JP5375610B2 - 化合物及びその製造方法 - Google Patents
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- WQRBCMCLUPYUTH-FIFLTTCUSA-N CC/C=C/C(C)c(cc(C(C)/C=C/CC)c(O)c1)c1O Chemical compound CC/C=C/C(C)c(cc(C(C)/C=C/CC)c(O)c1)c1O WQRBCMCLUPYUTH-FIFLTTCUSA-N 0.000 description 1
- DULKFROTBIRKGN-STUABQKDSA-N CCC(CC(/C(/C=C)=C(/CCC(CC(C)(C=C)P)C(C)C)\O)c(c(O)c1)cc(C(C2)/C(/C=C)=C(/CC)\O)c1O)(CC1c(c(O)c3)ccc3O)C2(C)CC(c(c(O)c2)ccc2O)c(c(O)c2)cc1c2O Chemical compound CCC(CC(/C(/C=C)=C(/CCC(CC(C)(C=C)P)C(C)C)\O)c(c(O)c1)cc(C(C2)/C(/C=C)=C(/CC)\O)c1O)(CC1c(c(O)c3)ccc3O)C2(C)CC(c(c(O)c2)ccc2O)c(c(O)c2)cc1c2O DULKFROTBIRKGN-STUABQKDSA-N 0.000 description 1
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Description
本発明の化合物の一の実施形態は、下記一般式(1)で表される化合物、及び下記一般式(2)で表される化合物を縮合反応させ、前記一般式(1)で表される化合物に由来するベンゼン環の不飽和結合を水素添加して得られるものである。この化合物を感放射線性樹脂組成物に含有させることによって、この感放射線性樹脂組成物は、露光光としてArFエキシマレーザーを用いたリソグラフィ技術において、ArFエキシマレーザーの透過性に優れるため、レジストパターンのラインエッジラフネスが低減され、高精度にかつ安定して微細パターンを形成することが可能なレジスト膜を形成可能であることに加え、塗布性に優れるというものである。
本実施形態の化合物は、まず、上記一般式(1)で表される化合物、及び上記一般式(2)で表される化合物を縮合反応させることによって得られるものである。目的とする本実施形態の化合物は、上記一般式(1)で表される化合物、及び上記一般式(2)で表される化合物を縮合反応させることによって容易に合成することができるという利点がある。なお、一般式(1)で表される化合物、及び一般式(2)で表される化合物は、それぞれ、単独でまたは複数を組み合わせて使用することができる。
次に、本実施形態の化合物は、一般式(1)で表される化合物に由来するベンゼン環の不飽和結合を水素添加(以下、単に「水添」と記す場合がある)して得られるものである。このようにベンゼン環の不飽和結合を水素添加する前の縮合反応生成物は、波長193nm付近における吸収が大きいものであるが、水素添加によって、波長193nm付近における吸収が小さい化合物(本実施形態の化合物)になるため、本実施形態の化合物を材料として含む感放射性樹脂組成物によりレジスト膜を形成した際に、形成したレジスト膜の、ArFエキシマレーザーに対する透過性が向上する。また、水添によって、有機溶剤への溶解性が向上するため、本実施形態の化合物を材料として含む感放射性樹脂組成物を塗布する際の塗布性が向上する。
レゾルシノール2.20g(20mmol)をエタノール4.5mLに溶解させ塩酸1.5mL加えた。この溶液を撹拌しながら5℃まで氷冷し、グルタルアルデヒドの50%水溶液1.00g(5mmol)をゆっくりと滴下した。その後、80℃で48時間加熱した。反応終了後、固体が析出した反応液を室温まで冷却した後、撹拌しながら、メタノールを注ぎ、固体を洗浄した。沈殿物をろ過により取得後、メタノール洗浄〜ろ過の工程を3回繰り返した。得られた固体を室温で24時間減圧乾燥した。その結果、粉末状の淡黄色固体が得られた(収量:1.18g(収率:83%)、表1中「A−1」と示す)。得られた淡黄色固体の構造確認は、MALDI−TOF−MS(型番SHIMAZU/KRATOSマトリックス支援レーザーイオン化飛行時間型質量分析装置「KOMPACT MALDI IV tDE」、島津製作所社製)、IR(型番「FT−IR 420型」、日本分光社製)及び1H−NMR(型番「JNM−ECA−500型」、日本電子社製)で行った。これらの結果を以下に示す。
3406(νOH);2931(νC−H);1621、1505、1436(νC=C(aromatic))
東京エレクトロン社製の「クリーントラックACT−8」を用いて、シリコンウエハー上に組成物溶液をスピンコートした後、70℃で90秒間加熱処理(表1中「PB」と示す)を行い、100nmのレジスト膜を得た。このレジスト膜の表面を目視により観察して塗布性の評価を行った。評価基準は、ストリエーションが観察されない場合を「良好」とし、ストリエーションが観察された場合を「不良」とした。
東京エレクトロン社製の「クリーントラックACT−8」を用いて、MgF2基板上に組成物溶液をスピンコートした後、70℃で90秒間加熱処理(表1中「PB」と示す)を行い、100nmのレジスト膜を得た。このレジスト膜について193nmにおける透過率を、分光計器社製の「VU−201型真空紫外分光光度計」で測定した。
実施例1で得られた式(9)で表される化合物100部、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2100部を混合した。この混合液を孔径200nmのメンブランフィルターでろ過して均一な組成物溶液(感放射線性樹脂組成物)を調製し、評価を行った。その評価結果を表1に示す。
実施例1で得られた淡黄色固体(式(6)で表される化合物)100部、溶剤としてシクロヘキサノン600部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1500部を混合した。しかし、溶解性が悪く、均一な溶液を得ることはできなかった。そのため、塗布性、及び透過率の評価を行うことはできなかった。
実施例1で得られた淡黄色固体(式(6)で表される化合物)100部、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2100部を混合した。しかし、溶解性が悪く、均一な溶液を得ることはできなかった。そのため、塗布性、及び透過率の評価を行うことはできなかった。
4−t−ブトキシスチレン100g、アゾビスイソブチロニトリル4.7g、t−ドデシルメルカプタン1.5g、及び、プロピレングリコールモノメチルエーテル100gをセパラブルフラスコに投入し、室温で攪拌して均一溶液とした。窒素雰囲気下、80℃まで昇温させ、攪拌しつつ10時間重合反応させた。重合終了後、反応液に大量のメタノールを加えて再沈させ、精製した。このようにして得られた重合体90gをプロピレングリコールモノメチルエーテル500gに溶解させ、これを減圧濃縮した。
