JP5320841B2 - 増幅器および光モジュール - Google Patents
増幅器および光モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP5320841B2 JP5320841B2 JP2008158289A JP2008158289A JP5320841B2 JP 5320841 B2 JP5320841 B2 JP 5320841B2 JP 2008158289 A JP2008158289 A JP 2008158289A JP 2008158289 A JP2008158289 A JP 2008158289A JP 5320841 B2 JP5320841 B2 JP 5320841B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- electrode
- coupled
- conduction electrode
- conduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 64
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- ATCJTYORYKLVIA-SRXJVYAUSA-N vamp regimen Chemical compound O=C1C=C[C@]2(C)[C@H]3[C@@H](O)C[C@](C)([C@@](CC4)(O)C(=O)CO)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1.C=1N=C2N=C(N)N=C(N)C2=NC=1CN(C)C1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(O)=O)C=C1.O([C@H]1C[C@@](O)(CC=2C(O)=C3C(=O)C=4C=CC=C(C=4C(=O)C3=C(O)C=21)OC)C(=O)CO)[C@H]1C[C@H](N)[C@H](O)[C@H](C)O1.C([C@H](C[C@]1(C(=O)OC)C=2C(=CC3=C(C45[C@H]([C@@]([C@H](OC(C)=O)[C@]6(CC)C=CCN([C@H]56)CC4)(O)C(=O)OC)N3C=O)C=2)OC)C[C@@](C2)(O)CC)N2CCC2=C1NC1=CC=CC=C21 ATCJTYORYKLVIA-SRXJVYAUSA-N 0.000 description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 15
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0088—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using discontinuously variable devices, e.g. switch-operated
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3084—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in receivers or transmitters for electromagnetic waves other than radiowaves, e.g. lightwaves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
図13を参照して、特許文献2および3に記載の前置増幅器は、帰還抵抗RFの抵抗値を切り替えることにより利得を変更する構成である。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光ネットワークの構成を示す図である。
図2を参照して、局側装置402は、光モジュール301と、PON受信部302と、PON送信部303と、通信制御部304と、上位ネットワーク受信部305と、上位ネットワーク送信部306とを備える。光モジュール301は、光受信部51と、光送信部52と、合分波部53と、端子T1〜T3とを含む。光受信部51は、レンズ201と、受光素子PDと、前置増幅器101とを含む。光送信部52は、レンズ202と、発光素子203とを含む。PON受信部302は、後置増幅器54と、クロック/データ再生部55とを含む。
図3を参照して、前置増幅器101は、利得制御回路1と、反転増幅回路2と、差動変換回路3と、出力バッファ回路4と、NPNトランジスタN1と、NチャネルMOSトランジスタM1,M11と、コンデンサC1と、インバータINVとを備える。反転増幅回路2は、NPNトランジスタN0,NFと、帰還抵抗RFと、抵抗RLと、電流源IS1とを含む。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る前置増幅器と比べて回路のマッチングを改善した前置増幅器に関する。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る前置増幅器と比べて利得切り替え用のトランジスタの配置を変更した前置増幅器に関する。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る前置増幅器と比べてDCバイアス電流を増強した前置増幅器に関する。
図9を参照して、前置増幅器104は、本発明の第1の実施の形態に係る前置増幅器と比べて、さらに、電流源IS2を備える。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る前置増幅器と比べて多段階の利得切り替えを可能とした前置増幅器に関する。
図10を参照して、前置増幅器105は、利得制御回路1の代わりに利得制御回路11を備え、かつ本発明の第1の実施の形態に係る前置増幅器と同様のNチャネルMOSトランジスタM1およびコンデンサC1の組を複数備える。すなわち、前置増幅器105は、利得制御回路11と、反転増幅回路2と、NPNトランジスタN1〜Nnと、NチャネルMOSトランジスタM1〜Mnと、コンデンサC1〜Cnとを備える。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る前置増幅器と比べてバイパス経路の抵抗値を連続的に変化させることを可能とした前置増幅器に関する。
Claims (11)
- 電流が入力される第1導通電極と、前記第1導通電極に結合された制御電極と、固定電圧源に結合された第2導通電極とを有する第1のトランジスタと、
第1導通電極と、前記固定電圧源に結合された第2導通電極と、前記第1のトランジスタの制御電極に結合された制御電極とを有する第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの制御電極に結合され、前記第2のトランジスタの出力を前記第2のトランジスタの制御電極に帰還するための帰還抵抗と、
前記第1のトランジスタの相互コンダクタンスを制御することにより、前記第1のトランジスタの第1導通電極から前記第2のトランジスタの制御電極および前記帰還抵抗へ流れる電流と、前記第1のトランジスタの第1導通電極から第2導通電極へ流れる電流との比率である分流比を制御するための可変抵抗素子とを備える増幅器。 - 前記可変抵抗素子は、前記第1のトランジスタの第2導通電極と前記固定電圧源との間に接続されている請求項1に記載の増幅器。
- 前記可変抵抗素子は、前記第1のトランジスタの第2導通電極に結合された第1導通電極と、前記固定電圧源に結合された第2導通電極とを有する第3のトランジスタであり、
前記増幅器は、さらに、
前記第2のトランジスタの第2導通電極に結合された第1導通電極と、前記固定電圧源に結合された第2導通電極とを有する第4のトランジスタを備える請求項2に記載の増幅器。 - 前記第1のトランジスタのサイズおよび前記第2のトランジスタのサイズの比と、前記第3のトランジスタのサイズおよび前記第4のトランジスタのサイズの比とが略等しい請求項3に記載の増幅器。
- 前記可変抵抗素子は、前記第1のトランジスタの制御電極と、前記第1のトランジスタの第1導通電極および前記第2のトランジスタの制御電極の接続点との間に接続されている請求項1に記載の増幅器。
- 前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタは同じ構造であり、
前記増幅器は、さらに、
前記第2のトランジスタの第1導通電極に結合され、前記帰還抵抗と同じ材料で形成された抵抗を備える請求項1から5のいずれかに記載の増幅器。 - 前記増幅器は、さらに、
前記第1のトランジスタの第1導通電極から前記第2のトランジスタの制御電極および前記帰還抵抗へ流れる電流を減じて前記分流比を変える場合に前記第1のトランジスタの第1導通電極に定電流を供給する電流源を備える請求項1から6のいずれかに記載の増幅器。 - 前記増幅器は、前記第1のトランジスタおよび前記可変抵抗素子の組を複数備え、各前記第1のトランジスタの第1導通電極および制御電極が前記第2のトランジスタの制御電極に共通に結合されている請求項1から7のいずれかに記載の増幅器。
- 前記増幅器は、さらに、
前記第2のトランジスタの出力に基づいて、前記可変抵抗素子の抵抗値を3段階以上に制御する制御回路を備える請求項1から8のいずれかに記載の増幅器。 - 前記第1のトランジスタの第1導通電極には、受動的光ネットワークにおいて用いられる受光素子からの電流が入力される請求項1から9のいずれかに記載の増幅器。
- 光ファイバを備えた受動的光ネットワークにおいて用いられる光モジュールであって、
前記光ファイバと光学的に結合された受光素子と、
前記受光素子に結合されて、前記受光素子からの電流が入力される第1導通電極と、前記第1導通電極に結合された制御電極と、固定電圧源に結合された第2導通電極とを有する第1のトランジスタと、
第1導通電極と、前記固定電圧源に結合された第2導通電極と、前記第1のトランジスタの制御電極に結合された制御電極とを有する第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの制御電極に結合され、前記第2のトランジスタの出力を前記第2のトランジスタの制御電極に帰還するための帰還抵抗と、
前記第1のトランジスタの相互コンダクタンスを制御することにより、前記第1のトランジスタの第1導通電極から前記第2のトランジスタの制御電極および前記帰還抵抗へ流れる電流と、前記第1のトランジスタの第1導通電極から第2導通電極へ流れる電流との比率を制御するための可変抵抗素子と、
前記可変抵抗素子の抵抗値を制御するための制御信号を受ける端子とを備える光モジュール。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008158289A JP5320841B2 (ja) | 2008-06-17 | 2008-06-17 | 増幅器および光モジュール |
EP08874708.4A EP2290814A4 (en) | 2008-06-17 | 2008-11-12 | AMPLIFIER FOR CONTROLLING THE REINFORCEMENT AND OPTICAL MODULE |
CN200880129926.3A CN102067445B (zh) | 2008-06-17 | 2008-11-12 | 执行增益控制的放大器和光学模块 |
PCT/JP2008/070594 WO2009153892A1 (ja) | 2008-06-17 | 2008-11-12 | ゲイン制御を行なう増幅器および光モジュール |
KR1020107028970A KR20110038637A (ko) | 2008-06-17 | 2008-11-12 | 이득 제어를 수행하는 증폭기 및 광 모듈 |
CA2727980A CA2727980C (en) | 2008-06-17 | 2008-11-12 | Amplifier and optical module performing gain control |
US12/999,010 US8248165B2 (en) | 2008-06-17 | 2008-11-12 | Amplifier and optical module performing gain control |
TW098120008A TWI451691B (zh) | 2008-06-17 | 2009-06-16 | 進行增益控制之放大器及光模組 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008158289A JP5320841B2 (ja) | 2008-06-17 | 2008-06-17 | 増幅器および光モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009303159A JP2009303159A (ja) | 2009-12-24 |
JP5320841B2 true JP5320841B2 (ja) | 2013-10-23 |
Family
ID=41433819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008158289A Active JP5320841B2 (ja) | 2008-06-17 | 2008-06-17 | 増幅器および光モジュール |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8248165B2 (ja) |
EP (1) | EP2290814A4 (ja) |
JP (1) | JP5320841B2 (ja) |
KR (1) | KR20110038637A (ja) |
CN (1) | CN102067445B (ja) |
CA (1) | CA2727980C (ja) |
TW (1) | TWI451691B (ja) |
WO (1) | WO2009153892A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9864068B2 (en) | 2015-03-19 | 2018-01-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit, photon detector, and radiation analyzer |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011176552A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Renesas Electronics Corp | 光増幅回路及びフォトカプラ |
JP5185354B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2013-04-17 | リズム時計工業株式会社 | 光学モーションセンサー |
JP5423994B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2014-02-19 | 住友電気工業株式会社 | 半導体集積回路、増幅器および光モジュール |
CN102244499A (zh) * | 2011-06-08 | 2011-11-16 | 佛山敏石芯片有限公司 | 一种高灵敏度跨阻放大器前端电路 |
CN102323529B (zh) * | 2011-08-08 | 2016-04-20 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Mos晶体管的寄生双极型晶体管的特性表征方法 |
CN102638734B (zh) * | 2012-03-12 | 2014-10-29 | 东南大学 | 高速突发光接收机前端电路 |
JP5811955B2 (ja) | 2012-06-05 | 2015-11-11 | 住友電気工業株式会社 | バースト信号の受信装置及び方法、ponの局側装置、ponシステム |
WO2014128986A1 (ja) * | 2013-02-19 | 2014-08-28 | 三菱電機株式会社 | バースト光受信器、バースト光受信器のapdのバイアス電圧制御方法 |
US11075779B2 (en) * | 2018-03-30 | 2021-07-27 | Intel Corporation | Transceiver baseband processing |
US10608589B2 (en) * | 2018-08-23 | 2020-03-31 | Semtech Corporation | Multiplexed integrating amplifier for loss of signal detection |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4972230A (ja) * | 1972-11-20 | 1974-07-12 | ||
JPS6372230A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Hitachi Cable Ltd | 光受信回路 |
JPS63151205A (ja) | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Fujitsu Ltd | 光受信回路 |
JP3335984B2 (ja) * | 1992-03-09 | 2002-10-21 | 松下電器産業株式会社 | 電流発生装置 |
JPH06164356A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光検出器 |
JP3091801B2 (ja) * | 1993-02-09 | 2000-09-25 | 松下電器産業株式会社 | 電流発生装置 |
JPH098563A (ja) | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Nec Miyagi Ltd | 光受信前置増幅器 |
JPH09186659A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Fujitsu Ltd | 増幅回路 |
GB2343943B (en) * | 1998-11-18 | 2003-11-26 | Ericsson Telefon Ab L M | Detection circuit |
JP3475877B2 (ja) * | 1999-10-25 | 2003-12-10 | 日本電気株式会社 | 前置増幅回路 |
US7420419B2 (en) * | 2003-12-04 | 2008-09-02 | Nec Corporation | Variable gain voltage/current converter circuit having current compensation circuit for compensating for change in DC current flowing into active element for performing voltage/current conversion |
US7042295B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-05-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Low-voltage, low-power transimpedance amplifier architecture |
JP2006101223A (ja) | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Nec Commun Syst Ltd | 前置増幅装置及び前置増幅装置の利得制御方法 |
JP4470744B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2010-06-02 | パナソニック株式会社 | 高周波信号受信装置とこれを用いた電子機器 |
JP2007005901A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Nec Electronics Corp | 受光回路および受光回路を備える半導体集積回路装置 |
DE102005044679A1 (de) * | 2005-09-19 | 2007-03-22 | Vishay Semiconductor Gmbh | Schaltungsanordnung zur Versorgung einer Photodiode mit einer Vorspannung |
US20080007343A1 (en) * | 2006-07-10 | 2008-01-10 | Jds Uniphase Corporation | Tuning A Trans-Impedance Amplifier |
JP5019850B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2012-09-05 | 日本信号株式会社 | カレントミラー回路の利得制御装置 |
-
2008
- 2008-06-17 JP JP2008158289A patent/JP5320841B2/ja active Active
- 2008-11-12 KR KR1020107028970A patent/KR20110038637A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-11-12 US US12/999,010 patent/US8248165B2/en active Active
- 2008-11-12 WO PCT/JP2008/070594 patent/WO2009153892A1/ja active Application Filing
- 2008-11-12 CN CN200880129926.3A patent/CN102067445B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-12 CA CA2727980A patent/CA2727980C/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-12 EP EP08874708.4A patent/EP2290814A4/en not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-06-16 TW TW098120008A patent/TWI451691B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9864068B2 (en) | 2015-03-19 | 2018-01-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit, photon detector, and radiation analyzer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2290814A1 (en) | 2011-03-02 |
US20110129224A1 (en) | 2011-06-02 |
WO2009153892A1 (ja) | 2009-12-23 |
CA2727980A1 (en) | 2009-12-23 |
TWI451691B (zh) | 2014-09-01 |
EP2290814A4 (en) | 2014-04-09 |
CN102067445A (zh) | 2011-05-18 |
US8248165B2 (en) | 2012-08-21 |
KR20110038637A (ko) | 2011-04-14 |
JP2009303159A (ja) | 2009-12-24 |
CA2727980C (en) | 2015-04-28 |
CN102067445B (zh) | 2016-03-09 |
TW201008113A (en) | 2010-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5320841B2 (ja) | 増幅器および光モジュール | |
JP4005401B2 (ja) | 増幅回路及び光通信装置 | |
KR100900205B1 (ko) | 넓은 동적 범위 트랜스임피던스 증폭기 | |
JP4927664B2 (ja) | 前置増幅回路 | |
JP5138990B2 (ja) | 前置増幅器および光受信装置 | |
US8729452B2 (en) | Variable gain amplifier compensating frequency response thereof | |
US6911644B2 (en) | Automatic gain control device for a burst-mode optical receiver | |
JPH05304422A (ja) | 光通信用前置増幅器 | |
JP2013115562A (ja) | トランスインピーダンスアンプ | |
JP5635474B2 (ja) | トランスインピーダンスアンプ | |
US20050052247A1 (en) | Triode region mosfet current source to bias a transimpedance amplifier | |
US6876260B2 (en) | Elevated front-end transimpedance amplifier | |
US9537458B2 (en) | Feedback amplifier | |
US7221229B2 (en) | Receiver circuit having an optical reception device | |
JP5423994B2 (ja) | 半導体集積回路、増幅器および光モジュール | |
CN116633284A (zh) | 一种高增益跨阻放大器及高增益光电转换器 | |
JP2023008550A (ja) | 受信回路 | |
Aznar et al. | A highly sensitive 2.5 Gb/s transimpedance amplifier in CMOS technology | |
US11218120B2 (en) | Programmable amplifiers | |
JP3826779B2 (ja) | 光受信回路 | |
US8542065B2 (en) | Trans-impedance amplifier for optical receiver | |
JP7415476B2 (ja) | トランスインピーダンスアンプ | |
JP2013081064A (ja) | 光受信器 | |
JP2003046186A (ja) | 信号光強度制御装置 | |
Schneider et al. | Amplifiers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130618 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130701 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5320841 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |