JP5382001B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5382001B2 JP5382001B2 JP2010545785A JP2010545785A JP5382001B2 JP 5382001 B2 JP5382001 B2 JP 5382001B2 JP 2010545785 A JP2010545785 A JP 2010545785A JP 2010545785 A JP2010545785 A JP 2010545785A JP 5382001 B2 JP5382001 B2 JP 5382001B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- hard mask
- upper electrode
- wiring
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 145
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 51
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 272
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 181
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 122
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 122
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 86
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 82
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 67
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 51
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 27
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 853
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 137
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 133
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 52
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 33
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 25
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 24
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 15
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000010416 ion conductor Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 3
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005430 electron energy loss spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000004335 scaling law Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016344 CuSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000004792 oxidative damage Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
- H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/063—Shaping switching materials by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
- H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
- H10N70/8416—Electrodes adapted for supplying ionic species
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
本発明は、日本国特許出願:特願2009−004038号(2009年1月9日出願)の優先権主張に基づくものであり、同出願の全記載内容は引用をもって本書に組み込み記載されているものとする。
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、多層配線層の内部に抵抗変化型不揮発素子(以下、「抵抗変化素子」)を有するフィールドプログラマブルゲートアレイ(Field Programmable Gate Array;FPGA)を搭載した半導体装置及びその製造方法に関する。
ところで、近年の高集積化の要請により抵抗変化素子の小型化による高密度化の必要性、および工程数の簡略化の必要性が生じている。さらに同時に抵抗変化素子の性能向上(低抵抗化)と信頼性の向上の要求も高まっており、高集積化、高性能化、高信頼化を両立できる抵抗変化素子の構造および形成手法が望まれている。また、最先端のデバイスは銅配線から構成されており、最先端のデバイスに抵抗変化素子を搭載して回路性能のフィレキシビリティの向上を計る意味でも、銅配線内に抵抗変化素子を形成する手法が望まれている。
本発明の前記半導体装置において、前記開口部の壁面は、前記下部電極を兼ねる前記配線から離れるにしたがい広くなったテーパ面となっていることが好ましい。
本発明の前記半導体装置において、前記テーパ面は、前記下部電極を兼ねる前記配線の上面に対し85°以下の角度に設定されていることが好ましい。
本発明の前記半導体装置において、前記イオン伝導層は、前記開口部において前記下部電極を兼ねる前記配線と接するとともに、前記開口部の壁面で前記絶縁性バリア膜と接することが好ましい。
本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
2 層間絶縁膜
3 バリア絶縁膜
4 層間絶縁膜
5、5a、5b 第1配線(配線、下部電極)
5c TaN/Ru積層下部電極(第2下部電極)
6、6a、6b バリアメタル
7 絶縁性バリア膜
8 ハードマスク膜(ハードマスク)
9 抵抗変化素子膜
9a 上部抵抗変化素子膜(第2抵抗変化素子膜)
10 第1上部電極
11 第2上部電極
12 ハードマスク膜
13、23、28 ハードマスク膜(第2ハードマスク膜)
14、14´、24、29 保護絶縁膜
15 層間絶縁膜
16 エッチングストッパ膜
17 層間絶縁膜
18、18a、18b 第2配線
19、19a、19b プラグ
20、20a、20b バリアメタル
21 バリア絶縁膜
22、22´、25、26、30、31 抵抗変化素子
32、34 層間絶縁膜
33 エッチングストッパ膜
35 配線
36 バリアメタル
37 バリア絶縁膜
38、40 層間絶縁膜
39 エッチングストッパ膜
41 配線
42 バリアメタル
43 バリア絶縁膜
44、46 層間絶縁膜
45 エッチングストッパ膜
47 配線
48 バリアメタル
49 バリア絶縁膜
50、52 層間絶縁膜
51 エッチングストッパ膜
53 配線
54 バリアメタル
55 バリア絶縁膜
56、58 層間絶縁膜
57 エッチングストッパ膜
59 配線
60 バリアメタル
61 バリア絶縁膜
62 層間絶縁膜
63 保護絶縁膜
64 配線
65、66 バリアメタル
67 プラグ
68 バリアメタル
70 選択トランジスタ
71a、71b 下穴
72a、72b 配線溝
