JP5380817B2 - 貫通電極形成方法及び半導体チップ - Google Patents
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Description
、表裏貫通部を矩形形状のスリットとして形成することを特徴とする。
2 貫通電極
3 絶縁材
4 導電経路
5 絶縁膜
6 表裏貫通部
7 貫通孔
8 Al電極
9 レジスト
10 表裏貫通部(スリット)
11 半導体チップ
12 パターンニング
13 隣接半導体チップ
14 モジュール
15 インターポーザ
16 バンプ
17 針状治具
Claims (9)
- 半導体基板上に形成された半導体回路の電極位置に、前記半導体基板の表面から裏面まで達する貫通孔を形成し、前記貫通孔に電気的導通経路を形成することにより前記半導体基板の表面から裏面に達する導電材料を設ける貫通電極形成方法において、
前記半導体基板に貫通電極用の前記貫通孔を形成する前に、予め前記貫通孔を包含する大きさの表裏貫通部を形成し、
前記表裏貫通部の中央部に針状治具を挿入し、
前記表裏貫通部の針状治具の周囲に充填材料を充填して硬化させた後に、前記針状治具を除去することにより前記充填材料に前記貫通孔を形成し、
前記貫通孔内部の少なくとも一部に前記導電材料を設けることを特徴とする貫通電極形成方法。 - 前記半導体基板に前記半導体回路が形成された後に、前記表裏貫通部を形成することを特徴とする請求項1記載の貫通電極形成方法。
- 前記半導体基板に前記半導体回路が形成される前に、前記表裏貫通部を形成することを特徴とする請求項1記載の貫通電極形成方法。
- 前記表裏貫通部を端面の辺の一部が曲線である孔として形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の貫通電極形成方法。
- 前記表裏貫通部を矩形形状のスリットとして形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の貫通電極形成方法。
- 前記表裏貫通部に前記貫通孔を複数形成し、かつ前記各貫通孔同士がそれぞれ独立する状態で形成することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の貫通電極形成方法。
- 前記充填材料に電気的絶縁性を有するものを使用し、前記半導体基板と前記導電材料とを絶縁することを特徴とする請求項1記載の貫通電極形成方法。
- 前記貫通孔の内部全体に、前記導電材料を設けることを特徴とする請求項1,6または7のいずれかに記載の貫通電極形成方法。
- 半導体基板の表面から裏面に達する電気配線を形成する貫通電極を備えた半導体チップにおいて、
請求項1〜8のいずれか1項記載の貫通電極形成方法により形成され、少なくとも2つ以上の前記貫通電極の周囲に配設した電気的絶縁性を有する充填材料が、前記半導体基板の表面から裏面に達する位置に設けられていることを特徴とする半導体チップ。
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