CN104283488B - 应用于马达的驱动切换系统 - Google Patents
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Abstract
一种应用于马达的驱动切换系统，其包含一H桥式电路、至少一反冲电压检测模块与至少一驱动控制模块，H桥式电路包含第一PMOS场效晶体管、第一NMOS场效晶体管、第二PMOS场效晶体管与第二NMOS场效晶体管。第一NMOS场效晶体管电性连接于第一PMOS场效晶体管而有第一电性连接端，第二NMOS场效晶体管电性连接于第二PMOS场效晶体管而有第二电性连接端，第一与第二电性连接端间具有至少一线圈。反冲电压检测模块用以检测第一电性连接端的第一反冲电压与第二电性连接端的第二反冲电压。驱动控制模块用以在第一与第二反冲电压达到第一或第二阈值时，切换第一与第二PMOS场效晶体管、第一与第二NMOS场效晶体管而驱动马达。
Description
技术领域
本发明涉及一种应用于马达的驱动切换系统，尤其涉及一种依据第一反冲电压与第二反冲电压，以判断出达到预设的阈值时，切换导通场效晶体管以驱动马达的驱动切换系统。
背景技术
随着时代的进步与发展，马达普遍应用于人们的生活当中，进而带来人们生活相当的便利。其中，在传统马达的驱动电路中，包含了H桥式电路以及驱动模块，H桥式电路中包含了二P型金氧半场效晶体管（P-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor;PMOSFET）以及二N型金氧半场效晶体管（N-type Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor;PMOSFET），而一PMOS场效晶体管是与一NMOS场效晶体管相互串联后，再经由一线圈而与另一组串联的PMOS场效电晶与NMOS场效晶体管电性连接，而二PMOS场效晶体管是电性连接来源电压，二NMOS场效晶体管是接地，且驱动模块电性连接于上述的PMOS场效晶体管与NMOS场效晶体管。
在现有技术中，以H桥式电路驱动马达时，在马达换相的过程而使电流中断时，使得线圈上的电流在中断的过程中，线圈二端的电压（PMOS场效晶体管与NMOS场效晶体管的电性连接点）会产生反冲电压（kickback voltage），此反冲电压的值会高过来源电压所具有的电压值VDD或是低于接地值VSS，进而导致上述PMOS场效晶体管与NMOS场效晶体管的破坏，进而使得马达在驱动的过程中发生不顺而降低效率甚至损坏。
此外，由于PMOS场效晶体管与NMOS场效晶体管的特性，其普遍存在有寄生二极管，而此寄生二极管虽然可以增加反冲电压的容忍范围（如VDD+Vd至VSS-Vd），但实际上在马达驱动电路的实务中，在反冲电压的产生使此寄生二极管导通时，会造成马达驱动的错误，或是PMOS场效晶体管或NMOS场效晶体管的闩锁效应（latch-up）所产生的大电流而造成整体集成电路的损坏。
综合以上所述，现有的马达驱动电路中，由于反冲电压会造成PMOS场效晶体管与NMOS场效晶体管的破坏，且有一定的机率会使马达驱动过程中产生错误，以及闩锁效应造成集成电路的损坏，因此，实有必要提出一种可因应反冲电压而进行处理的马达驱动电路。
发明内容
有鉴于现有马达的驱动电路中，普遍具有反冲电压造成PMOS与NMOS场效晶体管的损坏、马达驱动的错误以及集成电路的损坏的问题。缘此，本发明的主要目的在于提供一种应用于马达的驱动切换系统，其主要是依据线圈二端的反冲电压，藉以在判断出反冲电压达到预设的阈值时，通过不同的切换方式选择导通场效晶体管，藉以降低反冲电压的破坏。
基于上述目的，本发明所采用的主要技术手段是提供一种应用于马达的驱动切换系统，用以驱动一马达，其包含一H桥式电路、至少一反冲电压检测模块以及至少一驱动控制模块。H桥式电路包含一第一P型金氧半场效晶体管（P-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor;PMOSFET）、一第一N型金氧半场效晶体管（N-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor;NMOSFET）、一第二PMOS场效晶体管以及一第二NMOS场效晶体管。第一NMOS场效晶体管电性连接于第一PMOS场效晶体管而具有一第一电性连接端，第二NMOS场效晶体管电性连接于第二PMOS场效晶体管而具有一第二电性连接端，而第一电性连接端与第二电性连接端电性连接至少一线圈。
