JP4950012B2 - シリコンスルーホールを有する半導体チップ装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の他の目的は、チップとチップとの間やチップとチップ搭載体との間に良好な電気接続品質を提供することが可能で、製造過程の簡易化によって製造時間の短縮ができ、製造コストも下がるシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置及びその製造方法を提供することである。
前記第1端部は、結球端部にしてもよく、その直径は前記貫通孔の口径よりも大きくなるので、前記能動面に突出している。
前記第2端部も結球端部にしてもよい。
さらに外接パッドを備え、前記外接パッドは前記貫通孔に対応して前記チップの前記背面に設置され、且つ、前記第2端部は突出して前記外接パッドと接合している。
さらに穴金属層を有してもよく、前記穴金属層は前記貫通孔内部に位置して前記絶縁層に形成され、且つ、対応する前記再配置パッドと電気接続している。
前記フレキシブル金属線の前記第2端部に半田材が付いてもよい。
前記フレキシブル金属線の前記第2端部は前記再配置パッドに対して移動することができる。
前記チップは近隣に位置する切断側面を有し、前記切断側面は前記貫通孔を露出しない。
以下、本発明の第1実実施形態による半導体チップ装置及びその製造方法を示す。
図2に示すように、シリコンスルーホールを有する半導体チップ装置200は、チップ210、再配線層220、第1不活性化層230、複数の貫通孔240、絶縁層250及び複数のフレキシブル金属線260を備える。
チップ210は能動面211、背面212、及び能動面211上に形成される複数のボンディングパッド213を有する。図2に貫通孔240、フレキシブル金属線260及びボンディングパッド213を示す。様々な集積回路素子は能動面211上に形成されてボンディングパッド213群に電気接続される。チップ210の材質はシリコン、ガリウムひ素或いは他の半導体材質にしてもよい。
絶縁層250は貫通孔240群の内部に形成され、さらにチップ210の背面212に形成されてチップ210の電気漏れと短絡とを防止することができる。
各フレキシブル金属線260は第1端部261と第2端部262とを有し、図2に示すように、第1端部261群は再配置パッド221群と接合され、能動面211に突出することが好ましい。第2端部262群は貫通孔240群を通過してチップ210の背面212に突出している。フレキシブル金属線260群の第1端部261はワイヤボンディング時に焼結形成される結球端部にしてもよく、再配置パッド221群と電気接続することで、能動面211に突出することができる。
先ず、図3Aに示すように、チップ210を提供し、チップ210はウェハーに形成されることができ、能動面211、背面212及び能動面211に形成される複数のボンディングパッド213を有する。
そして、図3Fに示すように、チップ210の背面212に複数の外接パッド270を設置してもよく、外接パッド270群は貫通孔240群に対応している。
また、絶縁層250に穴金属層290が形成されてもよく(図4参照)、穴金属層290は貫通孔240群の内部に位置して対応する再配置パッド221群と電気接続している。フレキシブル金属線260群は、穴金属層290と零機械的な結合力にしてもよく、穴金属層290の応力に影響されない。
最後に、図3Lに示すように、フレキシブル金属線260群を設置した後、さらにウェハーダイシング(wafer dicing)ステップを含み、ダイシング工具20を用いウェハーをダイシングすることによって複数の分離チップ210ができ、図2に示すような半導体チップ装置200になる。切断側面214はウェハーダイシングステップ中に形成されている。
図6は、本発明の第2実施形態による半導体チップ装置300を示す部分断面図である。半導体チップ装置300は、主にチップ310、再配線層320、不活性化層330、複数の貫通孔340、絶縁層350及び複数のフレキシブル金属線360を備える。チップ310は能動面311、背面312及び能動面311に形成される複数のボンディングパッド313を有する。再配線層320は能動面311上に形成され、ボンディングパッド313群と接続する複数の再配置パッド321とを有する。不活性化層330はチップ310の能動面311上に形成されて再配線層320を覆っている。不活性化層330は再配置パッド321群に対応する複数の開口331を有し、開口331群は貫通孔340群よりも大きな口径を持つことによって、再配置パッド321群は貫通孔340群の外周に位置する露出表面を有し、フレキシブル金属線360群の第1端部361と接合することができる。
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明の保護範囲は特許申請範囲で限定されて、この保護範囲に基準して、本発明の精神と範囲内に触れるどんな変更や修正も本発明の保護範囲に属する。
Claims (17)
- 能動面、背面及び前記能動面に形成されるボンディングパッドを有するチップと、
前記能動面上に形成されて前記ボンディングパッドと接続する再配置パッドを有する再配線層と、
前記チップの前記能動面に形成されて前記再配線層を覆い、前記再配置パッドを露出している不活性化層と、
前記再配置パッドの内部に形成されて前記チップを貫通し、前記能動面から 前記背面に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の内壁と前記チップの前記背面に形成される絶縁層と、
