JPH09188642A - フェノール系非対称多核体化合物、その製法および用途 - Google Patents
フェノール系非対称多核体化合物、その製法および用途Info
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- JPH09188642A JPH09188642A JP177396A JP177396A JPH09188642A JP H09188642 A JPH09188642 A JP H09188642A JP 177396 A JP177396 A JP 177396A JP 177396 A JP177396 A JP 177396A JP H09188642 A JPH09188642 A JP H09188642A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストなどの感光剤またはその前駆体とし
て有用なフェノール系化合物を提供し、その感光剤を用
いてレジスト性能の向上を図る。 【解決手段】 式(I)で示される化合物。 Xは水酸基または式(II) のフェニル基を表し、ここにR1 〜R5 は各々水素、水
酸基、アルキルまたはフェニルを表すが、Xが式(II)
のフェニル基であるときは、分子構造中の水酸基の一部
または全部が1,2−ナフトキノンジアジド−4−また
は−5−スルホン酸エステル化されていてもよい。Xが
水酸基の化合物は、Xを前記フェニルとするための中間
体となり、Xが前記フェニルの化合物は、キノンジアジ
ドスルホン酸エステル化するための原料となり、そして
キノンジアジドスルホン酸エステル化された化合物は、
アルカリ可溶性樹脂と混合して用いられる感光剤とな
る。
て有用なフェノール系化合物を提供し、その感光剤を用
いてレジスト性能の向上を図る。 【解決手段】 式(I)で示される化合物。 Xは水酸基または式(II) のフェニル基を表し、ここにR1 〜R5 は各々水素、水
酸基、アルキルまたはフェニルを表すが、Xが式(II)
のフェニル基であるときは、分子構造中の水酸基の一部
または全部が1,2−ナフトキノンジアジド−4−また
は−5−スルホン酸エステル化されていてもよい。Xが
水酸基の化合物は、Xを前記フェニルとするための中間
体となり、Xが前記フェニルの化合物は、キノンジアジ
ドスルホン酸エステル化するための原料となり、そして
キノンジアジドスルホン酸エステル化された化合物は、
アルカリ可溶性樹脂と混合して用いられる感光剤とな
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なフェノール
系化合物、それの製造方法およびそれの感光剤分野への
適用に関するものである。また本発明は、非対称フェノ
ール系3核体化合物を製造するための重要な中間体およ
びその製造方法を提供するものでもある。
系化合物、それの製造方法およびそれの感光剤分野への
適用に関するものである。また本発明は、非対称フェノ
ール系3核体化合物を製造するための重要な中間体およ
びその製造方法を提供するものでもある。
【0002】
【従来の技術】一般に、フェノール性水酸基を有する化
合物をキノンジアジドスルホン酸エステル化して、半導
体微細加工用の感光性樹脂組成物における感光剤として
用いることは公知である。すなわち、キノンジアジド基
を有する化合物とノボラック樹脂を含む組成物を金属基
板上に塗布し、これに300〜500nmの波長の光を照
射すると、キノンジアジド基が分解してカルボキシル基
を生じ、アルカリ不溶の状態からアルカリ可溶の状態に
なることを利用して、かかる組成物はポジ型レジストと
して用いられる。このポジ型レジストは、ネガ型レジス
トに比べて解像力に優れるという特徴を有することか
ら、半導体用の各種集積回路の製作に利用されている。
そして、半導体産業における集積回路は近年、高集積化
に伴い、微細化の一途をたどっており、今やサブミクロ
ンのパターン形成が要求されるに至っている。そのなか
でも、リソグラフィープロセスは、集積回路製造時の重
要な地位を占めており、ポジ型レジストについても、一
層優れた解像度、すなわち高いγ値が求められるように
なっている。
合物をキノンジアジドスルホン酸エステル化して、半導
体微細加工用の感光性樹脂組成物における感光剤として
用いることは公知である。すなわち、キノンジアジド基
を有する化合物とノボラック樹脂を含む組成物を金属基
板上に塗布し、これに300〜500nmの波長の光を照
射すると、キノンジアジド基が分解してカルボキシル基
を生じ、アルカリ不溶の状態からアルカリ可溶の状態に
なることを利用して、かかる組成物はポジ型レジストと
して用いられる。このポジ型レジストは、ネガ型レジス
トに比べて解像力に優れるという特徴を有することか
ら、半導体用の各種集積回路の製作に利用されている。
そして、半導体産業における集積回路は近年、高集積化
に伴い、微細化の一途をたどっており、今やサブミクロ
ンのパターン形成が要求されるに至っている。そのなか
でも、リソグラフィープロセスは、集積回路製造時の重
要な地位を占めており、ポジ型レジストについても、一
層優れた解像度、すなわち高いγ値が求められるように
なっている。
【0003】キノンジアジド化合物およびノボラック樹
脂を含有するレジスト材料については、各成分の組合せ
について従来から数多くの提案がなされてきている。例
えば特開平 1-189644 号公報(=USP 5,153,096)には、フ
ェノール性水酸基を少なくとも2個有するトリフェニル
メタン系の化合物をキノンジアジドスルホン酸エステル
化したものを、感光剤として用いることが記載されてい
る。しかしながらこうした公知の感光剤を用いても、現
在の超高集積回路作製のための超微細加工用、いわゆる
サブミクロンリソグラフィー用のレジストとしては限界
があった。そこで、感度、解像度、耐熱性等のレジスト
性能を向上させるために、種々の研究が行われている。
また、感光剤化のために一般に使用されているフェノー
ル系多核体化合物は、構造上対称であるため、レジスト
溶剤中で結晶が析出しやすいという、集積回路の製作に
おいて非常に大きな問題があった。
脂を含有するレジスト材料については、各成分の組合せ
について従来から数多くの提案がなされてきている。例
えば特開平 1-189644 号公報(=USP 5,153,096)には、フ
ェノール性水酸基を少なくとも2個有するトリフェニル
メタン系の化合物をキノンジアジドスルホン酸エステル
化したものを、感光剤として用いることが記載されてい
る。しかしながらこうした公知の感光剤を用いても、現
在の超高集積回路作製のための超微細加工用、いわゆる
サブミクロンリソグラフィー用のレジストとしては限界
があった。そこで、感度、解像度、耐熱性等のレジスト
性能を向上させるために、種々の研究が行われている。
また、感光剤化のために一般に使用されているフェノー
ル系多核体化合物は、構造上対称であるため、レジスト
溶剤中で結晶が析出しやすいという、集積回路の製作に
おいて非常に大きな問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、感光
性樹脂組成物の感光剤成分となりうる、あるいはその原
料となりうる新規なフェノール系化合物を提供すること
にある。
性樹脂組成物の感光剤成分となりうる、あるいはその原
料となりうる新規なフェノール系化合物を提供すること
にある。
【0005】本発明の別の目的は、集積回路製作用とし
て前記従来技術の問題点を解決し、高い感度、高い解像
力、高い耐熱性、良好なプロファイル、良好なフォーカ
ス許容性、少ない現像残渣など、レジスト諸性能のバラ
ンスがとれた感光性樹脂組成物を提供することにある。
て前記従来技術の問題点を解決し、高い感度、高い解像
力、高い耐熱性、良好なプロファイル、良好なフォーカ
ス許容性、少ない現像残渣など、レジスト諸性能のバラ
ンスがとれた感光性樹脂組成物を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
続けた結果、非対称フェノール系3核体化合物を見出
し、またその中間体となるフェノール系2核体のメチロ
ール化合物を見出し、そして、上記3核体化合物をキノ
ンジアジドスルホン酸エステル化したものを感光剤とし
て用いることにより、上記の目的が達成されることを見
出し、本発明を完成した。
続けた結果、非対称フェノール系3核体化合物を見出
し、またその中間体となるフェノール系2核体のメチロ
ール化合物を見出し、そして、上記3核体化合物をキノ
ンジアジドスルホン酸エステル化したものを感光剤とし
て用いることにより、上記の目的が達成されることを見
出し、本発明を完成した。
【0007】したがって本発明は、次式(I)で示され
るフェノール系多核体化合物を提供するものである。
るフェノール系多核体化合物を提供するものである。
【0008】
【0009】式中、Xは水酸基または式(II)
【0010】
【0011】で示されるフェニル基を表し、ここに
R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 は互いに独立に、水
素、水酸基、炭素数1〜6のアルキルまたはフェニルを
表すが、Xが式(II)のフェニル基である場合は、分子
構造中の水酸基の一部または全部が1,2−ナフトキノ
ンジアジド−4−または−5−スルホニルでエステル化
されていてもよい。
R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 は互いに独立に、水
素、水酸基、炭素数1〜6のアルキルまたはフェニルを
表すが、Xが式(II)のフェニル基である場合は、分子
構造中の水酸基の一部または全部が1,2−ナフトキノ
ンジアジド−4−または−5−スルホニルでエステル化
されていてもよい。
【0012】式(I)において、Xが水酸基である2−
ヒドロキシメチル−4−(4−ヒドロキシ−2,5−ジ
メチルベンジル)−6−メチルフェノールは、次式(II
I)
ヒドロキシメチル−4−(4−ヒドロキシ−2,5−ジ
メチルベンジル)−6−メチルフェノールは、次式(II
I)
【0013】
【0014】の構造を有し、以下、簡単のため、「メチ
ロール化合物(III) 」と呼ぶことがあるが、この化合物
は、式(I)においてXが前記式(II)のフェニル基で
ある化合物へと導くための中間体として重要である。メ
チロール化合物(III) は、o−クレゾールをホルムアル
デヒドでジメチロール化して得られる2,4−ジヒドロ
キシメチル−6−メチルフェノールを、2,5−キシレ
ノールと反応させることにより、製造できる。
ロール化合物(III) 」と呼ぶことがあるが、この化合物
は、式(I)においてXが前記式(II)のフェニル基で
ある化合物へと導くための中間体として重要である。メ
チロール化合物(III) は、o−クレゾールをホルムアル
デヒドでジメチロール化して得られる2,4−ジヒドロ
キシメチル−6−メチルフェノールを、2,5−キシレ
ノールと反応させることにより、製造できる。
【0015】また、メチロール化合物(III) と次式(I
V)
V)
【0016】
【0017】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびR
5 は前記の意味を表す)で示される芳香族化合物との反
応により、式(I)中のXが前記式(II)のフェニル基
であり、水酸基がエステル化されていない化合物、すな
わち次式(V)
5 は前記の意味を表す)で示される芳香族化合物との反
応により、式(I)中のXが前記式(II)のフェニル基
であり、水酸基がエステル化されていない化合物、すな
わち次式(V)
【0018】
【0019】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびR
5 は前記の意味を表す)で示されるフェノール系3核体
化合物が製造される。
5 は前記の意味を表す)で示されるフェノール系3核体
化合物が製造される。
【0020】式(V)のフェノール系3核体化合物を
1,2−ナフトキノンジアジド−4−または−5−スル
ホニルハライドと反応させることにより、式(V)中の
水酸基の一部または全部が1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−または−5−スルホン酸エステルとなった化合
物を製造することができる。
1,2−ナフトキノンジアジド−4−または−5−スル
ホニルハライドと反応させることにより、式(V)中の
水酸基の一部または全部が1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−または−5−スルホン酸エステルとなった化合
物を製造することができる。
【0021】式(V)で示され、分子構造中の水酸基の
少なくとも一部が1,2−ナフトキノンジアジド−4−
または−5−スルホニルでエステル化された化合物は、
近ないし中程度の紫外線や遠紫外線(エキシマーレーザ
ーなどを含む)のような放射線に感応する感光剤として
有用であり、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と組み合わ
せて感光性樹脂組成物とするのに有利である。
少なくとも一部が1,2−ナフトキノンジアジド−4−
または−5−スルホニルでエステル化された化合物は、
近ないし中程度の紫外線や遠紫外線(エキシマーレーザ
ーなどを含む)のような放射線に感応する感光剤として
有用であり、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と組み合わ
せて感光性樹脂組成物とするのに有利である。
【0022】
【発明の実施の形態】式(II)、(IV) および(V)に
おいて、R1 、R2 、R3 、R4 およびR5は、先に定
義した水素、水酸基、アルキルまたはフェニルである
が、これらのうち一つ、二つまたは三つが水酸基であ
り、残りが互いに独立に、水素、アルキルまたはフェニ
ルであるのが有利である。またR1 、R2 、R3 、R4
およびR5のうち、少なくとも一つは水素であるのが有
利である。アルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、t−ブチルなど、炭素数1〜6のものであること
ができる。
おいて、R1 、R2 、R3 、R4 およびR5は、先に定
義した水素、水酸基、アルキルまたはフェニルである
が、これらのうち一つ、二つまたは三つが水酸基であ
り、残りが互いに独立に、水素、アルキルまたはフェニ
ルであるのが有利である。またR1 、R2 、R3 、R4
およびR5のうち、少なくとも一つは水素であるのが有
利である。アルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、t−ブチルなど、炭素数1〜6のものであること
ができる。
【0023】式(V)の非対称フェノール系3核体化合
物は、メチロール化合物(III) と式(IV)の芳香族化合
物を反応させることにより、製造することができる。こ
の反応において原料となるメチロール化合物(III) は、
例えば、o−クレゾールをホルムアルデヒドでジメチロ
ール化して得られる2,4−ジヒドロキシメチル−6−
メチルフェノールを、酸触媒の存在下で、2,5−キシ
レノールと縮合反応させることにより、製造できる。o
−クレゾールのジメチロール化は、通常、アルカリ触媒
の存在下でホルムアルデヒドと反応させることにより行
われる。
物は、メチロール化合物(III) と式(IV)の芳香族化合
物を反応させることにより、製造することができる。こ
の反応において原料となるメチロール化合物(III) は、
例えば、o−クレゾールをホルムアルデヒドでジメチロ
ール化して得られる2,4−ジヒドロキシメチル−6−
メチルフェノールを、酸触媒の存在下で、2,5−キシ
レノールと縮合反応させることにより、製造できる。o
−クレゾールのジメチロール化は、通常、アルカリ触媒
の存在下でホルムアルデヒドと反応させることにより行
われる。
【0024】2,4−ジヒドロキシメチル−6−メチル
フェノールと2,5−キシレノールとの反応において、
2,5−キシレノールは、2,4−ジヒドロキシメチル
−6−メチルフェノールに対し、一般的には1〜8のモ
ル比、好ましくは1〜4、さらに好ましくは1〜2のモ
ル比で用いられる。この反応は通常、酸触媒の存在下で
行われ、酸触媒は、塩酸や硫酸のような無機酸、p−ト
ルエンスルホン酸のような有機酸のいずれでもよいが、
なかでも、硫酸またはp−トルエンスルホン酸が好まし
く用いられる。酸触媒は、2,4−ジヒドロキシメチル
−6−メチルフェノールに対し、通常1当量以下、好ま
しくは0.01〜0.5当量の範囲で用いられる。
フェノールと2,5−キシレノールとの反応において、
2,5−キシレノールは、2,4−ジヒドロキシメチル
−6−メチルフェノールに対し、一般的には1〜8のモ
ル比、好ましくは1〜4、さらに好ましくは1〜2のモ
ル比で用いられる。この反応は通常、酸触媒の存在下で
行われ、酸触媒は、塩酸や硫酸のような無機酸、p−ト
ルエンスルホン酸のような有機酸のいずれでもよいが、
なかでも、硫酸またはp−トルエンスルホン酸が好まし