実施例1で得られた淡黄色固体(式(6)で表される化合物)3.5gを1−メチル−2−ピロリドン40gに加えた後、更にテトラブチルアンモニウムブロマイド0.8gを加え、70℃で4時間攪拌し溶解させた。溶解後、炭酸カリウム3.3gを加え、70℃で1時間撹拌した。その後、予め1−メチル−2−ピロリドン20gに溶解させたブロモ酢酸2−メチル−2−アダマンチル6.9gを徐々に加え、70℃で6時間攪拌した。攪拌後、室温まで冷却し、水/塩化メチレンで抽出を行った。続いて、3%のシュウ酸水100mlで3回洗浄した後、水100mlで2回洗浄した。水層を廃棄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。その後、ヘキサン:酢酸エチル=1:4を留出液としてシリカゲルカラムで精製して、下記一般式(A−4)で表される化合物を3.2g得た(表1中、「A−4」と示す)。なお、1H−NMR分析を行ったところ下記一般式(A−4)で表される化合物における保護率(下記一般式(A−4)で表される化合物中のフェノール性水酸基の水素原子が2−メチル−2−アダマンチルオキシカルボニルメチル基(下記式(R−1)で表される基)で置換された割合)は40%であった。
Claims (5)
- 下記一般式(1)で表される化合物、及び下記一般式(2)で表される化合物を縮合反応させて下記一般式(3)で表される化合物を得た後、前記一般式(3)で表される化合物の前記一般式(1)で表される化合物に由来するベンゼン環の不飽和結合を水素添加して得られる化合物。
- 前記一般式(3)で表される化合物中に含まれる全ベンゼン環の全不飽和結合のうち、30〜100%の前記不飽和結合が水素添加された請求項1または2に記載の化合物。
- 下記一般式(1)で表される化合物、及び下記一般式(2)で表される化合物を縮合反応させて前記一般式(3)で表される化合物を得た後、得られた前記一般式(3)で表される化合物中の前記一般式(1)で表される化合物に由来するベンゼン環の不飽和結合を水素添加して請求項1〜3のいずれか一項に記載の化合物を得る化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009525341A JP5375610B2 (ja) | 2007-07-27 | 2008-07-18 | 化合物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007196540 | 2007-07-27 | ||
JP2007196540 | 2007-07-27 | ||
JP2009525341A JP5375610B2 (ja) | 2007-07-27 | 2008-07-18 | 化合物及びその製造方法 |
PCT/JP2008/063069 WO2009016984A1 (ja) | 2007-07-27 | 2008-07-18 | 化合物及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009016984A1 JPWO2009016984A1 (ja) | 2010-10-14 |
JP5375610B2 true JP5375610B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=40304217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009525341A Active JP5375610B2 (ja) | 2007-07-27 | 2008-07-18 | 化合物及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5375610B2 (ja) |
TW (1) | TW200909403A (ja) |
WO (1) | WO2009016984A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8748078B2 (en) | 2009-09-09 | 2014-06-10 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cyclic compound, process for preparation thereof, radiation-sensitive composition, and method for formation of resist pattern |
JP5820171B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2015-11-24 | Jsr株式会社 | 包接化合物およびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002003447A (ja) * | 2000-02-26 | 2002-01-09 | Shipley Co Llc | 新規モノマー、ポリマー、それらの合成方法及びフォトレジスト組成物 |
JP2002055450A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-20 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | レジスト組成物、及び半導体装置の製造方法 |
WO2005075398A1 (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Jsr Corporation | カリックスアレーン系化合物、その製造方法、その中間体及びその組成物 |
JP2007008875A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Jsr Corp | カリックスアレーン系誘導体及びそれを含有する組成物 |
-
2008
- 2008-07-18 WO PCT/JP2008/063069 patent/WO2009016984A1/ja active Application Filing
- 2008-07-18 JP JP2009525341A patent/JP5375610B2/ja active Active
- 2008-07-21 TW TW097127625A patent/TW200909403A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002003447A (ja) * | 2000-02-26 | 2002-01-09 | Shipley Co Llc | 新規モノマー、ポリマー、それらの合成方法及びフォトレジスト組成物 |
JP2002055450A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-20 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | レジスト組成物、及び半導体装置の製造方法 |
WO2005075398A1 (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Jsr Corporation | カリックスアレーン系化合物、その製造方法、その中間体及びその組成物 |
JP2007008875A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Jsr Corp | カリックスアレーン系誘導体及びそれを含有する組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009016984A1 (ja) | 2009-02-05 |
JPWO2009016984A1 (ja) | 2010-10-14 |
TW200909403A (en) | 2009-03-01 |
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