第一端部と第二端部とを有し、前記第一端部は前記再配置パッドと接合し、前記第二端部は前記貫通孔を通過して前記チップの前記背面に突出するフレキシブル金属線と、
を少なくとも備え、
前記第一端部は結球端部であり、その直径は前記貫通孔の口径よりも大きくなり、前記能動面に突出することを特徴とするシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置。 - 前記貫通孔の前記内壁上に位置して前記絶縁層に形成され、前記再配置パッドと電気接続する穴金属層を備え、
前記フレキシブル金属線と前記穴金属層とは機械的な結合力が零になっていることを特徴とする請求項1に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置。 - 前記該第二端部も結球端部であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置。
- さらに外接パッドを備え、前記外接パッドは前記貫通孔に対応して前記チップの前記背面に設置され、前記第二端部は突出して前記外接パッドと接合することを特徴とする請求項1に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置。
- 前記不活性化層は前記再配置パッドに対応する開口を有し、前記開口の口径は前記貫通孔の口径よりも大きくなり、前記再配置パッドは前記フレキシブル金属線の前記第一端部と接合可能であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置。
- 前記フレキシブル金属線の前記第二端部に半田材が付いていることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置。
- 前記フレキシブル金属線の前記第二端部は前記再配置パッドに対して移動可能であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置。
- 前記チップは近隣に位置する切断側面を有し、前記切断側面は前記貫通孔を露出しないことを特徴とする請求項1に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置。
- 能動面、背面及び該能動面に形成されるボンディングパッドを有するチップを提供するステップと、
前記ボンディングパッドと接続する再配置パッドを有する再配線層を前記チップの前記能動面上に形成するステップと、
前記再配線層を覆い前記再配置パッドを露出する不活性化層を前記チップの前記能動面に形成するステップと、
前記再配置パッドに前記チップの前記能動面から前記背面に貫通する貫通孔を形成するステップと、
前記貫通孔の内壁に絶縁層を形成するステップと、
第一端部と第二端部とを有し、前記第一端部は前記再配置パッドと接合し、前記第二端部は前記貫通孔を通過し前記チップの前記背面に突出するフレキシブル金属線を前記チップ内に設置するステップと、
を含み、
前記第一端部は結球端部であり、その直径は前記貫通孔の口径よりも大きくなり、前記能動面に突出することを特徴とするシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置の製造方法。 - 前記貫通孔の前記内壁に位置して前記絶縁層上に形成され、且つ、前記再配置パッドと電気接続している穴金属層を形成するステップを含み、
前記フレキシブル金属線と前記穴金属層とは機械的な結合力が零になっていることを特徴とする請求項9に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置の製造方法。 - 前記絶縁層はさらに前記チップの前記背面に形成されることを特徴とする請求項9に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置の製造方法。
- 前記第二端部も結球端部であることを特徴とする請求項9に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置の製造方法。
- さらに、前記貫通孔に対応して前記チップの前記背面に設置され、前記第二端部が突出して接合する外接パッドを設置するステップを含むことを特徴とする請求項9に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置の製造方法。
- 前記不活性化層は前記再配置パッドに対応する開口を有し、前記開口の口径は前記貫通孔の口径よりも大きくなり、前記再配置パッドは前記フレキシブル金属線の前記第一端部と接合可能であることを特徴とする請求項9に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置の製造方法。
- 前記フレキシブル金属線の前記第二端部に半田材が付いていることを特徴とする請求項9に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置の製造方法。
- 前記フレキシブル金属線の前記第二端部は前記再配置パッドに対して移動可能であることを特徴とする請求項9に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置の製造方法。
- さらに、ウェハーに製造形成された前記チップに前記フレキシブル金属線を設置した後、ウェハーダイシングステップを含むことを特徴とする請求項9に記載のシリコンスルーホールを有する半導体チップ装置の製造方法。
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