JP5309170B2 - るつぼに含まれた融液からシリコンから成る単結晶を引き上げる方法、及びこの方法によって製造された単結晶 - Google Patents
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Description
100mm、125mm及び150mmの公称直径の、結晶方位(111)及び(100)を有する100個をはるかに超える単結晶が、チョクラルスキー法によるるつぼ引上げ法によって引き上げられた。ドーピングはヒ素(As)又はアンチモン(Sb)を使用して行われた。引き上げられた単結晶の実際の直径(DSC)、結晶方位、及びドーピング(ドーパント及びドーパントの濃度CDop)のデータは、以下の表に示されている。ドーパント濃度は、軸方向の単結晶内の偏析に応じて変化する。示された濃度CDopは、それぞれの単結晶において生じる最大ドーパント濃度である。
Claims (7)
- シリコンから成る単結晶(9)をるつぼ(4)に含まれた融液(11)から引き上げる方法において、引上げの間単結晶(9)は熱シールド(2)によって包囲されており、該熱シールドの下端部(3)は融液(11)の表面から所定の距離(h)に位置しており、ガス(10)が、単結晶(9)と熱シールド(2)との間の領域を下方へ、熱シールド(2)の下端部(3)と融液(11)との間を外方へ、次いで熱シールド(2)の外側の領域において再び上方へ流れ、下端部(3)における熱シールド(2)の内径(DHS)が単結晶(9)の直径(DSC)よりも少なくとも55mmだけ大きく、下端部(3)における熱シールド(2)の半径方向幅(BHSU)が単結晶(9)の直径(DSC)の20%以下であり、単結晶(9)と、るつぼ(4)と、熱シールド(2)とがチャンバ内に配置されており、該チャンバ内のガスの流量と生じる圧力との比が、20〜500(l/h)/mbarであり、熱シールド(2)の下端部(3)と、融液(11)との間の距離(h)が、10〜40mmであることを特徴とする、シリコンから成る単結晶(9)をるつぼ(4)に含まれた融液(11)から引き上げる方法。
- ガスの流量が、500〜8000l/hである、請求項1記載の方法。
- 圧力が、10〜80mbarの範囲である、請求項1記載の方法。
- るつぼ(4)と、単結晶(9)とが、互いに反対方向に回転(15,16)させられ、るつぼ(4)の回転速度が、毎分0.25〜25回転である、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- るつぼ(4)の内径(DTI)が、単結晶(9)の直径(DSC)の2〜4倍である、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- るつぼ(4)の内側の表面が、バリウム化合物で被覆されている、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 少なくとも100mmの直径と、結晶方位(100)又は(111)と、1・1017〜1・1020cm-3の、周期系の典型元素の第3族又は第5族の元素であるドーパントの濃度と、4・1017〜9・1017cm-3の酸素濃度とを有する、シリコンから成る単結晶において、該単結晶における少なくとも50μmの直径を有するボイドの濃度が、50m-3以下であることを特徴とする、シリコンから成る単結晶。
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