く用いられる。酸触媒は、2,4−ジヒドロキシメチル
−6−メチルフェノールに対し、通常1当量以下、好ま
しくは0.01〜0.5当量の範囲で用いられる。
【0025】この反応は一般に溶媒中で行われ、この場
合の反応溶媒は、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどのアルコールであるのが好ましく、とりわけ
メタノールが好ましく用いられる。この際芳香族溶媒を
使用すると、反応速度が速くなり、3核体が生成するこ
とから、選択的にメチロール化合物(III) を合成するの
が難しくなる。反応溶媒、例えばメタノールは、2,5
−キシレノールの量を基準に、一般的には0.5〜5重量
倍の範囲で、好ましくは1〜3重量倍、さらに好ましく
は1〜2重量倍の範囲で使用される。
合の反応溶媒は、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどのアルコールであるのが好ましく、とりわけ
メタノールが好ましく用いられる。この際芳香族溶媒を
使用すると、反応速度が速くなり、3核体が生成するこ
とから、選択的にメチロール化合物(III) を合成するの
が難しくなる。反応溶媒、例えばメタノールは、2,5
−キシレノールの量を基準に、一般的には0.5〜5重量
倍の範囲で、好ましくは1〜3重量倍、さらに好ましく
は1〜2重量倍の範囲で使用される。
【0026】反応は通常、10〜30℃の範囲の温度
で、1〜3時間程度行われる。この反応は、通常大気圧
下で進行する。反応の進行に伴って、生成したメチロー
ル化合物(III) が析出してくるが、反応時間を長くする
と、析出したメチロール化合物(III) がさらに反応して
溶解し、3核体あるいは高分子量体へと変化するので、
適当な時間で反応を終了させるのが好ましい。反応終了
後は、析出したメチロール化合物(III) を濾別し、アル
コール水溶液などでリンスすることにより金属分を低減
させ、高純度のメチロール化合物(III) を得ることがで
きる。
で、1〜3時間程度行われる。この反応は、通常大気圧
下で進行する。反応の進行に伴って、生成したメチロー
ル化合物(III) が析出してくるが、反応時間を長くする
と、析出したメチロール化合物(III) がさらに反応して
溶解し、3核体あるいは高分子量体へと変化するので、
適当な時間で反応を終了させるのが好ましい。反応終了
後は、析出したメチロール化合物(III) を濾別し、アル
コール水溶液などでリンスすることにより金属分を低減
させ、高純度のメチロール化合物(III) を得ることがで
きる。
【0027】メチロール化合物(III) と式(IV)の芳香
族化合物との縮合反応において、式(IV)の芳香族化合
物は、メチロール化合物(III) に対して、一般的には1
〜8のモル比、好ましくは1〜4、さらに好ましくは1
〜2のモル比で用いられる。この反応は一般に酸触媒の
存在下で行われ、酸触媒は、塩酸や硫酸のような無機
酸、p−トルエンスルホン酸のような有機酸のいずれで
もよいが、なかでも、硫酸またはp−トルエンスルホン
酸が好ましく用いられる。酸触媒は、メチロール化合物
(III) に対し、通常1当量以下、好ましくは0.01〜
0.5当量の範囲で用いられる。
族化合物との縮合反応において、式(IV)の芳香族化合
物は、メチロール化合物(III) に対して、一般的には1
〜8のモル比、好ましくは1〜4、さらに好ましくは1
〜2のモル比で用いられる。この反応は一般に酸触媒の
存在下で行われ、酸触媒は、塩酸や硫酸のような無機
酸、p−トルエンスルホン酸のような有機酸のいずれで
もよいが、なかでも、硫酸またはp−トルエンスルホン
酸が好ましく用いられる。酸触媒は、メチロール化合物
(III) に対し、通常1当量以下、好ましくは0.01〜
0.5当量の範囲で用いられる。
【0028】この反応は一般に溶媒中で行われ、反応溶
媒は、芳香族溶媒またはアルコールであるのが好まし
い。芳香族溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族炭化水素溶媒が挙げられ、なかでもトル
エンが好ましく用いられる。またアルコール溶媒として
は、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの
低級アルコールが挙げられるが、なかでもメタノールが
好ましく用いられる。反応溶媒、例えば芳香族溶媒は、
式(IV)の芳香族化合物の量を基準に、一般的には0.5
〜5重量倍の範囲で、好ましくは1〜3重量倍、さらに
好ましくは1〜2重量倍の範囲で使用される。
媒は、芳香族溶媒またはアルコールであるのが好まし
い。芳香族溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族炭化水素溶媒が挙げられ、なかでもトル
エンが好ましく用いられる。またアルコール溶媒として
は、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの
低級アルコールが挙げられるが、なかでもメタノールが
好ましく用いられる。反応溶媒、例えば芳香族溶媒は、
式(IV)の芳香族化合物の量を基準に、一般的には0.5
〜5重量倍の範囲で、好ましくは1〜3重量倍、さらに
好ましくは1〜2重量倍の範囲で使用される。
【0029】反応は通常、10℃から沸点までの範囲、
好ましくは15〜60℃の範囲の温度で、2〜3時間程
度行われる。また、この反応は通常、大気圧下で進行す
る。反応終了後は、溶媒を留去するなど、適宜の操作を
施すことにより、式(V)のフェノール系3核体化合物
を取得することができる。
好ましくは15〜60℃の範囲の温度で、2〜3時間程
度行われる。また、この反応は通常、大気圧下で進行す
る。反応終了後は、溶媒を留去するなど、適宜の操作を
施すことにより、式(V)のフェノール系3核体化合物
を取得することができる。
【0030】また、この化合物を、後述するようにキノ
ンジアジドスルホン酸エステル化して、半導体製作用の
感光性樹脂組成物における感光剤とする場合は、水への
溶解度が9g/100g以下である溶媒に反応で得られ
る粗生成物を溶解したあと、水洗分液することにより、
金属分を低減させておくのが好ましい。ここで、水への
溶解度が9g/100g以下とは、20℃の水100g
に溶ける最大量が9g以下であることを意味する。ここ
で用いる溶媒は、20℃において、式(V)で示される
フェノール系3核体化合物の溶解度が1g/100g以
上であるのが好ましい。かかる溶媒としては、酢酸エチ
ル、酢酸n−ブチル、酢酸イソアミルのような酢酸エス
テル類、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノンのよ
うなケトン類などが挙げられ、なかでも酢酸エチルが好
ましく用いられる。金属分の低減化処理を行ったあと
は、溶媒留去、晶析など、適宜の操作を施すことによ
り、式(V)のフェノール系3核体化合物を取り出すこ
とができる。
ンジアジドスルホン酸エステル化して、半導体製作用の
感光性樹脂組成物における感光剤とする場合は、水への
溶解度が9g/100g以下である溶媒に反応で得られ
る粗生成物を溶解したあと、水洗分液することにより、
金属分を低減させておくのが好ましい。ここで、水への
溶解度が9g/100g以下とは、20℃の水100g
に溶ける最大量が9g以下であることを意味する。ここ
で用いる溶媒は、20℃において、式(V)で示される
フェノール系3核体化合物の溶解度が1g/100g以
上であるのが好ましい。かかる溶媒としては、酢酸エチ
ル、酢酸n−ブチル、酢酸イソアミルのような酢酸エス
テル類、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノンのよ
うなケトン類などが挙げられ、なかでも酢酸エチルが好
ましく用いられる。金属分の低減化処理を行ったあと
は、溶媒留去、晶析など、適宜の操作を施すことによ
り、式(V)のフェノール系3核体化合物を取り出すこ
とができる。
【0031】かくして得られる式(V)のフェノール系
3核体化合物は、例えばキノンジアジドスルホン酸エス
テル化して、感光剤とすることができる。エステル化に
あたっては、1,2−キノンジアジド骨格を有する各種
のスルホン酸誘導体を用いることができるが、好ましく
は1,2−ナフトキノンジアジド−4−または−5−ス
ルホニルハライドが用いられる。スルホニルハライドを
構成するハロゲンは、例えば塩素や臭素などであること
ができるが、通常は塩素であるのが好ましく、したがっ
て、1,2−ナフトキノンジアジド−4−または−5−