反冲电压检测模块设有一第一阈值与一第二阈值，并且电性连接于第一电性连接端与第二电性连接端，用以检测第一电性连接端的一第一反冲电压与第二电性连接端的一第二反冲电压，藉以依据第一反冲电压与第二反冲电压发送出一检测信号。驱动控制模块电性连接于反冲电压检测模块，用以接收检测信号，并且在一第一切换阶段、一第二切换阶段以及一第三切换阶段中，切换第一PMOS场效晶体管、第二PMOS场效晶体管、第一NMOS场效晶体管与第二NMOS场效晶体管，藉以驱动马达。
其中，在第一切换阶段中，驱动控制模块关闭第一PMOS场效晶体管，在第一反冲电压达到第一阈值时，反冲电压检测模块发送出检测信号而使驱动控制模块导通第一NMOS场效晶体管，藉以使线圈的一第一残余电流流经第一NMOS场效晶体管、线圈与第二NMOS场效晶体管；在第二切换阶段中，驱动控制模块关闭第二NMOS场效晶体管，在第二反冲电压达第二阈值时，反冲电压检测模块发送出检测信号而使驱动控制模块导通第二PMOS场效晶体管，且第一反冲电压到达第一阈值时，反冲电压检测模块发送出检测信号进一步使驱动控制模块导通第一PMOS场效晶体管并强制关闭第一NMOS场效晶体管，藉以使一第二残余电流流经第一PMOS场效晶体管、线圈与第二PMOS场效晶体管；在第三切换阶段中，驱动控制模块关闭第二PMOS场效晶体管，在第二反冲电压达到第一阈值时，反冲电压检测模块发送出检测信号而使驱动控制模块导通第二NMOS场效晶体管，藉以使线圈的一第三残余电流流经第二NMOS场效晶体管、线圈与第一NMOS场效晶体管。
其中，上述应用于马达的驱动切换系统的附属技术手段的较佳实施例中，反冲电压检测模块更设有一第三阈值，在第一切换阶段中，在第一反冲电压达到第三阈值时，反冲电压检测模块使驱动控制模块进一步导通第一PMOS场效晶体管，藉以使第一残余电流进一步流经第一PMOS场效晶体管、线圈与第二NMOS场效晶体管。此外，第一阈值小于0，且第三阈值小于第一阈值。
另外，上述应用于马达的驱动切换系统的附属技术手段的较佳实施例中，反冲电压检测模块更设有一第四阈值，在第二切换阶段中，在第二反冲电压达到第四阈值时，反冲电压检测模块使驱动控制模块进一步导通第二NMOS场效晶体管，藉以使第二残余电流进一步流经该第一PMOS场效晶体管、该线圈与该第二NMOS场效晶体管。此外，第一PMOS场效晶体管以及第二PMOS场效晶体管电性连接于一来源电压，第二阈值大于来源电压，而第四阈值大于第二阈值。
另外，上述应用于马达的驱动切换系统的附属技术手段的较佳实施例中，在第三切换阶段中，第二反冲电压达到第三阈值时，反冲电压检测模块使驱动控制模块进一步导通第二PMOS场效晶体管，藉以使第三残余电流进一步流经第二PMOS场效晶体管、线圈与第一NMOS场效晶体管。此外，在第一切换阶段之前，驱动控制模块使第一PMOS场效晶体管与第二NMOS场效晶体管导通，藉以使一电流流经第一PMOS场效晶体管、线圈与第二NMOS场效晶体管，据以使驱动控制模块以一第一电流相位驱动马达。
另外，上述应用于马达的驱动切换系统的附属技术手段的较佳实施例中，在第二切换阶段之后，在反冲电压检测模块检测到第一反冲电压为0时，驱动控制模块导通第二PMOS场效晶体管以及第一NMOS场效晶体管，藉以使电流流经第二PMOS场效晶体管、线圈与第一NMOS场效晶体管，据以使驱动控制模块以一第二电流相位驱动马达，在驱动控制模块关闭第二PMOS场效晶体管后，进入第三切换阶段。
藉由本发明所采用的应用于马达的驱动切换系统后，由于在第一切换阶段中，在检测到第一反冲电压到达第一阈值时，选择切换导通第一NMOS场效晶体管；在第二切换阶段中，在第二反冲电压达第二阈值时，选择切换导通第二PMOS场效晶体管，且第一反冲电压到达第一阈值时，更进一步导通第一PMOS场效晶体管并强制关闭第一NMOS场效晶体管；在第三阶段中，第二反冲电压达到第一阈值时，选择切换导通第二NMOS场效晶体管，因此，本发明依据反冲电压是否达到预设的第一个阈值进行切换导通不同的场效晶体管，进而降低反冲电压的电压值，藉以保护场效晶体管而增加马达驱动的效率。