α1 テーパ角度
R1 開口部底径
R2 プラグ底径
Claims (31)
- 半導体基板上の多層配線層の内部に抵抗変化素子を有する半導体装置であって、
前記抵抗変化素子は、上部電極と下部電極との間に、イオン伝導層が介在した構成であり、
前記多層配線層は、少なくとも、前記下部電極を兼ねる配線と、前記上部電極と電気的に接続されたプラグと、を備え、
前記下部電極を兼ねる前記配線に、前記イオン伝導層へイオン伝導可能な金属を用いることを特徴とする半導体装置。 - 前記下部電極を兼ねる前記配線は銅であり、
前記下部電極と前記イオン伝導層との間に絶縁性バリア膜が介在し、
前記絶縁性バリア膜は、開口部を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記開口部の壁面は、前記下部電極を兼ねる前記配線から離れるにしたがい広くなったテーパ面となっていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記テーパ面は、前記下部電極を兼ねる前記配線の上面に対し85°以下の角度に設定されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記イオン伝導層は、前記開口部において前記下部電極を兼ねる前記配線と接するとともに、前記開口部の壁面で前記絶縁性バリア膜と接することを特徴とする請求項3又は4記載の半導体装置。
- 前記プラグと前記上部電極が接続する領域は、前記イオン伝導層と前記配線が接続する領域とは異なる領域に配されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記配線は、Alと合金化、若しくは、表面がシリサイド化又は窒化されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記イオン伝導層は、Ta、TaSiを含む酸化物であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記イオン伝導層は、下からTa2O5、TaSiOの順に積層した積層構造となっていることを特徴とする請求項8記載の半導体装置。
- 前記上部電極は、前記イオン伝導層側から順に第1上部電極、第2上部電極が積層した構成であり、
前記第1上部電極は、前記イオン伝導層に係る金属成分よりも酸化の自由エネルギーの絶対値が小さい金属材料を含み、
前記第2上部電極は、前記プラグと接することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記第1上部電極は、Pt、Ru、又はそれらの酸化物よりなることを特徴とする請求項10記載の半導体装置。
- 前記第2上部電極は、Ti、Ta、W、又はそれらの窒化物よりなることを特徴とする請求候10又は11記載の半導体装置。
- 前記上部電極上にハードマスク膜が配され、
前記ハードマスク膜、前記上部電極、及び前記イオン伝導層の積層体は、上面乃至側面が保護絶縁膜で覆われ、
前記保護絶縁膜は、前記ハードマスク膜、前記上部電極、及び前記イオン伝導層の積層体の外周にて前記絶縁性バリア膜と接し、
前記プラグは、前記保護絶縁膜及び前記ハードマスク膜に形成された下穴を通じて前記上部電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項2乃至12のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記上部電極上にハードマスク膜が配され、
前記ハードマスク膜上に前記ハードマスク膜と材料が異なる第2ハードマスク膜が配され、
前記第2ハードマスク膜、前記ハードマスク膜、前記上部電極、及び前記イオン伝導層の積層体は、側面が保護絶縁膜で覆われ、
前記保護絶縁膜は、前記第2ハードマスク膜、前記ハードマスク膜、前記上部電極、及び前記イオン伝導層の積層体の外周にて前記絶縁性バリア膜と接し、
前記プラグは、前記第2ハードマスク膜、及び前記ハードマスク膜に形成された下穴を通じて前記上部電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項2乃至12のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記第2ハードマスク膜、前記ハードマスク膜、前記上部電極、及び前記イオン伝導層の積層体は、上面乃至側面が保護絶縁膜で覆われ、
前記保護絶縁膜は、前記第2ハードマスク膜、前記ハードマスク膜、前記上部電極、及び前記イオン伝導層の積層体の外周にて前記絶縁性バリア膜と接し、
前記プラグは、前記保護絶縁膜、前記第2ハードマスク膜、及び前記ハードマスク膜に形成された下穴を通じて前記バリアメタルを介して前記上部電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項14記載の半導体装置。 - 前記保護絶縁膜は、前記ハードマスク膜及び前記絶縁性バリア膜と同一材料で構成されていることを特徴とする請求項13乃至15のいずれか一に半導体装置。
- 前記多層配線層において前記抵抗変化素子と同一層又は別層に形成されるとともに、上部電極と下部電極との間に、抵抗が変化するイオン伝導層が介在した第2抵抗変化素子を備えることを特徴とする、請求項1乃至16のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記多層配線層は、少なくとも、前記第2抵抗変化素子の前記下部電極と電気的に接続された第2配線と、前記第2抵抗変化素子の前記上部電極と電気的に接続された第2プラグと、を備え、
前記第2配線は、前記第2抵抗変化素子の前記下部電極を兼ねることを特徴とする請求項17記載の半導体装置。 - 前記第2配線は、前記プラグと一体に構成されることを特徴とする請求項18記載の半導体装置。
- 半導体基板上の多層配線層の内部に抵抗変化素子を有する半導体装置の製造方法であって、
前記抵抗変化素子は、上部電極と下部電極との間に、イオン伝導層が介在した構成であり、
前記多層配線層は、少なくとも、前記下部電極を兼ねる配線と、前記上部電極と電気的に接続されたプラグと、を備え、
記下部電極を兼ねる前記配線に、前記イオン伝導層へイオン伝導可能な金属を用い、
前記配線上に前記イオン伝導層、前記上部電極をこの順に形成する工程と、
前記上部電極上にプラグを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記イオン伝導層、前記上部電極を形成する工程の前に、
前記配線上に絶縁性バリア膜を形成する工程と、
前記絶縁性バリア膜上に開口部パターンを有するハードマスクを形成する工程と、
前記ハードマスクをマスクとして前記開口部パターンから露出する前記絶縁性バリア膜を反応性ドライエッチングすることにより、前記絶縁性バリア膜に、前記配線に通ずるととともに壁面が前記配線から離れるにしたがい広くなったテーパ面となった開口部を形成する工程と、
非反応性ガスを用いたRFエッチングによって前記開口部のテーパ面を所望の角度に調節する工程と、
を含み、
前記イオン伝導層、前記上部電極を形成する工程では、前記テーパ面上にも前記イオン伝導層を形成することを特徴とする請求項20記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ハードマスクは、前記絶縁性バリア膜側から順にSiN/SiO2が積層した積層構造となっていることを特徴とする請求項21記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応性ドライエッチングでは、エッチングガスとしてフルオロカーボンを含むガスを用いることを特徴とする請求項21又は22に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記非反応性ガスは、He、Arのいずれかであることを特徴とする請求項21乃至23のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記イオン伝導層、前記上部電極を形成する工程の前に、前記配線に対して、SiH4ガスを照射する工程を有することを特徴とする請求項20乃至24のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記イオン伝導層、前記上部電極を形成する工程の前に、前記配線に対して、NH3又はN2ガスを用いたプラズマ処理を行うことを特徴とする請求項20乃至24のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記イオン伝導層、前記上部電極を形成する工程では、前記開口部における前記下部電極上に前記イオン伝導層、前記上部電極、ハードマスク膜をこの順に形成し、
