CN113811107B

CN113811107B - 壳体的制备方法、壳体以及电子产品

Info

Publication number: CN113811107B
Application number: CN202010529692.4A
Authority: CN
Inventors: 李可峰; 许仁; 王伟
Original assignee: Weidali Technology Co ltd
Current assignee: Weidali Technology Co ltd
Priority date: 2020-06-11
Filing date: 2020-06-11
Publication date: 2023-05-26
Anticipated expiration: 2040-06-11
Also published as: CN113811107A

Abstract

本发明涉及一种壳体的制备方法、壳体以及电子产品。通过在离子注入之后，对离子注入处理的表面在500℃～1600℃温度下热处理3s～90s，能够充分发挥离子注入的诱导效果，在该温度的热处理下，壳体基材的表层能够形成稳定的结晶强化层，在结合离子注入处理的作用下，该结晶强化层能够有效提高壳体的表面硬度，使得壳体具有良好且稳定的表面硬度和强度。同时，在500℃～1600℃温度下进行热处理，在3s～90s内就能够有效提高壳体的表面硬度，能够缩短壳体的加工时间，提高生产效率。

Description

壳体的制备方法、壳体以及电子产品

技术领域

本发明涉及壳体技术领域，尤其是涉及一种壳体的制备方法、壳体以及电子产品。

背景技术

随着电子产品的日益普及，电子产品的性能也在不断发展。在电子产品的更替迭代过程中，越来越多功能多样、外表美观的电子产品进入人们的生活。在电子产品的组成中，壳体发挥着重要的作用，壳体的作用之一是可以将电子产品的内部元件与外界环境隔开，避免外界环境的变化给电子产品的内部元件造成不良影响。

然而，传统的制备方法得到的壳体在表面硬度方面表现欠佳。尤其是在便携式电子产品中，传统的壳体表面硬度不佳，在频繁的使用中，电子产品的表面容易出现磨损和划痕等问题，严重影响电子产品的外观质量。

发明内容

基于此，有必要提供一种壳体的制备方法，所述制备方法能够有效提高壳体的表面硬度。

另外，还有必要提供一种壳体，所述壳体具有优良且稳定的表面硬度，在使用过程中壳体的表面不易出现磨损和划痕等问题，表现出稳定的外观性能。

除了以上壳体的制备方法和壳体，还有必要提供一种电子产品，所述电子产品包括所述壳体，所述电子产品具有优良且稳定的表面硬度。在日常使用过程中，所述电子产品不易出现磨损和划痕等问题，能够保持稳定的外观质量。

本发明解决上述技术问题的具体方案如下：

本发明的一个目的在于提供一种壳体的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

在壳体基材的一个表面进行离子注入处理，得到壳体预成品；

对所述壳体预成品进行所述离子注入处理的表面进行热处理；

所述热处理的温度为500℃～1600℃，所述热处理的时间为3s～90s。

在其中一个实施例中，所述壳体基材为玻璃壳体基材、金属壳体基材、陶瓷壳体基材或塑料壳体基材。

在其中一个实施例中，所述热处理的升温速度为10℃/s～600℃/s。

在其中一个实施例中，所述制备方法还包括在所述热处理之后对所述壳体预成品进行冷却处理的步骤。

在其中一个实施例中，所述制备方法还包括在所述热处理之后对所述壳体预成品进行化学强化处理的步骤。

在其中一个实施例中，所述化学强化处理包括如下步骤：在100℃～800℃下，采用强化液对所述壳体预成品进行化学强化处理，所述化学强化处理的处理时间为0.01h～30h。

在其中一个实施例中，所述强化液为硝酸钾熔融液，或者所述强化液为含有钠离子和锂离子中至少一种离子的硝酸钾熔融液，或者所述强化液为离子交换溶液。。

在其中一个实施例中，所述离子注入处理中注入的离子为氮、碳、氧、磷、硅、锂、钠、钾、镁、钙、钡、铝、钛、铬、铜、银、金、锌、铁、锰、铈以及锆中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述离子注入处理中离子注入的深度为0.01μm～100μm。

