JP5396124B2 - 半導体静電保護装置 - Google Patents
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Claims (1)
- 静電放電(ESD)サージを吸収する第1のパッドと、
静電放電(ESD)サージを放出する第2のパッドと、
コレクタが前記第1のパッドと接続され、静電放電(ESD)保護素子として静電放電(ESD)サージを流すバイポーラトランジスタと、
ドレインが前記バイポーラトランジスタのエミッタと接続されるとともに、ソースとバックゲートとが前記第2のパッドと接続され、静電放電(ESD)保護素子として前記バイポーラトランジスタを動作させることにより静電放電(ESD)サージを流すMOSトランジスタと、
前記MOSトランジスタのゲートと前記第2のパッドとの間に接続される第1の抵抗と、
前記バイポーラトランジスタのベースとコレクタとの間に接続される第2の抵抗と、
カソードが前記第1のパッドと接続されるとともに、アノードが前記第1の抵抗と前記MOSトランジスタのゲートと接続され、静電放電(ESD)サージを前記第1のパッドから前記第1の抵抗に流すことにより、前記第1の抵抗に発生する電圧により前記MOSトランジスタを動作させるツェナーダイオードと、
を有することを特徴とする半導体静電保護装置。
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