スルホニルクロライドが、エステル化剤として好ましく
用いられる。また、1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホニルハライドと1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホニルハライドの混合物を用いることもでき
る。
3核体化合物は、例えばキノンジアジドスルホン酸エス
テル化して、感光剤とすることができる。エステル化に
あたっては、1,2−キノンジアジド骨格を有する各種
のスルホン酸誘導体を用いることができるが、好ましく
は1,2−ナフトキノンジアジド−4−または−5−ス
ルホニルハライドが用いられる。スルホニルハライドを
構成するハロゲンは、例えば塩素や臭素などであること
ができるが、通常は塩素であるのが好ましく、したがっ
て、1,2−ナフトキノンジアジド−4−または−5−
スルホニルクロライドが、エステル化剤として好ましく
用いられる。また、1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホニルハライドと1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホニルハライドの混合物を用いることもでき
る。
【0032】エステル化反応において、1,2−ナフト
キノンジアジド−4−および/または−5−スルホニル
ハライドは、式(V)のフェノール系3核体化合物に対
し、通常1.2以上、式(V)中の水酸基の数までのモル
比、好ましくは1.4〜2.5のモル比で用いられる。
キノンジアジド−4−および/または−5−スルホニル
ハライドは、式(V)のフェノール系3核体化合物に対
し、通常1.2以上、式(V)中の水酸基の数までのモル
比、好ましくは1.4〜2.5のモル比で用いられる。
【0033】この反応は、通常、脱ハロゲン化水素剤の
存在下で行われる。脱ハロゲン化水素剤としては、一般
的に塩基性の化合物、例えば炭酸ナトリウム、炭酸水素
ナトリウムのような無機塩基、エチルアミン、エタノー
ルアミン、ジエチルアミン、ジエタノールアミン、トリ
エチルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジ
エチルアニリンのようなアミン類が挙げられる。脱ハロ
ゲン化水素剤は、1,2−ナフトキノンジアジド−4−
または−5−スルホニルハライドに対し、通常1.05〜
1.5のモル比、好ましくは1.05〜1.2、さらに好まし
くは1.1〜1.2のモル比で用いられる。
存在下で行われる。脱ハロゲン化水素剤としては、一般
的に塩基性の化合物、例えば炭酸ナトリウム、炭酸水素
ナトリウムのような無機塩基、エチルアミン、エタノー
ルアミン、ジエチルアミン、ジエタノールアミン、トリ
エチルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジ
エチルアニリンのようなアミン類が挙げられる。脱ハロ
ゲン化水素剤は、1,2−ナフトキノンジアジド−4−
または−5−スルホニルハライドに対し、通常1.05〜
1.5のモル比、好ましくは1.05〜1.2、さらに好まし
くは1.1〜1.2のモル比で用いられる。
【0034】エステル化反応は通常、溶媒中で行われ
る。反応溶媒としては、エーテル類、ラクトン類、脂肪
族ケトン類などが挙げられ、なかでも、ジオキソラン、
1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、γ−ブチロ
ラクトン、アセトンおよび2−ヘプタノンから選ぶのが
好ましい。これらをそれぞれ単独で、または2種以上組
み合わせて用いることができるが、とりわけ1,4−ジ
オキサンが好ましい。反応溶媒は、式(V)のフェノー
ル系3核体化合物とキノンジアジドスルホニルハライド
の合計量を基準に、通常は2〜6重量倍の範囲で、好ま
しくは3〜5重量倍、さらに好ましくは4〜5重量倍の
範囲で使用される。
る。反応溶媒としては、エーテル類、ラクトン類、脂肪
族ケトン類などが挙げられ、なかでも、ジオキソラン、
1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、γ−ブチロ
ラクトン、アセトンおよび2−ヘプタノンから選ぶのが
好ましい。これらをそれぞれ単独で、または2種以上組
み合わせて用いることができるが、とりわけ1,4−ジ
オキサンが好ましい。反応溶媒は、式(V)のフェノー
ル系3核体化合物とキノンジアジドスルホニルハライド
の合計量を基準に、通常は2〜6重量倍の範囲で、好ま
しくは3〜5重量倍、さらに好ましくは4〜5重量倍の
範囲で使用される。
【0035】このエステル化反応は、常圧下、常温付近
で十分進行し、一般には20〜30℃の範囲の温度が採
用され、2〜10時間程度行われる。反応終了後は、酢
酸のような酸で中和し、固形物を濾過したあと、濾液を
薄い酸水溶液、例えば0.1〜2重量%程度の濃度の酢酸
水溶液と混合すれば、目的物であるエステルが析出して
くる。これを濾過、洗浄および乾燥することにより、エ
ステルを取り出すことができる。このエステル化反応に
おいては、用いる1,2−ナフトキノンジアジドスルホ
ニルハライドのモル比にもよるが、通常は、式(V)に
おける水酸基の一部または全部がキノンジアジドスルホ
ニルエステル化されたものの混合物として得られる。こ
の混合物は、通常そのまま感光剤として用いることがで
きる。
で十分進行し、一般には20〜30℃の範囲の温度が採
用され、2〜10時間程度行われる。反応終了後は、酢
酸のような酸で中和し、固形物を濾過したあと、濾液を
薄い酸水溶液、例えば0.1〜2重量%程度の濃度の酢酸
水溶液と混合すれば、目的物であるエステルが析出して
くる。これを濾過、洗浄および乾燥することにより、エ
ステルを取り出すことができる。このエステル化反応に
おいては、用いる1,2−ナフトキノンジアジドスルホ
ニルハライドのモル比にもよるが、通常は、式(V)に
おける水酸基の一部または全部がキノンジアジドスルホ
ニルエステル化されたものの混合物として得られる。こ
の混合物は、通常そのまま感光剤として用いることがで
きる。
【0036】こうしてエステル化された化合物は、近な
いし中程度の紫外線や遠紫外線(エキシマーレーザーな
どを含む)のような放射線に感応する感光剤として有利
に使用することができる。この感光剤は、レジスト液中
で析出することがないという特徴を有し、アルカリ可溶
性ノボラック樹脂と組み合わせて、ポジ型レジスト用の
感光性樹脂組成物とした場合に、特に高い効果を発揮す
る。
いし中程度の紫外線や遠紫外線(エキシマーレーザーな
どを含む)のような放射線に感応する感光剤として有利
に使用することができる。この感光剤は、レジスト液中
で析出することがないという特徴を有し、アルカリ可溶
性ノボラック樹脂と組み合わせて、ポジ型レジスト用の
感光性樹脂組成物とした場合に、特に高い効果を発揮す
る。
【0037】また、必要に応じて、他のフェノール系化
合物の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルを併
用することもできる。併用されるキノンジアジドスルホ
ン酸エステルの具体例としては、特開平 5-204148 号公
報に記載の化合物、特開平 5-323597 号公報(=EP-A-57
0,884) に記載の化合物、特開平 6-167805 号公報(=EP-
A-573,056) に記載の化合物、次式(VI)
合物の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルを併
用することもできる。併用されるキノンジアジドスルホ
ン酸エステルの具体例としては、特開平 5-204148 号公
報に記載の化合物、特開平 5-323597 号公報(=EP-A-57
0,884) に記載の化合物、特開平 6-167805 号公報(=EP-
A-573,056) に記載の化合物、次式(VI)
【0038】
【0039】(式中、R11およびR12の一方は−OQ4
を表し;R11およびR12の他方、R13、R14ならびにR
15は互いに独立に、水素、炭素数6以下のアルキル、炭
素数6以下のシクロアルキル、炭素数6以下のアルケニ
ル、炭素数6以下のアルコキシまたはハロゲンを表し;
R16およびR17は互いに独立に、水素、炭素数6以下の
アルキル若しくは炭素数6以下のアルケニルを表すか、
または両者が末端で一緒になって、両者が結合する炭素
原子とともに炭素数6以下のシクロアルカン環を形成
し;Q1 、Q2 、Q3 およびQ4 の一つはo−キノンジ
アジドスルホニルを表し、残りは互いに独立に、水素ま