在其中一个实施例中，所述离子注入处理的条件为：离子注入能1keV～1000keV，离子注入剂量为10²ions/cm²～10³⁰ions/cm²。

本发明的另一个目的在于提供一种壳体，所述壳体包括壳体基材、离子注入层以及结晶强化层；所述壳体基材具有相对设置的组装面和离子注入面；

所述离子注入层渗入所述壳体基材的内部且所述离子注入层的一个表面与所述离子注入面平齐；所述结晶强化层渗入所述壳体基材的内部且所述结晶强化层的一个表面与所述离子注入面平齐。

在其中一个实施例中，所述离子注入层的厚度为0.01μm～100μm；和/或，

所述结晶强化层的厚度为0.1μm～200μm。

除了以上提供壳体的制备方法和提供壳体的目的，本发明还有一个目的在于提供一种电子产品，所述电子产品包括上述任一实施例中所述的制备方法制备得到的壳体，所述离子注入处理的表面靠近所述电子产品的外表面；

或者，所述电子产品包括上述任一实施例中所述的壳体，所述离子注入层靠近所述电子产品的外表面。

上述壳体的制备方法包括如下步骤：在壳体基材的一个表面进行离子注入处理，得到壳体预成品；对壳体预成品进行离子注入处理的表面进行热处理；热处理的温度为500℃～1600℃，热处理的时间为3s～90s。发明人在实验中发现通过在离子注入之后，对离子注入处理的表面在500℃～1600℃温度下热处理3s～90s，能够充分发挥离子注入的诱导效果，在该温度的热处理下，壳体基材的表层能够形成稳定的结晶层，在结合离子注入处理的作用下，该结晶层能够有效提高壳体的表面硬度，使得壳体具有良好且稳定的表面硬度。同时，在500℃～1600℃温度下进行热处理，在3s～90s内就能够有效提高壳体的表面硬度，能够缩短壳体的加工时间，提高生产效率。

上述壳体包括壳体基材、离子注入层以及结晶强化层；壳体基材具有相对设置的组装面和离子注入面。离子注入层渗入壳体基材的内部且离子注入层的一个表面与离子注入面平齐；结晶强化层渗入壳体基材的内部且结晶强化层的一个表面与离子注入面平齐。通过离子注入层、结晶强化层与壳体基材的配合，使壳体表现出优良且稳定的表面硬度和强度。

上述电子产品包括上述壳体或上述制备方法制备的壳体，该电子产品具有优良且稳定的表面硬度和强度。在日常使用过程中，该电子产品不易出现磨损和划痕等问题，能够保持稳定的外观质量。

附图说明

图1为本发明一实施例中壳体的结构示意图。

图中标记说明：

10、壳体；11、壳体基材；1101、结晶强化层；1102、离子注入层；12、镀层；13、装饰层；14、抗指纹层。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关实施例对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本发明一实施例提供了一种壳体的制备方法，该制备方法包括如下步骤：在壳体基材的一个表面进行离子注入处理，得到壳体预成品。对壳体预成品进行离子注入处理的表面进行热处理。热处理的温度为500℃～1600℃，热处理的时间为3s～90s。

本实施例中采用离子注入处理以及对离子注入处理的表面进行500℃～1600℃的热处理配合，能够短时间内在壳体基材的表层形成稳定的结晶强化层，进而有效提高壳体的表面硬度。具体地，通过在离子注入之后，对离子注入处理的表面在500℃～1600℃温度下热处理3s～90s，能够充分发挥离子注入的诱导效果，在该温度的热处理下，壳体基材的表层能够形成稳定的结晶强化层，在结合离子注入处理的作用下，该结晶强化层能够有效提高壳体的表面硬度，使得壳体具有良好且稳定的表面硬度。同时，在500℃～1600℃温度下进行热处理，在3s～90s内就能够有效提高壳体的表面硬度，能够缩短壳体的加工时间，提高生产效率。可以理解的是，热处理次数可以是一次或多次。

本发明中的壳体可以用于制备电子设备中的外壳、防护盖板、功能性部件等，例如，本发明中的壳体的具体形状可以是板状、框形、网状、四周具有凸边的槽状等，如2D、2.5D、3D或者多曲面异形形状，也即壳体的具体应用可以根据需要对壳体基材进行加工成型获得所需的任何形状。