前記イオン伝導層、前記上部電極を形成する工程の後であって前記プラグを形成する工程の前に、前記ハードマスク膜、前記上部電極及び前記イオン伝導層の積層体を含む前記絶縁性バリア膜上に保護絶縁膜を形成し、前記保護絶縁膜及び前記ハードマスク膜において前記上部電極に通ずる下穴を形成する工程を含み、
前記第2ハードマスク膜は、前記ハードマスク膜と異なる材料であることを特徴とする請求項21乃至26のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記イオン伝導層、前記上部電極を形成する工程では、前記開口部における前記下部電極上に前記イオン伝導層、前記上部電極、ハードマスク膜、第2ハードマスク膜をこの順に形成し、
前記イオン伝導層、前記上部電極を形成する工程の後であって前記バリアメタルを形成する工程の前に、前記第2ハードマスク膜、前記ハードマスク膜、前記上部電極及び前記イオン伝導層の積層体を含む前記絶縁性バリア膜上に保護絶縁膜を形成する工程と、前記保護絶縁膜、前記第2ハードマスク膜、及び前記ハードマスク膜において前記上部電極に通ずる下穴を形成する工程と、を含み、
前記第2ハードマスク膜は、前記ハードマスク膜と異なる材料であることを特徴とする請求項21乃至26のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記イオン伝導層、前記上部電極を形成する工程では、前記開口部における前記下部電極上に前記イオン伝導層、前記上部電極、ハードマスク膜、第2ハードマスク膜をこの順に形成し、
前記イオン伝導層、前記上部電極を形成する工程の後であって前記バリアメタルを形成する工程の前に、前記第2ハードマスク膜、前記ハードマスク膜、前記上部電極及び前記イオン伝導層の積層体を含む前記絶縁性バリア膜上に保護絶縁膜を形成する工程と、前記第2ハードマスク膜が所定厚さにまで前記保護絶縁膜及び前記前記第2ハードマスク膜を平坦化して削り取る工程と、前記第2ハードマスク膜及び前記ハードマスク膜において前記上部電極に通ずる下穴を形成する工程と、を含み、
前記第2ハードマスク膜は、前記ハードマスク膜と異なる材料であることを特徴とする請求項21乃至26のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護絶縁膜は、前記ハードマスク膜及び前記絶縁性バリア膜と同一材料であることを特徴とする請求項27乃至29のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線を形成する工程では、前記イオン伝導層の前記下部電極とならない他の配線を同時に形成し、
前記プラグを形成する工程では、前記他の配線上に他のプラグを形成することを特徴とする請求項20記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010545785A JP5382001B2 (ja) | 2009-01-09 | 2010-01-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009004038 | 2009-01-09 | ||
JP2009004038 | 2009-01-09 | ||
JP2010545785A JP5382001B2 (ja) | 2009-01-09 | 2010-01-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
PCT/JP2010/050122 WO2010079816A1 (ja) | 2009-01-09 | 2010-01-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010079816A1 JPWO2010079816A1 (ja) | 2012-06-28 |
JP5382001B2 true JP5382001B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=42316581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010545785A Active JP5382001B2 (ja) | 2009-01-09 | 2010-01-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9406877B2 (ja) |
JP (1) | JP5382001B2 (ja) |
WO (1) | WO2010079816A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10340452B2 (en) | 2015-12-07 | 2019-07-02 | Nec Corporation | Variable resistance element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device |
US10797105B2 (en) | 2016-07-01 | 2020-10-06 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for producing semiconductor device |
US10923534B2 (en) | 2016-08-04 | 2021-02-16 | Nec Corporation | Rectifying element and switching element having the rectifying element |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010186877A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5360209B2 (ja) * | 2009-06-25 | 2013-12-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5527321B2 (ja) * | 2009-06-25 | 2014-06-18 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子及びその製造方法 |
JP2012089643A (ja) | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Sony Corp | 記憶装置の製造方法、並びに記憶素子および記憶装置 |
WO2012073503A1 (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子ならびに不揮発性記憶装置及びそれらの製造方法 |
US8461683B2 (en) * | 2011-04-01 | 2013-06-11 | Intel Corporation | Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same |
JP5548170B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2014-07-16 | 株式会社東芝 | 抵抗変化メモリおよびその製造方法 |
JP6112106B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2017-04-12 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子、その抵抗変化素子を有する半導体装置、その半導体装置の製造方法およびその抵抗変化素子を用いたプログラミング方法 |
US9212546B2 (en) | 2012-04-11 | 2015-12-15 | Baker Hughes Incorporated | Apparatuses and methods for obtaining at-bit measurements for an earth-boring drilling tool |
