聚矽氧烷與甲基氫聚矽氧烷之混合比係以乙烯基與氫矽烷基之莫耳比成為1：1之方式進行調節。又，對於鉑系觸媒，相對於直鏈狀有機烯基聚矽氧烷與甲基氫聚矽氧烷之合計100質量份設為4質量份。又，IP Solvent 2028係以溶液固形物成分濃度成為40重量%之方式進行調 節。
其次，將其以250℃於大氣中加熱乾燥硬化20分鐘，而獲得包含厚度8μm之經硬化之聚矽氧樹脂層之硬化後積層體A1。
其次，將板厚0.5mm之支持基板之與聚矽氧樹脂層接觸之側之面(第1主面)進行鹼性清洗、純水清洗而清潔化。其後，於室溫下藉由輥壓機貼合支持基板之第1主面與聚矽氧樹脂層，而獲得切斷前積層體。此時，以於聚矽氧樹脂層上殘留不與支持基板接觸之周緣區域之方式，將支持基板積層於聚矽氧樹脂層上。再者，自支持基板之外周緣至聚矽氧樹脂層之外周緣為止之長度約為15mm以上。又，聚矽氧樹脂層之與支持基板接觸之區域之面積A與聚矽氧樹脂層之總面積B之比(面積A/總面積B)為0.89。
繼而，將切斷前積層體之支持基板固定於安裝有定位治具之壓盤上，以自壓盤之上表面與支持基板之外周緣中之一邊重疊之方式，於剝離性玻璃基板之第2主面上利用金剛石磨輪切割器刻畫切割線後，利用夾持治具夾住剝離性玻璃基板之切割線之外側並將其割斷。同樣地亦對與支持基板之外周緣之剩餘3邊重疊之剝離性玻璃之外側進行割斷後，利用具有曲面之磨石研磨剝離性玻璃基板之割斷面而實施倒角，從而獲得切斷後積層體。
繼而，使切斷後積層體中之剝離性玻璃基板之和與聚矽氧樹脂層之接觸面相反之面(第2主面)真空吸附於壓盤上之後，於剝離性玻璃基板之4處角隅部中之1處角隅部之剝離性玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，而於剝離性玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面給予剝離之契機。並且，利用24個真空吸附墊吸附支持基板表面後，自接近插入有刀具之角隅部之吸附墊逐漸上升。此處，刀具之插入係一面自離子化器(Keyence公司製造)向該界面吹送去靜電流體一面進行。其次，一面自離子化器繼續向形成之空隙吹送 去靜電流體，一面提拉真空吸附墊。其結果，可剝離於第1主面形成有聚矽氧樹脂層之支持基板(附有樹脂層之支持基板)。
此時，於剝離性玻璃基板之與聚矽氧樹脂層密接之面(第1主面)上，目視上未見聚矽氧樹脂之附著。再者，根據該結果，確認聚矽氧樹脂層與支持基板之層之界面的剝離強度大於剝離性玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度。
(實施例2)
將對剝離性玻璃基板於250℃下實施10分鐘之加熱處理變更為於200℃下實施10分鐘，除此以外，藉由與實施例1同樣之方法獲得切斷後積層體A2。此時，使用接觸角計(協和界面科學股份有限公司製造，可攜式接觸角計PCA-1)測定剝離性玻璃基板之第1主面之水接觸角，結果為106°。
其次，藉由與實施例1同樣之方法，自切斷後積層體A2剝離附有樹脂層之支持基板，而獲得剝離性玻璃基板。此時，於剝離性玻璃基板之與聚矽氧樹脂層密接之面(第1主面)上，目視上未見聚矽氧樹脂之附著。
(實施例3)
將對剝離性玻璃基板於250℃下實施10分鐘之加熱處理變更為於150℃下實施10分鐘，除此以外，藉由與實施例1同樣之方法獲得切斷後積層體A3。此時，使用接觸角計(協和界面科學股份有限公司製造，可攜式接觸角計PCA-1)測定剝離性玻璃基板之第1主面之水接觸角，結果為105°。再者，此時，準備50片切斷後積層體A3。
其次，藉由與實施例1同樣之方法，自切斷後積層體A3剝離附有樹脂層之支持基板，而獲得50片剝離性玻璃基板。此時，於剝離性玻璃基板之與聚矽氧樹脂層密接之面(第1主面)上，目視上可見聚矽氧樹脂之附著者僅為1片。
(實施例4)
將對剝離性玻璃基板於250℃下實施10分鐘之加熱處理變更為於100℃下實施10分鐘，除此以外，藉由與實施例1同樣之方法獲得切斷後積層體A4。此時，使用接觸角計(協和界面科學股份有限公司製造，可攜式接觸角計PCA-1)測定剝離性玻璃基板之第1主面之水接觸角，結果為97°。再者，此時，準備50片切斷後積層體A4。
