JP5444631B2 - 光半導体素子封止用組成物、その硬化物および光半導体素子封止体 - Google Patents
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Description
また、本発明者は、特許文献2のようなポリオルガノシロキサンを含有する組成物は硬化時間が長く、このような組成物を使用する場合硬化温度を高くしなければならない等の問題があり、硬化性に劣ることを見出した。
また、本発明者は、ポリオルガノシロキサンを含有する組成物は耐熱クラック性に劣ることを見出した。
そこで、本発明は、硬化性に優れ、耐熱着色安定性に優れる硬化物となりうる光半導体素子封止用組成物の提供を目的とする。
また本発明は耐熱クラック性に優れる光半導体素子封止用組成物の提供を目的とする。
(1) 1分子中に2個のシラノール基を有する直鎖状オルガノポリシロキサン化合物と、1分子中に3個以上のアルコキシ基またはシラノール基を有するシロキサン化合物と、縮合触媒とを含有する光半導体素子封止用組成物。
(2) 前記直鎖状オルガノポリシロキサン化合物が、下記式(1)で表されるポリジメチルシロキサン−α,ω−ジオールである上記(1)に記載の光半導体素子封止用組成物。
(式中、mは10〜15,000の整数である。)
(3) 前記直鎖状オルガノポリシロキサン化合物の分子量が、1,000〜1,000,000である上記(1)または(2)に記載の光半導体素子封止用組成物。
(4) 前記シロキサン化合物が、1分子中に1個以上の有機基を有し、分子量が100〜1,000,000である上記(1)〜(3)のいずれかに記載の光半導体素子封止用組成物。
(5) 前記シロキサン化合物の量が、前記直鎖状オルガノポリシロキサン化合物100質量部に対して、1〜30質量部である上記(1)〜(4)のいずれかに記載の光半導体素子封止用組成物。
(6) 前記縮合触媒が、アルミニウム原子を含むものである上記(1)〜(5)のいずれかに記載の光半導体素子封止用組成物。
(7) 上記(1)〜(6)のいずれかに記載の光半導体素子封止用組成物を硬化させることによって得られる硬化物。
(8) LEDチップが上記(7)に記載の硬化物で封止されている光半導体素子封止体。
(9) 前記硬化物の厚さが0.1mm以上である上記(8)に記載の光半導体素子封止体。
(10) 本発明の光半導体素子封止用組成物において、前記シロキサン化合物が、下記式(2)または式(6)で表され、分子量が100〜1,000,000であるのが好ましい。
Si(OR1)nR2 4-n (2)
[式(2)中、nは3または4であり、R1は水素原子または有機基であり、R2は有機基である。]
RmSi(OR′)nO(4-m-n)/2 (6)
[式(6)中、Rは炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、R′は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基であり、mは0<m<2、nは0<n<2、m+nは0<m+n<2である。]
(11) 本発明の光半導体素子封止用組成物において、前記縮合触媒が、有機アルミニウム化合物および/または有機亜鉛化合物であるが好ましい。
(12) 本発明の光半導体素子封止用組成物において、前記縮合触媒が、アルミニウムキレート、アルミニウム塩、アルミニウムアルコラートおよび亜鉛キレートからなる群から選ばれる少なくとも1種であるのが好ましい。
(13) 本発明の光半導体素子封止用組成物において、前記直鎖状オルガノポリシロキサン化合物の分子量が、6,000〜100,000であるのが好ましい。
(14) 本発明の光半導体素子封止用組成物において、前記縮合触媒の量が、直鎖状オルガノポリシロキサン化合物100質量部に対して、0.01〜10質量部であるのが好ましい。
本発明の硬化物および本発明の光半導体素子封止体は、耐熱着色安定性、耐熱クラック性に優れる。
本発明の光半導体素子封止用組成物は、1分子中に2個のシラノール基を有する直鎖状オルガノポリシロキサン化合物と、1分子中に3個以上のアルコキシ基またはシラノール基を有するシロキサン化合物と、縮合触媒とを含有する組成物である。
なお、本発明の光半導体素子封止用組成物を以下「本発明の組成物」ということがある。
本発明の組成物に含有される直鎖状オルガノポリシロキサン化合物は、主骨格として直鎖状のポリシロキサン骨格を有し、2個のシラノール基を有し、シラノール基以外の基として有機基を有するものである。なお、シラノール基は、酸素原子を介して主骨格のケイ素原子または有機基に結合することができる。
直鎖状オルガノポリシロキサン化合物中のシラノール基の位置は特に制限されない。例えば、末端にまたは側鎖としてポリシロキサン骨格に結合することができる。
なかでも、熱硬化性に優れるという観点から、シラノール基が直鎖状オルガノポリシロキサン化合物の両末端に結合するのが好ましい。
有機基としては、例えば、酸素原子、窒素原子および硫黄原子からなる群から選ばれる少なくとも1種を含んでもよい炭化水素基が挙げられる。具体的には、例えば、アルキル基が挙げられる。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れ、耐熱着色安定性により優れるという観点から、メチル基が好ましい。
直鎖状オルガノポリシロキサン化合物は、硬化性、耐熱着色安定性により優れるという観点から、下記式(1)で表されるポリジメチルシロキサン−α,ω−ジオールが好ましい。
また、式(1)中、mは、耐熱クラック性により優れるという観点から、70〜1,000の整数であるのが好ましく、200〜1,000の整数であるのがより好ましい。
例えば、m=11であるポリジメチルシロキサン−α,ω−ジオール、m=38であるポリジメチルシロキサン−α,ω−ジオール、m=336であるポリジメチルシロキサン−α,ω−ジオールが挙げられる。
なかでも、硬化性、耐熱着色安定性により優れるという観点から、m=11であるポリジメチルシロキサン−α,ω−ジオール、m=336であるポリジメチルシロキサン−α,ω−ジオールが好ましい。
m=11であるポリジメチルシロキサン−α,ω−ジオールの市販品としては、例えば、商品名x−21−5841(信越化学工業社製)が挙げられる。
m=38であるポリジメチルシロキサン−α,ω−ジオールの市販品としては、例えば、商品名KF−9701(信越化学工業社製)が挙げられる。
m=336であるポリジメチルシロキサン−α,ω−ジオールの市販品としては、例えば、商品名ss−10(信越化学工業社製)が挙げられる。
なかでも、耐熱着色安定性により優れるという観点から、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジヒドロキシジメチルシランが好ましい。
シラン化合物を加水分解縮合させる場合、シラン化合物を通常、例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、セロソルブ類、芳香族化合物類等の有機溶媒に溶解させて使用することができる。具体的には例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、n−ブタノール、2−ブタノール等のアルコール類が挙げられる。
加水分解縮合させる際に添加される水の量は、シラン化合物中のアルコキシ基またはシラノール基の合計量1モルに対して、0.9〜1.5モルであるのが好ましく、より好ましくは1.0〜1.2モルである。このような範囲である場合、組成物の硬化性により優れ、その硬化物が強靭性に優れたものとなる。
直鎖状オルガノポリシロキサン化合物の分子量は、耐熱クラック性により優れるという観点から、6,000〜100,000であるのが好ましく、10,000〜100,000であるのがより好ましい。
なお、本発明において、直鎖状オルガノポリシロキサン化合物の分子量は、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
直鎖状オルガノポリシロキサン化合物は、それぞれ単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の組成物に含有されるシロキサン化合物は、1分子中に3個以上のアルコキシ基またはシラノール基を有する化合物であれば特に制限されない。
なお、シロキサン化合物は、1分子中にアルコキシ基およびシラノール基を合わせて3個以上の有するものである。
例えば、1個のケイ素原子に3個以上のアルコキシ基またはヒドロキシ基が結合している化合物、主骨格がポリシロキサン骨格であり、1分子中に3個以上のアルコキシ基またはシラノール基を有するオルガノポリシロキサン化合物が挙げられる。
シロキサン化合物は、硬化性により優れるという観点から、1分子中に1個以上の有機基を有するのが好ましい。
Si(OR1)nR2 4-n (2)
式(2)中、nは3または4であり、R1は水素原子または有機基(アルキル基)であり、R2は有機基(例えば、アルキル基、(メタ)アクリレート基、アルケニル基、アリール基、これらの組合せ)である。
有機基は、シロキサン化合物の有機基に関して記載したものと同義である。
なお、本発明において、トリアルコキシ(メタ)アクリルシランは、トリアルコキシアクリルシランまたはトリアルコキシメタクリルシランであることを意味する。
また、1個のケイ素原子に3個以上のアルコキシ基またはヒドロキシ基が結合している化合物を縮重合させる際に、1個のケイ素原子に2個のアルコキシ基またはヒドロキシ基が結合している化合物と共重合させることができる。1個のケイ素原子に2個のアルコキシ基またはヒドロキシ基が結合している化合物は特に制限されない。例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランのような2個の炭化水素基を有するジアルコキシシランが挙げられる。
RmSi(OR′)nO(4-m-n)/2 (6)
式(6)中、Rは炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、R′は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基であり、mは0<m<2、nは0<n<2、m+nは0<m+n<2である。
炭素数1〜6のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れ、耐熱着色安定性により優れるという観点から、メチル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数1〜6のものが挙げられ、具体的には例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、2−メチル−1−プロペニル基、2−メチルアリル基が挙げられる。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。
式(6)で表される化合物において、R′は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基以外に、アシル基を含むことができる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基が挙げられる。
1分子中に3個以上のアルコキシ基またはシラノール基を有するシロキサン化合物は、硬化性、耐熱クラック性により優れるという観点から、式(2)、式(6)で表されるものが好ましい。
式(6)で表される化合物としては、例えば、下記式(3)、式(4)、式(5)が挙げられる。
有機基は上記と同義である。
aは1〜10,000であるのが好ましい。bは0〜10,000であるのが好ましい。
アルキル基は上記と同義である。
式(5)中、R″は水素原子またはアルキル基であり、aは1〜10,000の整数であり、bは0〜10,000の整数である。
アルキル基は上記と同義である。
シリコーンアルコキシオリゴマーは、主鎖がポリオルガノシロキサンであり、分子末端がアルコキシシリル基で封鎖されたシリコーンレジンである。
メチルメトキシオリゴマーは、式(6)で表される化合物に該当し、具体的には例えば、式(4)において全てのR″がメチル基でありaが1〜100の整数でありbが0〜100の整数であるものが挙げられる。
メチルメトキシオリゴマーは、市販品を使用することができる。メチルメトキシオリゴマーの市販品としては、例えば、x−40−9246(重量平均分子量6,000、信越化学工業社製)が挙げられる。
なお、本発明において、シロキサン化合物の分子量は、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
シロキサン化合物は、それぞれ単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の組成物に含有される縮合触媒は、シラノール基およびアルコキシシリル基からなる群から選ばれる少なくとも1種を縮合反応させることが可能な化合物であれば特に制限されない。
例えば、有機スズ化合物、有機チタネート化合物、有機ジルコニウム化合物、有機アルミニウム化合物、有機亜鉛化合物、有機コバルト化合物、ジエタノ−ルアミン、トリエタノ−ルアミン等の有機ケイ素化合物を含まないアミン系触媒が挙げられる。
なかでも、硬化性により優れ、透明性、平滑性に優れ、可使時間、硬化時間が適切な長さとなるという観点から、アルミニウム原子を含むものが好ましい。
また、縮合触媒は、硬化性、耐熱クラック性により優れ、透明性、平滑性、貯蔵安定性に優れ、可使時間、硬化時間が適切な長さとなるという観点から、有機アルミニウム化合物および/または有機亜鉛化合物であるのが好ましい。
縮合触媒がキレートである場合、キレートを形成する配位子は特に制限されない。例えば、アセチルアセトナート類が挙げられる。なお本願発明において、キレートは配位子以外にアルコラートを有する縮合触媒を含む。
縮合触媒が塩である場合、金属原子と塩を形成しうる酸は特に制限されない。例えば、カルボン酸(例えば、脂肪族カルボン酸、脂環式カルボン酸、芳香族カルボン酸)が挙げられる。なお本願発明において、塩は塩以外にアルコラートを有する縮合触媒を含む。
縮合触媒がアルコラートである場合、金属原子とアルコラートを形成しうるアルコールは特に制限されない。アルコールが有する炭化水素基が例えば、直鎖状、分岐状、環状であるものが挙げられる。
縮合触媒としての有機アルミニウム化合物は、硬化性により優れ、透明性、平滑性、貯蔵安定性に優れ、可使時間、硬化時間が適切な長さとなるという観点から、アルミニウムキレート、アルミニウム塩、アルミニウムアルコラートが好ましい。
縮合触媒としての有機亜鉛化合物は、硬化性、耐熱クラック性により優れ、透明性、平滑性、貯蔵安定性に優れ、可使時間、硬化時間が適切な長さとなるという観点から、亜鉛キレートが好ましい。
オクチル酸アルミニウム、環状のアルミニウムオキサイドを含有する化合物(例えば、下記式(7)で表される化合物が挙げられる。)、アルミニウムトリアセテート、アルミニウムトリステアレートのようなアルミニウム塩;
アルミニウムsec−ブチラート、アルミニウムトリエトキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルコキシアリールアルミネートのようなアルミニウムアルコラートが挙げられる。
Zn(II)アセチルアセトナート[Zn(acac)2]、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネートZnのような亜鉛キレートが挙げられる。
縮合触媒は、それぞれ単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
添加剤としては、例えば、無機フィラー、酸化防止剤、滑剤、紫外線吸収剤、熱光安定剤、分散剤、帯電防止剤、重合禁止剤、消泡剤、硬化促進剤、溶剤、無機蛍光体、老化防止剤、ラジカル禁止剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定性改良剤、オゾン老化防止剤、増粘剤、可塑剤、放射線遮断剤、核剤、カップリング剤、導電性付与剤、リン系過酸化物分解剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤が挙げられる。各種添加剤は特に制限されない。例えば、従来公知のものが挙げられる。
本発明の組成物は、1液型とすることが可能である。
なお、本発明において、粘度の測定はE型粘度計を用い、25℃、湿度35%の条件下で行われるものとする。
本発明の組成物は、加熱によって硬化することができる。
本発明の組成物の使用方法としては、例えば、光半導体素子に本発明の組成物を塗布し硬化させることが挙げられる。
本発明の組成物を塗布し硬化させる方法は特に制限されない。例えば、ディスペンサーを使用する方法、ポッティング法、スクリーン印刷、トランスファー成形、インジェクション成形が挙げられる。
また、本発明の組成物は、その他にも、その優れた耐熱性、透明性、硬化性等の特性から、例えば、ディスプレイ材料、光記録媒体材料、光学機器材料、光部品材料、光ファイバー材料、光・電子機能有機材料、半導体集積回路周辺材料等の用途に用いることができる。
本発明の硬化物は、本発明の光半導体素子封止用組成物を硬化させることによって得られるものである。
本発明の組成物を使用することによって、比較的低温で短時間に硬化物を得ることができ、可使時間の長さが適切であるので作業性に優れる。
組成物の硬化について以下に説明する。
本発明において、組成物は、例えば、加熱によって硬化させることができる。
組成物を穏やかな条件下で硬化させることによって、縮合反応の副生成物であるアルコールによって発泡するのを抑制することができる。
本発明の硬化物(硬化物の厚さが2mmである場合)は、JIS K0115:2004に準じ紫外・可視吸収スペクトル測定装置(島津製作所社製、以下同様。)を用いて波長400nmにおいて測定された透過率が、80%以上であるのが好ましく、85%以上であるのがより好ましい。
本発明の硬化物は、LEDチップの封止材として使用することができる。
LEDチップは、その発光色について特に制限されない。例えば、青色、赤色、黄色、緑色、白色が挙げられる。
LEDチップは、それぞれ単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
また、本発明の硬化物は、ディスプレイ材料、光記録媒体材料、光学機器材料、光部品材料、光ファイバー材料、光・電子機能有機材料、半導体集積回路周辺材料等の用途に用いることができる。
本発明の光半導体素子封止体は、LEDチップが本発明の硬化物で封止されているものである。
また、本発明の光半導体素子封止体に使用されるLEDチップはその発光色について特に制限されない。
白色LEDの場合、例えば、青色LEDチップをイットリウム・アルミニウム・ガーネットのような蛍光物質を含有する色変換部材でコーティングしたもの、赤色、緑色および青色のLEDチップを用いるものが挙げられる。
また、本発明の組成物にイットリウム・アルミニウム・ガーネットのような蛍光物質を含有させて、これで青色LEDチップを封止することができる。
また、赤色、緑色および青色のLEDチップを用いる場合、それぞれのLEDチップを封止してこれら3色のLEDチップの封止体を使用すること、または3色のLEDチップをまとめて封止し1個の光源とすることができる。
LEDチップの大きさ、形状は特に制限されない。
LEDチップの種類は、特に制限されず、例えば、ハイパワーLED、高輝度LED、汎用輝度LED、白色LED、青色LEDが挙げられる。
本発明の光半導体素子封止体に使用される光半導体素子としては、例えば、光半導体素子がダイボンディングによってリードフレーム等に接着され、ワイヤボンディングによってリードフレーム等と接続された状態のものを使用することができる。
本発明の光半導体素子封止体に使用される硬化物は、光半導体素子を封止していればよい。本発明の光半導体素子封止体としては、例えば、硬化物が直接光半導体素子を封止している場合、砲弾型とする場合、表面実装型とする場合、複数の光半導体素子封止体の間を充填している場合が挙げられる。
本発明の光半導体素子封止体はその製造について特に制限されない。例えば、ポッティング法、トランスファー成形、インジェクション成形、スクリーン印刷法が挙げられる。
図6は本発明の光半導体素子封止体の一例を模式的に示す上面図であり、図7は図6に示す光半導体素子封止体のA−A断面を模式的に示す断面図である。
図6において、600は本発明の光半導体素子封止体であり、光半導体素子封止体600は、LEDチップ601と、LEDチップ601を封止する硬化物603とを備える。
本発明の組成物は硬化物603に使用することができる。
図7において、Tは、硬化物603の厚さを示す。すなわち、Tは、LEDチップ601の表面上の任意の点605から、点605が属する面607に対して鉛直の方向に硬化物603の厚さを測定したときの値である。
本発明の光半導体素子封止体は、透明性を確保し、密閉性に優れるという観点から、その厚さ(図7におけるT)が0.1mm以上であるのが好ましく、0.5〜1mmであるのがより好ましい。
なお、図6、図7においてはリード、ワイヤは省略されている。
また、図7において、LEDチップ601がダイボンディングによってリードフレーム等に接着されている場合(図示せず。)、硬化物603は、LEDチップ601の底面以上の部分(図示せず。)となる。
図2は、本発明の光半導体素子封止体の一例を模式的に示す断面図である。
図3は、本発明の光半導体素子封止体の一例を模式的に示す断面図である。
なお、本発明の光半導体素子封止体は添付の図面に限定されない。
パッケージ204には、内部に一段下がったキャビティー(図示せず。)が設けられている。キャビティー内には、青色LEDチップ203と色変換部材202とが配置されている。
青色LEDチップ203は、基板210上にマウント部材201で固定されている。
色変換部材202は、蛍光物質としてセリウムを付活したイットリウム・アルミニウム・ガーネットと透光性ポリイミド樹脂とを含有することができる。
青色LEDチップ203の各電極(図示せず。)とパッケージ204に設けられた外部電極209とは導電性ワイヤー207によってワイヤーボンディングさせている。
パッケージ204のキャビティー(図示せず。)は、硬化物206によって封止されている。
本発明の組成物は色変換部材202および/または硬化物206に使用することができる。
基板310には、頭部に一段下がったキャビティー(図示せず。)が設けられている。キャビティー内には、青色LEDチップ303と色変換部材302とが配置されている。
青色LEDチップ303は、基板310上にマウント部材301で固定されている。
色変換部材302は、蛍光物質としてセリウムを付活したイットリウム・アルミニウム・ガーネットと透光性ポリイミド樹脂とを含有することができる。
青色LEDチップ303の各電極(図示せず。)と基板310およびインナーリード305とそれぞれ導電性ワイヤー307によってワイヤーボンディングさせている。
本発明の組成物は色変換部材302および/または硬化物306に使用することができる。
本発明の光半導体素子封止体は、その製造について特に制限されない。例えば、従来公知のものが挙げられる。
図4は、本発明の光半導体素子封止体を用いたLED表示器の一例を模式的に示す図である。
図5は、図4に示すLED表示器を用いたLED表示装置のブロック図である。
なお、本発明の光半導体素子封止体が使用されるLED表示器、LED表示装置は添付の図面に限定されない。
本発明の組成物は充填剤406として使用することができる。
また、本発明の組成物は、硬化時間、可使時間の長さが適切で硬化温度が低く硬化性に優れ、熱硬化性に優れ、1液型とすることができ、透明性、耐熱着色安定性、成形性に優れ、クラック、気泡が発生しにくく、機械的強度に優れる硬化物となる。
本願発明者は、このようなオルガノポリシロキサン化合物を含有する組成物は、硬化時間が長く、硬化温度が高く、硬化しにくいことを見出した。
上述の従来のLED封止用樹脂組成物に含有されるオルガノポリシロキサン化合物の硬化反応においては、湿気硬化がその反応性に大きく寄与するものであった。このため、このようなオルガノポリシロキサン化合物を含有する組成物を硬化させる際あらゆる湿度の条件を考慮しかつ深部硬化させるには、結果的に硬化条件について、硬化時間を長くし硬化温度を高くすることが必要であると考えられる。
これに対して、本発明においては、直鎖状オルガノポリシロキサン化合物と架橋剤としてのシロキサン化合物との反応は、直鎖状オルガノポリシロキサン化合物のシラノール基とシロキサン化合物中のシラノール基またはアルコキシ基とが反応するものであり、このような反応の反応性は、湿度に大きく左右されることはなく、熱に大きく依存する。そして、本発明の組成物が硬化しうる硬化温度は上述のとおり80℃〜150℃と比較的低温であり、硬化性、特に低温での熱硬化性に優れるといえる。
さらに、反応系をオープンとし、一般的なLED用途での厚さ(例えば、0.1〜2mm程度)を有するように本発明の組成物を硬化させる場合には、直鎖状オルガノポリシロキサン化合物とシロキサン化合物とは、本願明細書に記載の硬化条件下において良好な深部硬化性を持って反応することができる。
また、本願発明者は、縮合触媒としてアルミニウム原子を含むものを使用する場合、可使時間を適切な長さとすることができることを見出した。
また、本願発明者は、縮合触媒として有機亜鉛化合物を使用する場合、耐熱着色安定性、貯蔵安定性(混合から24時間後の間に粘度がほとんど変わらず安定している。)に優れる組成物となることを見出した。
なかでも、縮合触媒がアルミニウムキレート化合物である場合、可使時間をより適切な適切な長さとすることができることを見出した。
なお、上記のメカニズムは本願発明者の推測であり、上記と異なるメカニズムであっての本願発明に含まれるものである。
1.評価
以下に示すように硬化性、透過率、耐熱着色安定性、クラック、粘度およびポットライフ、耐熱クラック性について評価した。結果を第1表、第2表に示す。
(1)初期硬化状態
下記に示す、硬化直後(初期)の硬化物(厚さが2mm。)についてそれぞれ目視で初期硬化状態を確認する。
(2)透過率評価試験
透過率評価試験は、下記に示す、硬化直後(初期)の硬化物および耐熱試験後の硬化物(いずれも厚さが2mm。)についてそれぞれ、JIS K0115:2004に準じ紫外・可視吸収スペクトル測定装置(島津製作所社製)を用いて波長400nmにおける透過率を測定する。
また、耐熱試験後の透過率の初期の透過率に対する保持率を下記計算式によって求める。
保持率(%)=(耐熱試験後の透過率)/(初期の透過率)×100
耐熱試験後の硬化物について黄変したかどうかを目視で観察する。
硬化直後(初期)の硬化物についてそれぞれ目視でクラックの発生の有無を確認する。
(5)粘度およびポットライフ
組成物を25℃の条件下で混合した直後の粘度と、25℃の条件下で混合から24時間経過した後の粘度とを、E型粘度計を用いてRH35%、25℃の条件下で粘度を測定した。
また、初期粘度(25℃の条件下で混合した直後の粘度)に対する24時間後の粘度の相対値を求めポットライフを評価した。
ポットライフの評価基準としては、初期粘度に対する24時間後の粘度の相対値が1.2以下である場合を良好とする。
組成物を150℃の条件下で硬化させ、硬化性を評価した。
硬化性の評価基準は、組成物が混合後150℃で2時間以内の間に硬化した場合を「◎」、2時間を超え24時間未満の間に硬化した場合を「○」、24時間以上経過しても硬化しなかった場合を「×」とした。
(7)耐熱クラック性
組成物を150℃の条件下におきクラックの発生について観察した。
耐熱クラック性の評価基準は、組成物が150℃で硬化している間にクラックが起こった場合を「×」、組成物を150℃の条件下に置いてから200時間以内にクラックが起こった場合を「○」、組成物を150℃の条件下に置いてから200時間経過後1,000時間以内にクラックが起こらなかった場合を「◎」とした。
(1)サンプルの作製
サンプルの作製について添付の図面を用いて以下に説明する。
図1は、実施例において本発明の組成物を硬化させるために使用する型を模式的に表す断面図である。
まず、シリコンモールドのスーペーサー1(縦5cm、横5cm、高さ2mm)をガラス2、ガラス3(ガラス2、ガラス3の大きさはそれぞれ、縦10cm、横10cm、厚さ4mm)と、PETフィルム4、PETフィルム5とで挟む。ガラス2とスーペーサー1の間にPETフィルム4を、ガラス3とスーペーサー1の間にPETフィルム5をそれぞれを配置する。
次に、スーペーサー1の内部に組成物6を流し込み、ガラス2、ガラス3をジグ(図示せず。)で固定する。得られた型を型8とする。型8を用いて次のとおりサンプルの硬化を行い、組成物6を硬化させ、硬化物を型から外し、硬化物6(厚さ2mm)が得られる。
組成物が充填された型8を電気オーブンに入れて、第1表、第2表に示す硬化条件で組成物を加熱して硬化させ、厚さ2mmの硬化物を得た。
製造から1日経過後の硬化物を150℃に設定されたオーブンに10日間置いた後取り出し、これを耐熱試験後の硬化物とする。
下記第1表、第2表に示す成分を同表に示す量(単位:質量部)で真空かくはん機を用いて均一に混合し組成物を調製した。
・直鎖状オルガノポリシロキサン化合物1:商品名x−21−5841(重量平均分子量1,000)、信越化学工業社製
・直鎖状オルガノポリシロキサン化合物2:商品名KF−9701(重量平均分子量3,000)、信越化学工業社製
・直鎖状オルガノポリシロキサン化合物3:商品名ss−10(数平均分子量42,000)、信越化学工業社製
・エポキシシリコーン:エポキシ変性ポリシロキサン(商品名:KF101、信越化学工業社製)
・シロキサン化合物1:KBM503(分子量248、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製
・シロキサン化合物2:x−40−9246(重量平均分子量6,000、シリコーンアルコキシオリゴマー)、信越化学工業社製
・シロキサン化合物3:テトラエトキシシラン(分子量208)、多摩化学工業社製
・縮合触媒1:AL−CH(エチルアセトアセトナートアルミニウムジイソプロピルロピレート)、川研ファインケミカル社製
・縮合触媒2:テトラブトキシチタネート、松本交商社製
・カチオン重合触媒:BF3・Et2O(BF3エチルエテラート錯体、東京化成工業社製)
これに対して、参考例1〜6は、得られる硬化物は硬化性、透明性、耐熱試験後の透過率、耐熱着色安定性に優れ、硬化時間、可使時間が適切な長さとなる。
また、参考例1〜6は耐熱クラック性に優れ、硬化性に特に優れた。
・縮合触媒3:アルミニウムsec−ブチラート、川研ファインケミカル社製
・縮合触媒4:アルミニウムトリスアセチルアセトナート、川研ファインケミカル社製
・縮合触媒5:AF800(式(7)で表される環状アルミニウムオキサイドオクチレート)、川研ファインケミカル社製
・縮合触媒6:オクチル酸亜鉛、ホープ製薬社製
・縮合触媒7:亜鉛アセチルアセトナート、関東化学社製
また、実施例1、参考例7〜10は耐熱クラック性に優れた。
第1表、第2表に示す結果から明らかなように、直鎖状オルガノポリジメチルシロキサン化合物3を使用した実施例1、参考例4、9、10は耐熱クラック性により優れた。
また、縮合触媒としてアルミニウムキレート、アルミニウム塩、亜鉛キレートを使用した実施例1、参考例4、10は硬化性により優れた。
2、3 ガラス
4、5 PETフィルム
6 組成物(硬化後硬化物6となる)
8 内部に組成物6が充填された型
200、300 白色LED
201、301 マウント部材
202、302 色変換部材
203、303 青色LEDチップ
204 パッケージ
206、306 硬化物
207、307 導電性ワイヤー
209 外部電極
210、310 基板
305 インナーリード
400、501 LED表示器
401 白色LED
404 筐体
405 遮光部材
406 充填剤
500 LED表示装置
502 ドライバー
501 LED表示器
503 階調制御手段(CPU)
504 画像データ記憶手段(RAM)
600 本発明の光半導体素子封止体
601 LEDチップ
603 硬化物
605 点
607 点605が属する面
T 硬化物603の厚さ
Claims (9)
- 1分子中に2個のシラノール基を有する直鎖状オルガノポリシロキサン化合物と、1分子中に3個以上のアルコキシ基またはシラノール基を有するシロキサン化合物と、縮合触媒とを含有し、
前記縮合触媒が、アルミニウム塩であり、
前記シロキサン化合物が、下記式(2)で表される化合物である、光半導体素子封止用組成物。
Si(OR 1 ) n R 2 4-n (2)
[式(2)中、nは3または4であり、R 1 は水素原子または有機基であり、R 2 は有機基である。] - 前記直鎖状オルガノポリシロキサン化合物が、下記式(1)で表されるポリジメチルシロキサン−α,ω−ジオールである請求項1に記載の光半導体素子封止用組成物。
(式中、mは10〜15,000の整数である。) - 前記直鎖状オルガノポリシロキサン化合物の分子量が、1,000〜1,000,000である請求項1又は2に記載の光半導体素子封止用組成物。
- 前記直鎖状オルガノポリシロキサン化合物の分子量が、6,000〜100,000である請求項1〜3のいずれかに記載の光半導体素子封止用組成物。
- 前記シロキサン化合物の量が、前記直鎖状オルガノポリシロキサン化合物100質量部に対して、1〜30質量部である請求項1〜4のいずれかに記載の光半導体素子封止用組成物。
- 前記縮合触媒の量が、前記直鎖状オルガノポリシロキサン化合物100質量部に対して、0.01〜10質量部である請求項1〜5のいずれかに記載の光半導体素子封止用組成物。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の光半導体素子封止用組成物を硬化させることによって得られる硬化物。
- LEDチップが請求項7に記載の硬化物で封止されている光半導体素子封止体。
- 前記硬化物の厚さが0.1mm以上である請求項8に記載の光半導体素子封止体。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104583325A (zh) * | 2013-08-02 | 2015-04-29 | 株式会社大赛璐 | 固化性树脂组合物及使用其的半导体装置 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5354511B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2013-11-27 | 日東化成株式会社 | 有機重合体用硬化触媒およびそれを含有する湿気硬化型有機重合体組成物 |
JP4623322B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2011-02-02 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法 |
US8754181B2 (en) | 2008-02-07 | 2014-06-17 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. | Silicone resin, process for producing the same, and curable resin composition comprising the same |
JP4678415B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2011-04-27 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース |
JP5099911B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2012-12-19 | 日東電工株式会社 | 熱硬化性組成物及び光半導体装置 |
JP5188374B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2013-04-24 | 日東電工株式会社 | マイクロレンズアレイ |
EP2196503B1 (en) | 2008-12-12 | 2015-02-18 | Nitto Denko Corporation | Thermosetting silicone resin composition, silicone resin, silicone resin sheet and use thereof |
JP4877381B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2012-02-15 | 横浜ゴム株式会社 | シラノール縮合触媒、加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物およびこれを用いる光半導体封止体 |
US9051435B2 (en) | 2008-12-16 | 2015-06-09 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Silanol condensation catalyst, heat-curable silicone resin composition for sealing photosemiconductors and sealed photosemiconductor using same |
TWI487747B (zh) * | 2009-02-09 | 2015-06-11 | Arakawa Chem Ind | 透明密封材組合物及光半導體元件 |
JP5560049B2 (ja) * | 2009-06-17 | 2014-07-23 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 |
JP2011042760A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Nitto Denko Corp | 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物 |
JP5678592B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2015-03-04 | 横浜ゴム株式会社 | 加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物およびこれを用いる光半導体封止体 |
JP5600937B2 (ja) * | 2009-12-31 | 2014-10-08 | 横浜ゴム株式会社 | 加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物およびこれを用いる光半導体封止体 |
JP4788837B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2011-10-05 | 横浜ゴム株式会社 | シリコーン樹脂組成物およびその使用方法、シリコーン樹脂、シリコーン樹脂含有構造体、ならびに光半導体素子封止体 |
CN104060274A (zh) | 2010-04-22 | 2014-09-24 | 日本化药株式会社 | 防银变色剂、防银变色树脂组合物、防银变色方法、及使用该防银变色剂的发光二极管 |
JP5728858B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2015-06-03 | 横浜ゴム株式会社 | 金属層の腐食防止方法、耐硫化性を有する、積層体、半導体発光装置およびシリコーン樹脂組成物 |
JP2012092240A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Fujifilm Corp | 硬化物の製造方法、半導体発光デバイスの製造方法、硬化物製造用キット、及び半導体発光デバイス封止物の製造用キット |
JP5045861B2 (ja) * | 2010-11-10 | 2012-10-10 | 横浜ゴム株式会社 | 熱硬化型シリコーン樹脂組成物、ならびに、これを用いて得られるシリコーン樹脂含有構造体および光半導体素子封止体 |
WO2012066998A1 (ja) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 横浜ゴム株式会社 | 熱硬化型シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂含有構造体、光半導体素子封止体、および、シラノール縮合触媒 |
JP2012131985A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-07-12 | Fujifilm Corp | 硬化物製造用キット及び硬化物製造用組成物、並びにその使用 |
WO2012117822A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 横浜ゴム株式会社 | 加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物およびこれを用いる光半導体パッケージ |