たはo−キノンジアジドスルホニルを表す)
を表し;R11およびR12の他方、R13、R14ならびにR
15は互いに独立に、水素、炭素数6以下のアルキル、炭
素数6以下のシクロアルキル、炭素数6以下のアルケニ
ル、炭素数6以下のアルコキシまたはハロゲンを表し;
R16およびR17は互いに独立に、水素、炭素数6以下の
アルキル若しくは炭素数6以下のアルケニルを表すか、
または両者が末端で一緒になって、両者が結合する炭素
原子とともに炭素数6以下のシクロアルカン環を形成
し;Q1 、Q2 、Q3 およびQ4 の一つはo−キノンジ
アジドスルホニルを表し、残りは互いに独立に、水素ま
たはo−キノンジアジドスルホニルを表す)
【0040】で示される化合物(本出願人が先に出願し
た特願平 7-58826号に記載のもの)などが挙げられる。
た特願平 7-58826号に記載のもの)などが挙げられる。
【0041】本発明においては、こうした他のキノンジ
アジドスルホン酸エステルを用いる場合はそれも含め
て、感光剤は、感光性樹脂組成物中の全固形分の量を基
準に、10〜50重量%の範囲で含有するのが好まし
い。
アジドスルホン酸エステルを用いる場合はそれも含め
て、感光剤は、感光性樹脂組成物中の全固形分の量を基
準に、10〜50重量%の範囲で含有するのが好まし
い。
【0042】感光性樹脂組成物を構成するアルカリ可溶
性ノボラック樹脂は、フェノール性水酸基を少なくとも
1個有する化合物とアルデヒドとを、酸触媒の存在下に
縮合させて得られるものであって、その種類は特に限定
されるものでなく、レジスト分野で用いられる各種のも
のであることができる。ノボラック樹脂の原料となるフ
ェノール系化合物としては、例えば、m−クレゾール、
p−クレゾール、o−クレゾール、2,5−キシレノー
ル、3,5−キシレノール、3,4−キシレノール、
2,3,5−トリメチルフェノール、2−t−ブチル−
5−メチルフェノール、t−ブチルハイドロキノンなど
が挙げられる。ノボラック樹脂のもう一方の原料である
アルデヒドとしては、ホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒド、ベンズアルデヒド、グリオキサール、サリチルア
ルデヒドなどが挙げられる。特にホルムアルデヒドは、
約37重量%の水溶液として工業的に量産されており、
好都合である。
性ノボラック樹脂は、フェノール性水酸基を少なくとも
1個有する化合物とアルデヒドとを、酸触媒の存在下に
縮合させて得られるものであって、その種類は特に限定
されるものでなく、レジスト分野で用いられる各種のも
のであることができる。ノボラック樹脂の原料となるフ
ェノール系化合物としては、例えば、m−クレゾール、
p−クレゾール、o−クレゾール、2,5−キシレノー
ル、3,5−キシレノール、3,4−キシレノール、
2,3,5−トリメチルフェノール、2−t−ブチル−
5−メチルフェノール、t−ブチルハイドロキノンなど
が挙げられる。ノボラック樹脂のもう一方の原料である
アルデヒドとしては、ホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒド、ベンズアルデヒド、グリオキサール、サリチルア
ルデヒドなどが挙げられる。特にホルムアルデヒドは、
約37重量%の水溶液として工業的に量産されており、
好都合である。
【0043】こうしたフェノール系化合物の1種または
2種以上と、アルデヒドの1種または2種以上とを、酸
触媒の存在下に縮合させることにより、ノボラック樹脂
が得られる。酸触媒としては、有機酸、無機酸、二価金
属塩などが用いられ、具体例としては、シュウ酸、酢
酸、p−トルエンスルホン酸、塩酸、硫酸、リン酸、酢
酸亜鉛などが挙げられる。縮合反応は常法に従って行う
ことができ、例えば60〜120℃の範囲の温度で2〜
30時間程度行われる。また、反応はバルクで行って
も、適当な溶媒中で行ってもよい。
2種以上と、アルデヒドの1種または2種以上とを、酸
触媒の存在下に縮合させることにより、ノボラック樹脂
が得られる。酸触媒としては、有機酸、無機酸、二価金
属塩などが用いられ、具体例としては、シュウ酸、酢
酸、p−トルエンスルホン酸、塩酸、硫酸、リン酸、酢
酸亜鉛などが挙げられる。縮合反応は常法に従って行う
ことができ、例えば60〜120℃の範囲の温度で2〜
30時間程度行われる。また、反応はバルクで行って
も、適当な溶媒中で行ってもよい。
【0044】得られるノボラック樹脂は、レジストの現
像残渣を少なくするなどの目的で、例えば分別などの操
作を施して、 そのゲル浸透クロマトグラフィー(GP
C)(UV254nmの検出器を使用)によるパターンに
おいて、ポリスチレン換算分子量で900以下の成分の
面積比が、未反応のフェノール系化合物のパターン面積
を除く全パターン面積に対して25%以下、さらには2
0%以下となるようにしておくのが好ましい。分別を行
う場合は、ノボラック樹脂を、良溶媒、例えばメタノー
ルやエタノールのようなアルコール、アセトンやメチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケト
ン、エチルセロソルブのようなエチレングリコールエー
テル、エチルセロソルブアセテートのようなエチレング
リコールエーテルエステル、テトラヒドロフランのよう
な環状エーテルなどに溶解し、この溶液を水中に注いで
高分子量成分を沈澱させる方法、あるいはこの溶液を、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタンのような貧溶媒と混合し
て分液する方法などが採用できる。
像残渣を少なくするなどの目的で、例えば分別などの操
作を施して、 そのゲル浸透クロマトグラフィー(GP
C)(UV254nmの検出器を使用)によるパターンに
おいて、ポリスチレン換算分子量で900以下の成分の
面積比が、未反応のフェノール系化合物のパターン面積
を除く全パターン面積に対して25%以下、さらには2
0%以下となるようにしておくのが好ましい。分別を行
う場合は、ノボラック樹脂を、良溶媒、例えばメタノー
ルやエタノールのようなアルコール、アセトンやメチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケト
ン、エチルセロソルブのようなエチレングリコールエー
テル、エチルセロソルブアセテートのようなエチレング
リコールエーテルエステル、テトラヒドロフランのよう
な環状エーテルなどに溶解し、この溶液を水中に注いで
高分子量成分を沈澱させる方法、あるいはこの溶液を、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタンのような貧溶媒と混合し
て分液する方法などが採用できる。
【0045】こうした分別操作を施して高分子量成分を
多くしたノボラック樹脂に、分子量900以下のアルカ
リ可溶性フェノール系化合物を加えることも有効であ
る。分子量900以下のアルカリ可溶性フェノール系化
合物としては、分子構造中にフェノール性水酸基を少な
くとも2個有するものが好ましく、 例えば、特開平 2
-275955 号公報(=EP-A-358,871) や特開平 2-2560 号公
報に記載のものなどが挙げられる。分子量900以下の
アルカリ可溶性フェノール系化合物を用いる場合は、感
光性樹脂組成物中の全固形分の量を基準として、3〜4
0重量%の範囲で含有させるのが好ましい。
多くしたノボラック樹脂に、分子量900以下のアルカ
リ可溶性フェノール系化合物を加えることも有効であ
る。分子量900以下のアルカリ可溶性フェノール系化
合物としては、分子構造中にフェノール性水酸基を少な
くとも2個有するものが好ましく、 例えば、特開平 2
-275955 号公報(=EP-A-358,871) や特開平 2-2560 号公
報に記載のものなどが挙げられる。分子量900以下の
アルカリ可溶性フェノール系化合物を用いる場合は、感
光性樹脂組成物中の全固形分の量を基準として、3〜4
0重量%の範囲で含有させるのが好ましい。
【0046】感光性樹脂組成物を含むレジスト液の調製
は、感光剤およびノボラック樹脂、あるいは必要に応じ
てさらに分子量900以下のアルカリ可溶性フェノール
系化合物を、溶剤に混合溶解することにより行われる。
ここで用いる溶剤は、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸
発したあとに均一で平滑な塗膜を与えるものが好まし
い。このような溶剤としては、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテートやエチルセロソルブアセテ
ート、メチルセロソルブアセテートのようなグリコール
エーテルエステル類、ピルビン酸エチルや酢酸n−アミ
ル、乳酸エチルのようなエステル類、2−ヘプタノンの
ようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エス
テル類、その他、特開平 2-220056 号公報に記載のも
の、特開平 4-362645 号公報に記載のもの、特開平 4-3
67863 号公報に記載のものなどが挙げられる。溶剤とし
ては、それぞれの化合物を単独で、または2種以上混合
して用いることができる。
は、感光剤およびノボラック樹脂、あるいは必要に応じ
てさらに分子量900以下のアルカリ可溶性フェノール
系化合物を、溶剤に混合溶解することにより行われる。
ここで用いる溶剤は、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸
発したあとに均一で平滑な塗膜を与えるものが好まし
い。このような溶剤としては、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテートやエチルセロソルブアセテ
ート、メチルセロソルブアセテートのようなグリコール
エーテルエステル類、ピルビン酸エチルや酢酸n−アミ
ル、乳酸エチルのようなエステル類、2−ヘプタノンの
ようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エス
テル類、その他、特開平 2-220056 号公報に記載のも
の、特開平 4-362645 号公報に記載のもの、特開平 4-3
67863 号公報に記載のものなどが挙げられる。溶剤とし
ては、それぞれの化合物を単独で、または2種以上混合
して用いることができる。
【0047】こうして得られるレジスト液ないしは感光
性樹脂組成物は、必要に応じてさらに、添加物として少
量の樹脂や染料を含有することもできる。
性樹脂組成物は、必要に応じてさらに、添加物として少
量の樹脂や染料を含有することもできる。
【0048】
【実施例】次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を
表す%および部は、特にことわらないかぎり重量基準で
ある。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を
表す%および部は、特にことわらないかぎり重量基準で
ある。
【0049】合成例1: メチロール化合物(III) の製
造 100mlの四つ口フラスコに、硫酸0.98g、2,5−
キシレノール24.44gおよびメタノール24.44gを
仕込み、30℃に調温した。そこへ、2,4−ジヒドロ
キシメチル−6−メチルフェノール16.82gを10分
割して1時間で投入し、その後さらに2時間反応させ
た。反応終了後、析出物を濾過し、50%メタノール水
溶液100gでリンスした。得られた濾過物を45℃で
一昼夜減圧乾燥して、2−ヒドロキシメチル−4−(4
−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−6−メチ
ルフェノール〔式(III) のメチロール化合物〕25.9g
(定量純度95.04%)を得た。2,4−ジヒドロキシ
メチル−6−メチルフェノール基準の収率は90.4%で
あった。
造 100mlの四つ口フラスコに、硫酸0.98g、2,5−
キシレノール24.44gおよびメタノール24.44gを
仕込み、30℃に調温した。そこへ、2,4−ジヒドロ
キシメチル−6−メチルフェノール16.82gを10分
割して1時間で投入し、その後さらに2時間反応させ
た。反応終了後、析出物を濾過し、50%メタノール水
溶液100gでリンスした。得られた濾過物を45℃で
一昼夜減圧乾燥して、2−ヒドロキシメチル−4−(4
−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−6−メチ
ルフェノール〔式(III) のメチロール化合物〕25.9g
(定量純度95.04%)を得た。2,4−ジヒドロキシ
メチル−6−メチルフェノール基準の収率は90.4%で
あった。
【0050】質量分析: MS 2721 H−NMR(ジメチルスルホキシド) δ(ppm) :2.0
3 (s, 3H); 2.04 (s, 3H); 2.10 (s, 3H);3.64 (s, 2
H); 4.48 (d, J = 5.3 Hz, 2H);5.21 (t, J = 5.3 Hz,
1H); 6.53 (s, 1H);6.70 (d, J = 1.7 Hz, 1H); 6.78
(s, 1H);6.80 (d, J = 1.7 Hz, 1H); 8.19 (s, 1H);8.9
3 (s, 1H).
3 (s, 3H); 2.04 (s, 3H); 2.10 (s, 3H);3.64 (s, 2
H); 4.48 (d, J = 5.3 Hz, 2H);5.21 (t, J = 5.3 Hz,
1H); 6.53 (s, 1H);6.70 (d, J = 1.7 Hz, 1H); 6.78
(s, 1H);6.80 (d, J = 1.7 Hz, 1H); 8.19 (s, 1H);8.9
3 (s, 1H).
【0051】合成例2: フェノール系3核体化合物の
製造 100mlの四つ口フラスコに、p−トルエンスルホン酸
0.38g、p−クレゾール2.16gおよびトルエン2.1
6gを仕込み、30℃に調温した。そこへ、2−ヒドロ
キシメチル−4−(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチル
ベンジル)−6−メチルフェノール2.72gを3分割し
て30分で投入し、その後さらに2時間反応させた。反
応終了後、トルエン20gおよびイオン交換水10gを
仕込んで攪拌し、次に分液した。オイル層に1%シュウ
酸水溶液10gを加えて攪拌し、分液することにより、
脱金属を行った。その後、イオン交換水10gでの洗浄
を4回行い、次にオイル層を濃縮した。濃縮マスをカラ
ム分離することにより、次式(1)
製造 100mlの四つ口フラスコに、p−トルエンスルホン酸
0.38g、p−クレゾール2.16gおよびトルエン2.1
6gを仕込み、30℃に調温した。そこへ、2−ヒドロ
キシメチル−4−(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチル
ベンジル)−6−メチルフェノール2.72gを3分割し
て30分で投入し、その後さらに2時間反応させた。反
応終了後、トルエン20gおよびイオン交換水10gを
仕込んで攪拌し、次に分液した。オイル層に1%シュウ
酸水溶液10gを加えて攪拌し、分液することにより、
脱金属を行った。その後、イオン交換水10gでの洗浄
を4回行い、次にオイル層を濃縮した。濃縮マスをカラ
ム分離することにより、次式(1)
【0052】
【0053】の構造を有する化合物2.98g(定量純度
95.8%)を得た。2−ヒドロキシメチル−4−(4−
ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−6−メチル
フェノール基準の収率は78.9%であった。
95.8%)を得た。2−ヒドロキシメチル−4−(4−
ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−6−メチル
フェノール基準の収率は78.9%であった。
【0054】質量分析: MS 3621 H−NMR(ジメチルスルホキシド) δ(ppm) :2.0
3 (s, 3H); 2.05 (s, 3H); 2.10 (s, 3H);2.11 (s, 3
H); 3.58 (s, 2H); 3.72 (s, 2H);6.54 (s, 1H); 6.64
(s, 1H); 6.66 (s, 1H);6.68 (s, 1H); 6.72 (s, 1H);
6.75 (brs, 1H);6.78 (brs, 1H); 8.05 (brs, 1H);8.85
(s, 1H); 9.34 (brs, 1H).
3 (s, 3H); 2.05 (s, 3H); 2.10 (s, 3H);2.11 (s, 3
H); 3.58 (s, 2H); 3.72 (s, 2H);6.54 (s, 1H); 6.64
(s, 1H); 6.66 (s, 1H);6.68 (s, 1H); 6.72 (s, 1H);
6.75 (brs, 1H);6.78 (brs, 1H); 8.05 (brs, 1H);8.85
(s, 1H); 9.34 (brs, 1H).
