JP5337533B2 - モータ駆動回路 - Google Patents

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    • H02P7/04Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for controlling the direction of rotation of DC motors by means of a H-bridge circuit

Description

本発明は、モータ駆動回路に関する。
Hブリッジ回路でモータを駆動する場合、キックバック発生時の電圧上昇によるMOSFETの破壊を防ぐ必要がある。
例えば、特許文献1では、ツェナーダイオードを用いてキックバック発生時の電圧上昇を抑制することが行われている。しかし、この方法では、モータのサイズが大きくなるほどツェナーダイオードのサイズも大きくする必要があり、コストの増大を招くこととなる。
これに対し、特許文献2では、低コストでキックバックの発生時の電圧上昇を抑えてMOSFETの破壊を防止する発明が開示されている。
以下、図2を参照して、特許文献2に係るモータ駆動回路について具体的に説明する。モータ駆動回路は、Pチャネル型のMOSFET11,12、Nチャネル型のMOSFET13,14、電源ライン21,22、接地ライン23、ダイオード24,25、コンデンサ26,27、電流源31,32、NPN型のトランジスタ41〜48、PNP型のトランジスタ51,52、駆動回路60、及びコネクタ70を含んで構成されている。そして、MOSFET11〜14には寄生ダイオード11d〜14dがそれぞれ設けられており、MOSFET11,12のゲートはそれぞれ抵抗33,34を介して電源ライン22に接続されている。ここで、電源ライン21,22は、電圧VAを発生する電源80から分岐されたものであり、コネクタ70を介して電源80の正側と接続されている。また、接地ライン23は、コネクタ70を介して電源80の負側と接続されている。
このような構成において、MOSFET11,14がオン、MOSFET12,13がオフの状態では、電源ライン21からMOSFET11、モータコイル10、MOSFET14の向きに電流が流れてモータが回転する。そして、適宜のタイミングでMOSFET11及びMOSFET14がオフになったとする。このとき、モータコイル10は、エネルギーが蓄積されており電流を流し続けようとする。そのため、寄生ダイオード13d、モータコイル10、寄生ダイオード12dを通って電流が流れることとなる。つまり、キックバックが発生する。そうすると、キックバックにより生じた電流は、ダイオード24があるため電源80に回生することはできず、コンデンサ26に流れ込むこととなる。これにより、電源ライン21の電圧Vmは上昇していくこととなる。そして、電源ライン21の電圧Vmが上昇して、MOSFET11,12のゲート・ソース間の電圧が閾値電圧を超えると、MOSFET11,12がオンする。そのため、モータコイル10から出力される電流は、MOSFET12,11を流れてモータコイル10に戻る。つまり、モータコイル10に蓄積されたエネルギーは、モータコイル10、MOSFET12,11により構成されるループで消費される。
特開2005−269885号公報 特開2007−259657号公報
上述のように、特許文献2に係るモータ駆動回路では、特許文献1に開示されたツェナーダイオードを用いずにキックバックの発生時の電圧上昇を抑えてMOSFETの破壊を防止できる。
しかし、特許文献2に係るモータ駆動回路では、電源80の電圧が所定値より低下したとき(電源80がオフとなっているときも含む。)であっても、上記のモータコイル10、MOSFET12,11により構成されるループが形成されることがある。例えば、モータが回転している際に電源80がオフになっても、モータは、慣性にしたがいしばらく回転を継続する。そうすると、モータコイル10に磁束が通過することによる誘起電圧が生じる。この場合、電源ライン21の電圧は誘起電圧に応じて上昇するため、MOSFET11,12のソースの電位が上昇する。一方、MOSFET11,12のゲートの電位は、電源80がオフであれば電源ライン22の電位に準じて、実質的にゼロに等しくなる。したがって、電源80がオフであるにもかかわらずMOSFET11,12がオンしてしまう。この場合、モータコイル10には、モータの回転方向とは逆方向の力がブレーキ力として生じてしまう。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、低コストでキックバック発生時の電圧上昇を抑えつつも、電源電圧が所定値より低下したときに上記ループの形成を回避してブレーキ力の発生を防ぐことにある。
上記目的を達成するため、本発明のモータ駆動回路は、入力電圧を発生する電源から分岐して接続される第1及び第2電源ラインと、直列接続される第1ソーストランジスタ及び第1シンクトランジスタと、直列接続される第2ソーストランジスタ及び第2シンクトランジスタと、前記第1及び第2ソーストランジスタ及び前記第1及び第2シンクトランジスタの夫々に設けられる第1〜第4回生ダイオードとを有し、前記第1ソーストランジスタ及び前記第2ソーストランジスタの入力電極に前記第1電源ラインが接続され、前記第1ソーストランジスタ及び前記第2ソーストランジスタの出力電極にモータコイルが接続されるHブリッジ回路と、前記第2電源ラインと接続され、前記第1ソーストランジスタ及び前記第2シンクトランジスタと前記第2ソーストランジスタ及び前記第1シンクトランジスタとを相補的にスイッチングする制御手段と、を含んで構成され、前記制御手段は、前記第2電源ラインの電圧に応じた電圧が所定電圧よりも小さい場合、前記第1電源ラインの電位にかかわらず前記第1及び第2ソーストランジスタがオンしないように制御すること、を特徴とする。
低コストでキックバック発生時の電圧上昇を抑えつつも、電源電圧が所定値より低下したときのブレーキを回避できるモータ駆動回路を提供できる。
本発明の実施形態であるモータ駆動回路の構成例を示す図である。 本発明の他の実施形態であるモータ駆動回路の構成例を示す図である。 特許文献2の実施形態であるモータ駆動回路の構成例を示す図である。
以下、本発明の実施形態について詳述する。
図1は、本発明の実施形態に係るモータ駆動回路の構成例を示す。モータ駆動回路は、例えばファンモータ等の単相モータを駆動する回路であり、モータコイル110に流れる電流を制御する。モータ駆動回路は、Pチャネル型のMOSFET111,112、Nチャネル型のMOSFET113,114、電源ライン121,122、接地ライン123、ダイオード124,125、コンデンサ126,127、NPN型のトランジスタ142〜144,164、PNP型のトランジスタ145,151、駆動回路160、コンパレータ190,抵抗161,162,135、基準電圧源163、及びコネクタ170を含んで構成されている。
はじめに、本実施形態に係るモータ駆動回路の構成について詳述する。
MOSFET111〜114はHブリッジ回路を構成している。Hブリッジ回路について詳述すると、MOSFET111,112のソースが電源ライン121に接続されている。また、MOSFET113,114のソースが接地ライン123に接続されている。MOSFET111,113のドレイン同士が接続され、MOSFET112,114のドレイン同士が接続されている。そして、MOSFET111,113の接続点と、MOSFET112,114の接続点との間に、モータコイル110が接続される。ここで、MOSFET111〜114には、寄生ダイオード111d〜114dが設けられている。
電源ライン121,122は、電圧VAを発生する電源180から分岐されたものであり、コネクタ170を介して電源180の正側と接続されている。また、接地ライン123は、コネクタ170を介して電源180の負側(接地側)と接続されている。ここで、
電源ライン121から電源180の方向に電流が流れて回路が破壊されることを防止するために、電源ライン121にはダイオード124が設けられている。同様に、電源ライン122にも、ダイオード125が設けられている。また、Hブリッジ回路でキックバックが発生した場合に生じる電流を吸収するため、電源ライン121にはコンデンサ126が設けられている。さらに、電源ライン122の電圧Vccを安定化させるため、電源ライン122には、コンデンサ127が設けられている。
コンパレータ190、抵抗161,162、及び基準電圧源163は、電源180の電位の監視回路を構成している。具体的には、監視回路は、電源180の電圧が所定値以下であるか否かを監視する。このコンパレータ190の非反転入力端子は、電源ライン122の電圧Vccを抵抗161,162で抵抗分割された電圧が入力される。また、コンパレータ190の反転入力端子には、基準電圧源163により設定された電位が入力される。そして、コンパレータ190は、電源ライン122の電位Vccが抵抗分割された電位が基準電圧源163の電位より大きくとHレベルを出力し、電源ライン122の電位が抵抗分割された電位が基準電圧源163の電位より小さくなるとLレベルを出力する。
トランジスタ164,145、抵抗165は、電源180の電圧が所定値以下になったときに(電源180がオフしたときを含む。)キックバックが発生しても、MOSFET111がオンするのを抑制するための回路を構成する。トランジスタ164は、ベースにコンパレータ190の出力が入力され、エミッタは接地ライン123に接続され、コレクタは抵抗165の一端と接続される。トランジスタ145は、エミッタがダイオードを介してMOSFET111のゲート及び抵抗135の他端と接続され、コレクタがトランジスタ142,143のベースと接続され、ベースが抵抗165の他端と接続される。そして、電源180が所定電圧以上のときにはトランジスタ164,145はオンし、電源180が所定電圧以下のときにはトランジスタ164,145はオフする。
トランジスタ142,143、抵抗135は、MOSFET111を制御する制御回路を構成している。抵抗135は、一端がMOSFET111のソースと接続され、他端がMOSFET111のゲートと接続される。トランジスタ142,143のエミッタは接地ライン123と接続され、トランジスタ142,143は電流ミラー接続されている。トランジスタ143のコレクタは、MOSFET111のゲート及び抵抗135の他端と接続されている。そして、トランジスタ142のコレクタ及びトランジスタ142,143のベースには、制御回路160から電流Inが入力される。
トランジスタ144,151は、MOSFET113のオンオフを制御する制御回路を構成している。トランジスタ144,151はエミッタ同士が接続されトランジスタ144のコレクタが電源ライン122と接続され、トランジスタ151のコレクタが接地ライン123と接続されている。トランジスタ144のベースには、駆動回路160から出力される電圧Vn1が印加され、トランジスタ151のベースには、駆動回路160から出力される電圧Vn2が印加されている。そして、トランジスタ144,151の接続点と、MOSFET113のゲートとが接続されている。
なお、実際には、MOSFET112,114の制御回路が、MOSFET111,113の制御回路と同様に設けられるが、その構成に実質的な差異はないため、MOSFET112,114の制御回路については図面及びその説明を省略する。
駆動回路160は、電流In、電圧Vp1,Vp2によりMOSFET111,113のオンオフを行い、モータの駆動を制御する。
次に、本実施形態に係るモータ駆動回路の動作について詳述する。
はじめに、電源180の電圧が所定値以上である場合(例えば、通常動作モードの場合)について説明する。
電源180がオンしており、その電圧が所定値以上である場合、コンパレータ190では、非反転入力端子に入力される電圧が反転入力端子に入力される電圧よりも大きくなる。そうすると、コンパレータ190はHレベルを出力するため、トランジスタ164はオンする。
この状態において、制御回路160から電流Inが出力されるとともに、Lレベルの電圧Vn1,2が出力されたとする。そうすると、電流Inはトランジスタ142に流れ込み、電流ミラー接続されているトランジスタ143にもミラー比に応じた電流が流れる。これにより、抵抗135にも電流が流れ、電源ライン121の電圧Vmを降下させた電圧がMOSFET111のゲートに印加されることにより、MOSFET111がオンする。一方、トランジスタ144はオフし、トランジスタ151はオンするため、MOSFET113がオフする。また、所定の信号によって、MOSFET112がオフし、トランジスタ114がオンしたとする。そうすると、電源ライン121からMOSFET111、モータコイル110、MOSFET114の向きに電流が流れ、モータがある方向に回転する。
そして、適宜のタイミングで、制御回路160から電流Inの出力がなくなるとともに、LレベルのVn1,2が出力されたとする。そうすると、抵抗135に電流が流れなくなり、MOSFET111はオフする。一方、トランジスタ144はオフし、トランジスタ151はオンするため、MOSFET113もオフする。また、所定の信号によって、MOSFET112,114もオフしたとする。この場合、モータコイル110にはエネルギーが蓄積されており、電流を流し続けようとする。そのため、寄生ダイオード113d、モータコイル110、及び寄生ダイオード112dを通って電流が流れる。つまり、キックバックが発生する。キックバックにより生じた電流は、ダイオード124があるため電源180に回生することはできず、コンデンサ126に流れ込むこととなる。これにより、電源ライン121の電圧Vmは上昇していく。そして、電源ライン121の電圧Vmが上昇すると、トランジスタ145がオンしていることにより抵抗135に電流が流れて、MOSFET111のゲート・ソース間に電位差が生じる。そして、MOSFET111,112のゲート・ソース間の電圧が閾値電圧を超えると、MOSFET111,112が自動的にオンの状態になる。そのため、モータコイル110から出力される電流は、MOSFET112、111を流れてモータコイル110に戻る。つまり、モータコイル110に蓄積されたエネルギーは、モータコイル110、MOSFET112,111により構成されるHブリッジ回路の電源側のループで消費される。そして、モータコイル110に蓄積されたエネルギーが消費され、MOSFET111,112のゲート・ソース間の電圧が閾値電圧より小さくなると、MOSFET111,112は自動的にオフとなる。
その後、制御回路160から電流Inの出力がなくなるとともに、HレベルのVn1,2が出力されたとする。そうすると、MOSFET111はオフする一方、トランジスタ144はオンしてトランジスタ151はオフするためMOSFET113はオンする。また、所定の信号によって、MOSFET112がオンしてMOSFET114がオフしたとする。この場合、電源ライン121からMOSFET112、モータコイル110、MOSFET113の向きに電流が流れる。
そして、再度、適宜のタイミングで、制御回路160から電流Inの出力がなくなるとともに、LレベルのVn1,2が出力されたとする。そうすると、抵抗135に電流が流れなくなり、MOSFET111はオフする。一方、トランジスタ144はオフし、トランジスタ151はオンするため、MOSFET113もオフする。また、所定の信号によって、MOSFET112,114もオフしたとする。この場合、モータコイル110にはエネルギーが蓄積されており、電流を流し続けようとする。そのため、寄生ダイオード114d、モータコイル110、PチャネルMOSFET111の寄生ダイオード111dを通って電流が流れることとなる。つまり、この場合にも、キックバックが発生する。キックバックにより生じた電流は、ダイオード124があるため電源180に回生することができず、コンデンサ126に流れ込み、電源ライン121の電圧Vmが上昇していく。そして、電源ライン121の電圧Vmが上昇すると、トランジスタ145がオンしているため、MOSFETのゲート・ソース間に電位差が生じる。そして、MOSFET111,112のゲート・ソース間の電圧が閾値電圧を越えると、MOSFET111,112が自動的にオンの状態になる。そのため、モータコイル110から出力される電流は、MOSFET111、MOSFET112を流れてモータコイル110に戻る。つまり、この場合にも、モータコイル110に蓄積されたエネルギーは、Hブリッジ回路の電源側のループで消費されることとなる。そして、モータコイル110に蓄積されたエネルギーが消費され、MOSFET111,112のゲート・ソース間の電圧が閾値電圧より小さくなると、MOSFET111,112は自動的にオフとなる。
以上、本実施形態に係るモータ駆動回路では、電源180の電圧が所定値以上のときにキックバックが発生しても、キックバックの発生による電源ライン121の電圧Vmの上昇は、MOSFET111,112の閾値電圧と同レベルに抑えられる。
次に、電源180の電圧が所定値以下である場合(例えば、電源OFF時や待機モードである場合)について説明する。
電源180の電圧が所定値以下である場合、電源ライン122の電位Vccが下がるため、コンパレータ190では、非反転入力端子に入力される電圧が反転入力端子に入力される電圧よりも小さくなる。そうすると、コンパレータ190はLレベルを出力するため、トランジスタ164はオフする。
この状態において、例えば、電源180の電圧が所定値以下になったにもかかわらず、慣性に従いモータが回転を継続すると、モータコイル110に磁束が通過することによる誘起電圧が生じる。この場合、従来技術に係るモータドライバと同様に、電源ライン121の電圧は誘起電圧に応じて上昇するため、MOSFET111,112のソースの電位が上昇する。しかし、本実施形態に係るモータドライバでは、電源180の電圧が所定値以下になったときには、トランジスタ145がオフになっている。そうすると、抵抗135に電流が流れず、MOSFET111のゲート・ソース間の電位差は実質的に生じない。同様に、MOSFET112のゲート・ソース間の電位差も実質的に生じない。つまり、電源180の電圧が所定値以下のときには、キックバックが発生しても、MOSFET111,112がオンすることはないため、モータコイル110にブレーキ力は生じない。
また、電源180がオフしたときには、コンパレータ190がオフするため、トランジスタ164がオフする。その結果、電源180の電圧が所定値以下である場合と同様に、電源180がオフしているときにキックバックが発生しても、MOSFET111,112がオンすることはないため、モータコイル110にブレーキ力は生じない。
以上、本発明の実施形態に係るモータ駆動回路ついて詳述した。本実施形態に係るモータドライバでは、電源180の電圧が所定値以上の場合には、キックバックが発生しても、電源ライン121の電位Vmの上昇を抑えることができるため、大きいサイズのツェナーダイオード等を用いることなく、キックバック発生による素子破壊を回避できる。また、電源180の電圧が所定値以上の場合には、モータコイル110に誘起電圧が生じても、MOSFET111,112がオンせず、ブレーキ力の発生を回避できる。
なお、上記実施形態は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物も含まれる。
例えば、本実施形態においてはHブリッジ回路を用いて単相ファンモータのモータコイルに流れる電流を制御することとしたが、適用されるモータはファンモータに限られず、また、単相にも限られない。
また、本実施形態においてはHブリッジ回路におけるソーストランジスタをPチャネルMOSFETとしたが、ソーストランジスタをPNP型トランジスタとすることも可能である。つまり、Hブリッジ回路におけるソーストランジスタは、電源ライン121側の電極及び制御電極の電圧差に応じてオンオフするトランジスタであれば良い。なお、ソーストランジスタをPNP型トランジスタとする場合、回生用のダイオードをPNP型トランジスタと並列に設ければ良い。
また、本実施形態においてはHブリッジ回路におけるシンクトランジスタをNチャネルMOSFETとしたが、これに限られるものではなく、PチャネルMOSFETとすることもできるし、バイポーラトランジスタとすることもできる。例えば、シンクトランジスタをNPN型トランジスタとすることも可能である。なお、シンクトランジスタをバイポーラトランジスタとする場合、回生用のダイオードをバイポーラトランジスタと並列に設ければ良い。
また、本実施形態においては、電源ライン122は同一の電源180から分岐されたものであることとしたが、これに限られるものではなく、電源ライン121と電源ライン122とが別の電源に接続されることとしてもよい。電源ライン121と電源ライ1ン22とが別の電源に接続される場合、電源ライン122の電圧は、MOSFET111からMOSFET114に電流が流れている場合にMOSFET112がオフとなる電圧であれば良い。例えば、電圧VAを発生する2つの電源の一方に電源ライン121が接続され、他方に電源ライン122が接続されることとすることができる。
また、本実施形態では、コンパレータ190、抵抗161,162、基準電圧源163を用いて、電源180の電位を監視することとした。しかし、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、図2の示すように電圧Vccを抵抗161,162により抵抗分割した電圧をトランジスタ164のベースに直接入力してもよい。ただし、この場合には、図1に示す実施形態と比べると抵抗161,162の温度特性の影響が大きくなることに留意すべきである。
110 モータコイル
121,122 電源ライン
123 接地ライン
180 電源
160 制御回路
190 コンパレータ
163 基準電圧源

Claims (6)

  1. 入力電圧を発生する電源から分岐して接続される第1及び第2電源ラインと、
    直列接続される第1ソーストランジスタ及び第1シンクトランジスタと、直列接続される第2ソーストランジスタ及び第2シンクトランジスタと、前記第1及び第2ソーストランジスタ及び前記第1及び第2シンクトランジスタの夫々に設けられる第1〜第4回生ダイオードとを有し、前記第1ソーストランジスタ及び前記第2ソーストランジスタの入力電極に前記第1電源ラインが接続され、前記第1ソーストランジスタ及び前記第2ソーストランジスタの出力電極にモータコイルが接続されるHブリッジ回路と、
    前記第2電源ラインと接続され、前記第1ソーストランジスタ及び前記第2シンクトランジスタと前記第2ソーストランジスタ及び前記第1シンクトランジスタとを相補的にスイッチングする制御手段と、を含んで構成され、
    前記制御手段は、前記第2電源ラインの電圧に応じた電圧が所定電圧よりも小さい場合、前記第1電源ラインの電位にかかわらず前記第1及び第2ソーストランジスタがオンしないように制御すること、を特徴とするモータ駆動回路。
  2. 請求項1に記載のモータ駆動回路であって、
    一端が前記第1ソーストランジスタの入力電極と接続され、他端が前記第1ソーストランジスタの制御電極と接続される第1抵抗と、
    前記第2電源ラインの電圧に応じた電圧が所定電圧よりも小さい場合、実質的に前記第1抵抗に電流が流れないようにすることにより、前記第1抵抗に生じる電位差が前記第1ソーストランジスタの閾値電圧よりも小さくなるように抑制する回生停止手段と、を含んで構成されること、を特徴とするモータ駆動回路。
  3. 請求項2に記載のモータ駆動回路であって、
    前記回生停止手段は、
    一方の入力端子に前記第2電源ラインの電圧が抵抗分割されて入力され、他方の入力端子に前記所定電圧が入力されるコンパレータと、
    前記コンパレータの出力が制御電極に入力され、前記第1抵抗に流れる電流を制御する制御トランジスタと、を含んで構成されること、を特徴とするモータ駆動回路。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載のモータ駆動回路であって、