JP6057582B2 (ja) * | 2011-08-02 | 2017-01-11 | 石塚硝子株式会社 | Led用封止材料 |
JP6041511B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2016-12-07 | 石塚硝子株式会社 | Led素子用接着剤 |
JP6347597B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2018-06-27 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用組成物及びこれを用いたシリカ系被膜の製造方法 |
KR102180945B1 (ko) * | 2014-10-21 | 2020-11-19 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | Led용 봉지재 조성물 |
JP6084739B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2017-02-22 | 石塚硝子株式会社 | Led素子用封止材料 |
WO2021196213A1 (en) * | 2020-04-03 | 2021-10-07 | Belgravia Wood Limited (Incorporated In Bvi) | An led lamp with improved lead |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3277749B2 (ja) * | 1995-04-03 | 2002-04-22 | 信越化学工業株式会社 | シリコーンゲル組成物及びポッティング材 |
WO2005116159A1 (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Asahi Glass Company, Limited | 封着材組成物、気密容器およびその製造方法 |
JP2006077234A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Led素子封止用樹脂組成物および該組成物を硬化してなる硬化物 |
JP2006206700A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Jsr Corp | ポリシロキサン組成物およびその製造方法、それから得られるフィルムおよびその製造方法、ならびに封止材 |
WO2006080459A1 (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Asahi Glass Company, Limited | 硬化性シリコーン樹脂組成物、それを用いた気密容器および電子部品 |
JP2006291018A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Led素子封止用硬化性樹脂組成物 |
JP5034301B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2012-09-26 | Jsr株式会社 | 高屈折材料形成用組成物およびその硬化体、ならびに高屈折材料形成用組成物の製造方法 |
JP2006336010A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-12-14 | Jsr Corp | シロキサン系縮合物およびその製造方法、ポリシロキサン組成物 |
JP2006348284A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Jsr Corp | シロキサン系縮合物およびその製造方法 |
JP4791083B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-10-12 | 信越化学工業株式会社 | 光関連デバイス封止用樹脂組成物およびその硬化物 |
JP2007270004A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Asahi Glass Co Ltd | 硬化性シリコーン樹脂組成物、それを用いた透光性封止材および発光素子 |
JP2007270055A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Jsr Corp | 多官能ポリシロキサンおよび金属酸化物微粒子含有ポリシロキサン組成物、ならびにそれらの製造方法 |
JP2008231400A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-10-02 | Suzuka Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子用樹脂組成物及び硬化性樹脂組成物 |
JP5114971B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2013-01-09 | 横浜ゴム株式会社 | 発光素子用封止材組成物、その硬化物および発光素子封止体 |
-
2008
- 2008-04-07 JP JP2008099811A patent/JP5444631B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104583325A (zh) * | 2013-08-02 | 2015-04-29 | 株式会社大赛璐 | 固化性树脂组合物及使用其的半导体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008274272A (ja) | 2008-11-13 |
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