其次，藉由與實施例1同樣之方法，自切斷後積層體A4剝離附有樹脂層之支持基板，而獲得50片剝離性玻璃基板。此時，於剝離性玻璃基板之與聚矽氧樹脂層密接之面(第1主面)上，目視上可見聚矽氧樹脂之附著者僅為6片。
(實施例5)
將聚矽氧油含量自1質量%變更為0.01質量%，將對剝離性玻璃基板於250℃下實施10分鐘之加熱處理變更為於100℃下實施10分鐘，除此以外，藉由與實施例1同樣之方法獲得切斷後積層體A5。此時，使用接觸角計(協和界面科學股份有限公司製造，可攜式接觸角計PCA-1)測定剝離性玻璃基板之第1主面之水接觸角，結果為75°。再者，此時，準備50片切斷後積層體A5。
其次，藉由與實施例1同樣之方法，自切斷後積層體剝離附有樹脂層之支持基板，而獲得50片剝離性玻璃基板。此時，於剝離性玻璃基板之與聚矽氧樹脂層密接之面(第1主面)上，目視上可見聚矽氧樹脂之附著者僅為8片。
由實施例1~5之結果可知，對於利用本發明之玻璃積層體之製造方法獲得之玻璃積層體(切斷後積層體)，確認聚矽氧樹脂層與支持基板之層之界面的剝離強度大於剝離性玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度。又，確認抑制於剝離性玻璃基板之表面上產生聚矽氧樹脂層之附著，適合於下述電子裝置之製造。尤其是於剝離性玻 璃基板之表面之水接觸角為100°以上之情形時，確認進一步抑制聚矽氧樹脂層之附著。
(實施例6)
於本例中，使用實施例1中獲得之切斷後積層體製作OLED。
更具體而言，於切斷後積層體中之剝離性玻璃基板之第2主面上，藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。其次，藉由電漿CVD法，於設置有閘極電極之剝離性玻璃基板之第2主面側，進而按照氮化矽、本徵非晶矽、n型非晶矽之順序進行成膜，繼而藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極絕緣膜、半導體元件部及源極/汲極電極。其次，藉由電漿CVD法，於剝離性玻璃基板之第2主面側進而使氮化矽成膜而形成鈍化層後，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成像素電極。
繼而，於剝離性玻璃基板之第2主面側，進而藉由蒸鍍法依序成膜作為電洞注入層之4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺、作為電洞傳輸層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、作為發光層之於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)而成者、及作為電子傳輸層之Alq3。其次，於剝離性玻璃基板之第2主面側藉由濺鍍法使鋁成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成對向電極。其次，於形成有對向電極之剝離性玻璃基板之第2主面上，經由紫外線硬化型之接著層而貼合另一片玻璃基板進行密封。藉由上述順序而獲得之於剝離性玻璃基板上包含有機EL構造體之切斷後積層體相當於附有支持基板之顯示裝置用面板(面板A1)(附有電子裝置用構件之積層體)。
繼而，使面板A1之密封體側真空吸附於壓盤上之後，於面板A1之角隅部之剝離性玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之 不鏽鋼製刀具，自面板A1分離附有樹脂層之支持基板，而獲得OLED面板(相當於電子裝置，以下稱為面板A)。
將IC驅動器連接於所製作之面板A並進行驅動，結果於驅動區域內未見顯示不均。
(實施例7)
於本例中，使用實施例1中獲得之切斷後積層體製作LCD。
