JP5328183B2

JP5328183B2 - グルコシドエステル誘導体の製造方法

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Publication number: JP5328183B2
Application number: JP2008068124A
Authority: JP
Inventors: 治尾野村; 庸介出水; 史哲岩崎
Original assignee: Tokuyama Corp
Current assignee: Tokuyama Corp
Priority date: 2008-03-17
Filing date: 2008-03-17
Publication date: 2013-10-30
Anticipated expiration: 2028-03-17
Also published as: JP2009221161A

Description

本発明は、新規なグルコシドジエステル化合物、グルコシドトリエステル化合物、及びグルコシドテトラエステル化合物等のグルコシドエステル誘導体の製造方法に関する。

グルコシド化合物は、多糖類の合成、天然物の全合成あるいは生理活性物質の合成、さらにはコンビナトリアルライブラリー構築のための鍵化合物、近年では光学活性なイオン性液体合成の中間体として重要な化合物である。

グルコシド化合物は、その分子内に多くの水酸基を有する。そのため、グルコシド化合物を出発物質として、天然物あるいは生理活性物質を合成する場合、グルコシド化合物の複数の水酸基を各々異なる置換基で保護（保護基で保護）した化合物を出発物質とすれば、反応条件を変えることで所望の保護された水酸基のみを別の置換基に変換したり、保護基を脱離することができるため、より目的とする最終化合物を高選択的に高収率で取得できる。

従来、グルコシド化合物に存在する複数の水酸基の中から一つの水酸基を保護基導入剤によって選択的に保護する方法としては、メチル−α−D−グルコピラノシドをジブチル酸化錫および塩基存在下、ベンゾイルクロライドと反応させて２位の水酸基を選択的にアシル化した後、塩基存在下、トリチルクロライドと反応させて６位の水酸基を選択的にトリチル化し、さらに塩基存在下、メタンスルホニルクロライドと反応させて、３位及び４位をメシル化する方法（例えば、非特許文献１参照）が知られている。

テトラへドロン（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ）５１巻２７号７３７３−７３８８（１９９５年）

しかし、かかる方法は、２位および６位の水酸基は選択的に異なる保護基で保護できるものの、３位と４位の水酸基に異なる保護基を導入することはできない。このため、３位と４位に異なる置換基を導入しようと思えば、３位と４位の立体障害あるいは電子状態の僅かな違いに期待して、保護基を脱離反応あるいは置換反応に供し、生成物が３位と４位が異なる置換基となった化合物のみを分取するしか方法がないため、とても効率的な有機合成とは言えない。以上のような理由のため、より簡易的な方法で効率よく、すべての水酸基が異なる保護基で保護されたグルコシド化合物およびその製造方法の開発が強く望まれていた。

従って、本発明の目的は、様々な物質の合成原料として使用できる、すべての水酸基が異なる保護基で保護されたグルコシド化合物およびその化合物の製造方法を提供することにある。

かかる事実に鑑み、本発明者らは鋭意検討を行ったところ、２位の水酸基がアシル基、スルホニル基、オキシカルボニル基、ホスホリル基で保護されたグルコシドエステル化合物を、ジアルキル錫化合物、及び塩基存在下、カルボン酸ハライド、オキシカルボン酸ハライド、スルホン酸ハライド、ホスホリル酸ハライド、又はジアルキルジカーボネートの保護基導入剤の中から、グルコシドエステル化合物の２位の水酸基を保護した保護基とは異なる保護基を導入できる保護基導入剤と反応させることで、６位の水酸基が保護された新規なグルコシドジエステル化合物が合成できることを見出した。そして、同様の条件下で、該グルコシドジエステル化合物と、２位、及び６位の水酸基を保護した保護基とは異なる保護基を導入できる保護基導入剤と反応させることで３位が選択的に保護された新規なグルコシドトリエステル化合物が合成できることを見出した。さらに、塩基存在下、該グルコシドトリエステル化合物と、２位、３位、及び６位の水酸基を保護した保護基とは異なる保護基を導入できる保護基導入剤とを反応させることによって、新規なグルコシドテトラエステル化合物が合成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

即ち、第一の本発明は、ジアルキル錫化合物、及び塩基の存在下、下記一般式（ＩＶ）

（式中、Ｘは炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ ^１はアシル基である。）
で示されるグルコシドエステル化合物と、保護基導入剤であるスルホン酸ハライドとを反応させることにより、下記式（Ｉ）

（式中、Ｘは炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ ^１はアシル基であり、Ｒ ^２はスルホニル基である。）で示されるグルコシドジエステル化合物を製造する方法である。

また、第二の本発明は、前記第一の本発明の方法で式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物を製造し、続いて、ジアルキル錫化合物、及び塩基の存在下、該式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物と、保護基導入剤であるオキシカルボン酸ハライド、又はジアルキルジカーボネートとを反応させることにより、下記式（ＩＩ）

（式中、Ｘは炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ ^１はアシル基であり、Ｒ ^２はスルホニル基であり、Ｒ ^３はオキシカルボニル基である。）で示されるグルコシドトリエステル化合物を製造する方法である。

また、第三の本発明は、前記第二の本発明の方法で式（ＩＩ）で示されるグルコシドトリエステル化合物を製造し、続いて、塩基の存在下、該式（ＩＩ）で示されるグルコシドトリエステル化合物と、保護基導入剤であるホスホリル酸ハライドとを反応させることにより、下記式（ＩＩＩ）

（式中、Ｘは炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ ^１はアシル基であり、Ｒ ^２はスルホニル基であり、Ｒ ^３はオキシカルボニル基であり、Ｒ ^４はホスホリル基である。）で示されるグルコシドテトラエステル化合物を製造する方法である。

本発明によれば、有機合成上極めて有用な新規なグルコシドエステル誘導体を容易に得ることができるため、工業的利用価値は高い。

（グルコシドエステル誘導体）
本発明のグルコシドエステル誘導体は、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される。