在一个具体的示例中，热处理的温度为700℃～1500℃，进一步地，热处理的温度为800℃～1200℃。在热处理过程中，热处理的温度可以是但不限定为700℃、750℃、800℃、850℃、900℃、950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃、1200℃、1250℃、1300℃、1350℃、1400℃、1450℃、1500℃。

在一个具体的示例中，热处理的时间为3s～50s。进一步地，热处理的时间为3s～30s。更进一步地，热处理的时间为5s～20s。在热处理过程中，热处理的时间可以是但不限定为4s、5s、6s、7s、8s、9s、10s、11s、12s、13s、14s、15s、16s、17s、18s、19s、20s、22s、25s、27s、30s、35s、38s、40s、45s、47s、50s。

在一个具体的示例中，壳体基材为玻璃壳体基材、金属壳体基材、陶瓷壳体基材或塑料壳体基材。比如，壳体基材可以是但不限定为铝硅玻璃、钠钙玻璃、锂玻璃。可以理解的是，壳体基材的表面可以是平整的表面，也可以是具有蚀刻纹理的表面。当壳体基材是具有蚀刻纹理的表面时，蚀刻纹理可以是点阵蚀刻纹理，也可以是线阵蚀刻纹理，还可以是面阵蚀刻纹理。

在一个具体的示例中，热处理的升温速度为10℃/s～600℃/s。在热处理过程中，将经过离子注入处理之后的壳体基材置于热处理环境中，通过10℃/s～600℃/s的升温速度将热处理温度升至满足要求的热处理温度，有利于使壳体基材表层的结晶强化层更快地形成，使结晶强化层更加均匀，进而进一步提高壳体的表面硬度，同时使壳体的表面硬度更加稳定。热处理的升温速度可以是但不限定为：20℃/s、30℃/s、40℃/s、50℃/s、60℃/s、70℃/s、80℃/s、90℃/s、100℃/s、120℃/s、150℃/s、200℃/s、300℃/s、400℃/s、500℃/s、600℃/s。具体地，热处理过程中，热源可以是但不限定为红外热辐射热源、卤灯热源、激光热源等。

在一个具体的示例中，制备方法还包括在热处理之后对壳体预成品进行冷却处理的步骤。

可以理解的是，在对壳体基材进行离子注入处理之前，对壳体基材进行预处理。对壳体基材进行预处理，去除壳体基材表面的杂质。通过预处理去除壳体基材表面的灰尘、油污、手印等杂质、或表层的不均质层，便于对壳体基材进行后续加工，有利于提高后续加工的精度。预处理包括清洗、抛光等步骤。可以理解的是，预处理还包括外形加工等操作，先按设计要求将壳体基材加工成相应的形状，再进行后续加工。

在一个具体的示例中，制备方法还包括在热处理之后对壳体预成品进行化学强化处理的步骤。通过化学强化能够进一步提高壳体的表面硬度和强度。具体地，化学强化处理包括如下步骤：在300℃～800℃下，采用强化液对壳体预成品进行化学强化处理，化学强化处理的处理时间为0.01h～30h。强化液为硝酸钾熔融液，或者强化液为含有钠离子和锂离子中至少一种离子的硝酸钾熔融液，或者所述强化液为离子交换溶液。优选地，化学强化处理的温度为320℃～700℃，进一步优选地，化学强化处理的温度为400℃～600℃。比如，化学强化处理的温度可以为350℃、380℃、400℃、450℃、480℃、500℃、520℃、550℃、600℃、650℃、700℃、750℃、780℃、800℃。可以理解的是，在壳体的制备过程中，可以进行一次化学强化，也可以进行多次化学强化。每次化学强化的条件可以相同，也可以不同。进一步地，化学强化处理的处理时间为0.1h～10h。比如，化学强化处理的处理时间可以是但不限定为0.2h、0.3h、0.4h、0.5h、0.6h、0.7h、0.8h、0.9h、1h、1.5h、2h、2.5h、3h、4h、5h、6h、7h、8h、9h、10h、11h、12h、15h、18h、20h、25h。

在其中一个实施例中，离子注入处理中注入的离子为氮、碳、氧、磷、硅、锂、钠、钾、镁、钙、钡、铝、钛、铬、铜、银、金、锌、铁、锰、铈以及锆中的至少一种。通过氮、碳、氧、磷、硅、锂、钠、钾、镁、钙、钡、铝、钛、铬、铜、银、金、锌、铁、锰、铈以及锆中的至少一种的注入，在提高壳体的表面硬度的同时，能够根据注入离子的选择以及壳体基材的材质使壳体呈现出不同的颜色。

比如，通过在锂玻璃壳体基材的一个表面注入铁离子、锰离子和氧离子，经过后处理，能够在锂玻璃壳体基材的表层形成MnFe₂O₄的结晶强化层，提高锂玻璃壳体的表面硬度，并且由此得到的锂玻璃壳体具有一定的磁性。再比如，通过在玻璃壳体基材的一个表面注入铜离子、氧离子，经过后处理，能够使锂玻璃壳体呈现出黑色色相。

在一个具体的示例中，离子注入处理中注入的离子为氮离子、碳离子、氧离子、磷离子、硅离子、锂离子、钠离子、钾离子、镁离子、钙离子、钡离子、铝离子、钛离子、铬离子、铜离子、银离子、金离子、锌离子、铁离子、锰离子、铈离子、锆离子、磷氧混合离子、磷氧氮混合离子、铝氮混合离子、铝氧混合离子、铝氧氮混合离子、硅氮混合离子、硅氮氧混合离子、钛氮混合离子、钛氮氧混合离子、铬氮混合离子、铬氮氧混合离子、铜氮混合离子、铜氮氧混合离子、锂氧混合离子、锂氮氧混合离子、锌氧混合离子、锌氮氧混合离子、铁氧混合离子、铁氮氧混合离子、锆氧混合离子、锆氮氧混合离子、锰氧混合离子、锰氮氧混合离子、钡氧混合离子、钡氮氧混合离子、镁氧混合离子、镁氮氧混合离子、铈氧混合离子、铈氮氧混合离子、钙氧混合离子、钙氮氧混合离子、钠氧混合离子、钠氮氧混合离子、钾氧混合离子、钾氮氧混合离子。

在一个具体的示例中，离子注入处理中离子注入的深度为0.01μm～100μm。优选地，离子注入处理中离子注入的深度为0.1μm～50μm。具体地，离子注入处理中离子注入的深度为0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、1.5μm、1.8μm、2μm、2.5μm、2.8μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、5μm、5.5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、60μm、70μm、80μm、90μm。

在一个具体的示例中，离子注入处理的条件为：离子注入能1keV～1000keV，离子注入剂量为10²ions/cm²～10³⁰ions/cm²。

可以理解的是，在离子注入处理过程中，如果离子注入时在壳体基材的表面形成了多余的附加沉积层，可以通过蚀刻的方法将这些多余的附加沉积层去除。蚀刻方法可以采用常规的湿法蚀刻或干法蚀刻。优选地，采用干法蚀刻去除多余的附加沉积层。进一步地，采用等离子体蚀刻处理去除多余的附加沉积层。等离子体可以是但不限定为CF₄等离子体。

在一个具体的示例中，制备方法还包括加工镀层的步骤。加工镀层时，可以在热处理之后的壳体基材的至少一个表面上加工镀层。在离子注入处理的表面加工镀层，有利于进一步提高壳体的表面硬度；在与离子注入处理的表面相对的表面加工镀层，有利于提高壳体的整体强度。加工镀层的方法可以采用常规的真空电镀的方法，镀层可以为氮化物镀层、碳化物镀层、氧化物镀层(比如氧化硅镀层)以及碳镀层中的一种或几种。具体地，镀层的厚度为0～3μm。

在一个具体的示例中，制备方法还包括在与离子注入处理的表面相对的表面加工装饰层的步骤。装饰层的加工方法可以是但不限定为采用油墨加工装饰层。在加工装饰层时，采用聚氨酯加工装饰层，装饰层的厚度为0～100μm，能够提高壳体的强度以及防爆性能。