    前記電源と前記第1電源ラインとは、第1ダイオードを介して接続され、
    前記電源と前記第2電源ラインとは、第2ダイオードを介して接続されること、を特徴とするモータ駆動回路。
  5. 請求項1〜4のいずれかに記載のモータ駆動回路であって、
    前記第1〜4回生ダイオードは、寄生ダイオードであること、を特徴とするモータ駆動回路。
  6. 請求項1〜5のいずれかに記載のモータ駆動回路であって、
    前記前記所定電位とは、前記電源がオフになったときにおける前記第2電源ラインの電位に相当すること、を特徴とするモータ駆動回路。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012070540A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Nidec Techno Motor Holdings Corp モータ
JP5908224B2 (ja) 2011-07-05 2016-04-26 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー Hブリッジ駆動回路
JP5668036B2 (ja) * 2012-09-24 2015-02-12 太陽誘電株式会社 モータ駆動制御装置及び電動アシスト車
WO2014059407A1 (en) 2012-10-12 2014-04-17 Diebold Self-Service Systems, Division Of Diebold, Incorporated Power management for an automated banking system
JP6102450B2 (ja) * 2013-04-16 2017-03-29 ミツミ電機株式会社 モータドライバ装置及びその制御方法
JP2014239590A (ja) * 2013-06-06 2014-12-18 サンケン電気株式会社 フルブリッジ回路の駆動装置及びパワーモジュール
CN104283488B (zh) * 2013-07-03 2016-12-28 远翔科技股份有限公司 应用于马达的驱动切换系统
CN103441716B (zh) * 2013-08-22 2016-03-30 深圳市振华微电子有限公司 一种三相无刷直流电机的驱动电路
DE102017201950A1 (de) * 2017-02-08 2018-08-09 Geze Gmbh Bremsvorrichtung
DE102017201955A1 (de) * 2017-02-08 2018-08-09 Geze Gmbh Bremsvorrichtung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3665419B2 (ja) * 1996-05-02 2005-06-29 新電元工業株式会社 誘導性負荷駆動方法、及びhブリッジ回路制御装置
US6175204B1 (en) * 1998-11-25 2001-01-16 Westinghouse Air Brake Company Dynamic brake for power door
JP2002315388A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Seiko Instruments Inc 電池寿命予告装置付き電子装置及び電池電圧検出方法
JP2002321631A (ja) * 2001-04-25 2002-11-05 Koyo Seiko Co Ltd 電動パワーステアリング装置
JP4438608B2 (ja) * 2004-02-16 2010-03-24 株式会社デンソー Hブリッジ回路の駆動装置及びhブリッジ回路の保護方法
JP2006262628A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd モータ駆動回路
JP4948890B2 (ja) * 2005-08-29 2012-06-06 ローム株式会社 モータ駆動装置及びこれを用いた電気機器
JP4938326B2 (ja) * 2006-03-24 2012-05-23 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド モータ駆動回路
TWI357715B (en) * 2008-04-23 2012-02-01 Leadtrend Tech Corp Motor control circuit and related operation method

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