準備2片切斷後積層體，首先，於一個切斷後積層體中之剝離性玻璃基板之第2主面上藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。其次，藉由電漿CVD法，於設置有閘極電極之剝離性玻璃基板之第2主面側，進而按照氮化矽、本徵非晶矽、n型非晶矽之順序進行成膜，繼而藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極絕緣膜、半導體元件部及源極/汲極電極。其次，藉由電漿CVD法，於剝離性玻璃基板之第2主面側進而使氮化矽成膜而形成鈍化層後，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成像素電極。其次，於形成有像素電極之剝離性玻璃基板之第2主面上，藉由輥塗法塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化而形成配向層並進行摩擦。將所獲得之切斷後積層體稱為切斷後積層體A1。
其次，於另一個切斷後積層體中之剝離性玻璃基板之第2主面上藉由濺鍍法使鉻成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成遮光層。其次，於設置有遮光層之剝離性玻璃基板之第2主面側，進而藉由模具塗佈法塗佈彩色抗蝕劑，並藉由光微影法及熱硬化而形成彩色濾光片層。其次，於剝離性玻璃基板之第2主面側，進而藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜而形成對向電極。其次，於設置有對向電極之剝離性玻璃基板之第2主面上，藉由模具塗佈法塗佈紫外線硬化樹脂液，並藉由光微影法及熱硬化而形成柱狀間隔件。其次，於形成有柱狀間隔件之剝 離性玻璃基板之第2主面上，藉由輥塗法塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化而形成配向層並進行摩擦。其次，於剝離性玻璃基板之第2主面側，藉由分配(dispenser)法將密封用樹脂液繪成框狀，並於框內藉由分配法滴加液晶後，使用上述切斷後積層體A1，將2片切斷後積層體之剝離性玻璃基板之第2主面側彼此貼合，藉由紫外線硬化及熱硬化而獲得包含LCD面板之積層體。以下，將此處之包含LCD面板之積層體稱為附有面板之積層體B1。
其次，與實施例1同樣地自附有面板之積層體B1剝離兩面之附有樹脂層之支持基板，而獲得包含形成有TFT陣列之玻璃基板及形成有彩色濾光片之玻璃基板之LCD面板B(相當於電子裝置)。
將IC驅動器連接於所製作之LCD面板B並進行驅動，結果於驅動區域內未見顯示不均。
(比較例1)
與實施例1同樣地將支持基板之第1主面進行鹼性清洗、純水清洗，而將表面清潔化。
其次，藉由網版印刷將實施例1中之於末端具有乙烯基之直鏈狀有機烯基聚矽氧烷、於分子內具有氫矽烷基之甲基氫聚矽氧烷、及鉑系觸媒之混合液99.5質量份、與聚矽氧油(Dow Corning Toray公司製造，SH200)0.5質量份的混合物塗佈於支持基板之第1主面上。其次，將其以250℃於大氣中加熱硬化30分鐘，而形成厚度10μm之經硬化之聚矽氧樹脂層。
繼而，將玻璃基板之第1主面進行純水清洗、UV清洗而清潔化後，於室溫下藉由真空加壓使其與形成於支持基板之第1主面上之聚矽氧樹脂層密接，而獲得積層體C1。
然後，於積層體C1之玻璃基板上藉由與實施例6同樣之順序而製作OLED後，將附有樹脂層之支持基板剝離，而獲得OLED面板(以下 稱為面板P)。
將IC驅動器連接於所製作之面板P並進行驅動，結果於驅動區域內可見顯示不均，且不良部存在於相當於積層體C1之端部附近之部分。
(比較例2)
利用與比較例1同樣之方法獲得2片積層體C1。
其次，按照與實施例7同樣之順序，使用2片積層體C1而獲得包含LCD面板之積層體。進而，自所獲得之積層體剝離兩面之附有樹脂層之支持基板，而獲得LCD面板(以下稱為面板Q)。
將IC驅動器連接於所製作之面板Q並進行驅動，結果於驅動區域內可見顯示不均，且不良部存在於相當於積層體C1之端部附近之部分。
如上述實施例6及7所示，根據本發明之電子裝置之製造方法，可良率良好地製造性能優異之電子裝置。再者，於實施例6及7中係使用實施例1中製造之切斷後積層體，但即便使用實施例2~5中製造之切斷後積層體來代替實施例1中製造之切斷後積層體，亦可與實施例6及7同樣地良率良好地製造性能優異之電子裝置。