再者，本发明更进一步在检测到反冲电压达到预设的第二个阈值时，再进一步多选择导通场效晶体管，藉以快速降低反冲电压，进而更可确保马达驱动的安全性，藉以增加马达的驱动效率。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1显示本发明较佳实施例的应用于马达的驱动切换系统的示意图；
图2至图2B显示本发明较佳实施例的第一阶段的切换导通示意图；
图3至图3A显示本发明较佳实施例的第二阶段的切换导通示意图；以及
图4至图4B显示本发明较佳实施例的第三阶段的切换导通示意图。
其中，附图标记
1 应用于马达的驱动切换系统
11 H桥式电路
111 第一PMOS场效晶体管
112 第一NMOS场效晶体管
113 第二PMOS场效晶体管
114 第二NMOS场效晶体管
12、12 反冲电压检测模块
13、13a 驱动控制模块
2 来源电压
3 线圈
A 第一电性连接端
B 第二电性连接端
I1、I2、I 电流
Ia 第一残余电流
Ib 第二残余电流
Ic 第三残余电流
Iap、Ian、Ibp、Ibn、Icp、Icn 电流
S1、S1a 检测信号
具体实施方式
由于本发明所提供的应用于马达的驱动切换系统中，其组合实施方式不胜枚举，故在此不再一一赘述，仅列举一较佳实施例来加以具体说明。
请参阅图1，图1显示本发明较佳实施例的应用于马达的驱动切换系统的示意图。如图1所示，本发明较佳实施例所提供的应用于马达的驱动切换系统1中，是用以驱动一马达（图未示），其中，应用于马达的驱动切换系统1包含一H桥式电路11、二反冲电压检测模块12、12a以及二驱动控制模块13、13a。
H桥式电路11包含一第一P型金氧半场效晶体管（P-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor;PMOSFET）111、一第一N型金氧半场效晶体管（N-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor;NMOSFET）112、一第二PMOS场效晶体管113以及一第二NMOS场效晶体管114。
第一PMOS场效晶体管111具有一第一源极端（图未标示）、一第一漏极端（图未标示）与一第一栅极端（图未标示），其中，第一PMOS场效晶体管111的第一源极端电性连接于一来源电压2，且此来源电压2的电压值是为VDD。
第一NMOS场效晶体管112具有一第二源极端（图未标示）、一第二漏极端（图未标示）与一第二栅极端（图未标示），其中，第二源极端接地，且此接地的电压值定义为VSS，第二漏极端电性连接于第一漏极端而具有一第一电性连接端A。
第二PMOS场效晶体管113具有一第三源极端（图未标示）、一第三漏极端（图未标示）与一第三栅极端（图未标示），其中，第二PMOS场效晶体管113的第三源极端同样电性连接于上述的来源电压2。
第二NMOS场效晶体管114具有一第四源极端（图未标示）、一第四漏极端（图未标示）与一第四栅极端（图未标示），第四源极端同样接地，第四漏极端电性连接于第三漏极端而具有一第二电性连接端B，而第一电性连接端A与该第二电性连接端B电性连接有一线圈3。
第一NMOS场效晶体管112电性连接于第一PMOS场效晶体管111而具有一第一电性连接端A，第二NMOS场效晶体管114电性连接于第二PMOS场效晶体管113而具有一第二电性连接端B，而第一电性连接端A与第二电性连接端B电性连接至少一线圈3。
在本发明较佳实施例中，反冲电压检测模块12、12a均设有一第一阈值、一第二阈值、一第三阈值以及一第四阈值，其中，第一阈值小于0（在本发明较佳实施例中，由于第二源极端接地且第四源极端同样是接地，因此第一阈值的设定是小于VSS，亦即小于0），且第三阈值小于第一阈值；而第二阈值大于来源电压的电压值VDD，而第四阈值大于第二阈值而同样大于电压值VDD。另外，反冲电压检测模块12电性连接于第一电性连接端A，反冲电压检测模块12a电性连接于第二电性连接端B。
反冲电压检测模块12用以检测第一电性连接端A上的一第一反冲电压，藉以在第一反冲电压达到第一阈值、一第二阈值、一第三阈值以及一第四阈值中的一者时发送出检测信号S1。反冲电压检测模块12a用以检测第二电性连接端B上的一第二反冲电压，藉以在第二反冲电压达到第一阈值、一第二阈值、一第三阈值以及一第四阈值中的一者时发送出一检测信号S1a。
驱动控制模块13电性连接于反冲电压检测模块12，用以在一第一切换阶段、一第二切换阶段以及一第三切换阶段中，接收反冲电压检测模块12所发出的检测信号S1，藉以选择切换第一PMOS场效晶体管111、与第一NMOS场效晶体管112，进而驱动马达。
驱动控制模块13a电性连接于反冲电压检测模块12a，用以在一第一切换阶段、一第二切换阶段以及一第三切换阶段中，接收反冲电压检测模块12a所发出的检测信号S1a，藉以选择切换第二PMOS场效晶体管113与第二NMOS场效晶体管114，进而驱动马达。
具体而言，本发明较佳实施例中，在驱动马达的过程中是分为第一切换阶段、第二切换阶段以及第三切换阶段，而以电流换相来看实际上只有二个切换阶段，而驱动控制模块13、13a即在上述的第一切换阶段、第二切换阶段以及第三切换阶段中，在第一反冲电压达到第一阈值、一第二阈值、一第三阈值以及一第四阈值中的一者时，分别接收检测信号S1、S1a而切换控制导通PMOS场效晶体管111、第一NMOS场效晶体管112、第二PMOS场效晶体管113与第二NMOS场效晶体管114。
为了使本领域所属技术人员可轻易了解本发明的技术内容，请一并参阅图1以及图2至图4B，图2至图2B显示本发明较佳实施例的第一阶段的切换导通示意图，图3至图3A显示本发明较佳实施例的第二阶段的切换导通示意图，图4至图4B显示本发明较佳实施例的第三阶段的切换导通示意图。
如图所示，在第一切换阶段之前，驱动控制模块13、13a分别使第一PMOS场效晶体管111与第二NMOS场效晶体管114导通，藉以使一电流I1自第一PMOS场效晶体管111流经线圈3与第二NMOS场效晶体管114，据以使驱动控制模块13、13a以一第一电流相位驱动马达（如图2所示，此时一脉冲宽度调变（Pulse Width Modulation;PWM）信号是开启输入至第一PMOS场效晶体管111，且第一电性连接端A的电压为VDD-△Va，第二电性连接端B的电压为VSS+△Vb；其中，前述以及以下的△Va与△Vb是为不同的值，其是由流过上述MOS的电流所决定，特此叙明）。
在第一切换阶段中，驱动控制模块13关闭第一PMOS场效晶体管111，在第一电性连接点A的第一反冲电压达到第一阈值时，反冲电压检测模块12发送出检测信号S1而使驱动控制模块13切换导通第一NMOS场效晶体管112，藉以使线圈3的一第一残余电流Ia自第一NMOS场效晶体管112流经线圈3与第二NMOS场效晶体管114（如图2A所示，此时上述的脉冲宽度调变信号关闭，且第一电性连接端A的电压为VSS-△Va，第二电性连接端B的电压为VSS+△Vb）。
另外，在第一切换阶段中，在第一反冲电压达到第三阈值时，反冲电压检测模块12再发送出一次检测信号S1，使得驱动控制模块13进一步切换导通第一PMOS场效晶体管111，藉以使第一残余电流Ia除了自第一NMOS场效晶体管112流经线圈3与第二NMOS场效晶体管114之外，进一步自第一PMOS场效晶体管111流经线圈3与第二NMOS场效晶体管114（如图2B所示，第一残余电流Ia是由第一PMOS场效晶体管111的电流Iap与第一NMOS场效晶体管112的电流Ian所组成；此外，此时上述的脉冲宽度调变信号关闭，第一电性连接端A的电压为VSS-△Va，第二电性连接端B的电压为VSS+△Vb）。
在第二切换阶段之前，其电流流向同样如图2A或图2B所示，此时上述的脉冲宽度调变信号开启而输入至第二NMOS场效晶体管114，且第一电性连接端A的电压为VSS-△Va，第二电性连接端B的电压为VSS+△Vb。而在第二切换阶段中，驱动控制模块13a关闭第二NMOS场效晶体管114后，在第二反冲电压达第二阈值时，反冲电压检测模块12a发送出检测信号S1a而使驱动控制模块13a导通第二PMOS场效晶体管113，且由于在第一电性连接点A仍存在第一反冲电压，因此，在第一反冲电压到达第一阈值时，反冲电压检测模块12发送出检测信号S1，进一步使驱动控制模块13导通第一PMOS场效晶体管111并强制关闭第一NMOS场效晶体管112（就算有第一反冲电压同样不开），藉以使一第二残余电流Ib自第一PMOS场效晶体管111流经线圈3与第二PMOS场效晶体管113（如图3所示，此时上述的脉冲宽度调变信号开启输入至第二PMOS场效晶体管113，且第一电性连接端A的电压为VSS-△Va，第二电性连接端B的电压为VSS+△Vb）。
另外，在第二切换阶段中，在第二反冲电压达到第四阈值时，反冲电压检测模块12a发送出检测信号S1a，使得驱动控制模块13a进一步导通第二NMOS场效晶体管114，藉以使第二残余电流Ib除了自第一PMOS场效晶体管111流经线圈3与第二PMOS场效晶体管113外，进一步自第一PMOS场效晶体管111流经线圈3与第二NMOS场效晶体管114（如图3A所示，第二残余电流Ib是分流为第二PMOS场效晶体管113的电流Ibp与第二NMOS场效晶体管114的电流Ibn；此外，此时上述的脉冲宽度调变信号关闭，且第一电性连接端A的电压为VSS-△Va，第二电性连接端B的电压为VSS+△Vb）。
在第二切换阶段之后，在反冲电压检测模块12检测到第一电性连接点A上的第一反冲电压为0时（系统会得知线圈3的电流为0），驱动控制模块13、13a分别导通第一NMOS场效晶体管112与第二PMOS场效晶体管113，藉以使电流I2自第二PMOS场效晶体管113流经线圈3与第一NMOS场效晶体管112（如图4所示，此时上述的脉冲宽度调变信号开启，且第一电性连接端A的电压为VSS+△Va，第二电性连接端B的电压为VDD-△Vb），据以使驱动控制模块13、13a以一第二电流相位驱动马达，而在驱动控制模块13a关闭第二PMOS场效晶体管113后，进入第三切换阶段。
在第三切换阶段中，驱动控制模块13a关闭第二PMOS场效晶体管113，在第二反冲电压达到第一阈值时，反冲电压检测模块12a发送出检测信号S1a而使驱动控制模块13a导通第二NMOS场效晶体管114，藉以使线圈3的一第三残余电流Ic自第二NMOS场效晶体管114流经线圈3与第一NMOS场效晶体管112（如图4A所示，此时上述的脉冲宽度调变信号关闭，且第一电性连接端A的电压为VSS+△Va，第二电性连接端B的电压为VSS-△Vb）。
另外，在第三切换阶段中，第二反冲电压达到第三阈值时，反冲电压检测模块12a发送出检测信号S1a而使驱动控制模块13a进一步导通第二PMOS场效晶体管113，藉以使第三残余电流Ic除了自第二NMOS场效晶体管114流经线圈3与第一NMOS场效晶体管112外，进一步自第二PMOS场效晶体管113流经线圈3与第一NMOS场效晶体管112（如图4B所示，第三残余电流Ic是由第二PMOS场效晶体管113的电流Icp与第二NMOS场效晶体管114的电流Icn所组成；此外，此时上述的脉冲宽度调变信号系关闭，且第一电性连接端A的电压为VSS+△Va，第二电性连接端B的电压为VSS-△Vb），进而顺利驱动马达。
综合以上所述，在采用了本发明所采用的应用于马达的驱动切换系统后，由于本发明依据反冲电压是否达到预设的第一个阈值进行切换导通不同的场效晶体管，进而降低反冲电压的电压值，藉以保护场效晶体管而增加马达驱动的效率。再者，本发明更进一步在检测到反冲电压达到预设的第二个阈值时，多选择导通场效晶体管，藉以快速降低反冲电压，进而更可确保马达驱动的安全性，藉以增加马达的驱动效率。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种应用于马达的驱动切换系统，用以驱动一马达，其特征在于，该应用于马达的驱动切换系统包含：
一H桥式电路，包含：
一第一P型金氧半场效晶体管；
一第一N型金氧半场效晶体管，电性连接于该第一P型金氧半场效晶体管而具有一第一电性连接端；
一第二P型金氧半场效晶体管；以及
一第二N型金氧半场效晶体管，电性连接于该第二P型金氧半场效晶体管而具有一第二电性连接端，而该第一电性连接端与该第二电性连接端电性连接至少一线圈；
至少一反冲电压检测模块，设有一第一阈值与一第二阈值，并且电性连接于该第一电性连接端与该第二电性连接端，用以检测该第一电性连接端的一第一反冲电压与该第二电性连接端的一第二反冲电压，藉以依据该第一反冲电压与该第二反冲电压发送出一检测信号；以及
至少一驱动控制模块，电性连接于该反冲电压检测模块，用以接收该检测信号，并且在一第一切换阶段、一第二切换阶段以及一第三切换阶段中，切换该第一P型金氧半场效晶体管、该第二P型金氧半场效晶体管、该第一N型金氧半场效晶体管与该第二N型金氧半场效晶体管，藉以驱动该马达；
其中，在该第一切换阶段中，该驱动控制模块关闭该第一P型金氧半场效晶体管，在该第一反冲电压达到该第一阈值时，该反冲电压检测模块发送出该检测信号而使该驱动控制模块导通该第一N型金氧半场效晶体管，藉以使该线圈的一第一残余电流流经该第一N型金氧半场效晶体管、该线圈与该第二N型金氧半场效晶体管；在该第二切换阶段中，该驱动控制模块关闭该第二N型金氧半场效晶体管，在该第二反冲电压达该第二阈值时，该反冲电压检测模块发送出该检测信号而使该驱动控制模块导通该第二P型金氧半场效晶体管，且该第一反冲电压到达该第一阈值时，该反冲电压检测模块发送出该检测信号进一步使该驱动控制模块导通该第一P型金氧半场效晶体管并强制关闭该第一N型金氧半场效晶体管，藉以使一第二残余电流流经该第一P型金氧半场效晶体管、该线圈与该第二P型金氧半场效晶体管；在该第三切换阶段中，该驱动控制模块关闭该第二P型金氧半场效晶体管，在该第二反冲电压达到该第一阈值时，该反冲电压检测模块发送出该检测信号而使该驱动控制模块导通该第二N型金氧半场效晶体管，藉以使该线圈的一第三残余电流流经该第二N型金氧半场效晶体管、该线圈与该第一N型金氧半场效晶体管。
2.根据权利要求1所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，该反冲电压检测模块更设有一第三阈值，在该第一切换阶段中，在该第一反冲电压达到该第三阈值时，该反冲电压检测模块使该驱动控制模块进一步导通该第一P型金氧半场效晶体管，藉以使该第一残余电流进一步流经该第一P型金氧半场效晶体管、该线圈与该第二N型金氧半场效晶体管。
3.根据权利要求2所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，该第一阈值小于0，且该第三阈值小于该第一阈值。
4.根据权利要求2所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，在该第三切换阶段中，该第二反冲电压达到该第三阈值时，该反冲电压检测模块使该驱动控制模块进一步导通该第二P型金氧半场效晶体管，藉以使该第三残余电流进一步流经该第二P型金氧半场效晶体管、该线圈与该第一N型金氧半场效晶体管。
5.根据权利要求1所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，该反冲电压检测模块更设有一第四阈值，在该第二切换阶段中，在该第二反冲电压达到该第四阈值时，该反冲电压检测模块使该驱动控制模块进一步导通该第二N型金氧半场效晶体管，藉以使该第二残余电流进一步流经该第一P型金氧半场效晶体管、该线圈与该第二N型金氧半场效晶体管。
6.根据权利要求5所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，该第一P型金氧半场效晶体管以及该第二P型金氧半场效晶体管电性连接于一来源电压，该第二阈值大于该来源电压，且该第四阈值大于该第二阈值。
7.根据权利要求1所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，在该第一切换阶段之前，该驱动控制模块使该第一P型金氧半场效晶体管与该第二N型金氧半场效晶体管导通，藉以使一电流流经该第一P型金氧半场效晶体管、该线圈与该第二N型金氧半场效晶体管，据以使该驱动控制模块以一第一电流相位驱动该马达。
8.根据权利要求7所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，在该第二切换阶段之后，在该反冲电压检测模块检测到该第一反冲电压为0时，该驱动控制模块导通该第二P型金氧半场效晶体管以及该第一N型金氧半场效晶体管，藉以使该电流流经该第二P型金氧半场效晶体管、该线圈与该第一N型金氧半场效晶体管，据以使该驱动控制模块以一第二电流相位驱动该马达，在该驱动控制模块关闭该第二P型金氧半场效晶体管后，该应用于马达的驱动切换系统进入该第三切换阶段。
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