ここで上記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のＸは、炭素数１〜８のアルキル基である。

炭素数１〜８のアルキル基を具体的に例示すると、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へプチル基、ｎ−オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。

上記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びＲ^４は、保護基であり、アシル基、スルホニル基、オキシカルボニル基、又はホスホリル基である。

アシル基を具体的に例示すると、ベンゾイル基、ｐ−トルオイル基、ｐ−クロロベンゾイル基、ｐ−ニトロベンゾイル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル基、α−ナフトイル基、β−ナフトイル基、プロピオニル基、ブタノイル基、ペンタノイル基等を挙げることができる。

スルホニル基としては、ベンゼンスルホニル基、p−トルエンスルホニル基、ｐ−クロロベンゼンスルホニル基、ｐ−ニトロベンゼンスルホニル基等を挙げることができ、オキシカルボニル基として、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基等を挙げることができる。

ホスホリル基としては、ジフェニルホスホリル基等を挙げることができる。

上記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示されるグルコシドエステル誘導体において、上記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びＲ^４は、夫々異なる保護基であり、二つ以上の保護基が同一の基となることはない。即ち、Ｒ ^１はアシル基であり、Ｒ ^２はスルホニル基であり、Ｒ ^３はオキシカルボニル基であり、Ｒ ^４はホスホリル基である。このようにＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びＲ^４が、それぞれ異なる保護基であることにより、反応条件を変えることで特定の保護された水酸基のみを別の置換基に変換したり、特定の保護基のみを脱離させることができるため、本発明のグルコシドエステル誘導体は、様々な物質の原料として有効に使用することができる。

（グルコシドジエステル化合物）
上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物を例示すると、具体的には、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、等を挙げることができる。

（グルコシドトリエステル化合物、及びグルコシドテトラエステル化合物）
上記一般式（ＩＩ）で示されるグルコシドトリエステル化合物の具体的な例示は行わないが、上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物と保護基導入剤が決まれば、一義的にその化合物は決定される。上記一般式（ＩＩＩ）で示されるグルコシドテトラエステル化合物についても同様である。

（グルコシドエステル誘導体の同定方法）
上記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示されるグルコシドエステル誘導体の構造は、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）のいずれか二つ以上の方法により確認することができる。

（ｉ）^１Ｈ−核磁気共鳴スペクトルを測定することにより、化合物中に存在する水素原子の結合様式を知ることができる。例えば、７．０〜８．０ｐｐｍ付近にベンゼン環の水素のスペクトルを示す。

（ｉｉ）赤外吸収スペクトルを測定することにより、化合物の官能基に由来する特性吸収を観察することができる。例えば、３５００−３６００ｃｍ^−１付近にＯ−Ｈの吸収スペクトルを、１７２０ｃｍ^−１付近にＣ＝Ｏの吸収スペクトルを示す。

（ｉｉｉ）ＭＳスペクトルを測定し、上記一般式（Ｉ）で示されるピラノシドジエステル化合物の分子量を決定することができる。

（グルコシドエステル誘導体の製造方法）
（グルコシドジエステル化合物の製造方法）
次に、上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物の製造方法について説明する。上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物は、下記一般式（ＩＶ）

式中、Ｘは炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ ^１はアシル基である。）
で示されるグルコシドエステル化合物と、保護基導入剤であるスルホン酸ハライドとを反応させることにより、前記式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物を製造することができる。

（上記一般式（ＩＶ）で示されるグルコシドエステル化合物）
本発明において、上記一般式（ＩＶ）で示されるグルコシドエステル化合物は、使用するグルコシド化合物の構造、保護基導入剤の種類、使用する触媒等により、多少収率等の変化はあるが、基本的には、以下の方法により製造することができる。具体的には、下記一般式（Ｖ）

（式中、Ｘは、炭素数１〜８のアルキル基である。）
で示されるグルコシド化合物を、テトラハイドロフランのような有機溶媒中、ジメチルジクロロ錫、ジイソプロピルエチルアミンのような塩基の存在下、ベンゾイルクロライド等の保護基導入剤（酸ハライド化合物）と反応させることによって製造することができる。なお、上記一般式（Ｖ）におけるＸは、上記一般式（Ｉ）におけると同義であり、所望とする上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物に応じて、適宜選定すればよい。また、上記一般式（Ｖ）で示されるグルコシド化合物は、試薬として入手することができる。

（ジアルキル錫化合物）
本発明において、上記ジアルキル錫化合物としては、二つのアルキル基が直接錫と結合している化合物であれば、特に限定されないが、選択性の観点から、該二つのアルキル基は炭素数１〜６のアルキル基であるのが好適である。ジアルキルジハロゲノ錫化合物の中でも、ジメチルジクロロ錫、ジメチルジブロモ錫、ジブチルジブロモ錫、ジブチル酸化錫は、高い反応収率を示すため特に好適に使用される。

本発明において、ジアルキル錫化合物の使用量は、上記一般式（ＩＶ）で示されるグルコシドエステル化合物に対して触媒量であれば特に制限はないが、あまり量が多いと後処理工程が煩雑となり、あまり量が少ないと反応速度が著しく低下する傾向にある。そのため、通常、ジアルキル錫化合物の使用量は、グルコシドエステル化合物１モルに対して、好ましくは０．０００１〜０．３モル、より好ましくは０．００１〜０．２モルである。

（塩基）
本発明において、上記塩基としては、有機塩基及び無機塩基を何ら制限なく用いることができる。これらを具体的に例示すると、無機塩基としては炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素リチウム等の炭酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物を挙げることができる。有機塩基としては、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、メチルモルホリン、エチルモルホリン、メチルピロリジン、エチルピロリジン等の脂肪族三級アミン、ピリジン、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルピリジン、２−Ｎ，Ｎ−ジメチルピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ−メチルイミダゾール等を挙げることができる。