US9605487B2 (en) | 2012-04-11 | 2017-03-28 | Baker Hughes Incorporated | Methods for forming instrumented cutting elements of an earth-boring drilling tool |
US9231197B2 (en) * | 2012-11-12 | 2016-01-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Logic compatible RRAM structure and process |
US8742390B1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-06-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Logic compatible RRAM structure and process |
US8963114B2 (en) * | 2013-03-06 | 2015-02-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | One transistor and one resistive (1T1R) random access memory (RRAM) structure with dual spacers |
US8981564B2 (en) * | 2013-05-20 | 2015-03-17 | Invensas Corporation | Metal PVD-free conducting structures |
US9112148B2 (en) | 2013-09-30 | 2015-08-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | RRAM cell structure with laterally offset BEVA/TEVA |
US9129956B2 (en) * | 2013-12-11 | 2015-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Device having multiple-layer pins in memory MUX1 layout |
US9806129B2 (en) | 2014-02-25 | 2017-10-31 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory and methods for fabrication of same |
US9484196B2 (en) | 2014-02-25 | 2016-11-01 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor structures including liners comprising alucone and related methods |
US11223014B2 (en) | 2014-02-25 | 2022-01-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor structures including liners comprising alucone and related methods |
US9577010B2 (en) | 2014-02-25 | 2017-02-21 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory and methods for fabrication of same |
KR102247017B1 (ko) * | 2014-03-03 | 2021-04-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
JP6282505B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2018-02-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US10249819B2 (en) * | 2014-04-03 | 2019-04-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor structures including multi-portion liners |
US10319908B2 (en) * | 2014-05-01 | 2019-06-11 | Crossbar, Inc. | Integrative resistive memory in backend metal layers |
WO2015182074A1 (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9595670B1 (en) * | 2014-07-21 | 2017-03-14 | Crossbar, Inc. | Resistive random access memory (RRAM) cell and method for forming the RRAM cell |
US9397180B1 (en) * | 2015-04-24 | 2016-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Low resistance sinker contact |
JP6798489B2 (ja) * | 2015-06-11 | 2020-12-09 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法 |
WO2017181418A1 (zh) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 中国科学院微电子研究所 | 一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器 |
JP6602279B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2019-11-06 | 株式会社東芝 | メムキャパシタ、ニューロ素子およびニューラルネットワーク装置 |
JP6842614B2 (ja) | 2017-04-11 | 2021-03-17 | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 | スイッチ回路とこれを用いた半導体装置およびスイッチ方法 |
EP3613088A1 (en) * | 2017-04-21 | 2020-02-26 | Everspin Technologies, Inc. | Methods for integrating magnetoresistive devices |
WO2018221114A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | メモリ装置およびメモリ装置の製造方法 |
US10163781B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of forming the same |
US10115769B1 (en) * | 2017-06-13 | 2018-10-30 | Macronix International Co., Ltd. | Resistive random access memory device and method for manufacturing the same |
KR102606236B1 (ko) | 2017-11-28 | 2023-11-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기억 소자 |
US11075339B2 (en) | 2018-10-17 | 2021-07-27 | Cerfe Labs, Inc. | Correlated electron material (CEM) devices with contact region sidewall insulation |
US11180989B2 (en) | 2018-07-03 | 2021-11-23 | Baker Hughes Holdings Llc | Apparatuses and methods for forming an instrumented cutting for an earth-boring drilling tool |