在一个具体的示例中，制备方法还包括在热处理之后，在壳体基材的离子注入处理的表面加工抗指纹层的步骤。消费者的触摸或触控会在壳体表面留下指纹，影响壳体的外观。因此，热处理之后，加工抗指纹层，有利于保持壳体外表的美观。可以理解的是，在壳体的制备过程中，为了使壳体表现为其他的外观性能，比如需要壳体具有防眩光性能、抗指纹性，可以在离子注入处理之前，在壳体基材表面形成AG纹理层。

在一个具体的示例中，在热处理之后，在壳体基材的离子注入处理的表面加工抗指纹层和/或防眩光层，在壳体基材的与离子注入处理表面相对的表面依次加工镀层和装饰层。

请参见图1，本发明另一实施例提供了一种壳体10，该壳体10包括壳体基材11、离子注入层1102以及结晶强化层1101；壳体基材11具有相对设置的组装面和离子注入面。离子注入层1102渗入壳体基材11的内部且离子注入层1102的一个表面与离子注入面平齐；结晶强化层1101渗入壳体基材11的内部且结晶强化层1101的一个表面与离子注入面平齐。本实施例中通过离子注入层1102、结晶强化层1101与壳体基材11的配合，使壳体10表现出优良且稳定的表面硬度。

需要说明的是，壳体基材的组装面是指在将壳体组装到电子产品预成品上时，壳体与电子产品预成品接触的表面。

在一个具体的示例中，结晶强化层1101可以根据需要呈现不同的颜色，可以是有色层，也可以是无色层。

在一个具体的示例中，离子注入层1102的厚度为0.01μm～100μm。优选地，离子注入层1102的厚度为0.1μm～50μm。具体地，离子注入处理中离子注入的深度为0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、1.5μm、1.8μm、2μm、2.5μm、2.8μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、5μm、5.5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、60μm、70μm、80μm、90μm。

在一个具体的示例中，结晶强化层1101的厚度为0.01μm～200μm。

本实施例中，在离子注入处理的表面还设有抗指纹层14，在与离子注入处理表面相对的表面设有镀层12，在镀层12远离壳体基材11的表面还设有装饰层13。

本发明还有一个实施例提供了一种电子产品，电子产品包括上述制备方法制备得到的壳体。具体地，电子产品的壳体为上述制备方法制备得到的壳体，离子注入处理的表面靠近电子产品的外表面。本实施例中电子产品具有优良且稳定的表面硬度。在日常使用过程中，该电子产品不易出现磨损和划痕等问题，能够保持稳定的外观质量。

本发明还有一个实施例提供了一种电子产品，电子产品包括上述壳体10。具体地，电子产品的壳体为上述壳体10，离子注入层1101靠近电子产品的外表面。本实施例中电子产品具有优良且稳定的表面硬度和强度。在日常使用过程中，该电子产品不易出现磨损和划痕等问题，能够保持稳定的外观质量。

以下为具体实施例。

实施例1

本实施例中壳体基材为锂玻璃壳体基材。本实施例中壳体的制备方法为：

S01，对壳体基材进行预处理：通过外形加工、清洗、抛光对壳体基材进行预处理。

S02，在壳体基材的一个表面进行离子注入处理：离子注入处理的条件为：注入离子为钛离子、氧离子，离子注入能160keV，离子注入剂量为10¹⁶ions/cm²，离子注入深度为1μm。得到壳体预成品。

S03，对壳体预成品的进行所述离子注入处理的表面进行热处理：热处理采用红外热辐射热源。升温速度为300℃/s，热处理温度为1200℃，热处理时间为32s。

S04，对热处理之后的壳体预成品进行冷却处理。

S05，对冷却处理之后的壳体预成品进行化学强化处理：在400℃下，采用硝酸熔融液对冷却处理之后的壳体预成品进行化学强化处理，处理时间为10h。得到本实施例中的壳体。

