JP5303819B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明による整流素子の実施の形態1を示す断面模式図である。図1を参照して、本発明による整流素子の実施の形態1を説明する。
図11は、本発明による整流素子の実施の形態2を示す断面模式図である。図11を参照して、本発明による整流素子の実施の形態2を説明する。
図22は、本発明による整流素子の実施の形態3を示す断面模式図である。図22を参照して、本発明による整流素子の実施の形態3を説明する。
図33は、本発明による整流素子の実施の形態4を示す断面模式図である。図33を参照して、本発明による整流素子の実施の形態4を説明する。
図47は、本発明による整流素子の実施の形態5を示す断面模式図である。図47を参照して、本発明による整流素子の実施の形態5を説明する。
Claims (12)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板側の表面である第1の面と反対側の表面である第2の面から前記第1の面に到達する第1導電型の第1不純物領域と、前記第1不純物領域を挟む位置において前記第2の面から前記第1の面に向けて延在するように形成された溝の側壁に第2導電型の不純物が注入されることにより形成された第2導電型の第2不純物領域とを含む不純物領域層と、
前記溝の内部を充填する充填膜と、
前記第1不純物領域上に接続された、前記第1不純物領域における前記第1導電型の不純物の濃度より、前記第1導電型の不純物の濃度が低い、前記第1導電型の低濃度第1不純物領域層と、
前記低濃度第1不純物領域にショットキー接触し、かつ、前記第2不純物領域に電気的に接続された電極とを備え、
前記溝と前記低濃度第1不純物領域層との間において、前記第2不純物領域は前記不純物領域層の前記第2の面に露出しており、
前記電極は前記第2の面に露出した前記第2不純物領域と接触するように、前記低濃度第1不純物領域層上から前記充填膜上にまで延在する、半導体装置。 - 前記第2不純物領域と前記電極との接続部には、前記第2不純物領域における前記第2導電型の不純物の濃度より、前記第2導電型の不純物の濃度が高い、前記第2導電型の高濃度第2不純物領域が形成されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板側の表面である第1の面と、前記第1の面と反対側の表面である第2の面とを有する、半導体からなる不純物領域層と、
前記不純物領域層上に形成された電極とを備え、
前記不純物領域層では、前記第2の面から前記第1の面に到達する第1導電型の第1不純物領域と、前記第1不純物領域に隣接するとともに前記第1不純物領域を挟むように配置され、前記第2の面から前記第1の面に向けて延在する第2導電型の第2不純物領域とが形成され、
前記電極は、前記第1不純物領域にショットキー接触し、かつ、前記第2不純物領域に電気的に接続され、
前記不純物領域層では、前記第1不純物領域を挟む位置において前記第2の面から前記第1の面に向けて延びるように溝が形成され、
前記第2不純物領域は、前記溝の側壁に隣接する前記不純物領域層の部分において、前記第2導電型の不純物が注入された領域を含み、
前記第1不純物領域は、前記第2導電型の不純物が注入された前記領域に接触するように配置され、
前記溝の内部は充填膜により充填されている、半導体装置。 - 前記第2不純物領域は、前記溝の側壁上に形成され、前記第2導電型の不純物を含む半導体膜を含み、
前記第1不純物領域は、前記溝の側壁に接触するように配置されている、請求項3に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板はワイドギャップ半導体基板である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記電極は前記第1不純物領域にショットキー接触した第1の層と、前記第1の層上に形成された第2の層とを含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1不純物領域では、前記第1の面側から前記第2の面側に向けて徐々に第1導電型の不純物濃度が上昇している、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に半導体からなる第1導電型の不純物層を形成する工程と、
前記不純物層において、第1不純物領域となるべき領域を挟んで溝を形成する工程と、
前記溝の側壁に第2導電型の不純物を注入することにより、前記不純物層において前記溝の側壁に隣接する部分に第2導電型の第2不純物領域を形成する工程と、
前記溝の内部を充填するように充填膜を形成する工程と、
前記第1不純物領域にショットキー接触し、かつ、前記第2不純物領域に電気的に接続された電極を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に半導体からなる第1導電型の不純物層を形成する工程と、
前記不純物層上に、前記半導体からなり前記不純物層より前記第1導電型の不純物濃度の低い低濃度不純物層を形成する工程と、
前記不純物層において第1不純物領域となるべき領域を挟むように、前記不純物層および前記低濃度不純物層を部分的に除去することにより溝を形成する工程と、
前記溝の側壁に第2導電型の不純物を注入することにより、前記不純物層および前記低濃度不純物層において前記溝の側壁に隣接する部分に第2導電型の第2不純物領域を形成する工程と、
前記低濃度不純物層において形成された前記第2不純物領域の部分を除去することにより、前記第1不純物領域上に前記低濃度不純物層からなる低濃度第1不純物領域層を形成する工程と、
前記溝の内部を充填するように充填膜を形成する工程と、
前記低濃度第1不純物領域層にショットキー接触し、かつ、前記第2不純物領域に電気的に接続された電極を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に半導体からなる第1導電型の不純物層を形成する工程と、
前記不純物層において前記半導体基板に対向する面と反対側の面において、第1不純物領域となるべき領域を挟むように第2導電型の高濃度第2不純物領域を形成する工程と、
前記不純物層上に、前記半導体からなり前記不純物層より前記第1導電型の不純物濃度の低い低濃度不純物層を形成する工程と、
前記不純物層において第1不純物領域となるべき領域を挟むように、前記不純物層、前記高濃度第2不純物領域および前記低濃度不純物層を部分的に除去することにより溝を形成する工程と、
前記溝の側壁に第2導電型の不純物を注入することにより、前記不純物層および前記低濃度不純物層において前記溝の側壁に隣接する部分に、前記高濃度第2不純物領域より第2導電型の不純物濃度の低い、第2導電型の第2不純物領域を形成する工程と、
前記低濃度不純物層において形成された前記第2不純物領域の部分を除去することにより、前記第1不純物領域上に前記低濃度不純物層からなる低濃度第1不純物領域層を形成する工程と、
前記溝の内部を充填するように充填膜を形成する工程と、
前記低濃度第1不純物領域層にショットキー接触し、かつ、前記高濃度第2不純物領域に電気的に接続された電極を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。 - 前記不純物層を形成する工程では、前記不純物層に含有される第1導電型の不純物濃度が徐々に高くなるように、成膜条件を変更することを特徴とする、請求項8〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電極を形成する工程の後、前記半導体基板の厚みを減少させる薄膜化工程を備える、請求項8〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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