另一方面，對於專利文獻1中記載之先前之方法，如上述比較例1及2所示，有發生所獲得之電子裝置之性能降低之情形。於比較例1及2中，於電子裝置之端部(周緣部)附近可見顯示不均。認為其原因如上所述，由於藉由硬化處理而獲得之樹脂層(尤其是樹脂層之外周緣附近)存在厚度不均，而於玻璃基板與樹脂層之間產生空隙，異物進入該空隙中而導致電子裝置之性能降低。
本申請案係基於2012年12月13日提出申請之日本專利出願2012-272553者，其內容作為參照被併入本文。
10‧‧‧剝離性玻璃基板
10a‧‧‧顯示剝離性之表面
10b‧‧‧第2主面
12‧‧‧樹脂層
12a‧‧‧周緣區域
14‧‧‧支持基板
16‧‧‧切斷前積層體
18‧‧‧切斷後積層體
20‧‧‧電子裝置用構件
22‧‧‧附有電子裝置用構件之積層體
24‧‧‧附有樹脂層之支持基板
26‧‧‧電子裝置

Claims (10)

  1. 一種電子裝置之製造方法，其係包括剝離性玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置之製造方法，且包括：樹脂層形成步驟，其係於具有第1主面及第2主面且上述第1主面顯示易剝離性之剝離性玻璃基板之上述第1主面上塗佈硬化性樹脂組合物，並對上述剝離性玻璃基板上之未硬化之硬化性樹脂組合物層實施硬化處理，而形成樹脂層；積層步驟，其係將具有外形尺寸小於上述樹脂層外形尺寸之支持基板以於上述樹脂層上殘留不與上述支持基板接觸之周緣區域之方式積層於上述樹脂層上，而獲得切斷前積層體；切斷步驟，其係沿上述切斷前積層體中之上述支持基板之外周緣，將上述樹脂層及上述剝離性玻璃基板切斷；構件形成步驟，其係於上述剝離性玻璃基板之上述第2主面上形成電子裝置用構件，而獲得附有電子裝置用構件之積層體；以及分離步驟，其係可自上述附有電子裝置用構件之積層體分離包括上述剝離性玻璃基板與上述電子裝置用構件之電子裝置。
  2. 如請求項1之電子裝置之製造方法，其包括表面處理步驟，該表面處理步驟係於上述樹脂層形成步驟之前，利用剝離劑對具有第1主面及第2主面之玻璃基板之上述第1主面進行處理，而獲得具有顯示易剝離性之表面之剝離性玻璃基板。
  3. 如請求項2之電子裝置之製造方法，其包括加熱步驟，該加熱步驟係於上述表面處理步驟之後且上述樹脂層形成步驟之前，對上述剝離性玻璃基板實施加熱處理。
  4. 如請求項2或3之電子裝置之製造方法，其中上述剝離劑包含聚 矽氧油、矽烷化劑、或氟系化合物。
  5. 如請求項1至4中任一項之電子裝置之製造方法，其中上述樹脂層包含聚矽氧樹脂。
  6. 如請求項1至5中任一項之電子裝置之製造方法，其中於上述切斷步驟中，利用平台支持上述切斷前積層體中之支持基板之主面，並且使上述支持基板之外周抵接於設置於上述平台上之定位塊。
  7. 如請求項1至6中任一項之電子裝置之製造方法，其中於上述切斷步驟中，於上述切斷前積層體中之剝離性玻璃基板之表面形成切割線後，沿上述切割線將上述切斷前積層體中之剝離性玻璃基板及樹脂層之各者之外周部一次性割斷。
  8. 一種玻璃積層體之製造方法，其係依序包括支持基板、樹脂層、及剝離性玻璃基板之玻璃積層體之製造方法，且包括：樹脂層形成步驟，其係於具有第1主面及第2主面且上述第1主面顯示易剝離性之剝離性玻璃基板之上述第1主面上塗佈硬化性樹脂組合物，並對上述剝離性玻璃基板上之未硬化之硬化性樹脂組合物層實施硬化處理，而形成樹脂層；積層步驟，其係將具有外形尺寸小於上述樹脂層外形尺寸之支持基板以於上述樹脂層上殘留不與上述支持基板接觸之周緣區域之方式積層於上述樹脂層上，而獲得切斷前積層體；以及切斷步驟，其係沿上述切斷前積層體中之上述支持基板之外周緣，將上述樹脂層及上述剝離性玻璃基板切斷。
  9. 如請求項8之玻璃積層體之製造方法，其包括表面處理步驟，該表面處理步驟係於上述樹脂層形成步驟之前，利用剝離劑對具有第1主面及第2主面之玻璃基板之上述第1主面進行處理，而獲得具有顯示易剝離性之表面之剝離性玻璃基板。
  10. 如請求項9之玻璃積層體之製造方法，其包括加熱步驟，該加熱步驟係於上述表面處理步驟之後且上述樹脂層形成步驟之前，對上述剝離性玻璃基板實施加熱處理。
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