实施例2

与实施例1相比，实施例2的不同之处在于，热处理的温度为1600℃，热处理时间为12s。

实施例3

与实施例1相比，实施例3的不同之处在于，热处理的温度为1000℃，热处理时间为60s。

实施例4

与实施例1相比，实施例4的不同之处在于，升温速度为500℃/s，热处理温度为800℃，热处理时间为90s。待冷却后再进行一次相同的热处理。

实施例5

S04，对热处理之后的壳体预成品进行冷却处理。

S05，对冷却处理之后的壳体预成品进行化学强化处理：在400℃下，采用硝酸熔融液对冷却处理之后的壳体预成品进行化学强化处理，处理时间为10h。

S06，加工镀层：化学强化处理之后，在与离子注入表面相对的表面加工镀层。镀层为氮化钛镀层，镀层厚度为0.8μm。

S07，加工装饰层：采用聚氨酯在镀层表面加工装饰层，装饰层的厚度为30μm。

S08，加工抗指纹层：在离子注入一侧表面加工抗指纹层，抗指纹层厚度为0.06μm。加工抗指纹层之后得到本实施例中的壳体。

实施例6

与实施例1相比，实施例6的不同之处在于，注入离子变更为锆离子、氧离子。

对比例1

与实施例1相比，对比例1的不同之处在于，热处理的温度为400℃，热处理时间为90s。

对比例2

与实施例1相比，对比例2的不同之处在于，热处理的温度为2600℃，热处理时间为60S。

对比例3

与实施例1相比，对比例3的不同之处在于，热处理的温度为1600℃，热处理时间为300s。

测试例

对实施例1～4、对比例1～7中得到的壳体进行表面硬度测试。测试方法为AntonPaar纳米硬度仪测试；0.5mN最大载荷载；1mN/min加载速率，测试结果如下表所示。。

	表面硬度检测结果
		实施例1	7GPa
实施例2	6GPa
		实施例3	6GPa
实施例4	7Gpa
		实施例5	11GPa
实施例6	7GPa
		对比例1	5GPa
对比例2	7GPa(壳体变形)
		对比例3	6Gpa(壳体变形)

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种壳体的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

所述热处理的温度为500℃~1600℃，所述热处理的时间为3s~90s。

2.如权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于：所述壳体基材为玻璃壳体基材、金属壳体基材、陶瓷壳体基材或塑料壳体基材。

3.如权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于：所述热处理的升温速度为10℃/s~600℃/s。

4.如权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在所述热处理之后对所述壳体预成品进行冷却处理的步骤。

5.如权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在所述热处理之后对所述壳体预成品进行化学强化处理的步骤。

6.如权利要求5所述的壳体的制备方法，其特征在于：所述化学强化处理包括如下步骤：在100℃~800℃下，采用强化液对所述壳体预成品进行化学强化处理，所述化学强化处理的处理时间为0.01h~30h。

7.如权利要求6所述的壳体的制备方法，其特征在于：所述强化液为硝酸钾熔融液，或者所述强化液为含有钠离子和锂离子中至少一种离子的硝酸钾熔融液，或者所述强化液为离子交换溶液。

8.如权利要求1~7中任一项所述的壳体的制备方法，其特征在于：所述离子注入处理中注入的离子为氮、碳、氧、磷、硅、锂、钠、钾、镁、钙、钡、铝、钛、铬、铜、银、金、锌、铁、锰、铈以及锆中的至少一种。

9.如权利要求1~7中任一项所述的壳体的制备方法，其特征在于：所述离子注入处理中离子注入的深度为0.01μm~100μm。

10.如权利要求1~7中任一项所述的壳体的制备方法，其特征在于：所述离子注入处理的条件为：离子注入能1keV~1000keV，离子注入剂量为10²ions/cm²~10³⁰ions/cm²。

11.一种壳体，其特征在于，所述壳体采用权利要求1-10任一项所述壳体的制备方法制备得到，所述壳体包括壳体基材、离子注入层以及结晶强化层；所述壳体基材具有相对设置的组装面和离子注入面，所述结晶强化层由离子注入后进行热处理形成；

12.如权利要求11所述的壳体，其特征在于：所述离子注入层的厚度为0.01μm~100μm；和/或，

所述结晶强化层的厚度为0.1-200μm。

13.一种电子产品，其特征在于：包括权利要求1~10中任一项所述的制备方法制备得到的壳体，所述离子注入处理的表面靠近所述电子产品的外表面。