これらの塩基の中でも特に、無機塩基としては炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素リチウム等の炭酸塩、有機塩基としては、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、メチルモルホリン、エチルモルホリン、メチルピロリジン、エチルピロリジン等の脂肪族三級アミン等が高い選択性と収率を示すため、好適に採用される。これらの塩基は、単独に用いてもよいし、混合して使用することもできる。

本発明において、塩基の使用量は、特に制限はないが、あまり量が多いと後処理工程が煩雑となる上に、生成物の分解反応に寄与する可能性が高くなり、あまり量が少ないと反応の転化率が低くなる傾向にある。そのため、通常、塩基の使用量は、上記式（ＩＶ）で示されるグルコシドエステル化合物に対して、好ましくは０．１〜４モル、より好ましくは１〜３モルである。

（スルホン酸ハライド、カルボン酸ハライド、オキシカルボニルハライド、ホスホリル酸ハライド、又はジアルキルジカーボネートの保護基導入剤）
本発明において、スルホン酸ハライド、カルボン酸ハライド、オキシカルボン酸ハライド、ホスホリル酸ハライド、又はジアルキルジカーボネート（以下、これらをまとめて単に「保護基導入剤」とする場合もある）は、上記一般式（ＩＶ）の保護基Ｒ^１の種類に応じて、何れかを使用すればよい。

これら保護基導入剤は、特に限定されないが、選択性の観点から炭素数１〜１２のカルボン酸ハライド、炭素数１〜１２のスルホン酸ハライド、炭素数２〜８のオキシカルボニルハライド、炭素数１２のホスホリル酸ハライド、叉は炭素数４〜１２のジアルキルジカーボネートを使用するのが好適である。好適に使用できる保護基導入剤を具体的に例示すると、カルボン酸ハライドとしては、ベンゾイルクロライド、ｐ−トルオイルクロライド、ｐ−クロロベンゾイルクロライド、ｐ−ニトロベンゾイルクロライド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルクロライド、α−ナフトイルクロライド、β−ナフトイルクロライド、ペンタノイルクロライド、ベンゾイルブロマイド等を挙げることができる。スルホン酸ハライドとしては、ベンゼンスルホン酸クロライド、ｐ−トルエンスルホン酸クロライド、ｐ−クロロベンゼンスルホン酸クロライド、ｐ−ニトロベンゼンスルホン酸クロライド、ｐ−トルエンスルホン酸フルオライド等を挙げることができる。オキシカルボニルハライドとしては、メトキシカルボニルクロライド、エトキシカルボニルクロライド、イソプロポキシカルボニルクロライド、アリルオキシカルボニルクロライド、フェニルオキシカルボニルクロライド、ベンジルオキシカルボニルクロライド等を挙げることができる。ホスホリル酸ハライドとしては、ジフェニルホスホリル酸クロライドを挙げることができ、ジアルキルジカーボネートとしては、ジメチルジカーボネート、ジエチルジカーボネート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネート、ジ−ｔｅｒｔ−アミルジカーボネート等を挙げることができる。これらの中でも、特にベンゾイルクロライド、ｐ−トルオイルクロライド、ｐ−クロロベンゾイルクロライド、ｐ−ニトロベンゾイルクロライド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルクロライド、α−ナフトイルクロライド、β−ナフトイルクロライド等のカルボン酸ハライド、ベンゼンスルホン酸クロライド、ｐ−トルエンスルホン酸クロライド、ｐ−クロロベンゼンスルホン酸クロライド等のスルホン酸ハライド、フェニルオキシカルボニルクロライド、ベンジルオキシカルボニルクロライド等のオキシカルボニルハライド、ジフェニルホスホリル酸クロライド等のホスホリル酸ハライド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネート、ジ−ｔｅｒｔ−アミルジカーボネート等のジアルキルジカーボネートが高い反応率を示すため、特に採用できる。

本発明において、保護基導入剤の使用量は、上記一般式（ＩV）で示されるグルコシドエステル化合物の保護したい水酸基と保護基導入剤とは化学量論的に反応するため、あまり量が少ないと未反応物が多く残り収率の低下を招き、あまり量が多いと反応の選択率が低下する傾向にある。そのため、通常、保護基導入剤の使用量は、上記一般式（ＩV）で示されるグルコシドエステル化合物１モルに対して、好ましくは０．８〜２モル、より好ましくは０．９〜１．５モルである。

（反応方法、反応条件、及び精製方法）
本発明の製造方法では、ジアルキル錫化合物、及び塩基の存在下に、上記一般式（ＩV）で示されるグルコシドエステル化合物と保護基導入剤とを反応させるが、この時の反応方法は特に限定されず、例えば有機溶媒中でこれら化合物を混合・攪拌することにより好適に行うことができる。

本発明において、上記有機溶媒は、特に制限されるものではなく、試薬又は工業原料として入手可能な溶媒を使用することができる。具体的には、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル等のエーテル類、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール等のアルコール類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルカーボネート等のカーボネート類、ジメチルスルホキシド等を挙げることができる。これらの有機溶媒の中でも、特に高い収率が期待できる、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル類、アセトニトリル等のニトリル類、アセトン等のケトン類が好適に採用される。これらの溶媒は単独で用いてもよいし、混合して用いても一向に差し支えない。

上記有機溶媒は、乾燥処理等の精製を行い使用してもよいし、市販のものをそのまま使用することもできる。該有機溶媒中に含まれる水分量は、特に制限はないが、基本的に水と保護基導入剤は反応するため、あまり量が多いと本発明の収率が低下する傾向にある。そのため、有機溶媒中に含まれる水分量は、本発明に使用される保護基導入剤１モルに対して、１００モル以下とすることが好ましい。該有機溶媒中の水分量の下限値は、乾燥した有機溶媒を使用することもできるため、保護基導入剤１モルに対して、０モルである。

