JP5398766B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記第1の積層体は、前記基板上にそれぞれ交互に積層された複数の電極層と複数の第1の絶縁層とを有する。
前記メモリ膜は、前記第1の積層体を積層方向に貫通して形成された第1のホールの側壁に設けられている。
前記第1のチャネルボディは、前記第1のホール内における前記メモリ膜の内側に設けられている。
前記第2の積層体は、前記第1の積層体上に設けられ、選択ゲートとその上に設けられた第2の絶縁層とを有する。
前記ゲート絶縁膜は、前記第1のホールと連通し、前記第2の積層体を積層方向に貫通して形成された第2のホールの側壁に設けられている。
前記第2のチャネルボディは、前記第2のホール内における前記ゲート絶縁膜の内側に設けられ、前記第1のチャネルボディとつながっている。
前記選択ゲートの側面と前記第2の絶縁層との間に段差部が形成されている。前記段差部を被覆する部分の前記第2のチャネルボディの膜厚は、前記第2の絶縁層間に設けられた部分の膜厚よりも厚く、前記段差部を被覆する部分の前記第2のチャネルボディは、前記第2のホールを閉塞している。前記第2のチャネルボディが前記第2のホールを閉塞した部分よりも下における前記選択ゲートで囲まれた領域の前記第2のチャネルボディの内側に絶縁膜がなく空洞が形成されている。
図2は、図1におけるメモリセルが設けられた部分の拡大断面図である。
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上にそれぞれ交互に積層された複数の電極層と複数の第1の絶縁層とを有する第1の積層体と、
前記第1の積層体を積層方向に貫通して形成された第1のホールの側壁に設けられたメモリ膜と、
前記第1のホール内における前記メモリ膜の内側に設けられた第1のチャネルボディと、
前記第1の積層体上に設けられた第2の積層体であって、選択ゲートとその上に設けられた第2の絶縁層とを有する第2の積層体と、
前記第1のホールと連通し、前記第2の積層体を積層方向に貫通して形成された第2のホールの側壁に設けられたゲート絶縁膜と、
前記第2のホール内における前記ゲート絶縁膜の内側に設けられ、前記第1のチャネルボディとつながった第2のチャネルボディと、
を備え、
前記選択ゲートの側面と前記第2の絶縁層との間に段差部が形成され、
前記段差部を被覆する部分の前記第2のチャネルボディの膜厚は、前記第2の絶縁層間に設けられた部分の膜厚よりも厚く、前記段差部を被覆する部分の前記第2のチャネルボディは、前記第2のホールを閉塞しており、
前記第2のチャネルボディが前記第2のホールを閉塞した部分よりも下における前記選択ゲートで囲まれた領域の前記第2のチャネルボディの内側に絶縁膜がなく空洞が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の絶縁層間の前記第2のホールの孔径は、前記選択ゲート間の前記第2のホールの孔径よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記段差部を被覆する前記第2のチャネルボディは他の部分よりも高濃度に不純物を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2のホールの閉塞部よりも上の前記第2のチャネルボディの内側に、前記閉塞部に接して設けられ、不純物を含む半導体をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 基板上に、それぞれ交互に積層された複数の電極層と複数の第1の絶縁層とを有する第1の積層体を形成する工程と、
前記第1の積層体上に、選択ゲート、第2の絶縁層の順に形成し第2の積層体を形成する工程と、
前記第1の積層体を積層方向に貫通する第1のホール及び前記第2の積層体を積層方向に貫通し、前記第1のホールと連通する第2のホールを形成する工程と、
前記第2の絶縁層間の前記第2のホールの孔径を、前記選択ゲート間の前記第2のホールの孔径よりも大きくし、前記選択ゲートの側面と前記第2の絶縁層との間に段差部を形成する工程と、
前記第1のホールの側壁にメモリ膜を形成する工程と、
前記第2のホールの側壁にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記メモリ膜の内側に第1のチャネルボディを形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の内側に、前記第1のチャネルボディとつながった第2のチャネルボディを形成する工程と、
前記段差部を被覆する前記第2のチャネルボディに、イオン注入法により不純物を注入する工程と、
前記選択ゲートで囲まれた領域の前記第2のチャネルボディの内側に空洞を残しつつ、前記段差部を被覆する前記第2のチャネルボディを熱処理により体積膨張させて、前記第2のチャネルボディで前記第2のホールを閉塞する工程と、
前記第2のチャネルボディが前記第2のホールを閉塞した部分よりも上の前記第2のチャネルボディの内側に、不純物を含む半導体を形成する工程と、
前記不純物を含む半導体から前記第2のチャネルボディに向けて不純物を拡散させる工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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