【0055】合成例3: キノンジアジドスルホン酸エ
ステル化 100mlの四つ口フラスコに、上記式(1)の化合物
1.81g、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ニルクロライド2.69gおよび1,4−ジオキサン2
2.5gを仕込み、25℃に調温した。そこへ、トリエチ
ルアミン1.16gを1時間かけて滴下し、その後さらに
3時間反応させた。反応終了後、酢酸0.29gで中和
し、濾過した。その濾液を酢酸1gおよびイオン交換水
100gの混合液に投入し、1時間攪拌後、析出した結
晶を濾過し、洗浄した。得られた濾過物を45℃で一昼
夜減圧乾燥して、4.10gの感光剤(A)を得た。化合
物(1)基準の収率は99.3%であった。
ステル化 100mlの四つ口フラスコに、上記式(1)の化合物
1.81g、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ニルクロライド2.69gおよび1,4−ジオキサン2
2.5gを仕込み、25℃に調温した。そこへ、トリエチ
ルアミン1.16gを1時間かけて滴下し、その後さらに
3時間反応させた。反応終了後、酢酸0.29gで中和
し、濾過した。その濾液を酢酸1gおよびイオン交換水
100gの混合液に投入し、1時間攪拌後、析出した結
晶を濾過し、洗浄した。得られた濾過物を45℃で一昼
夜減圧乾燥して、4.10gの感光剤(A)を得た。化合
物(1)基準の収率は99.3%であった。
【0056】メイン成分の分析値 質量分析: MS 826
【0057】合成例4 合成例2におけるp−クレゾールの代わりに、フェノー
ル、o−クレゾール、m−クレゾール、2,4−キシレ
ノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノー
ル、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、
2,3,5−トリメチルフェノールまたは2,3,6−
トリメチルフェノールをそれぞれ同モル使用した以外
は、合成例2と同様の操作で反応および精製を行って、
それぞれオイル状の化合物を得た。マススペクトルおよ
び核磁気共鳴スペクトルにより、それぞれの化合物が以
下に示す式(2)〜(11)の構造であることを確認し
た。
ル、o−クレゾール、m−クレゾール、2,4−キシレ
ノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノー
ル、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、
2,3,5−トリメチルフェノールまたは2,3,6−
トリメチルフェノールをそれぞれ同モル使用した以外
は、合成例2と同様の操作で反応および精製を行って、
それぞれオイル状の化合物を得た。マススペクトルおよ
び核磁気共鳴スペクトルにより、それぞれの化合物が以
下に示す式(2)〜(11)の構造であることを確認し
た。
【0058】また、それぞれの化合物を合成例3と同様
の方法で、各化合物に対する1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホニルクロライドのモル比を同じにして
キノンジアジドスルホン酸エステル化し、それぞれ対応
するアモルファス状の化合物を得た。得られた各々の化
合物は、フェノール性水酸基のうち2個がエステル化さ
れたものが主体であることを、マススペクトルにより確
認した。それぞれを感光剤(B)〜(K)とする。
の方法で、各化合物に対する1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホニルクロライドのモル比を同じにして
キノンジアジドスルホン酸エステル化し、それぞれ対応
するアモルファス状の化合物を得た。得られた各々の化
合物は、フェノール性水酸基のうち2個がエステル化さ
れたものが主体であることを、マススペクトルにより確
認した。それぞれを感光剤(B)〜(K)とする。
【0059】
【0060】
【0061】参考例: ノボラック樹脂の製造 四つ口フラスコに、m−クレゾール148.5部、p−ク
レゾール121.5部、メチルイソブチルケトン252
部、10%シュウ酸水溶液37.0部および90%酢酸水
溶液84.8部を仕込み、100℃の油浴で加熱攪拌しな
がら、37%ホルマリン129.5部を40分かけて滴下
し、その後さらに15時間反応させた。次に水洗、脱水
して、ノボラック樹脂を42.3%含有するメチルイソブ
チルケトン溶液466部を得た。GPCによるポリスチ
レン換算重量平均分子量は4300であった。
レゾール121.5部、メチルイソブチルケトン252
部、10%シュウ酸水溶液37.0部および90%酢酸水
溶液84.8部を仕込み、100℃の油浴で加熱攪拌しな
がら、37%ホルマリン129.5部を40分かけて滴下
し、その後さらに15時間反応させた。次に水洗、脱水
して、ノボラック樹脂を42.3%含有するメチルイソブ
チルケトン溶液466部を得た。GPCによるポリスチ
レン換算重量平均分子量は4300であった。
【0062】この溶液450部を、底抜きセパラブルフ
ラスコに仕込み、さらにメチルイソブチルケトン90
9.6部およびn−ヘプタン996.1部を加えて、60℃
で30分間攪拌したあと、静置し、分液した。分液で得
られた下層のマスに、2−ヘプタノンを380部加え、
メチルイソブチルケトンおよびn−ヘプタンをエバポレ
ーターにより除去して、ノボラック樹脂の2−ヘプタノ
ン溶液を得た。GPCによるポリスチレン換算重量平均
分子量は9000であり、ポリスチレン換算分子量で9
00以下の範囲の面積比は、全パターン面積に対して1
4%であった。
ラスコに仕込み、さらにメチルイソブチルケトン90
9.6部およびn−ヘプタン996.1部を加えて、60℃
で30分間攪拌したあと、静置し、分液した。分液で得
られた下層のマスに、2−ヘプタノンを380部加え、
メチルイソブチルケトンおよびn−ヘプタンをエバポレ
ーターにより除去して、ノボラック樹脂の2−ヘプタノ
ン溶液を得た。GPCによるポリスチレン換算重量平均
分子量は9000であり、ポリスチレン換算分子量で9
00以下の範囲の面積比は、全パターン面積に対して1
4%であった。
【0063】適用例 参考例で得たノボラック樹脂の2−ヘプタノン溶液を固
形分換算で15部、添加剤として1,3−ビス〔1−
(2,4−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチ
ル〕ベンゼンを3.9部、表1に記載の感光剤を5部、別
の感光剤として1,2,3−トリヒドロキシ−4−(4
−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)ベンゼンと
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロラ
イドとのモル比1:4の縮合物を1部、および2−ヘプ
タノンを用い、2−ヘプタノンが合計で50部となるよ
うに混合し、溶解した。この液を孔径0.2μm のフッ素
樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製した。
形分換算で15部、添加剤として1,3−ビス〔1−
(2,4−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチ
ル〕ベンゼンを3.9部、表1に記載の感光剤を5部、別
の感光剤として1,2,3−トリヒドロキシ−4−(4
−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)ベンゼンと
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロラ
イドとのモル比1:4の縮合物を1部、および2−ヘプ
タノンを用い、2−ヘプタノンが合計で50部となるよ
うに混合し、溶解した。この液を孔径0.2μm のフッ素
樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製した。
【0064】常法により洗浄したシリコンウェハーに、
回転塗布機を用いて上記レジスト液を乾燥後の膜厚が
1.1μm となるように塗布し、ホットプレートにて90
℃で1分間ベークした。次いで、365nm(i線)の露
光波長を有する縮小投影露光機〔(株)ニコン製品、NS
R 1755i 7A、NA=0.5〕を用いて、露光量を段階的に変化
させて露光した。次にこのウェハーを、ホットプレート
にて110℃で1分間ベークした。これを現像液"SOPD"
〔住友化学工業(株)製品〕で1分間現像して、ポジ型
パターンを得た。それぞれのポジ型パターンについて、
以下のようにして評価し、結果を表1に示した。
回転塗布機を用いて上記レジスト液を乾燥後の膜厚が
1.1μm となるように塗布し、ホットプレートにて90
℃で1分間ベークした。次いで、365nm(i線)の露
光波長を有する縮小投影露光機〔(株)ニコン製品、NS
R 1755i 7A、NA=0.5〕を用いて、露光量を段階的に変化
させて露光した。次にこのウェハーを、ホットプレート
にて110℃で1分間ベークした。これを現像液"SOPD"
〔住友化学工業(株)製品〕で1分間現像して、ポジ型
パターンを得た。それぞれのポジ型パターンについて、
以下のようにして評価し、結果を表1に示した。
【0065】実効感度: 0.50μm のラインアンドス
ペースパターンが1:1になる露光量で表示した。
ペースパターンが1:1になる露光量で表示した。
【0066】解像度: ラインアンドスペースパターン
が1:1になる露光量(実効感度)で、膜減りなく分離
するラインアンドスペースパターンの寸法を、走査型電
子顕微鏡で観察し、測定した。
が1:1になる露光量(実効感度)で、膜減りなく分離
するラインアンドスペースパターンの寸法を、走査型電
子顕微鏡で観察し、測定した。
【0067】フォーカス(焦点深度): 実効感度にお
いて0.40μm ラインアンドスペースパターンが膜減り
なく分離する焦点の幅を、走査型電子顕微鏡で観察し、
測定した。
いて0.40μm ラインアンドスペースパターンが膜減り
なく分離する焦点の幅を、走査型電子顕微鏡で観察し、
測定した。
【0068】スカム: 走査型電子顕微鏡でスカム(現
像残渣)の有無を観察した。
像残渣)の有無を観察した。
【0069】γ値: 露光量の対数に対する規格化膜厚
(=残膜厚/初期膜厚)をプロットし、その傾きθを求
め、tan θをγ値とした。
(=残膜厚/初期膜厚)をプロットし、その傾きθを求
め、tan θをγ値とした。
【0070】また、それぞれのポジ型パターンのうち、
実効感度における0.45μm ラインアンドスペースパタ
ーンのプロファイル(断面形状)を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、いずれのパターンも垂直に切れてい
た。
実効感度における0.45μm ラインアンドスペースパタ
ーンのプロファイル(断面形状)を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、いずれのパターンも垂直に切れてい
た。
【0071】
【表1】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Run 感光剤 レ ジ ス ト 性 能 No. 実効感度 解像度 焦点深度 スカム γ値 (msec) (μm) (μm) ────────────────────────────── 1 (A) 290 0.35 1.6 なし 6.68 2 (B) 290 0.35 1.5 なし 6.74 3 (C) 320 0.35 1.6 なし 6.12 4 (D) 350 0.34 1.6 なし 6.82 5 (E) 220 0.375 1.5 なし 5.92 6 (F) 380 0.35 1.6 なし 6.38 7 (G) 440 0.375 1.5 なし 4.98 8 (H) 380 0.35 1.6 なし 5.48 9 (I) 380 0.35 1.5 なし 5.12 10 (J) 350 0.375 1.5 なし 6.22 11 (K) 500 0.375 1.5 なし 4.36 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【0072】
【発明の効果】本発明による式(I)で示される化合物
のなかで、Xが水酸基であるものは、Xを式(II)のフ
ェニル基とするための中間体として有用であり、Xが式
(II)のフェニル基である式(V)の非対称フェノール
系3核体化合物は、1,2−ナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステル化して感光剤とするための原料として有
用であり、またこのエステル化された化合物は、感光性
樹脂組成物用の感光剤として有用である。そして、1,
2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化された
上記感光剤を含む感光性樹脂組成物は、半導体微細加工
用として、感度、解像力、耐熱性、プロファイルおよび
フォーカス許容性に優れ、また現像残渣がないなど、レ
ジスト諸性能のバランスがとれたものとなる。
のなかで、Xが水酸基であるものは、Xを式(II)のフ
ェニル基とするための中間体として有用であり、Xが式
(II)のフェニル基である式(V)の非対称フェノール
系3核体化合物は、1,2−ナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステル化して感光剤とするための原料として有
用であり、またこのエステル化された化合物は、感光性
樹脂組成物用の感光剤として有用である。そして、1,
2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化された
上記感光剤を含む感光性樹脂組成物は、半導体微細加工
用として、感度、解像力、耐熱性、プロファイルおよび
フォーカス許容性に優れ、また現像残渣がないなど、レ
ジスト諸性能のバランスがとれたものとなる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09K 9/02 C09K 9/02 B G03F 7/022 G03F 7/022
Claims (12)
- 【請求項1】式(I) (式中、Xは水酸基または式(II) で示されるフェニル基を表し、ここにR1 、R2 、
R3 、R4 およびR5 は互いに独立に、水素、水酸基、
炭素数1〜6のアルキルまたはフェニルを表す)で示さ
れ、Xが式(II)のフェニル基である場合は、分子構造
中の水酸基の一部または全部が1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−または−5−スルホニルでエステル化され
ていてもよいフェノール系多核体化合物。 - 【請求項2】Xが水酸基である請求項1記載の化合物。
- 【請求項3】式(V) (式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 は請求項1
記載の意味を表す)で示され、水酸基がエステル化され
ていない請求項1記載の化合物。 - 【請求項4】R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 の一
つ、二つまたは三つが水酸基であり、残りが互いに独立
に、水素、アルキルまたはフェニルである請求項3記載
の化合物。 - 【請求項5】式(V) (式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 は請求項1
記載の意味を表す)で示され、水酸基の少なくとも一部
が1,2−ナフトキノンジアジド−4−または−5−ス
ルホニルでエステル化されている請求項1記載の化合
物。 - 【請求項6】2,4−ジヒドロキシメチル−6−メチル
フェノールと2,5−キシレノールを反応させることを
特徴とする、請求項2記載の化合物の製造方法。 - 【請求項7】2−ヒドロキシメチル−4−(4−ヒドロ
キシ−2,5−ジメチルベンジル)−6−メチルフェノ
ールを式(IV) (式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 は請求項1
記載の意味を表す)で示される芳香族化合物と反応させ
ることを特徴とする、請求項3記載の化合物の製造方
法。 - 【請求項8】式(V) (式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 は請求項1
記載の意味を表す)で示される化合物を1,2−ナフト
キノンジアジド−4−または−5−スルホニルハライド
と反応させることを特徴とする、請求項5記載の化合物
の製造方法。 - 【請求項9】式(V) (式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 は互いに独
立に、水素、水酸基、炭素数1〜6のアルキルまたはフ
ェニルを表す)で示され、水酸基の少なくとも一部が
1,2−ナフトキノンジアジド−4−または−5−スル
ホニルでエステル化されている化合物を有効成分とする
感光剤。 - 【請求項10】アルカリ可溶性ノボラック樹脂と混合し
て用いられる請求項9記載の感光剤。 - 【請求項11】アルカリ可溶性ノボラック樹脂および請
求項9記載の感光剤を含有することを特徴とする感光性
樹脂組成物。 - 【請求項12】アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、フェ
ノール系化合物とアルデヒドの縮合物であって、そのゲ
ル浸透クロマトグラフィーパターンにおけるポリスチレ
ン換算分子量で900以下の範囲の面積比が、未反応の
フェノール系化合物のパターン面積を除く全パターン面
積に対して25%以下である請求項11記載の組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP177396A JPH09188642A (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | フェノール系非対称多核体化合物、その製法および用途 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP177396A JPH09188642A (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | フェノール系非対称多核体化合物、その製法および用途 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09188642A true JPH09188642A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=11510901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP177396A Pending JPH09188642A (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | フェノール系非対称多核体化合物、その製法および用途 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09188642A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9239518B2 (en) | 2013-02-15 | 2016-01-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Photosensitive resin composition and method of forming pattern using the same |
-
1996
- 1996-01-09 JP JP177396A patent/JPH09188642A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9239518B2 (en) | 2013-02-15 | 2016-01-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Photosensitive resin composition and method of forming pattern using the same |
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