本発明において、上記有機溶媒の使用量は、特に制限はないが、あまり量が多いとバッチあたりの収量が減少するため経済的ではなく、あまり量が少ないと攪拌等に支障をきたすため、通常、反応溶媒中の上記一般式（ＩV）で示されるグルコシドエステル化合物の濃度が好ましくは０．１〜７０質量％、より好ましくは１〜６０質量％となる量である。

本発明において、ジアルキル錫化合物および塩基の存在下に、上記一般式（ＩV）で示されるグルコシドエステル化合物と保護基導入剤とを反応させる際の各化合物の添加順序については、ジアルキル錫化合物を反応系に添加する前に、塩基と保護基導入剤が接触しないようにすれば特に制限されるものではない。中でも、一般的に高い選択性および反応収率を獲得するという観点から、予め有機溶媒中にジアルキル錫化合物、塩基およびグルコシドエステル化合物を添加しておき、次いで保護基導入剤を徐々に該溶媒に添加する方法が好適である。

本発明において、反応温度は、上記一般式（ＩV）で示されるグルコシドエステル化合物、塩基および保護基導入剤の種類によって異なるため、一概には言えないが、あまり温度が低いと反応速度が著しく小さくなり、あまり温度が高いと副反応を助長する傾向にあるため、通常、好ましくは−１０〜５０℃、より好ましくは０〜４０℃である。

また、反応時間も、上記一般式（ＩV）で示されるグルコシドエステル化合物、塩基および保護基導入剤の種類によって異なるため一概には言えないが、通常、好ましくは０．１〜１００時間である。

また、反応時の圧力、および雰囲気は、常圧、減圧、加圧の何れの状態でも実施可能であり、また空気雰囲気下、窒素雰囲気下、アルゴン雰囲気下等の不活性気体雰囲気下の何れの状態でも実施可能である。

上記のような反応条件により上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物を製造することができる。つまり、上記ジアルキル錫化合物、塩基の存在下、上記一般式（ＩV）で示される特定のグルコシドエステル化合物と保護基導入剤とを上記条件下で反応させることにより、高い選択率で６位の水酸基が保護された上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物を製造することができ、２位と３位、及び２位と４位の水酸基が保護された化合物の生成を抑制できる。

このようにして得られた上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物は、以下の方法に従って単離精製できる。具体的には、反応終了後、希塩酸を加えて触媒を失活させた後、酢酸エチル等の水に相溶しない有機溶媒で抽出した後、有機溶媒を留去、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー等によって分離精製される。なお、上記一般式（Ｉ）で示されたグルコシドジエステル化合物は、上記の方法で同定することができる。特に、６位の水酸基が選択的に保護されたグルコシドジエステル化合物が得られたかどうかの確認は、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により確認することができる。

（グルコシドトリエステル化合物の製造方法）
上記一般式（ＩＩ）で示されるグルコシドトリエステル化合物の製造についても、上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステルの製造方法と全く同様の反応操作を行うことで製造可能である。即ち、上記一般式（ＩＶ）で示されるグルコシドエステル化合物に代えて上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物を用いて同様の反応を行えばよい。なお、この場合、ジアルキル錫化合物、塩基、有機溶媒量の量は、上記一般式（ＩＶ）で示されるグルコシドエステル化合物に代えて上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物に対する量に換算してやればよい。

この操作によって、高い選択率で３位の水酸基が保護された上記一般式（ＩＩ）で示されたグルコシドトリエステル化合物が製造でき、２位、４位及び６位の水酸基が保護された化合物の生成を抑制できる。
本発明においては、上記の通り、ジアルキル錫化合物、及び塩基の存在下、グルコシドエステル化合物と保護基導入剤とを反応させ、先ず、６位の水酸基を選択的に保護したグルコシドジエステル化合物を製造する。次いで、ジアルキル錫化合物、及び塩基の存在下、このグルコシドジエステル化合物と、上記保護基導入剤以外の保護基導入剤とを反応させることにより、３位の水酸基を選択的に保護したグルコシドトリエステル化合物を製造することができる。本発明によれば、触媒系が同じであっても、先ず６位の水酸基を選択的に保護したグルコシドジエステル化合物を製造することができ、次いで、６位の水酸基を保護したグルコシドジエステル化合物を使用することにより、３位の水酸基を選択的に保護したグルコシドトリエステル化合物を製造できる。このように特定の水酸基を順次保護することができるのは、本発明の原料となる化合物、ジアルキル錫化合物、及び塩基を使用するからである。

（グルコシドテトラエステル化合物の製造方法）
上記一般式（ＩＩＩ）で示されるグルコシドテトラエステル化合物の製造についてもジアルキル錫化合物を使用しない以外は、上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステルの製造方法と全く同様の反応操作を行うことで製造可能である。即ち、上記一般式（ＩＶ）で示されるグルコシドエステル化合物に代えて上記一般式（ＩＩ）で示されるグルコシドトリエステル化合物を用いて同様の反応を行えばよい。なお、この場合、塩基、有機溶媒量の量は、上記一般式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物に代えて上記一般式（ＩＩ）で示されるグルコシドトリエステル化合物に対する量に換算してやればよい。

この操作によって、全ての水酸基が異なる保護基で保護された上記一般式（ＩＩＩ）で示されたグルコシドテトラエステル化合物が製造できる。グルコシドテトラエステル化合物を製造する場合には、ジアルキル錫化合物は不要である。

（グルコシドエステル誘導体の使用スルホニル基のアジド基への変換）
このようにして製造された上記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示されるグルコシドエステル誘導体は、水酸基を保護した保護基の種類が異なるため、異なる脱離条件で、所望する特定の位置の保護基を脱離させたり、新たな反応剤と反応させることで、特定の位置の水酸基を別の官能基に変換することで、様々な有機反応に供する原料として使用することができる。

その一例を具体的に例示すると、上記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示されるグルコシドエステル誘導体の中で示される保護基の中で、スルホニル基は他の保護基と比べて脱離基としての性質が強いため、求核性を有する反応剤と容易に置換反応を起こす。例えば、上記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示されるグルコシドエステル誘導体の中で、その分子内にスルホニル基を有するグルコシドエステル誘導体は、界面活性剤存在下、アジド化合物と置換反応を起こし、スルホニル基がアジド基へと変換される（以下、反応Ａと称す。）。

（スルホニル基を有するグルコシドエステル誘導体）
反応Ａにおけるグルコシドエステル誘導体としては、その分子内にスルホニル基を有しているグルコシドエステル誘導体であれば、特に制限はない。これらグルコシドエステル誘導体を具体的に例示すると、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−エチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−プロピル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−オクチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−クロロベンゼンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、等を挙げることができる。

これらのグルコシドエステル誘導体の中でも、ｐ−トルエンスルホニル基を有しているグルコシドエステル誘導体が、置換反応の収率が高いという観点から、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−トルオイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、１−メチル−Ｏ^２−ｐ−クロロベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド、等が好適に使用される。

（アジド化合物）
本反応Ａに使用される、アジド化合物としては、アジ化ナトリウム、アジ化カリウム、アジ化リチウム等のアルカリ金属塩が好適に使用される。アジド化合物の使用量としては、グルコシドエステル誘導体中のスルホニル基とアジド化合物とは化学量論的に反応するため、あまり量が少ないと未反応物が多く残り収率の低下を招き、あまり量が多いと反応の選択率が低下する傾向にある。そのため、通常、アジド化合物の使用量は、スルホニル基を有するグルコシドエステル誘導体１モルに対して、好ましくは０．８〜２モル、より好ましくは０．９〜１．５モルである。

（界面活性剤）
本反応Ａに使用される界面活性剤としては、工業原料及び試薬として容易に入手できる界面活性剤が何ら制限なく使用できる。これらを具体的に例示すると、１２−クラウン−４、１５−クラウン−５、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル類、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムブロマイド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベンジルトリエチルアンモニウムブロマイド、ベンジルトリエチルアンモニウムブロマイド、Ｎ−セチルピリジニウムクロライド、Ｎ−セチルピリジニウムブロマイド等の４級アンモニウム塩等を挙げることができる。これら界面活性剤の中でも、特に高い反応収率が期待できるという観点から、１２−クラウン−４、１５−クラウン−５、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル類が好適に採用される。界面活性剤の使用量としては、グルコシドエステル誘導体中のスルホニル基とアジド化合物との置換反応に触媒として作用するため、あまり量が少ないと置換反応の反応速度が落ち、あまり量が多いと界面活性剤の除去操作が煩雑となる傾向にある。そのため、通常、界面活性剤の使用量は、グルコシドエステル誘導体１モルに対して、好ましくは０．００５〜０．５モル、より好ましくは０．０１〜０．３モルである。

（反応方法、反応条件、及び精製方法）
本反応Ａは、界面活性剤の存在下に、スルホニル基を有するグルコシドエステル誘導体とアジド化合物とを反応させるが、この時の反応方法は特に限定されず、例えば有機溶媒中でこれら化合物を混合・攪拌することにより好適に行うことができる。

本発明において、上記有機溶媒は、特に制限されるものではなく、試薬又は工業原料として入手可能な溶媒を使用することができる。具体的には、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル等のエーテル類、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール等のアルコール類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルカーボネート等のカーボネート類、ジメチルスルホキシド等を挙げることができる。これらの有機溶媒の中でも、特に高い収率が期待できる、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル類、アセトニトリル等のニトリル類、アセトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類、が好適に採用される。これらの溶媒は単独で用いてもよいし、混合して用いても一向に差し支えない。

上記有機溶媒は、乾燥処理等の精製を行い使用してもよいし、市販のものをそのまま使用することもできる。該有機溶媒中に含まれる水分量は、特に制限はないが、基本的に水とスルホニル基は反応するため、あまり量が多いと本発明の収率が低下する傾向にある。そのため、有機溶媒中に含まれる水分量は、本発明に使用されるグルコシドエステル誘導体１モルに対して、１００モル以下とすることが好ましい。該有機溶媒中の水分量の下限値は、乾燥した有機溶媒を使用することもできるため、グルコシドエステル誘導体１モルに対して、０モルである。

本発明において、上記有機溶媒の使用量は、特に制限はないが、あまり量が多いとバッチあたりの収量が減少するため経済的ではなく、あまり量が少ないと攪拌等に支障をきたすため、通常、反応溶媒中のグルコシドエステル誘導体の濃度が好ましくは０．１〜７０質量％、より好ましくは１〜６０質量％となる量である。

本反応Ａにおいては、各化合物の添加順序については、特に制限されるものではない。中でも、一般的に高い選択性および反応収率を獲得するという観点から、予め有機溶媒中に界面活性剤およびグルコシドエステル誘導体を添加しておき、次いでアジド化合物を該溶媒に添加する方法が好適である。

本反応Ａにおいて、反応温度は、グルコシドエステル誘導体、界面活性剤およびアジド化合物の種類によって異なるため、一概には言えないが、あまり温度が低いと反応速度が著しく小さくなり、あまり温度が高いと副反応を助長する傾向にあるため、通常、好ましくは０〜１００℃、より好ましくは１０〜７０℃である。

また、反応時間も、グルコシドエステル誘導体、界面活性剤およびアジド化合物の種類によって異なるため一概には言えないが、通常、好ましくは１〜１００時間である。

以下、実施例を掲げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらによって何ら制限されるものではない。

実施例１
３０ｍｌの茄子型フラスコに１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−α−Ｄ−グルコピラノシド１４９ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン１７４μｌ（１．０ｍｍｏｌ）、ジメチルジクロロ錫５．５ｍｇ（０．０２５ｍｍｏｌ）、テトラハイドロフラン（以下、ＴＨＦと称す。）２ｍｌを加え、攪拌した。この混合溶液にトルエンスルホニルクロライド１０５ｍｇ（０．５５ｍｍｏｌ）を加え、室温下２２時間攪拌した。反応終了後、３％塩酸水２０ｍｌを加え、酢酸エチル２０ｍｌで三回抽出した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製（展開溶媒ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）したところ、白色個体を１９９ｍｇ取得した。

得られた白色固体の赤外吸収スペクトルを測定した結果、３５１５ｃｍ^−１に水酸基に基づく吸収を得、１７５２ｃｍ^−１にカルボニル基に基づく吸収を得た。さらに核磁気共鳴スペクトル（σ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準：重クロロホルム溶媒）を測定した結果は次の通りである。

８．０７ｐｐｍに水素原子２個分のダブレットピークを観測し（ｃ）のベンゼン環のプロトンに相当した。７．８３ｐｐｍに水素原子２個分のダブレットピークを観測し、（ｍ）のベンゼン環のプロトンに相当した。７．５９ｐｐｍに水素原子１個分のトリプレットピークを観測し、（ｅ）のベンゼン環のプロトンに相当した。７．４６ｐｐｍに水素原子２個分のダブレットピークを観測し、（ｄ）のベンゼン環のプロトンに相当した。７．３６ｐｐｍに水素原子２個分のダブレットピークを観測し、（ｎ）のベンゼン環のプロトンに相当した。４．９６ｐｐｍに水素原子１個分のダブレットピークを観測し、（ａ）のメチン基のプロトンに相当した。４．８６ｐｐｍに水素原子１個分のダブルダブレットピークを観測し、（ｆ）のメチン基の水素原子１個分のプロトンに相当した。４．４１−４．２６ｐｐｍに水素原子２個分のマルチプレットピークを観測し、（ｌ）のメチレン基のプロトンに相当した。４．１４−４．０７ｐｐｍに水素１個分のマルチプレットピークを観測し、（ｇ）のメチン基の水素原子１個分のプロトンに相当した。３．８５−３．８０ｐｐｍに水素原子１個分のマルチプレットピークを観測し、（ｋ）のメチン基のプロトンに相当した。３．６２−３．５８ｐｐｍに水素原子１個分のマルチプレットピークを観測し、（ｊ）のメチン基のプロトンに相当した。３．３４ｐｐｍに水素原子３個分のシングレットピークを観測し、（ｂ）のメチル基のプロトンに相当した。２．７５および２．５２ｐｐｍにそれぞれ水素原子１個分のダブレットピークを観測し、（ｉ）および（ｈ）の水酸基のプロトンに相当した。２．４６ｐｐｍに水素原子３個分のシングレットピークを観測し、（ｏ）のメチル基のプロトンに相当した。また、マススペクトル（ＥＩ−ＭＳ）を測定したところ、推定分子式Ｃ_２１Ｈ_２４Ｏ_９Ｓに相当する計算値４５２．１１４１に対して、測定値４５２．１１５７となり、分子式の正当性を裏付けた。

上記の結果から、白色固体が、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシドであることが明らかとなった。単離収率は、８８％であった。また、この化合物の２２℃の旋光度は［α］_Ｄ ^２２＝＋１０９．５（Ｃ＝１．０、エタノール）であり、融点は６５−６７℃であった。

実施例２
ジイソプロピルエチルアミンに代えてジイソプロピルメチルアミンを用いた以外は実施例１と同様の操作を行った。その結果、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシドを１９２ｍｇ（収率８５％）取得した。

実施例３
ジメチルジクロロ錫に代えて、ジブチル酸化錫を用いた以外は実施例１と同様の操作を行った。その結果、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシドを１５８ｍｇ（収率７０％）取得した。

比較例１
ジメチルジクロロ錫を用いずに、実施例１と同様の反応を行った。その結果、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシドを取得できなかった。

実施例４
３０ｍｌの茄子型フラスコに１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド２２６ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン１７４μｌ（１．０ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン６７ｍｇ（０．５５ｍｍｏｌ）、ジメチルジクロロ錫５．５ｍｇ（０．０２５ｍｍｏｌ）、テトラハイドロフラン（以下、ＴＨＦと称す。）２ｍｌを加え、攪拌した。この混合溶液にジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネート１２０ｍｇ（０．５５ｍｍｏｌ）を加え、室温下３０分攪拌した。反応終了後、３％塩酸水２０ｍｌを加え、酢酸エチル２０ｍｌで三回抽出した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製（展開溶媒ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝５：１）したところ、白色個体を２５７ｍｇ取得した。
得られた白色固体の赤外吸収スペクトルを測定した結果、３５１３ｃｍ^−１に水酸基に基づく吸収を得、１７５２ｃｍ^−１および１７２８ｃｍ^−１にカルボニル基に基づく吸収を得た。さらに核磁気共鳴スペクトル（σ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準：重クロロホルム溶媒）を測定した結果は次の通りである。

８．０６ｐｐｍと８．０４ｐｐｍに合わせて水素原子２個分の２つのダブレットピークを観測し（ｃ）のベンゼン環のプロトンに相当した。７．８２ｐｐｍに水素原子２個分のダブレットピークを観測し、（ｍ）のベンゼン環のプロトンに相当した。７．６１−７．５２ｐｐｍに水素原子１個分のマルチプレットピークを観測し、（ｅ）のベンゼン環のプロトンに相当した。７．４３ｐｐｍに水素原子２個分のトリプレットピークを観測し、（ｄ）のベンゼン環のプロトンに相当した。７．４１−７．３５ｐｐｍに水素原子２個分のマルチプレットピークを観測し、（ｎ）のベンゼン環のプロトンに相当した。５．２８ｐｐｍと４．６４ｐｐｍに合わせて水素原子１個分の２つのトリプレットピークを観測し、（ｇ）のメチン基のプロトンに相当した。５．０４ｐｐｍと４．９３ｐｐｍに合わせて水素原子１個分のダブレットピークを観測し、（ａ）のメチン基のプロトンに相当した。４．９２−４．８４ｐｐｍに水素原子１個分のマルチプレットピークを観測し、（ｆ）のメチン基の水素原子１個分のプロトンに相当した。４．４１−４．２０ｐｐｍに水素２個分のマルチプレットピークを観測し、（ｌ）のメチレン基の水素原子２個分のプロトンに相当した。４．２３−４．２０ｐｐｍと３．７９−３．７２ｐｐｍに合わせて水素１個分の２つのマルチプレットピークを観測し、（ｊ）のメチン基のプロトンに相当した。４．０１−３．９７ｐｐｍと３．８５−３．８０ｐｐｍに合わせて水素１個分の２つのマルチプレットピークを観測し、（ｋ）のメチン基のプロトンに相当した。３．３２ｐｐｍに水素原子３個分のシングレットピークを観測し、（ｂ）のメチル基のプロトンに相当した。２．７２ｐｐｍと２．５５ｐｐｍに合わせて水素原子１個分の２つのダブレットピークを観測し、（ｉ）の水酸基のプロトンに相当した。２．４６ｐｐｍに水素原子３個分のシングレットピークを観測し、（ｏ）のメチル基のプロトンに相当した。１．５０ｐｐｍと１．４０ｐｐｍに合わせて水素原子９個分の２つのシングレットピークを観測し、（ｈ）のメチル基のプロトンに相当した。また、マススペクトル（ＦＡＢ−ＭＳ）を測定したところ、推定分子式Ｃ_２６Ｈ_３２Ｏ_１１Ｓに水素原子１個を加えた推定分子式Ｃ_２６Ｈ_３３Ｏ_１１Ｓに相当する計算値５５３．１７４４に対して、測定値５５３．１７２６となり、分子式の正当性を裏付けた。

上記の結果から、白色生成物が、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシドであることが明らかとなった。単離収率は、９３％であった。また、この化合物の２２℃の旋光度は［α］_Ｄ ^２２＝＋１０７．１（Ｃ＝０．４、クロロホルム）であり、融点は６７−６９℃であった。

実施例５
ジイソプロピルエチルアミンに代えてトリエチルアミンを用いた以外は実施例４と同様の操作を行った。その結果、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシドを２６３ｍｇ（収率９５％）取得した。

実施例６
ジメチルジクロロ錫に代えて、ジブチル酸化錫を用いた以外は実施例４と同様の操作を行った。その結果、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシドを２３２ｍｇ（収率８４％）取得した。

比較例２
ジメチルジクロロ錫を用いずに、実施例４と同様の反応を行った。その結果、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシドを１８５ｍｇ（収率６７％）取得した。

実施例７
３０ｍｌの茄子型フラスコに１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド２７６ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、ピリジン６０μｌ（１．０ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン９２ｍｇ（０．７５ｍｍｏｌ）、ジフェニルホスホリルクロライド１５５μｌ（０．７５ｍｍｏｌ）、テトラハイドロフラン（以下、ＴＨＦと称す。）２ｍｌを加え、室温下２２時間攪拌した。反応終了後、水２０ｍｌを加え、酢酸エチル２０ｍｌで三回抽出した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製（展開溶媒ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）したところ、白色個体を３７３ｍｇ取得した。
得られた白色固体の赤外吸収スペクトルを測定した結果、１７６３ｃｍ^−１および１７２１ｃｍ^−１にカルボニル基に基づく吸収を得た。さらに核磁気共鳴スペクトル（σ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準：重クロロホルム溶媒）を測定した結果は次の通りである。

８．０２ｐｐｍと７．９６ｐｐｍに合わせて水素原子２個分の２つのダブレットピークを観測し（ｃ）のベンゼン環のプロトンに相当した。７．８３ｐｐｍと７．７３ｐｐｍに合わせて水素原子２個分の２つのダブレットピークを観測し、（ｏ）のベンゼン環のプロトンに相当した。７．５９−６．７８ｐｐｍに水素原子１５個分のマルチプレットピークを観測し、（ｄ）、（ｅ）、（ｉ）、（ｍ）、（ｎ）、（ｐ）のベンゼン環のプロトンに相当した。５．６２ｐｐｍに水素原子０．５個分のトリプレットピークを観測し、（ｇ）のメチン基のプロトンに相当した。５．２８ｐｐｍと４．５７ｐｐｍに合わせて水素原子１個分の２つのカルテットピークを観測し、（ｊ）のメチン基のプロトンに相当した。５．０６ｐｐｍに水素原子０．５個分のダブレットピークを観測し、（ａ）のメチン基のプロトンに相当した。５．０２−４．９２ｐｐｍに水素原子１．５個分のマルチプレットピークを観測し、（ａ）、（ｆ）、（ｇ）のメチン基の水素原子１．５個分のプロトンに相当した。４．８６ｐｐｍに水素原子０．５個分のダブルダブレットピークを観測し、（ｆ）のメチン基のプロトンに相当した。４．３６−３．９９ｐｐｍに水素原子３個分のマルチプレットピークを観測し、（ｋ）のメチン基のプロトンおよび（ｌ）のメチレン基のプロトンに相当した。３．３５ｐｐｍと３．２７ｐｐｍに合わせて水素原子３個分のシングレットピークを観測し、（ｂ）のメチル基のプロトンに相当した。２．４６ｐｐｍと２．４１ｐｐｍに合わせて水素原子３個分の２つのシングレットピークを観測し、（ｑ）のメチル基のプロトンに相当した。１．２７ｐｐｍと１．１５ｐｐｍに合わせて水素原子９個分の２つのシングレットピークを観測し、（ｈ）のメチル基のプロトンに相当した。また、マススペクトル（ＦＡＢ−ＭＳ）を測定したところ、推定分子式Ｃ_３８Ｈ_４１Ｏ_１４ＰＳに水素原子１個を加えた推定分子式Ｃ_３８Ｈ_４２Ｏ_１４ＰＳに相当する計算値７８５．２０３３に対して、測定値７８５．２０２１となり、分子式の正当性を裏付けた。

上記の結果から、白色固体が、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシドであることが明らかとなった。単離収率は、９５％であった。また、この化合物の２０℃の旋光度は［α］_Ｄ ^２０＝＋１０１．３（Ｃ＝１．０、クロロホルム）であり、融点は５５−５８℃であった。

実施例８
ピリジンに代えてトリエチルアミンを用いた以外は実施例７と同様の操作を行った。その結果、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシドを３５３ｍｇ（収率９０％）取得した。

応用例１
３０ｍｌの茄子型フラスコに１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−ｐ−トルエンスルホニル−α−Ｄ−グルコピラノシド７８ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、１５−クラウン−５を２ｍｇ（０．０１ｍｍｏｌ）、アジ化ナトリウム１０ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍｌを加え、５０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、水１５ｍｌを加え、ジエチルエーテル１５ｍｌで三回抽出した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製（展開溶媒ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）したところ、無色液体を４７ｍｇ取得した。
得られた無色液体の赤外吸収スペクトルを測定した結果、１７５４ｃｍ^−１および１７２８ｃｍ^−１にカルボニル基に基づく吸収を得た。さらに核磁気共鳴スペクトル（σ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準：重クロロホルム溶媒）を測定した結果は次の通りである。
さらに核磁気共鳴スペクトル（σ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準：重クロロホルム溶媒）を測定した結果は次の通りである。

８．０５ｐｐｍと７．９９ｐｐｍに合わせて水素原子２個分の２つのダブレットピークを観測し（ｃ）のベンゼン環のプロトンに相当した。７．６０−６．７５ｐｐｍに水素原子１３個分のマルチプレットピークを観測し、（ｄ）、（ｅ）、（ｉ）、（ｍ）、（ｎ）のベンゼン環のプロトンに相当した。５．６５ｐｐｍに水素原子０．５個分のトリプレットピークを観測し、（ｇ）のメチン基のプロトンに相当した。５．３３ｐｐｍと４．６７ｐｐｍに合わせて水素原子１個分の２つのカルテットピークを観測し、（ｊ）のメチン基のプロトンに相当した。５．２０−４．７０ｐｐｍに水素原子２．５個分のマルチプレットピークを観測し、（ａ）、（ｆ）、（ｇ）のメチン基の水素原子２．５個分のプロトンに相当した。４．０１−３．９７ｐｐｍに水素原子１個分のマルチプレットピークを観測し、（ｋ）のメチン基のプロトンに相当した。３．４９−３．３８ｐｐｍに水素原子１個分のマルチプレットピークを観測し、（ｌ）のメチレン基のプロトンに相当した。３．４２ｐｐｍと３．３８ｐｐｍに合わせて水素原子３個分の２つのシングレットピークを観測し、（ｂ）のメチル基のプロトンに相当した。３．２８−３．２６ｐｐｍに水素原子１個分のマルチプレットピークを観測し、（ｌ）のメチレン基のプロトンに相当した。１．２８ｐｐｍと１．１７ｐｐｍに合計水素原子９個分の２つシングレットピークを観測し、（ｈ）のメチル基のプロトンに相当した。また、マススペクトル（ＦＡＢ−ＭＳ）を測定したところ、推定分子式Ｃ_３１Ｈ_３３Ｎ_３Ｏ_１１Ｐに水素原子１個を加えた推定分子式Ｃ_３１Ｈ_３４Ｎ_３Ｏ_１１Ｐに相当する計算値６５５．１９３１に対して、測定値６５５．１９５０となり、分子式の正当性を裏付けた。

上記の結果から、無色液体が、１−メチル−Ｏ^２−ベンゾイル−Ｏ^３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｏ^４−ジフェニルホスホリル−Ｏ^６−アジド−α−Ｄ−グルコピラノシドであることが明らかとなった。単離収率は、７１％であった。また、この化合物の１８℃の旋光度は［α］_Ｄ ^１８＝＋１１６．８（Ｃ＝１．０、クロロホルム）であった。

Claims

ジアルキル錫化合物、及び塩基の存在下、下記一般式（ＩＶ）

（式中、Ｘは炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ^１はアシル基である。）
で示されるグルコシドエステル化合物と、保護基導入剤であるスルホン酸ハライドとを反応させることにより、下記式（Ｉ）

（式中、Ｘは炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ^１はアシル基であり、Ｒ^２はスルホニル基である。）で示されるグルコシドジエステル化合物を製造する方法。
請求項１に記載の方法で式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物を製造し、続いて、ジアルキル錫化合物、及び塩基の存在下、該式（Ｉ）で示されるグルコシドジエステル化合物と、保護基導入剤であるオキシカルボン酸ハライド、又はジアルキルジカーボネートとを反応させることにより、下記式（ＩＩ）

（式中、Ｘは炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ^１はアシル基であり、Ｒ^２はスルホニル基であり、Ｒ^３はオキシカルボニル基である。）で示されるグルコシドトリエステル化合物を製造する方法。
請求項２に記載の方法で式（ＩＩ）で示されるグルコシドトリエステル化合物を製造し、続いて、塩基の存在下、該式（ＩＩ）で示されるグルコシドトリエステル化合物と、保護基導入剤であるホスホリル酸ハライドとを反応させることにより、下記式（ＩＩＩ）

（式中、Ｘは炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ^１はアシル基であり、Ｒ^２はスルホニル基であり、Ｒ^３はオキシカルボニル基であり、Ｒ^４はホスホリル基である。）で示されるグルコシドテトラエステル化合物を製造する方法。