JP2014022560A - 保護素子、半導体装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】より適切に被保護回路を保護できる機能を有し、かつ、回路面積の小さい保護素子を提供する。また、その保護素子を用いた半導体装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】通電時に信号電圧が供給される第1配線と、基準電圧が供給される第2配線とを備える。また、第1配線と第2配線との間に接続され、第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、第1配線と第2配線との間に接続された複数個のインバータを含むインバータ回路とを備える。また、第1配線と第2配線との間に接続され、複数個のインバータのうち最終段のインバータの出力がゲートに入力される保護トランジスタを備える。また、通電時において奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に信号電圧と同レベルの参照電圧が供給される。
【選択図】図1
【解決手段】通電時に信号電圧が供給される第1配線と、基準電圧が供給される第2配線とを備える。また、第1配線と第2配線との間に接続され、第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、第1配線と第2配線との間に接続された複数個のインバータを含むインバータ回路とを備える。また、第1配線と第2配線との間に接続され、複数個のインバータのうち最終段のインバータの出力がゲートに入力される保護トランジスタを備える。また、通電時において奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に信号電圧と同レベルの参照電圧が供給される。
【選択図】図1
Description
本開示は、外部からの静電気による静電放電から被保護回路を保護するための保護素子、及び、その保護素子を有する半導体装置に関する。また、本開示は、その半導体装置を有する電子機器に関する。
一般に、LSI(Large Scale Integration)等の半導体集積回路は、その微細化及び低電圧化に伴って、所定の機能をもつ内部回路(以下、被保護回路という)の電源線に発生するサージ電流から被保護回路を保護することの重要性が増している。
電源線に発生するサージ電流の代表的なものとして、電源線の外部端子に対する静電気放電(Electrostatic Discharge:ESD)によって電源線電圧が急上昇するESDサージが知られている。
ESDサージから被保護回路を保護する素子又は回路(以下、保護素子という)は、入力された電気的な信号がESDサージであるかどうか判断する機能が必要となる。このような保護素子では、入力された電気的な信号がESDサージである場合には入力された信号を外部に逃がし、そうでない場合には入力された信号を被保護回路側にそのまま通すような判断がなされる。
代表的な保護素子であるGGMOS(Gate Grounded Metal Oxide Semiconductor)では、その判断は入力電圧を指標とする。例えば、被保護回路が通常2Vで動作し、耐圧が4Vである場合、その被保護回路を保護するGGMOSは3Vの入力で働くように調整される。これにより、例えば、入力電圧が3V以上になった場合には、GGMOSは電流を外に逃がすので、被保護回路は保護される。
また、もう一つの代表的な保護素子として、CMOS型のインバータに抵抗とコンデンサが接続されたRCMOS構成の保護素子がある。RCMOSは、一般的に電源回路を保護する保護素子として用いられ、入力された電気的な信号がESDサージ電流であるか、そうで無いかは入力パルスの立ち上がり時間で判断する。電源回路において、電源がオンになるパルスの立ち上がりは遅く、ESDサージのパルスの立ち上がりは速い。このため、RCMOSでは、入力された電気的な信号のパルスの立ち上がりが速い場合には入力電流がESDサージ電流であると判断してその電流を外に逃がし、遅い場合には入力電流が電源電流であると判断してその電流を電源回路に流す。
特許文献1には、保護回路部と制御回路部とを備えるESD保護回路において、保護回路部で検出された電圧が閾値電圧Xを超えているか否かを制御回路部で検出することによって、ESDサージから被保護回路を保護する構成が記載されている。特許文献1では、制御回路部を設けることで、電源投入時において発生する急峻なスルーレートを持つ電圧をESDサージと誤検出してしまうのを防ぐことができる。
しかしながら、上述のように、ESD保護回路が保護回路部と制御回路部とを備える構成は、単純なRCMOSと比較して回路が複雑であり、回路面積も大きい。
したがって、保護素子では、より適切に被保護回路を保護できる機能を有することに加えて、回路面積をより小さくできることが望まれている。
上述の点に鑑み、本開示は、より適切に被保護回路を保護できる機能を有し、かつ、回路面積の小さい保護素子を提供する。また、本開示は、その保護素子を用いた半導体装置、及び電子機器を提供する。
本開示の保護素子は、通電時に信号電圧が供給される第1配線と、基準電圧が供給される第2配線とを備える。また、第1配線と第2配線との間に接続され、第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、第1配線と第2配線との間に接続された複数個のインバータを含むインバータ回路とを備える。また、第1配線と第2配線との間に接続され、複数個のインバータのうち最終段のインバータの出力がゲートに入力される保護トランジスタを備える。また、通電時において奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に信号電圧と同レベルの参照電圧が供給される。
本開示の保護素子では、回路の組み立て時において、保護トランジスタは最終段のインバータの出力によって動作する。また、通電時においては、参照電圧と第1配線に入力される信号とが同レベルであるときは、保護トランジスタはオフ状態となり、第1配線に入力される信号が参照電圧よりも大きい場合には、保護トランジスタはオン状態となる。
本開示の半導体装置は、上述の保護素子と、第1配線に接続された被保護回路とを備える。
本開示の半導体装置では、上述の保護素子を有することにより、回路の組み立て時、通電時にサージ電流が流れた場合に、被保護回路が保護される。また、通電時に、予定していた通常の信号が流れた場合には、被保護回路にその信号が流れる。
本開示の電子機器は、上述の半導体装置を備える。
本開示の電子機器は、組み込まれる半導体装置が上述の保護素子を有することにより、回路の組み立て時、通電時にサージ電流が流れた場合に、被保護回路が保護される。また、通電時に、予定していた通常の信号が流れた場合には、被保護回路にその信号が流れる。
本開示によれば、より適切に被保護回路を保護できる機能を有し、回路面積の小さい保護素子が得られる。また、本開示によれば、その保護素子が組み込まれることで、より信頼性の高い半導体装置及び電子機器が得られる。
本開示の実施形態の説明に先立ち、エレクトリックヒューズを含む被保護回路に、従来のGGMOSで構成される保護素子を接続する例を説明する。図10は、保護素子が接続されていない状態のエレクトリックヒューズ21を含む被保護回路の一例を示す回路図である。図11及び図12は、図10の回路に、保護素子としてGGMOS22を接続した場合の回路図である。
一般的に、エレクトリックヒューズを含む半導体装置では、回路内に複数のエレクトリックヒューズが配置されており、必要に応じて選択されたエレクトリックヒューズを切断することで所望のプログラミングを可能している。図10〜図12では、1つのエレクトリックヒューズ21と、その後段にMOSトランジスタM1,M2が2つ直列接続された回路を例としている。また、図11及び図12では、エレクトリックヒューズ21の前段にGGMOS22が接続されている。以上の構成において、図10〜図12では、エレクトリックヒューズ21は4Vの電圧で切断される構成とし、図11及び図12では、GGMOS22は3.5Vの入力電圧で作動する構成とする。
まず、GGMOS22が接続されていない図10の回路構成において、回路の組み立て時にESDサージによる電流Iが流れた場合を説明する。回路の組み立て時は、二つのMOSトランジスタM1,M2のゲート電極には電位が印加されていないため、各ゲート電極は電位的には浮いた状態(フローティング状態)である。このため、組み立て時にESDサージが入力されると、MOSトランジスタM1,M2のゲートがオンしてエレクトリックヒューズ21から後段の回路にESDサージによる電流Iが流れ、この結果、エレクトリックヒューズ21が切れてしまう可能性がある。
次に、GGMOS22が接続された図11の回路構成において、回路の組み立て時にESDサージによる電流Iが流れた場合を説明する。この場合も、回路の組み立て時は、二つのMOSトランジスタM1,M2のゲート電極には電位が印加されていないため、各ゲート電極は電位的には浮いた状態となる。ここで、4VのESDサージが入力されるとする。そうすると、3.5Vの入力電圧でGGMOS22は作動する構成とされているため、ESDサージはGGMOS22側に入力されGGMOS22がESDサージによる電流Iをグラウンドに逃がす。
このため、エレクトリックヒューズ21の後段の回路にはESDサージが入力されず、エレクトリックヒューズ21が切断されてしまうことがない。このように、GGMOS22を接続することで、回路の組み立て時に発生するESDサージによってエレクトリックヒューズ21が不要に切断されることを防ぐことができる。
一方、GGMOS22が接続された図12の回路構成において、通電時に4Vの電圧を印加してエレクトリックヒューズ21を切断する場合を説明する。通電時、エレクトリックヒューズ21から後段の回路に電流を流すため、MOSトランジスタM1,M2のゲート電極はオンされている。この状態で、エレクトリックヒューズ21を切断しようとして4Vの入力電圧を印加したとする。そうすると、GGMOS22が3.5Vの入力電圧で作動するように構成されているため、エレクトリックヒューズ21を切断しようとしても、MOSトランジスタM1,M2側に電流が流れず、エレクトリックヒューズ21を切断できないという問題が生じる。
したがって、GGMOS22を用いてエレクトリックヒューズ21を備える被保護回路を保護する場合には、回路の組み立て時にエレクトリックヒューズ21の後段の回路を保護することができても、通電時にエレクトリックヒューズ21を切断できなくなってしまう。
以上の問題点から、エレクトリックヒューズを備える被保護回路を保護する保護素子としては、組み立て時においてサージ電流から回路を保護し、通電時には入力された信号をそのまま通す機能が必要とされている。さらには、通電時にエレクトリックヒューズを切断する電圧よりも高いESDサージが入力された場合にもエレクトリックヒューズの後段の回路を保護できる保護素子であれば尚好ましい。
上述したように、現状のGGMOSではこのような問題は解決できない。また、エレクトリックヒューズを切断するパルスの立ち上がりは、ESDサージのそれと同程度に速い。したがって、エレクトリックヒューズを備える被保護回路を、RCMOSを用いて保護しようとしても、RCMOSがESDサージのパルスとエレクトリックヒューズを切断するためのパルスとを区別することができない。
本開示技術の提案者らは、鋭意検討の結果、回路の組み立て時及び通電時においてESDサージから被保護回路を保護し、さらに、通電時の正常な入力では被保護回路を適切に機能させることができる保護素子を開発するに至った。
以下に、本開示の実施形態に係る保護素子とその信号処理方法、半導体装置の一例を、図面を参照しながら説明する。本開示の実施形態は以下の順で説明する。なお、本開示の技術は、以下の例に限定されるものではない。
1.本開示の一実施形態:保護素子を備える半導体装置
1−1.回路構成
1−2.信号処理方法
2.実施例:保護素子及びエレクトリックヒューズを備える被保護回路を備える半導体装置
1.本開示の一実施形態:保護素子を備える半導体装置
1−1.回路構成
1−2.信号処理方法
2.実施例:保護素子及びエレクトリックヒューズを備える被保護回路を備える半導体装置
〈1.本開示の一実施形態:保護素子を備える半導体装置〉
[1−1.回路構成]
図1は、本開示の一実施形態に係る保護素子を含む半導体装置の回路構成図である。図1に示すように、本実施形態の半導体装置10は、被保護回路2と、その被保護回路2を保護するための保護素子1とを備える。ここでは、被保護回路2はブロック図で示す。
[1−1.回路構成]
図1は、本開示の一実施形態に係る保護素子を含む半導体装置の回路構成図である。図1に示すように、本実施形態の半導体装置10は、被保護回路2と、その被保護回路2を保護するための保護素子1とを備える。ここでは、被保護回路2はブロック図で示す。
保護素子1は、第1配線5と、第2配線6と、抵抗性素子Rと、容量性素子Cと、第1インバータInv1、第2インバータInv2及び第3インバータInv3を有するインバータ回路7と、引き出し配線8と、保護トランジスタTr7とを備える。
第1配線5は、図示しない信号電圧供給部から被保護回路2に所定の信号電圧を供給する配線である。したがって、第1配線5は、保護素子1を構成する各素子に接続されると共に、被保護回路2に接続されている。第2配線6は、基準電圧が供給される配線であり、本実施形態では例えばグラウンド電位GNDが供給されている。
抵抗性素子R及び容量性素子Cは、第1配線5と第2配線6との間に直列接続されている。したがって、抵抗性素子Rの一端は第1配線5に接続され、他端は容量性素子Cの一方の電極に接続されている。そして、容量性素子Cの他方の電極は第2配線6に接続されている。これにより、直列に接続された抵抗性素子R及び容量性素子Cで構成された検出回路3が第1配線5と第2配線6との間に設けられる。
第1インバータInv1は第1配線5と第2配線6との間に直列接続されたpチャネル型のMOSトランジスタ(以下、PMOSトランジスタ)Tr1と、nチャネル型のMOSトランジスタ(以下、NMOSトランジスタ)Tr2とを有する。第1インバータInv1を構成するPMOSトランジスタTr1及びNMOSトランジスタTr2のゲート(第1インバータInv1の入力端子)は、抵抗性素子Rと容量性素子Cとの接続点に電気的に接続されている。PMOSトランジスタTr1のソースは第1配線5に接続されており、ドレインは、NMOSトランジスタTr2のドレインに接続されている。また、NMOSトランジスタTr2のソースは第2配線6に接続されている。第1インバータInv1では、PMOSトランジスタTr1とNMOSトランジスタTr2との接続点が、第1インバータInv1の出力端子となる。
第2インバータInv2は第1配線5と第2配線6との間に直列接続されたPMOSトランジスタTr3とNMOSトランジスタTr4とを有する。第2インバータInv2を構成するPMOSトランジスタTr3及びNMOSトランジスタTr4のゲート(第2インバータInv2の入力端子)は、第1インバータInv1の出力端子に電気的に接続されている。PMOSトランジスタTr3のソースは第1配線5に接続されており、ドレインはNMOSトランジスタTr4のドレインに接続されている。また、NMOSトランジスタTr4のソースは第2配線6に接続されている。第2インバータInv2では、PMOSトランジスタTr3とNMOSトランジスタTr4との接続点が第2インバータInv2の出力端子となる。
第3インバータInv3は第1配線5と第2配線6との間に直列接続されたPMOSトランジスタTr5とNMOSトランジスタTr6とを有する。第3インバータInv3を構成するPMOSトランジスタTr5及びNMOSトランジスタTr6のゲート(第3インバータInv3の入力端子)は、第2インバータInv2の出力端子に電気的に接続されている。PMOSトランジスタTr3のソースは第1配線5に接続されており、ドレインはNMOSトランジスタTr4のドレインに接続されている。また、NMOSトランジスタTr4のソースは第2配線6に接続されている。第3インバータInv3では、PMOSトランジスタTr5とNMOSトランジスタTr6との接続点が第3インバータInv3の出力端子となる。
引き出し配線8は、第2インバータInv2と第3インバータInv3との接続点に接続されており、通電時に、抵抗性素子Rrを介してその接続点に参照電圧Vrefを供給する。
保護トランジスタTr7は、第1配線5と第2配線6との間に接続されたNMOSトランジスタで構成されている。保護トランジスタTr7のゲートは、第3インバータInv3を構成するPMOSトランジスタTr5とNMOSトランジスタTr6との接続点(出力端子)に電気的に接続されている。また、保護トランジスタTr7のドレインは第1配線5に接続され、ソースは第2配線6に接続されている。
以上の構成により、第1インバータInv1の入力端子には抵抗性素子R及び容量性素子Cで構成される検出回路3で検出された検出信号が入力される。また、第2インバータInv2の入力端子には、第1インバータInv1から出力された信号が入力される。また、第3インバータInv3の入力端子には、第2インバータInv2から出力された信号又は引き出し配線8を介して参照電圧Vrefが入力される。そして、保護トランジスタTr7のゲートには、第3インバータInv3から出力された信号が入力される。
[1−2.信号処理方法]
本実施形態の半導体装置10における信号処理方法(保護素子1の動作)を、〔1〕組み立て時にESDサージが入った場合、〔2〕通電時に信号パルスが入った場合、〔3〕通電時にESDサージが入った場合の3つの場合に分けて説明する。ここでは、ESDサージのモデルとしてHBM(Human Body Model)を用いて保護素子1の動作をシミュレーション解析により調べた。
本実施形態の半導体装置10における信号処理方法(保護素子1の動作)を、〔1〕組み立て時にESDサージが入った場合、〔2〕通電時に信号パルスが入った場合、〔3〕通電時にESDサージが入った場合の3つの場合に分けて説明する。ここでは、ESDサージのモデルとしてHBM(Human Body Model)を用いて保護素子1の動作をシミュレーション解析により調べた。
〔1〕組み立て時にESDサージが入った場合
図2は、組み立て時(組み立て作業中)における半導体装置10の回路図である。例えば電子機器などの組み立て時には、図2に示すように、通常、静電対策のために基準電圧配線である第2配線6にのみ、例えばグラウンド電位GNDが供給されていることが多い。その一方、第1配線5が信号電圧供給部(図示を省略する)に結線されておらず非通電である。したがって、第1配線5の電位は不確定状態(フローティング状態)である。
図2は、組み立て時(組み立て作業中)における半導体装置10の回路図である。例えば電子機器などの組み立て時には、図2に示すように、通常、静電対策のために基準電圧配線である第2配線6にのみ、例えばグラウンド電位GNDが供給されていることが多い。その一方、第1配線5が信号電圧供給部(図示を省略する)に結線されておらず非通電である。したがって、第1配線5の電位は不確定状態(フローティング状態)である。
また、第3インバータInv3の入力端子には参照電圧Vrefが供給されていない。したがって、第3インバータInv3のゲート電位も不確定状態(フローティング状態)である。
図3に、組み立て時に第1配線5にESDサージが入ったときの、保護トランジスタTr7に流れる電流I1及び被保護回路2に流れる電流I2のシミュレーション結果を示す。図3の縦軸は電流であり、横軸は時間である。
前述したように、組み立て時は引き出し配線8の端子がフローティング状態、すなわちオープン状態であるため、保護素子1は一般的なRCMOSの形態となる。この状態で第1配線5にESDサージが入力されるとコンデンサへの高周波パルス入力と同様の効果により、容量性素子Cに放電電流が流れるため、容量性素子Cがごく短い時間だけ低インピーダンス状態になる。これにより、当該容量性素子Cと抵抗性素子Rの時定数で決まる遅延が発生し、第1配線5における電位の立ち上がりに対して、容量性素子Cと抵抗性素子Rとの接続点における電位の立ち上がりが遅れる。
そうすると、容量性素子Cと抵抗性素子Rとの接続点における電位が、第1インバータInv1の閾値電圧に達するまでのごく短い間だけ、第1インバータInv1への入力が第1配線5の配線に対してローレベル(Lレベル)となる。これにより、第1インバータInv1では、PMOSトランジスタTr1がオン状態となり、第2インバータInv2には、ハイレベル(Hレベル)の信号が入力される。
第2インバータInv2にHレベルの信号が入力されると、NMOSトランジスタTr2がオン状態となるため、第2インバータInv2からは、Lレベルの信号が出力される。このとき、第2インバータInv2と第3インバータInv3との接続点に接続された引き出し配線8はオープン状態であるため、第3インバータInv3には、第2インバータInv2から出力されたLレベルの信号が入力される。これにより、第3インバータInv3では、PMOSトランジスタTr5がオン状態となり、保護トランジスタTr7のゲートにはHレベルの信号が入力される。
したがって、保護トランジスタTr7のゲート電位は短い時間だけHレベルとなるので、そのチャネルが開き、図2に示すように、第1配線5に入力されたESDサージによる電流I1が保護トランジスタTr7を介してグラウンド(第2配線6)に流れる。この間、被保護回路2にはESDサージによる電流I2は流れない。
以上のように、組み立て時には、抵抗性素子R及び容量性素子Cで構成される検出回路3の時定数より短い時間で立ち上がるパルスは常にESDサージであるとみなされ、第1配線5に流れる電流I1は保護トランジスタTr7を介してグラウンドに排出される。このため、被保護回路2には電流は流れないので、被保護回路2はESDサージから保護される。
〔2〕通電時に通常の信号パルスが入った場合
ここで、「通電時に通常の信号パルスが入った場合」とは、通常動作時に予定されている第1配線5の電位変動があっても、保護トランジスタTr7をオンさせるほどのESDサージは入力されていない動作状態をいう。また、ここでは、通電時に第1配線5に入力される信号パルスとして、例えばエレクトリックヒューズを切るために、ESDサージと同等の立ち上がりの速い信号パルスVsignalが入力された場合について説明する。
ここで、「通電時に通常の信号パルスが入った場合」とは、通常動作時に予定されている第1配線5の電位変動があっても、保護トランジスタTr7をオンさせるほどのESDサージは入力されていない動作状態をいう。また、ここでは、通電時に第1配線5に入力される信号パルスとして、例えばエレクトリックヒューズを切るために、ESDサージと同等の立ち上がりの速い信号パルスVsignalが入力された場合について説明する。
図4は、通電時における半導体装置10の回路図である。通電時、本実施形態では、第1配線5に信号電圧Vsignal(=電源電圧Vdd)が供給されており、第2配線6にはグラウンド電位GNDが供給されている。一方、引き出し配線8を介して第3インバータInv3の入力端子にも、参照電圧Vrefとして、電源電圧Vddが供給される。すなわち、通電時では、第3インバータInv3の入力端子には、第1配線5に供給される信号電圧Vsignal(=Vdd)と同じ電位を供給する。なお、ここでは電源電圧Vdd=3Vとしてシミュレーションを行った。
図5に、通電時に保護トランジスタTr7に流れる電流I1及び被保護回路2に流れる電流I2のシミュレーション結果を示す。図5の縦軸は電流であり、横軸は時間である。
通電時に、第1配線5に立ち上がりの速い信号パルスが入力された場合、上述の〔1〕においてESDサージが入力された場合と同様の理由で、第1インバータInv1にはLレベルが入力され、第2インバータInv2にはHレベルの信号が入力される。そうすると、第2インバータInv2からはLレベルの信号が出力されるが、このとき、引き出し配線8を介して第2インバータInv2と第3インバータInv3との接続点に電源電圧Vdd、すなわち、Hレベルの信号が入力されている。したがって、第3インバータInv3では、NMOSトランジスタTr6がオン状態となり、保護トランジスタTr7のゲートにはLレベルの信号が入力される。
したがって、保護トランジスタTr7のゲート電位はLレベルとなるので、保護トランジスタはオフ状態となる。これにより、図5に示すように、第1配線5に入力された通常の信号パルスが保護トランジスタTr7を介してグラウンド(第2配線6)に流れることがなく、この間、被保護回路2に通常の信号パルスが供給される。このように、本実施形態では、通電時における通常動作時では、保護素子1側に電流が流れず電流は全て被保護回路2に流れる。
〔3〕通電時にESDサージが入った場合
ここで、「通電時にESDサージが入った場合」とは、通常動作時に予定されている信号パルス以上の大きさのESDサージが入力されたときの動作状態をいう。
ここで、「通電時にESDサージが入った場合」とは、通常動作時に予定されている信号パルス以上の大きさのESDサージが入力されたときの動作状態をいう。
図6は、通電時にESDサージが入った場合の半導体装置10の回路図である。本実施形態では、通電時に、第1配線5に信号電圧Vsignal(=電源電圧Vdd)+Vthよりも高いESDサージが入力された場合の保護素子1の信号処理を説明する。ここで、Vthは所定の閾値電圧であり、被保護回路2の構成やその他インバータ回路7の構成に依存して決まる。この場合、保護素子1の構成は通常動作時と同じであり、第2配線6にはグラウンド電位GNDが供給されており、引き出し配線8を介して第3インバータInv3の入力端子に電源電圧Vddが供給されている。
図7に、通電時にESDサージが入った場合の保護トランジスタTr7のドレインにおける電流I3及び電圧V1と、保護トランジスタTr7に流れる電流I1のシミュレーション結果を示す。また、図8に、通電時にESDサージが入った場合の保護トランジスタTr7に流れる電流I1及び被保護回路2に流れる電流I2のシミュレーション結果を示す。図7の縦軸は電流及び電圧であり、横軸は時間である。また、図8の縦軸は電流であり、横軸は時間である。
通電時に、第1配線5に電圧Vsignal+VthのESDサージが入力されたとき、入力電圧が電圧Vsignalを超えるまでは、通常の信号パルスかESDサージかの区別がつかない。このため、保護素子1は上述した〔2〕の動作と同様に動作し、被保護回路2にもわずかに電流が流れる。しかし、入力電圧が電圧Vsignal+Vthを超えたとき、〔2〕の状態から第3インバータInv3の入力電位と出力電位が反転する。これにより、第3インバータInv3からはHレベルの信号が出力され、保護トランジスタTr7にはHレベルの信号が入力されるので、保護トランジスタTr7がオン状態となる。この結果、図7及び図8に示すように電圧Vsignal+VthのESDサージが保護トランジスタTr7を介してグラウンド(第2配線6)に流れる。これにより、ESDサージは被保護回路2に流れなくなる。
このように、本実施形態では、通電時において第1配線5にESDサージが入力された場合にも、ESDサージ電流が保護トランジスタTr7を介してグラウンドに流れるため、被保護回路2をESDサージから保護することができる。
以上のように、本実施形態では、組み立て時など電源がオフであるときにESDサージが入った場合、及び、通常の動作時に通常の信号パルス以上のESDサージが入った場合に、ESDサージが被保護回路2に流れることを防ぐことができる。
また、従来のRCMOSでは、ESDサージと同じような短いパルス状の信号を被保護回路に流したい場合に、RCMOSでその信号パルスとESDサージとを区別することができないという問題があった。これに対し、本実施形態では、通電時に、通常の信号パルスが入った場合には、被保護回路2にその信号パルスを流すことができる。なお、本実施形態では、通電時に、被保護回路2に立ち上がりの速い信号パルスを供給する場合について述べたが、本実施形態で用いられた保護素子1は、被保護回路2にESDサージよりも比較的立ち上がりの遅いパルス状の信号を供給する場合にも同様に用いることができる。
さらに、通常のRCMOS型の保護素子において、第3インバータの出力端子に引き出し線を接続し、参照電圧を供給するだけで本実施形態の保護素子1を構成することができる。このため、本実施形態では、複雑な回路等が必要ではなく、また、大きな回路面積も必要ない。このように、本実施形態の半導体装置10では、保護素子1によって、被保護回路2を、簡単かつ確実にESDサージから保護することができるため、歩留まりの向上や、組み立て工程の簡単化が実現できる。
なお、本実施形態では、保護素子1を3つのインバータで構成する例としたが、奇数個のインバータであれば任意の個数で構成とすることができる。この場合には、最終段のインバータの入力端子に参照電圧Vrefを供給する配線を接続することで、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態では、保護素子1を3つのインバータで構成する例としたが、偶数個のインバータで構成することも可能である。この場合には、保護トランジスタをpチャネル型のMOSトランジスタで構成し、最終段のインバータのゲートに参照電圧を供給する配線を接続することで、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、本開示の実施例に係る半導体装置について説明する。図9は、本開示の実施例に係る半導体装置11の回路図である。図9に示すように、本実施例の半導体装置11は、エレクトリックヒューズ12を含む被保護回路13と、保護素子1とを備える。図9において、保護素子1の構成は図1と同様であるから、ブロック図で示し、詳細な説明は省略する。
図9に示すように、本実施例の半導体装置11では、被保護回路13がエレクトリックヒューズ12と所望のMOSトランジスタ(ここでは、2つのMOSトランジスタTra,Trb)とを備える。そして、2つのMOSトランジスタTra,Trbは、エレクトリックヒューズ12を介して第1配線5に直列に接続されている。
本実施例の半導体装置11における保護素子1の動作を、組み立て時にESDサージが入った場合、通電時にエレクトリックヒューズ12を切断するための信号パルスが入った場合、通電時にESDサージが入った場合の3つの場合に分けて説明する。
[組み立て時にESDサージが入った場合]
組み立て作業中にESDサージが第1配線5に入った場合は、第1の実施形態における〔1〕の動作と同様に保護素子1が動作する。したがって、ESDサージはグラウンドに流れ、被保護回路13にESDサージが入力されることがない。このため、組み立て時に発生したESDサージによって、エレクトリックヒューズ12が不要に切断されることがない。
組み立て作業中にESDサージが第1配線5に入った場合は、第1の実施形態における〔1〕の動作と同様に保護素子1が動作する。したがって、ESDサージはグラウンドに流れ、被保護回路13にESDサージが入力されることがない。このため、組み立て時に発生したESDサージによって、エレクトリックヒューズ12が不要に切断されることがない。
[通電時にエレクトリックヒューズを切断するための信号パルスが入った場合]
通電時にエレクトリックヒューズ12を切断するための信号パルスが入った場合は、第1の実施形態における〔2〕の動作と同様に保護素子1が動作する。したがって、エレクトリックヒューズ12を切断するための信号パルスにより電流Iがグラウンドに流れることなく、電流Iは被保護回路13に流れる。これにより、エレクトリックヒューズ12を切断することができる。
通電時にエレクトリックヒューズ12を切断するための信号パルスが入った場合は、第1の実施形態における〔2〕の動作と同様に保護素子1が動作する。したがって、エレクトリックヒューズ12を切断するための信号パルスにより電流Iがグラウンドに流れることなく、電流Iは被保護回路13に流れる。これにより、エレクトリックヒューズ12を切断することができる。
[通電時にESDサージが入った場合]
通電時にESDサージが入った場合は、第1の実施形態における〔3〕の動作と同様に保護素子1が動作する。したがって、ESDサージはグラウンド側に流れ、被保護回路13にESDサージが入力されることがない。このため、通電時に発生したESDサージによってエレクトリックヒューズ12が不要に切断されることがない。
通電時にESDサージが入った場合は、第1の実施形態における〔3〕の動作と同様に保護素子1が動作する。したがって、ESDサージはグラウンド側に流れ、被保護回路13にESDサージが入力されることがない。このため、通電時に発生したESDサージによってエレクトリックヒューズ12が不要に切断されることがない。
このように、本実施例によれば、ESDサージと同等の立ち上がりの速い信号パルスで駆動する被保護回路13を搭載する場合にも、参照電圧が最終段のインバータのゲートに供給される保護素子1を用いることにより被保護回路13を適切に保護することができる。
本実施例では、被保護回路13として、信号パルスを与えることで電流経路を遮断するエレクトリックヒューズ12を備える回路を例に説明した。しかしながら、本実施例に適用可能な被保護回路13は、これに限られるものではなく、例えば、被保護回路13として、信号パルスを与えることで電流経路を接続するアンチヒューズを備える回路を適用することもできる。この場合も、図9に示した被保護回路13を、アンチヒューズを備える回路に置き換えることにより、ESDサージから被保護回路を適切に保護することができる。
また、以上で説明した半導体装置は、撮像装置、コンピュータ、画像表示装置等、様々な電子機器に適用することができ、本開示の保護素子が組み込まれた半導体装置を用いることで、信頼性の向上が図られる。
なお、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
(1)
通電時に信号電圧が供給される第1配線と、
基準電圧が供給される第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、
前記第1配線と前記第2配線との間に接続された複数のインバータを含み、通電時において、奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に前記信号電圧と同レベルの参照電圧が供給されるインバータ回路と、
前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記インバータ回路の出力がゲートに入力される保護トランジスタと
を備える保護素子。
(2)
前記参照電圧は最終段のインバータの入力端子に供給され、
前記最終段のインバータの入力端子には、非通電時に前記最終段のインバータの一段前のインバータの出力が入力される
(1)に記載の保護素子。
(3)
通電時に参照電圧よりも大きい電圧が前記第1配線に入力された場合は、前記最終段のインバータのゲートには前記最終段のインバータの一段前のインバータの出力が入力される
(2)に記載の保護素子。
(4)
前記インバータ回路は、奇数個のインバータを含み、
前記保護トランジスタは、チャネル導電型がN型である
(1)〜(3)のいずれかに記載の保護素子。
(5)
前記インバータ回路は、偶数個のインバータを含み、
前記保護トランジスタは、チャネル導電型がP型である
(1)〜(3)のいずれかに記載の保護素子。
(6)
前記検出回路は、直列接続された抵抗性素子と容量性素子とを有し、
前記抵抗性素子は前記第1配線に接続して設けられ、前記容量性素子は前記第2配線に接続して設けられ、
前記抵抗性素子と前記容量性素子との接続点が前記インバータ回路の初段のインバータのゲートに接続されている
(1)〜(5)のいずれかに記載の保護素子。
(7)
通電時に信号電圧が供給される第1配線と、基準電圧が供給される第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続された複数のインバータを含み、通電時において、奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に前記信号電圧と同レベルの参照電圧が供給されるインバータ回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記インバータ回路の出力がゲートに入力される保護トランジスタとを備える保護素子と、
前記第1配線に接続された被保護回路と
を備える半導体装置。
(8)
前記被保護回路は、所定の信号パルスによって切断されるエレクトリックヒューズを有している
(7)に記載の半導体装置。
(9)
前記被保護回路は、所定の信号パルスによって接続されるアンチヒューズを有している
(7)に記載の半導体装置。
(10)
通電時に信号電圧が供給される第1配線と、基準電圧が供給される第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続された複数のインバータを含み、通電時において、奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に前記信号電圧と同レベルの参照電圧が供給されるインバータ回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記インバータ回路の出力がゲートに入力される保護トランジスタとを備える保護素子と、
前記第1配線に接続された被保護回路と
を含む半導体装置を備える電子機器。
(1)
通電時に信号電圧が供給される第1配線と、
基準電圧が供給される第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、
前記第1配線と前記第2配線との間に接続された複数のインバータを含み、通電時において、奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に前記信号電圧と同レベルの参照電圧が供給されるインバータ回路と、
前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記インバータ回路の出力がゲートに入力される保護トランジスタと
を備える保護素子。
(2)
前記参照電圧は最終段のインバータの入力端子に供給され、
前記最終段のインバータの入力端子には、非通電時に前記最終段のインバータの一段前のインバータの出力が入力される
(1)に記載の保護素子。
(3)
通電時に参照電圧よりも大きい電圧が前記第1配線に入力された場合は、前記最終段のインバータのゲートには前記最終段のインバータの一段前のインバータの出力が入力される
(2)に記載の保護素子。
(4)
前記インバータ回路は、奇数個のインバータを含み、
前記保護トランジスタは、チャネル導電型がN型である
(1)〜(3)のいずれかに記載の保護素子。
(5)
前記インバータ回路は、偶数個のインバータを含み、
前記保護トランジスタは、チャネル導電型がP型である
(1)〜(3)のいずれかに記載の保護素子。
(6)
前記検出回路は、直列接続された抵抗性素子と容量性素子とを有し、
前記抵抗性素子は前記第1配線に接続して設けられ、前記容量性素子は前記第2配線に接続して設けられ、
前記抵抗性素子と前記容量性素子との接続点が前記インバータ回路の初段のインバータのゲートに接続されている
(1)〜(5)のいずれかに記載の保護素子。
(7)
通電時に信号電圧が供給される第1配線と、基準電圧が供給される第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続された複数のインバータを含み、通電時において、奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に前記信号電圧と同レベルの参照電圧が供給されるインバータ回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記インバータ回路の出力がゲートに入力される保護トランジスタとを備える保護素子と、
前記第1配線に接続された被保護回路と
を備える半導体装置。
(8)
前記被保護回路は、所定の信号パルスによって切断されるエレクトリックヒューズを有している
(7)に記載の半導体装置。
(9)
前記被保護回路は、所定の信号パルスによって接続されるアンチヒューズを有している
(7)に記載の半導体装置。
(10)
通電時に信号電圧が供給される第1配線と、基準電圧が供給される第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続された複数のインバータを含み、通電時において、奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に前記信号電圧と同レベルの参照電圧が供給されるインバータ回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記インバータ回路の出力がゲートに入力される保護トランジスタとを備える保護素子と、
前記第1配線に接続された被保護回路と
を含む半導体装置を備える電子機器。
1・・・保護素子、2,13・・・被保護回路、3・・・検出回路、5・・・第1配線、6・・・第2配線、7・・・インバータ回路、8・・・引き出し配線、10,11・・・半導体装置、12・・・エレクトリックヒューズ、Inv1・・・第1インバータ、Inv2・・・第2インバータ、Inv3・・・第3インバータ
Claims (10)
- 通電時に信号電圧が供給される第1配線と、
基準電圧が供給される第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、
前記第1配線と前記第2配線との間に接続された複数のインバータを含み、通電時において、奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に前記信号電圧と同レベルの参照電圧が供給されるインバータ回路と、
前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記インバータ回路の出力がゲートに入力される保護トランジスタと
を備える保護素子。 - 前記参照電圧は最終段のインバータの入力端子に供給され、
前記最終段のインバータの入力端子には、非通電時に前記最終段のインバータの一段前のインバータの出力が入力される
請求項1に記載の保護素子。 - 通電時に参照電圧よりも大きい電圧が前記第1配線に入力された場合は、前記最終段のインバータの入力端子には前記最終段のインバータの一段前のインバータの出力が入力される
請求項2に記載の保護素子。 - 前記インバータ回路は、奇数個のインバータを含み、
前記保護トランジスタは、チャネル導電型がN型である
請求項3に記載の保護素子。 - 前記インバータ回路は、偶数個のインバータを含み、
前記保護トランジスタは、チャネル導電型がP型である
請求項3に記載の保護素子。 - 前記検出回路は、直列接続された抵抗性素子と容量性素子とを有し、
前記抵抗性素子は前記第1配線に接続して設けられ、前記容量性素子は前記第2配線に接続して設けられ、
前記抵抗性素子と前記容量性素子との接続点が前記インバータ回路の初段のインバータの入力端子に接続されている
請求項3に記載の保護素子。 - 通電時に信号電圧が供給される第1配線と、基準電圧が供給される第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続された複数のインバータを含み、通電時において、奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に前記信号電圧と同レベルの参照電圧が供給されるインバータ回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記インバータ回路の出力がゲートに入力される保護トランジスタとを備える保護素子と、
前記第1配線に接続された被保護回路と
を備える半導体装置。 - 前記被保護回路は、所定の信号パルスによって切断されるエレクトリックヒューズを有している
請求項7に記載の半導体装置。 - 前記被保護回路は、所定の信号パルスによって接続されるアンチヒューズを有している
請求項7に記載の半導体装置。 - 通電時に信号電圧が供給される第1配線と、基準電圧が供給される第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記第1配線に入力された信号電圧を検出する検出回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続された複数のインバータを含み、通電時において、奇数段目のインバータと偶数段目のインバータとの間に前記信号電圧と同レベルの参照電圧が供給されるインバータ回路と、前記第1配線と前記第2配線との間に接続され、前記インバータ回路の出力がゲートに入力される保護トランジスタとを備える保護素子と、
前記第1配線に接続された被保護回路と
を含む半導体装置を備える電子機器。
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