US10584581B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-03-10 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Apparatuses and method for attaching an instrumented cutting element to an earth-boring drilling tool |
US10903418B2 (en) * | 2018-11-19 | 2021-01-26 | International Business Machines Corporation | Low resistance electrode for high aspect ratio confined PCM cell in BEOL |
US11258012B2 (en) * | 2018-12-19 | 2022-02-22 | Tokyo Electron Limited | Oxygen-free plasma etching for contact etching of resistive random access memory |
US20200259083A1 (en) * | 2019-02-08 | 2020-08-13 | Arm Limited | Method for fabrication of a cem device |
US10833268B2 (en) * | 2019-02-27 | 2020-11-10 | International Business Machines Corporation | Resistive memory crossbar array with a multilayer hardmask |
US11183503B2 (en) * | 2019-07-31 | 2021-11-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory cell having top and bottom electrodes defining recesses |
US11127688B2 (en) * | 2019-08-22 | 2021-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor package and manufacturing method thereof |
US11195810B2 (en) | 2019-08-23 | 2021-12-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bonding structure and method of forming same |
US11362267B2 (en) * | 2019-12-19 | 2022-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory device having resistance switching element surrounding top electrode and integrated circuit device including the same |
US11177213B2 (en) * | 2020-01-28 | 2021-11-16 | International Business Machines Corporation | Embedded small via anti-fuse device |
US11088154B1 (en) * | 2020-02-11 | 2021-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Ferroelectric device and methods of fabrication thereof |
CN112736198B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-06-02 | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 | 一种阻变存储器及其制备方法 |
US11568927B2 (en) * | 2021-03-30 | 2023-01-31 | International Business Machines Corporation | Two-terminal non-volatile memory cell for decoupled read and write operations |
US11569444B2 (en) * | 2021-03-30 | 2023-01-31 | International Business Machines Corporation | Three-dimensional confined memory cell with decoupled read-write |
US20230157187A1 (en) * | 2021-11-15 | 2023-05-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Resistive memory device with enhanced local electric field and methods of forming the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008001712A1 (fr) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Nec Corporation | Élément de commutation, dispositif à semi-conducteurs, circuit intégré logique réinscriptible et élément de mémoire |
WO2008047711A1 (fr) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Panasonic Corporation | Réseau d'élément de stockage non-volatile et son procédé de fabrication |
JP2008244090A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Nec Corp | スイッチング素子およびスイッチング素子の製造方法 |
WO2008149605A1 (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Nec Corporation | 抵抗変化素子およびこれを備えた半導体装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100481866B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2005-04-11 | 삼성전자주식회사 | 상변환 기억소자 및 그 제조방법 |
JP2006319028A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Nec Corp | スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子 |
WO2007013174A1 (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Fujitsu Limited | 抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
US8035096B2 (en) * | 2006-02-09 | 2011-10-11 | Nec Corporation | Switching device, rewritable logic integrated circuit, and memory device |
US7772581B2 (en) * | 2006-09-11 | 2010-08-10 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device having wide area phase change element and small electrode contact area |
US7608851B2 (en) * | 2007-05-08 | 2009-10-27 | International Business Machines Corporation | Switch array circuit and system using programmable via structures with phase change materials |
KR20090081153A (ko) * | 2008-01-23 | 2009-07-28 | 삼성전자주식회사 | 저항성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US7928569B2 (en) * | 2008-08-14 | 2011-04-19 | International Business Machines Corporation | Redundant barrier structure for interconnect and wiring applications, design structure and method of manufacture |
-
2010
- 2010-01-08 JP JP2010545785A patent/JP5382001B2/ja active Active
- 2010-01-08 WO PCT/JP2010/050122 patent/WO2010079816A1/ja active Application Filing
- 2010-01-08 US US13/139,602 patent/US9406877B2/en active Active
-
2016
- 2016-06-06 US US15/173,875 patent/US10256400B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008001712A1 (fr) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Nec Corporation | Élément de commutation, dispositif à semi-conducteurs, circuit intégré logique réinscriptible et élément de mémoire |
WO2008047711A1 (fr) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Panasonic Corporation | Réseau d'élément de stockage non-volatile et son procédé de fabrication |
JP2008244090A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Nec Corp | スイッチング素子およびスイッチング素子の製造方法 |
WO2008149605A1 (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Nec Corporation | 抵抗変化素子およびこれを備えた半導体装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6010019655; T.SAKAMOTO,et al: 'A Ta2O5 solid-electrolyte switch with improved reliability' 2007 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers , 2007, p.38-39 * |
JPN6010019656; Michael N.Kozicki,et al: 'Nanoscale Memory Elements Based on Solid-State Elecrolytes' IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY Vol.4,No.3, 200505, p.331-338 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10340452B2 (en) | 2015-12-07 | 2019-07-02 | Nec Corporation | Variable resistance element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device |
US10797105B2 (en) | 2016-07-01 | 2020-10-06 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for producing semiconductor device |
US10923534B2 (en) | 2016-08-04 | 2021-02-16 | Nec Corporation | Rectifying element and switching element having the rectifying element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10256400B2 (en) | 2019-04-09 |
US20110272664A1 (en) | 2011-11-10 |
WO2010079816A1 (ja) | 2010-07-15 |
US9406877B2 (en) | 2016-08-02 |
JPWO2010079816A1 (ja) | 2012-06-28 |
US20160284993A1 (en) | 2016-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5382001B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6428860B2 (ja) | スイッチング素子およびスイッチング素子の製造方法 | |
JP5692297B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9029825B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device | |
US8586958B2 (en) | Switching element and manufacturing method thereof | |
JP5799504B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011238828A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6665776B2 (ja) | スイッチング素子及びスイッチング素子の製造方法 | |
JP5527321B2 (ja) | 抵抗変化素子及びその製造方法 | |
JP5999768B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5895932B2 (ja) | 抵抗変化素子、それを含む半導体装置およびそれらの製造方法 | |
WO2016203751A1 (ja) | 整流素子、スイッチング素子および整流素子の製造方法 | |
JP5807789B2 (ja) | スイッチング素子、半導体装置およびそれぞれの製造方法 | |
WO2012074131A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2016157820A1 (ja) | スイッチング素子、半導体装置、及びスイッチング素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130805 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5382001 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |